KR20200072686A - 기판 처리 장치의 서셉터 및 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 서셉터를 확대하여 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 서셉터를 개략적으로 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 서셉터를 개략적으로 나타내는 개략도이다.
10: 방열 몸체부
11: 제 1 부분
12: 제 2 부분
20: 단열부
21: 단열홈부
22: 단열 부재
23: 커버 부재
24: 공간부
100: 서셉터
1000: 기판 처리 장치
Claims (11)
- 기판 처리시 상면에 안착되는 기판의 중심 부분과 대응되는 제 1 부분 및 상기 기판의 테두리 부분과 대응되는 제 2 부분을 포함하는 방열 몸체부; 및
상기 제 1 부분의 열이 상기 제 2 부분으로 전달되는 것을 방지할 수 있도록 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이에 형성되는 단열부;
를 포함하는, 기판 처리 장치의 서셉터. - 제 1 항에 있어서,
상기 단열부는,
상기 방열 몸체부에 내설되고, 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분의 경계를 따라 링 형상으로 형성되는 단열성 물질인, 기판 처리 장치의 서셉터. - 제 1 항에 있어서,
상기 단열부는,
상기 방열 몸체부의 하면에 형성되고, 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분의 경계면을 따라 링 홈 형상으로 형성되는 단열홈부;
상기 단열홈부의 내부에 충전되고, 구불구불하게 절곡되거나 또는 말린 형태인 단열 부재; 및
상기 단열홈부의 개구를 덮어서 상기 단열 부재를 밀봉시키는 커버 부재;
를 포함하는, 기판 처리 장치의 서셉터. - 제 2 항에 있어서,
상기 단열성 물질은 상기 방열 몸체부 보다 열전도율이 낮은, 기판 처리 장치의 서셉터. - 제 2 항에 있어서,
상기 방열 몸체부는, 알루미늄 성분을 포함하고,
상기 단열성 물질은, 스테인리스 스틸 성분을 포함하는, 기판 처리 장치의 서셉터. - 제 1 항에 있어서,
상기 단열부는,
상기 방열 몸체부의 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분의 경계를 따라 링 홈 형상으로 형성되는 공간부인, 기판 처리 장치의 서셉터. - 제 1 항에 있어서,
상기 방열 몸체부의 상기 제 1 부분은 그 내부에 히터가 설치되는, 기판 처리 장치의 서셉터. - 제 1 항에 있어서,
상기 방열 몸체부의 상기 제 2 부분에 적어도 하나의 방열핀이 설치되는, 기판 처리 장치의 서셉터. - 제 8 항에 있어서,
상기 방열핀은 상기 제 2 부분의 하면에 복수개가 일정한 간격을 이루도록 서로 나란하게 설치되는, 기판 처리 장치의 서셉터. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 부분의 적어도 일부분의 두께는 상기 제 1 부분의 두께 보다 얇아지도록 상기 제 2 부분의 적어도 일부분에 단차부가 형성되는, 기판 처리 장치의 서셉터. - 기판을 처리하기 위한 내부 공간이 형성되는 진공 챔버;
상기 진공 챔버 상부에 구비되어 상기 기판 상으로 가스를 공급하기 위한 샤워 헤드; 및
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 서셉터;
를 포함하는, 기판 처리 장치.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR (1) | KR102460313B1 (ko) |
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| JPH0410688Y2 (ko) |
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| Date | Code | Title | Description |
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| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
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| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
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| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
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