KR20200078084A - 프론트 엔드 모듈 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000004044 response Effects 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- -1 rare earth metal transition metal Chemical class 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 프론트 엔드 모듈은, 순차적으로 적층되는 제1 전극, 압전층, 및 제2 전극을 포함하는 적어도 하나의 체적 음향 공진기를 각각 구비하고, 서로 다른 통과 대역을 담당하는 복수의 필터를 포함하는 필터부; 및 상기 복수의 필터 중 하나와 선택적으로 연결되어, 무선 주파수 신호의 경로를 형성하는 스위치부; 를 포함하고, 상기 서로 다른 통과 대역 중 인접하는 두 개의 통과 대역 중 하나의 통과 대역의 일부 주파수 대역과 다른 하나의 통과 대역의 일부 주파수 대역은 서로 중첩될 수 있다.
Description
본 발명은 프론트 엔드 모듈에 관한 것이다.
최근 이동통신기기, 화학 및 바이오기기 등의 급속한 발달에 따라, 이러한 기기에서 사용되는 소형 경량필터, 오실레이터(Oscillator), 공진소자(Resonant element), 음향공진 질량센서(Acoustic Resonant Mass Sensor) 등의 수요도 증대하고 있다.
이러한 소형 경량필터, 오실레이터, 공진소자, 음향공진 질량센서 등을 구현하는 수단으로는 박막 체적 음향 공진기(FBAR: Film Bulk Acoustic Resonator)가 알려져 있다. 박막 체적 음향 공진기는 최소한의 비용으로 대량 생산이 가능하며, 초소형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 필터의 주요한 특성인 높은 품질 계수(Quality Factor: Q)값을 구현하는 것이 가능하고, 수 GHz 주파수 대역에서도 사용이 가능하다.
일반적으로, 박막 체적 음향 공진기는 기판상에 제1 전극, 압전층(Piezoelectric layer) 및 제2 전극을 차례로 적층하여 구현되는 공진부를 포함하는 구조로 이루어진다. 박막 체적 음향 공진기의 동작원리를 살펴보면, 먼저 제1 및 2 전극에 인가되는 전기에너지에 의해 압전층 내에 전계가 유기되고, 유기된 전계에 의해 압전층에서 압전 현상이 발생하여 공진부가 소정 방향으로 진동한다. 그 결과, 진동방향과 동일한 방향으로 음향파(Bulk Acoustic Wave)가 발생하여 공진을 일으키게 된다.
본 발명의 과제는 고성능의 광대역 특성 및 우수한 감쇄 특성을 가지는 필터를 포함하는 프론트 엔드 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 프론트 엔드 모듈은, 순차적으로 적층되는 제1 전극, 압전층, 및 제2 전극을 포함하는 적어도 하나의 체적 음향 공진기를 각각 구비하고, 서로 다른 통과 대역을 담당하는 복수의 필터를 포함하는 필터부; 및 상기 복수의 필터 중 하나와 선택적으로 연결되어, 무선 주파수 신호의 경로를 형성하는 스위치부; 를 포함하고, 상기 서로 다른 통과 대역 중 인접하는 두 개의 통과 대역 중 하나의 통과 대역의 일부 주파수 대역과 다른 하나의 통과 대역의 일부 주파수 대역은 서로 중첩될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 프론트 엔드 모듈에 따르면, 차세대 이동통신의 폭 넓은 주파수 대역을 커버하면서도, 설계된 채널 간의 간섭을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 필터를 나타낸 단면도이다.
도 2은 체적 음향 공진기를 포함하는 필터의 예시적인 회로도이다.
도 3는 도 2의 필터의 주파수 응답을 나타낸다.
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 프론트 엔드 모듈의 회로도이다.
도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 프론트 엔드 모듈의 회로도이다.
도 6는 도 5의 프론트 엔드 모듈의 복수의 필터가 담당하는 통과 대역을 나타낸다.
도 2은 체적 음향 공진기를 포함하는 필터의 예시적인 회로도이다.
도 3는 도 2의 필터의 주파수 응답을 나타낸다.
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 프론트 엔드 모듈의 회로도이다.
도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 프론트 엔드 모듈의 회로도이다.
도 6는 도 5의 프론트 엔드 모듈의 복수의 필터가 담당하는 통과 대역을 나타낸다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 필터를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 필터(10)는 적어도 하나의 체적 음향 공진기(100) 및 캡(200)을 포함할 수 있다. 도 1에서, 필터(10)가 두 개의 체적 음향 공진기(100)를 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 실시예에 따라 필터(10)는 하나의 체적 음향 공진기(100) 또는 세 개 이상의 체적 음향 공진기(100)를 포함할 수 있다. 체적 음향 공진기(100)는 박막 체적 음향파 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator: FBAR)일 수 있다.
체적 음향 공진기(100)는 복수의 막으로 구성되는 적층 구조체에 의해 구성될 수 있다. 체적 음향 공진기(100)를 구성하는 적층 구조체는 기판(110), 절연층(115), 에어 캐비티(133), 지지부(134), 보조 지지부(135), 및 제1 전극(140), 압전층(150)과 제2 전극(160)으로 이루어진 공진부(155)를 포함할 수 있고, 추가적으로 보호층(170) 및 금속층(180)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 체적 음향 공진기(100)의 제조 공정에 대해 설명하면, 절연층(115) 상에 희생층을 형성하고, 희생층의 일부를 제거하여, 지지부(134)가 마련되는 패턴을 형성한다. 여기서, 보조 지지부(135)는 잔존하는 희생층에 의해 형성된다. 희생층에 형성되는 패턴의 상면의 폭은 하면의 폭 보다 넓을 수 있고, 상면과 하면을 연결하는 패턴의 측면은 경사질 수 있다. 희생층에 패턴을 형성한 후에, 희생층 및 패턴에 의해 외부로 노출된 절연층(115) 상에 멤브레인(130)을 형성한다. 멤브레인(130)을 형성한 후에, 멤브레인(130)을 덮도록 지지부(134) 형성의 기초가 되는 식각 저지 물질을 형성한다.
식각 저지 물질을 형성한 후에, 희생층 상면에 형성된 멤브레인(130)이 외부로 노출되도록 식각 저지 물질의 일면은 평탄화 된다. 식각 저지 물질의 일면이 평탄화되는 공정에서 식각 저지 물질의 일부는 제거되고, 일부가 제거된 후에 패턴 내부에서 잔존하는 식각 저지 물질에 의해 지지부(134)가 형성될 수 있다. 식각 저지 물질의 평탄화 과정의 결과, 지지부(134) 및 희생층의 일면은 대략 평탄할 수 있다. 여기서, 멤브레인(130)은 식각 저지 물질의 평탄화 공정의 정지층(Stop layer)으로 기능할 수 있다.
이후, 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160) 등을 적층한 후에 희생층을 식각하여 제거하는 식각 공정에 의해 에어 캐비티(133)가 형성될 수 있다. 일 예로, 희생층은 다결정 실리콘(Poly-Si)을 포함할 수 있다. 에어 캐비티(133)는 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160)으로 구성되는 공진부(155)가 소정 방향으로 진동할 수 있도록 공진부의 하부에 위치할 수 있다.
기판(110)은 실리콘 기판으로 구성될 수 있고, 기판(110)의 상면에는 기판(110)에 대하여 공진부(155)를 전기적으로 격리시키는 절연층(115)이 마련될 수 있다. 절연층(115)은 이산화규소(SiO2), 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 산화 알루미늄(Al2O2), 및 질화알루미늄(AlN) 중 적어도 하나로 형성 될 수 있으며, 화학 기상 증착 (Chemical vapor deposition), RF 마그네트론 스퍼터링(RF Magnetron Sputtering), 또는 에바포레이션(Evaporation)하여 기판(110) 상에 형성될 수 있다.
절연층(115) 상에는 식각 저지층이 추가적으로 형성될 수 있다. 식각 저지층은 식각 공정으로부터 기판(110) 및 절연층(115)을 보호하는 역할을 하고, 식각 저지층 상에 다른 여러 층이 증착되는데 필요한 기단 역할을 할 수 있다.
절연층(115) 상에는 에어 캐비티(133), 및 지지부(134)가 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 에어 캐비티(133)는 절연층(115) 상에 희생층을 형성하고, 희생층에 지지부(134)가 마련되는 패턴을 형성한 후, 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160) 등을 적층한 후에 희생층을 에칭하여 제거하는 식각 공정에 의해 형성될 수 있다.
에어 캐비티(133)는 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160)으로 구성되는 공진부(155)가 소정 방향으로 진동할 수 있도록 공진부(155)의 하부에 위치할 수 있다. 에어 캐비티(133)의 일 측에는 지지부(134)가 마련될 수 있다.
지지부(134)의 두께는 에어 캐비티(133)의 두께와 동일할 수 있다. 따라서, 에어 캐비티(133)와 지지부(134)에 의해 제공되는 상면은 대략 평탄할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 단차가 제거된 평탄한 면 상에 공진부(155)가 배치되어, 체적 음향 공진기의 삽입 손실 및 감쇄 특성을 개선할 수 있다.
지지부(134)의 단면은 대략 사다리꼴 형상일 수 있다. 구체적으로 지지부(134)의 상면의 폭은 하면의 폭보다 넓을 수 있고, 상면과 하면을 연결하는 측면은 경사질 수 있다. 지지부(134)는 희생층을 제거하기 위한 식각 공정에서 식각되지 않는 물질로 형성될 수 있다. 일 예로, 지지부(134)는 절연층(115)과 동일한 물질로 형성될 수 있고, 구체적으로, 지지부(134)는 이산화규소(SiO2) 및 질화 실리콘(Si3N4) 중 하나 또는 이들의 조합으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 지지부(134)의 측면을 경사지게 형성하여 지지부(134)와 희생층의 경계에서 가파른(Abrupt) 단차가 발생하는 것을 방지하고, 지지부(134)의 하면의 폭을 좁게 형성하여 디슁(Dishing) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 일 예로, 지지부(134)의 하면과 측면이 이루는 각도는 110° ~ 160° 일 수 있고, 지지부(134)의 하면의 폭은 2㎛ ~ 30㎛일 수 있다.
지지부(134)의 외측으로 보조 지지부(135)가 마련될 수 있다. 보조 지지부(135)는 지지부(134)와 동일한 물질로 형성될 수 있고, 또한, 지지부(134)와 서로 다른 물질로 형성될 수 있다. 일 예로, 보조 지지부(135)가 지지부(134)와 서로 다른 물질로 형성되는 경우, 보조 지지부(135)는 절연층(115) 상에 형성되는 희생층 중 식각 공정 이후에 잔존하는 일 부분에 대응할 수 있다.
공진부(155)는 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160)을 포함할 수 있다. 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160)의 수직 방향으로 중첩된 공통 영역은 에어 캐비티(133)의 상부에 위치할 수 있다. 제1 전극(140) 및 제2 전극(160)은 금(Au), 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 이리듐(Ir) 및 니켈(Ni) 중 하나 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 압전층(150)은 전기적 에너지를 탄성파 형태의 기계적 에너지로 변환하는 압전 효과를 일으키는 부분으로, 산화아연(ZnO), 질화알루미늄(AlN), 도핑 알루미늄 질화물(Doped Aluminum Nitride), 지르콘 티탄산 납(Lead Zirconate Titanate), 쿼츠(Quartz) 등이 선택적으로 이용될 수 있다. 도핑 알루미늄 질화물(Doped Aluminum Nitride) 경우 희토류 금속(Rare earth metal) 전이 금속, 또는 알칼리 토금속(alkaline earth metal)을 더 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있고 희토류 함량은 1~20at%를 포함할 수 있다. 상기 전이 금속은 하프늄(Hf), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 탄탈(Ta), 및 니오븀(Nb) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 알칼리 토금속은 마그네슘(Mg)을 포함할 수 있다.
멤브레인(130)은 캐비티(133)를 형성하는 과정에서 쉽게 제거되지 않는 재질로 형성된다. 예를 들어, 캐비티(133)를 형성하기 위하여, 희생층의 일부를 제거하기 위해 불소(F), 염소(Cl) 등의 할라이드계 에칭가스를 이용하는 경우, 멤브레인(130)은 상기 에칭가스와 반응성이 낮은 재질로 이루어질 수 있다. 이 경우, 멤브레인(130)은 이산화규소(SiO2), 질화규소(Si3N4) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 멤브레인(130)은 산화마그네슘(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 지르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 중 적어도 하나의 재질을 함유하는 유전체층(Dielectric layer)으로 이루어지거나, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 백금(Pt), 갈륨(Ga), 하프늄(Hf) 중 적어도 하나의 재질을 함유하는 금속층으로 이루어질 수 있다.
실시예에 따라, 멤브레인(130) 상에는 질화알루미늄(AlN)으로 제조되는 시드층이 형성될 수 있다. 구체적으로, 시드층은 멤브레인(130)과 제1 전극(140) 사이에 배치될 수 있다. 시드층은 질화알루미늄(AlN) 이외에도 HCP 구조를 가지는 유전체 또는 금속을 이용하여 형성될 수 있다. 금속일 경우 예를 들어, 시드층은 티타늄(Ti)으로 형성될 수 있다.
보호층(170)은 제2 전극(160) 상에 배치되어, 제2 전극(160)이 외부에 노출되는 것을 방지할 수 있다. 보호층(170)은 실리콘 옥사이드 계열, 실리콘 나이트라이드 계열 및 알루미늄 나이트라이드 계열, 알루미늄 옥사이드 계열 중의 하나의 절연 물질로 형성될 수 있다. 외부로 노출된 제1 전극(140) 및 제2 전극(160) 상에는 금속층(180)이 형성될 수 있다.
공진부(155)는 활성 영역과 비활성 영역으로 구획될 수 있다. 공진부(155)의 활성 영역은 제1 전극(140) 및 제2 전극(160)에 무선 주파수 신호와 같은 전기 에너지가 인가되는 경우 압전층(150)에서 발생하는 압전 현상에 의해 소정 방향으로 진동하여 공진하는 영역으로, 에어 캐비티(133) 상부에서 제1 전극(140), 압전층(150) 및 제2 전극(160)이 수직 방향으로 중첩된 영역에 해당한다. 공진부(155)의 비활성 영역은 제1 전극(140) 및 제2 전극(160)에 전기 에너지가 인가되더라도 압전 현상에 의해 공진하지 않는 영역으로, 활성 영역 외측의 영역에 해당한다.
공진부(155)는 압전 현상을 이용하여 특정 주파수를 가지는 무선 주파수 신호를 출력한다. 구체적으로 공진부(155)는 압전층(150)의 압전 현상에 따른 진동에 대응하는 공진 주파수를 가지는 무선 주파수 신호를 출력할 수 있다.
캡(200)은 복수의 체적 음향 공진기(100)를 형성하는 적층 구조체와 접합될 수 있다. 캡(200)은 복수의 체적 음향 공진기(100)가 수용되는 내부 공간을 구비하는 커버 형태로 형성될 수 있다. 캡(200)은 하면이 개방된 육면체 형상으로 형성될 수 있고, 따라서, 상부 및 상부와 연결되는 복수의 측부를 포함할 수 있다.
캡(200)은 복수의 체적 음향 공진기(100)의 공진부(155)를 수용할 수 있도록 중앙에 수용부가 형성될 수 있다, 적층 구조체는 접합 영역에서 복수의 측부와 접합할 수 있고, 적층 구조체의 접합 영역은 적층 구조체의 가장자리에 해당할 수 있다. 캡(200)은 기판(110) 상에 적층되는 기판(110)과 접합될 수 있다. 또한, 이외에도, 캡(200)은 보호층(170), 멤브레인(130), 및 절연층(115), 제1 전극(140), 압전층(150), 제2 전극(160), 금속층(180) 중 적어도 하나와 접합될 수 있다.
도 2은 체적 음향 공진기를 포함하는 필터의 예시적인 회로도이고, 도 3는 도 2의 필터의 주파수 응답을 나타낸다.
도 2을 참조하면, 필터(10)는 제1 포트(P1)와 제2 포트(P2) 사이에 배치되는 시리즈 공진기(SE) 및 시리즈 공진기(SE)와 접지 사이에 배치되는 션트 공진기(SH)를 포함할 수 있다. 시리즈 공진기(SE) 및 션트 공진기(SH)는 도 1에 도시된 체적 음향 공진기에 대응될 수 있다.
도 2에서, 하나의 시리즈 공진기(SE) 및 하나의 션트 공진기(SH)가 도시되어 있으나, 실시예에 따라, 제1 포트(P1)와 제2 포트(P2) 사이에는 복수의 시리즈 공진기(SE)가 배치되고, 시리즈 공진기(SE) 각각와 접지 사이에 서로 다른 복수의 션트 공진기(SH)가 배치될 수 있다. 또한, 도 2에서 필터(10)가 시리즈 공진기(SE) 및 션트 공진기(SH)를 포함하여, 래더 타입으로 구성되는 것으로 도시되어 있으나, 실시예에 따라, 필터(10)는 래티스 타입으로 구성될 수 있다.
도 3를 참조하면, 제1 그래프(Graph 1)는 시리즈 공진기(SE)에 의한 주파수 응답(Z, Impedance)을 나타내고, 제2 그래프(Graph2)는 션트 공진기(SH)에 의한 주파수 응답(Z, Impedancece)을 나타내고, 제3 그래프(Graph 3)는 시리즈 공진기(SE) 및 션트 공진기(SH)를 포함하는 필터에 의한 주파수 응답(S-parameter)을 나타낸다.
시리즈 공진기(SE)에 의한 주파수 응답은 공진 주파수(fr_SE) 및 반공진 주파수(fa_SE)를 가지고, 션트 공진기(SH)에 의한 주파수 응답은 공진 주파수(fr_SH) 및 반공진 주파수(fa_SH)를 가진다.
필터(10)의 주파수 응답을 참조하면, 필터의 통과 대역(Pass band) 및 대역폭(Band width)은 시리즈 공진기(SE)의 반공진 주파수(fa_SE)와 션트 공진기(SH)의 공진 주파수(fr_SH)에 따라 결정된다.
5세대(5G) 통신은 기존 LTE(Long Term Evolution) 통신 대비 더 많은 대용량의 데이터와 더 빠른 데이터 전송 속도로 더 많은 기기들을 효율적으로 연결할 것으로 기대되고 있다.
5세대 통신에서, 사용되는 주파수의 대역폭은 수백MHz 수준으로 매우 넓으나, 실제 채널당 할당되는 대역폭은 최대 100MHz 수준으로 상대적으로 좁은 실정이다. 따라서, 전체 대역폭이 넓어지고, 채널 간의 폭이 줄어듦에 따라, 고성능의 광대역 특성 및 우수한 감쇄 특성을 가지는 필터가 요구되고 있다.
구체적으로, LTE 통신 대역 중 가장 넓은 대역폭을 가지는 n41(2.496~2.690GHz) 대역의 경우 BW/fc(Bandwidth/Center frequency)는 0.0748에 해당하고, 5세대 통신의 n77(3.3~4.2GHz) 대역의 경우 BW/fc는 0.24에 해당하고, 5세대 통신의 n79(4.4~5.0GHz) 대역의 경우 BW/fc는 0.128에 해당한다. n41(2.496~2.690GHz) 대역, n77(3.3~4.2GHz) 대역, n79(4.4~5.0GHz) 대역을 비교하면, 5세대 통신의 n77(3.3~4.2GHz) 대역, n79(4.4~5.0GHz) 대역이, LTE 통신의 n41(2.496~2.690GHz) 대역 보다 높은 광대역 특성을 구비하여야 함을 알 수 있다.
광대역 특성이 요구될수록, 압전 결합 계수(piezoelectric coupling coefficient, kt2)가 커지는 것이 바람직하나, 압전 결합 계수의 상승을 위하여, 체적 음향 공진기의 압전층의 불순물 농도를 증가시키는 것은 한계가 있기 때문에, 광대역 필터를 제작시에, 성능 열화가 필연적으로 수반되게 된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 프론트 엔드 모듈은 서로 다른 통과 대역을 가지는 복수의 필터를 조합하여, 5세대 이동통신의 전체 통과 대역을 지원하되, 서로 다른 통과 대역을 가지는 복수의 필터를 선택적으로 연결하여, 설계된 채널의 통과 대역을 각각 담당함으로써, 고성능의 광대역 특성 및 우수한 감쇄 특성을 구현할 수 있다.
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 프론트 엔드 모듈의 회로도이다.
도 4을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 프론트 엔드 모듈은 제1 필터(10A) 및 제2 필터(10B)를 포함하고, 제1 필터(10A) 및 제2 필터(10B)와 선택적으로 연결되는 제1 스위치(SWA) 및 제2 스위치(SWB)를 포함할 수 있다.
제1 필터(10A), 및 제2 필터(10B)는 필터부를 구성할 수 있고, 제1 필터(10A), 및 제2 필터(10B) 각각은 대역 통과 필터를 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 필터(10A), 및 제2 필터(10B)는 도 2의 필터(10)를 포함할 수 있고, 따라서, 제1 필터(10A), 및 제2 필터(10B) 각각은 적어도 하나의 체적 음향 공진기를 포함할 수 있다. 제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C)는 하나의 칩(one-chip)에 의해 구현될 수 있다.
제1 필터(10A) 및 제2 필터(10B)는 서로 다른 통과 대역(Pass band)를 가질 수 있다. 일 예로, 제1 필터(10A)의 통과 대역은 제2 필터(10B)의 통과 대역 보다 낮은 주파수 대역에 형성될 수 있다.
제1 필터(10A)의 통과 대역과 제2 필터(10B)의 통과 대역은 일부 주파수 대역이 중첩될 수 있다. 따라서, 제1 필터(10A)의 상한 주파수는 제2 필터(10B)의 하한 주파수 보다 높은 주파수 대역에 위치할 수 있다.
제1 필터(10A)의 통과 대역 및 제2 필터(10B)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭은, 제1 필터(10A) 및 제2 필터(10B)가 지원하는 복수의 채널의 대역폭에 따라 결정될 수 있다.
구체적으로, 제1 필터(10A) 및 제2 필터(10B)가 5세대 통신의 n77(3.3~4.2GHz) 대역을 담당하는 것으로 가정하면, n77(3.3~4.2GHz) 대역은 다양한 대역폭을 가지는 복수의 채널을 가질 수 있다. 예를 들어, n77(3.3~4.2GHz) 대역은 10MHz, 20MHz, 40MHz, 50MHz, 60MHz, 80MHz, 및 100MHz 등 다양한 대역폭을 가지는 채널을 가질 수 있다.
제1 필터(10A)의 통과 대역 및 제2 필터(10B)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭은, 다양한 대역폭을 가지는 복수의 채널 중 하나의 채널의 대역폭에 따라, 결정될 수 있다. 일 예로, 제1 필터(10A)의 통과 대역 및 제2 필터(10B)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭은, 제1 필터(10A) 및 제2 필터(10B)가 지원하는 복수의 채널 중 최대 대역폭을 가지는 채널에 따라 결정될 수 있다. 구체적으로, 제1 필터(10A)의 통과 대역과 제2 필터(10B)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭 최대 대역폭을 가지는 채널의 대역폭과 동일하거나 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 최대 대역폭을 가지는 채널의 대역폭에 따라, 제1 필터(10A)의 통과 대역 및 제2 필터(10B)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭을 결정하여, 제1 필터(10A) 및 제2 필터(10B)가 선택적으로 동작하는 경우에도, 채널들을 안정적으로 지원할 수 있다.
한편, 제1 필터(10A) 및 제2 필터(10B)의 통과 대역(Pass band)의 대역폭(Band width)은 동일하게 설계될 수 있다. 다만, 실시예에 따라, 제1 필터(10A) 및 제2 필터(10B)의 통과 대역(Pass band)의 대역폭(Band width)은 서로 다르게 설계될 수 있다.
제1 스위치(SWA) 및 제2 스위치(SWB)는 스위치부를 구성할 수 있다. 제1 스위치(SWA)는 일 단이 안테나와 연결되고, 타단이 제1 필터(10A) 및 제2 필터(10B)와 연결될 수 있다. 제2 스위치(SWB)는 일단이 저잡음 증폭기(LNA) 및 RF IC 등과 같은 무선 주파수 신호 처리 소자와 연결될 수 있고, 타단이 제1 필터(10A) 및 제2 필터(10B)와 연결될 수 있다.
제1 스위치(SWA) 및 제2 스위치(SWB)는 제1 필터(10A) 및 제2 필터(10B)와 선택적으로 연결되어, 무선 주파수 신호의 경로를 형성할 수 있다. 제1 스위치(SWA) 및 제2 스위치(SWB)는 제1 필터(10A) 및 제2 필터(10B) 중 하나의 필터와 연결될 수 있다. 일 예로, 제1 필터(10A)의 동작 타이밍에서, 제1 스위치(SWA) 및 제2 스위치(SWB)는 제1 필터(10A)와 연결될 수 있고, 제2 필터(10B)의 동작 타이밍에서, 제1 스위치(SWA) 및 제2 스위치(SWB)는 제2 필터(10B)와 연결될 수 있다.
도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 프론트 엔드 모듈의 회로도이고, 도 6는 도 5의 프론트 엔드 모듈의 복수의 필터가 담당하는 통과 대역을 나타낸다. 도 5의 프론트 엔드 모듈은 도 4의 프론트 엔드 모듈과 유사하므로, 중복되는 설명은 생략하고, 차이점을 중심으로 설명하도록 한다.
도 5을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 프론트 엔드 모듈은 제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C)를 포함하고, 제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C)와 선택적으로 연결되는 제1 스위치(SWA) 및 제2 스위치(SWB)를 포함할 수 있다.
제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C)는 필터부를 구성할 수 있고, 제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C) 각각은 대역 통과 필터를 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C)는 도 2의 필터(10)를 포함할 수 있고, 따라서, 제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C) 각각은 적어도 하나의 체적 음향 공진기를 포함할 수 있다. 제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C)는 하나의 칩(one-chip)에 의해 구현될 수 있다.
제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C)는 서로 다른 통과 대역(Pass band)를 가질 수 있다. 도 6를 참조하면, 제1 필터(10A)에 의한 주파수 응답(f1), 제2 필터(10B)에 의한 주파수 응답(f2), 및 제3 필터(10C)에 의한 주파수 응답(f3)을 참조하면, 제1 필터(10A)의 통과 대역은 제2 필터(10B)의 통과 대역 보다 낮은 주파수 대역에 형성될 수 있고, 제2 필터(10B)의 통과 대역은 제3 필터(10C)의 통과 대역 보다 낮은 주파수 대역에 형성될 수 있다. 도 6의 제1 필터(10A)에 의한 주파수 응답(f1), 제2 필터(10B)에 의한 주파수 응답(f2), 및 제3 필터(10C)한 주파수 응답(f3)에 의해, 5세대 이동통신의 전체 통과 대역의 주파수 응답(f4)이 커버될 수 있다.
제1 필터(10A)의 통과 대역과 제2 필터(10B)의 통과 대역은 일부 주파수 대역이 중첩될 수 있고, 제2 필터(10B)의 통과 대역과 제3 필터(10C)의 통과 대역은 일부 주파수 대역이 중첩될 수 있다. 따라서, 제1 필터(10A)의 상한 주파수는 제2 필터(10B)의 하한 주파수 보다 높은 주파수 대역에 위치할 수 있고, 제2 필터(10B)의 상한 주파수는 제3 필터(10C)의 하한 주파수 보다 높은 주파수 대역에 위치할 수 있다.
제1 필터(10A)의 통과 대역과 제2 필터(10B)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭 및 제2 필터(10B)의 통과 대역과 제3 필터(10C)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭은, 제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C)가 지원하는 복수의 채널의 대역폭에 따라 결정될 수 있다.
구체적으로, 제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C)가 5세대 통신의 n77(3.3~4.2GHz) 대역을 담당하는 것으로 가정하면, n77(3.3~4.2GHz) 대역은 다양한 대역폭을 가지는 복수의 채널을 가질 수 있다. 예를 들어, n77(3.3~4.2GHz) 대역은 10MHz, 20MHz, 40MHz, 50MHz, 60MHz, 80MHz, 및 100MHz 등 다양한 대역폭을 가지는 채널을 가질 수 있다.
제1 필터(10A)의 통과 대역과 제2 필터(10B)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭, 및 제2 필터(10B)의 통과 대역과 제3 필터(10C)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭은, 다양한 대역폭을 가지는 복수의 채널 중 하나의 채널의 대역폭에 따라, 결정될 수 있다. 일 예로, 제1 필터(10A)의 통과 대역과 제2 필터(10B)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭 및 제2 필터(10B)의 통과 대역과 제3 필터(10C)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭은, 제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C)가 지원하는 복수의 채널 중 최대 대역폭을 가지는 채널에 따라 결정될 수 있다. 구체적으로, 제1 필터(10A)의 통과 대역과 제2 필터(10B)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭 및 제2 필터(10B)의 통과 대역과 제3 필터(10C)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭은 최대 대역폭을 가지는 채널의 대역폭과 동일하거나 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 최대 대역폭을 가지는 채널의 대역폭에 따라, 제1 필터(10A)의 통과 대역과 제2 필터(10B)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭 및 제2 필터(10B)의 통과 대역과 제3 필터(10C)의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭을 결정하여, 제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C)가 선택적으로 동작하는 경우에도, 채널들을 안정적으로 지원할 수 있다.
한편, 제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C)의 통과 대역(Pass band)의 대역폭(Band width)은 동일하게 설계될 수 있다. 다만, 실시예에 따라, 제1 필터(10A), 제2 필터(10B), 및 제3 필터(10C)의 통과 대역(Pass band)의 대역폭(Band width)은 서로 다르게 설계될 수 있다.
제1 스위치(SWA) 및 제2 스위치(SWB)는 스위치부를 구성할 수 있다. 제1 스위치(SWA)는 일 단이 안테나와 연결되고, 타단이 제1 필터(10A), 제2 필터(10B) 및 제3 필터(10C)와 연결될 수 있다. 제2 스위치(SWB)는 일단이 저잡음 증폭기(LNA) 및 RF IC 등과 같은 무선 주파수 신호 처리 소자와 연결될 수 있고, 타단이 제1 필터(10A), 제2 필터(10B) 및 제3 필터(10C)와 연결될 수 있다.
제1 스위치(SWA) 및 제2 스위치(SWB)는 제1 필터(10A), 제2 필터(10B) 및 제3 필터(10C)와 선택적으로 연결되어, 무선 주파수 신호의 경로를 형성할 수 있다. 제1 스위치(SWA) 및 제2 스위치(SWB)는 제1 필터(10A), 제2 필터(10B) 및 제3 필터(10C) 중 하나의 필터와 연결될 수 있다. 일 예로, 제1 필터(10A)의 동작 타이밍에서, 제1 스위치(SWA) 및 제2 스위치(SWB)는 제1 필터(10A)와 연결될 수 있고, 제2 필터(10B)의 동작 타이밍에서, 제1 스위치(SWA) 및 제2 스위치(SWB)는 제2 필터(10B)와 연결될 수 있고, 제3 필터(10C)의 동작 타이밍에서, 제1 스위치(SWA) 및 제2 스위치(SWB)는 제3 필터(10C)와 연결될 수 있다.
이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
10: 필터
10A: 제1 필터
10B: 제2 필터
10C: 제3 필터
SWA: 제1 스위치
SWB: 제2 스위치
SE: 시리즈 공진기
SH: 션트 공진기
10A: 제1 필터
10B: 제2 필터
10C: 제3 필터
SWA: 제1 스위치
SWB: 제2 스위치
SE: 시리즈 공진기
SH: 션트 공진기
Claims (16)
- 순차적으로 적층되는 제1 전극, 압전층, 및 제2 전극을 포함하는 적어도 하나의 체적 음향 공진기를 각각 구비하고, 서로 다른 통과 대역을 담당하는 복수의 필터를 포함하는 필터부; 및
상기 복수의 필터 중 하나와 선택적으로 연결되어, 무선 주파수 신호의 경로를 형성하는 스위치부; 를 포함하고,
상기 서로 다른 통과 대역 중 인접하는 두 개의 통과 대역 중 하나의 통과 대역의 일부 주파수 대역과 다른 하나의 통과 대역의 일부 주파수 대역은 서로 중첩되는 프론트 엔드 모듈.
- 제1항에 있어서,
상기 두 개의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭은, 상기 복수의 필터가 지원하는 복수의 채널 중 하나의 채널의 대역폭에 따라 결정되는 프론트 엔드 모듈.
- 제2항에 있어서,
상기 두 개의 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭은, 상기 복수의 필터가 지원하는 복수의 채널 중 최대 대역폭을 가지는 채널의 대역폭에 따라 결정되는 프론트 엔드 모듈.
- 제1항에 있어서,
상기 복수의 필터 각각은 대역 통과 필터를 포함하는 프론트 엔드 모듈.
- 제1항에 있어서,
상기 서로 다른 통과 대역의 대역폭은 동일한 프론트 엔드 모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 스위치부는,
상기 복수의 필터 각각의 일단과 안테나 사이에 배치되는 제1 스위치; 및
상기 복수의 필터 각각의 타단과 무선 주파수 신호 처리 소자 사이에 배치되는 제2 스위치; 를 포함하는 프론트 엔드 모듈.
- 제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 체적 음향 공진기는 래더 타입 및 래티스 타입 중 적어도 하나의 형태로 연결되는 프론트 엔드 모듈.
- 순차적으로 적층되는 제1 전극, 압전층, 및 제2 전극을 포함하는 적어도 하나의 체적 음향 공진기를 각각 구비하고, 복수의 통과 대역 중 서로 다른 통과 대역을 담당하는 복수의 필터를 포함하는 필터부; 및
상기 복수의 필터 중 하나와 선택적으로 연결되어, 무선 주파수 신호의 경로를 형성하는 스위치부; 를 포함하고,
상기 복수의 통과 대역 중 인접하는 제1 통과 대역 및 상기 제1 통과 대역 보다 주파수 대역이 높은 제2 통과 대역에 있어서, 상기 제1 통과 대역의 상한 주파수는 상기 제2 통과 대역의 하한 주파수 보다 주파수가 높은 프론트 엔드 모듈.
- 제8항에 있어서,
상기 제1 통과 대역 및 제2 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭은, 상기 복수의 필터가 지원하는 복수의 채널 중 하나의 채널의 대역폭에 따라 결정되는 프론트 엔드 모듈.
- 제9항에 있어서,
상기 제1 통과 대역 및 제2 통과 대역에 의해 중첩되는 대역폭은, 상기 복수의 필터가 지원하는 복수의 채널 중 최대 대역폭을 가지는 채널의 대역폭에 따라 결정되는 프론트 엔드 모듈.
- 제8항에 있어서,
상기 복수의 필터 각각은 대역 통과 필터를 포함하는 프론트 엔드 모듈.
- 제8항에 있어서, 상기 필터부는,
상기 제1 통과 대역을 담당하는 제1 필터 및 상기 제2 통과 대역을 담당하는 제2 필터를 포함하는 프론트 엔드 모듈.
- 제12항에 있어서, 상기 필터부는,
상기 제2 통과 대역 보다 주파수 대역이 높은 제3 통과 대역을 담당하는 제3 필터를 더 포함하는 프론트 엔드 모듈.
- 제13항에 있어서,
상기 제2 통과 대역의 상한 주파수는 상기 제3 통과 대역의 하한 주파수 보다 주파수가 높은 프론트 엔드 모듈.
- 제8항에 있어서,
상기 복수의 필터는 하나의 칩으로 구현되는 프론트 엔드 모듈.
- 제8항에 있어서,
상기 적어도 하나의 체적 음향 공진기는 래더 타입 및 래티스 타입 중 적어도 하나의 형태로 연결되는 프론트 엔드 모듈.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180167660A KR20200078084A (ko) | 2018-12-21 | 2018-12-21 | 프론트 엔드 모듈 |
| US16/416,505 US20200204157A1 (en) | 2018-12-21 | 2019-05-20 | Front end module |
| CN201910776907.XA CN111355471B (zh) | 2018-12-21 | 2019-08-22 | 前端模块 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180167660A KR20200078084A (ko) | 2018-12-21 | 2018-12-21 | 프론트 엔드 모듈 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200078084A true KR20200078084A (ko) | 2020-07-01 |
Family
ID=71097919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180167660A Ceased KR20200078084A (ko) | 2018-12-21 | 2018-12-21 | 프론트 엔드 모듈 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200204157A1 (ko) |
| KR (1) | KR20200078084A (ko) |
| CN (1) | CN111355471B (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022018997A1 (ja) * | 2020-07-21 | 2022-01-27 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI106894B (fi) * | 1998-06-02 | 2001-04-30 | Nokia Mobile Phones Ltd | Resonaattorirakenteita |
| GB2346049A (en) * | 1999-01-19 | 2000-07-26 | Roke Manor Research | Duplex filtering |
| KR100666693B1 (ko) * | 2004-11-23 | 2007-01-11 | 삼성전자주식회사 | 모놀리식 듀플렉서 |
| US9038005B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-05-19 | Resonant Inc. | Network synthesis design of microwave acoustic wave filters |
| JP6133504B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2017-05-24 | インテル アイピー コーポレーション | バルク音響波共振器チューナ回路 |
| US10439589B2 (en) * | 2016-06-24 | 2019-10-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and filter including the same |
| US10256792B2 (en) * | 2017-02-03 | 2019-04-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Filter module and front-end module including the same |
| CN117060880A (zh) * | 2017-07-25 | 2023-11-14 | 株式会社村田制作所 | 高频滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置 |
-
2018
- 2018-12-21 KR KR1020180167660A patent/KR20200078084A/ko not_active Ceased
-
2019
- 2019-05-20 US US16/416,505 patent/US20200204157A1/en not_active Abandoned
- 2019-08-22 CN CN201910776907.XA patent/CN111355471B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080081398A (ko) | 2007-03-05 | 2008-09-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111355471A (zh) | 2020-06-30 |
| CN111355471B (zh) | 2023-09-12 |
| US20200204157A1 (en) | 2020-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20181221 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20200219 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20200610 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20200219 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
| PG1501 | Laying open of application |