KR20200079328A - 리소그래피 투영 노광 장치의 조명 필드에 걸쳐 조명 강도를 특정하기 위한 조명 강도 교정 장치 - Google Patents

리소그래피 투영 노광 장치의 조명 필드에 걸쳐 조명 강도를 특정하기 위한 조명 강도 교정 장치 Download PDF

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Abstract

조명 강도 교정 장치(24)는 리소그래피 투영 노광 장치의 조명 필드(18)에 대한 조명 강도를 특정하는 역할을 한다. 교정 장치(24)는 서로 옆에 배열된 복수의 로드 형상 개별 스탑(27)를 갖는다. 변위 구동 장치는 적어도 개별 스탑(27) 중 적어도 일부를 각각의 로드 축(28)을 따라 변위시키는 역할을 한다. 개별 스탑(27)의 자유 단부는 조명 필드(18)의 조명의 강도 교정을 특정하기 위해 변위 드라이브(29)의 도움으로 특정 변위 위치로 개별적으로 변위 가능하며, 상기 강도 교정 작용 로드 축(28)에 대해 횡 방향으로 교정 차원(x)를 따른다. 개별 스탑 점(27)은 적어도 3 개의 거리 스탑 그룹(I 내지 IV)에 속하며, 각각 스탑 기준 평면(16)과 다른 거리(I 내지 IV)에있다. 후자는 교정 차원을 따라 로드 축(28) 및 교정 기준 축(x)에 평행한 로드 기준 축(y)에 걸쳐 있고 조명 필드(18)에 대한 배치 평면을 지정한다. 이에 의해, 교정 장치의 교정 정밀도가 향상된다.

Description

리소그래피 투영 노광 장치의 조명 필드에 걸쳐 조명 강도를 특정하기 위한 조명 강도 교정 장치
본 특허 출원은 독일 특허 출원 DE 10 2017 220 265.3의 우선권을 주장하며, 그 내용은 여기에 참조로 포함된다.
본 발명은 리소그래피 투영 노광 장치의 조명 필드에 걸쳐 조명 강도를 특정하기 위한 조명 강도 교정 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 조명 강도 교정 장치를 포함하는 리소그래피 투영 노광 장치의 조명 필드를 향해 조명 광을 가이드하기 위한 조명 광학 유닛, 이러한 조명 광학 유닛을 포함하는 조명 시스템, 이러한 조명 시스템을 포함하는 투영 노광 장치, 이러한 투영 노광 장치에 의해 미세구조화된 또는 나노구조화된 부품을 생산하는 방법, 및 그러한 생산 방법에 의해 구조화된 구성 요소에 관한 것이다.
WO 2009/074 211 A1은 특정 공차 한계 내에서 투영 노광 동안 변위되는 오브젝트의 변위 방향에 관하여 횡방향으로 횡방향 좌표에 의해 조명 필드의 균일한 강도 분포가 설정가능한 교정 장치를 개시한다. 추가 교정 장치는 US 2015/0015865 A1으로부터 알려져 있다.
본 발명의 목적은 종래 기술과 비교하여 교정 정확도가 개선되는 방식으로 도입부에서 언급된 유형의 조명 강도 교정 장치를 개발하는 것이다.
이 목적은 청구항 1에 특정된 특징을 갖는 교정 장치에 의해 본 발명에 따라 달성된다.
본 발명에 따르면, 스탑 기준면에 관하여 그리고 조명 필드에 대한 배열 평면에 관하여 강도 교정에 사용되는 개별 스탑의 자유 단부의 거리가, 조명 필드의 배열 평면에 관하여, 즉, 오브젝트 필드의 배열 평면에 관하여, 반드시 가능한 한 작게 유지될 필요는 없으며, 그보다는, 교정에 대한 자유도로서 조명 필드의 배열 평면에 관하여 개별 스탑의 자유 단부의 상기 거리를 사용하는 것이 가능한 것이 인지되었다. 각각의 개별 스탑과 조명 필드의 배열 평면 사이의 거리를 특정함으로써, 조명 필드에 중첩되고 상이한 필드 곡률을 갖는 조명 개별 필드에 대한 상기 개별 스탑의 강도 교정의 영향에 영향을 줄 수 있다. 이러한 조명 개별 필드는 조명 필드를 조명하는데 사용되는 조명 광학 유닛의 필드 패싯의 이미지로서 발생할 수 있다. 조명 개별 필드의 필드 곡률 및 각각의 개별 스탑의 자유 단부와 조명 필드의 배치 평면 사이의 거리에 따라, 교정 장치의 효과는 예를 들어 조명의 텔레센트리시티 및/또는 조명의 필드 의존도에 가능한 적게 영향을 미치도록 설계될 수 있다. 따라서, 조명 세기 교정 장치의 효과에 대한 이러한 조명 개별 필드의 상이한 필드 곡률의 바람직하지 않은 영향은 유리하게 감소될 수 있다. 교정 장치는 조명 강도의 필드 의존성과 특정 공차 값 내에서 조명 각도 분포의 필드 의존성을 유지하는 것을 가능하게 한다.
조명 개별 필드의 필드 곡률 값의 변화는 필드 평면의 영역에서 교정 차원의 모든 좌표에 대해 필드 가장자리를 따라 모든 조명 개별 필드를 동시에 완전히 중첩시킬 수 없는 효과가 있다. 완벽한 중첩으로부터의 중첩 품질의 편차는 각각의 필드 포인트가 조명되고, 즉 동공 위치와 상관되는 조명 각도와 상호 관련된다. 추가적인 교정 자유도, 즉 개별 스탑의 자유 단부와 조명 필드의 배치 평면 사이의 거리를 사용함으로써, 조명 강도 교정 장치가 조명 각도 의존성이 거의 또는 사라지면서 조명 강도를 약화시키는 것을 보장할 수 있다.
전반적으로, 조명의 텔레센트리시티에 대한 교정 장치의 바람직하지 않은 영향이 감소될 수 있다. 텔레센트리시티의 정의에 대해서는 DE 10 2009 045 491 A1을 참조한다.
텔레센트리시티는 오브젝트 필드 및/또는 이미지 필드에 대한 조명 광 충돌의 에너지 또는 강도의 조명 각도 중심 위치에 대한 측정 변수이다.
조명된 필드의 각 필드 포인트에서, 상기 필드 포인트에 할당된 광 빔의 중심 광선이 정의된다. 이 경우, 중심 광선은 상기 필드 지점으로부터 나오는 광 빔의 에너지 가중된 방향을 갖는다. 이상적인 경우에, 각 필드 포인트에 있어서, 중심 광선은 조명 광학 유닛 및/또는 투영 광학 유닛에 의해 지정된 주 광선에 평행하게 진행된다.
주 광선
Figure pct00001
의 방향은 조명 광학 유닛 및/또는 투영 광학 유닛의 설계 데이터에 기초하여 알려져 있다. 주광선은 투영 광학 유닛의 입사 동공의 필드 포인트와 중심 포인트 사이의 연결선에 의해 필드 포인트에서 정의된다. 텔레센트릭 조명의 경우, 주 광선은 필드 평면에 수직일 수 있다. 각각의 필드 평면, 예를 들어 레티클 또는 마스크의 배열 평면에서 필드에서 필드 포인트 x, y에서의 중심 광선의 방향은 다음과 같이 계산된다 :
Figure pct00002
E(u, v, x, y)는 동공 좌표 u, v의 함수, 즉 해당 필드 포인트 x, y에 의해 보여지는 조명 각도의 함수로서 필드 포인트 x, y에 대한 에너지 분포이다. 이 경우,
Figure pct00003
는 포인트 x, y에 충돌하는 총 에너지다.
예를 들어, 중심 이미지 필드 지점 x0, y0은 동공 패싯 미러 상의 개별적인 동공 패싯의 위치에 의해 규정될 수 있는 방향 u, v으로부터 방사선 부분 빔의 방사선을 마주친다(see). 이 조명의 경우에, 중심 광선(들)은 동공 패싯에 할당된 방사선 부분 빔의 상이한 에너지 또는 강도가 결합하여 조명 광의 주 광선 방향에 평행한 모든 동공 패싯에 통합된 중심 광선 방향을 형성하는 경우에만 주 광선을 따라 진행한다. 이것은 오직 이상적인 경우의 상황이다. 실제로 중심 광선 방향
Figure pct00004
과 주 광선 방향
Figure pct00005
(x, y) 사이에 편차가 있으며, 이 편차를 텔레센트리시티 에러
Figure pct00006
라고 한다.
Figure pct00007
실제로 투영 노광 장치(1)의 동작 중에, 교정되어야 하는 것은 특정 이미지 필드 위치(x, y)에서의 국부 텔레센트리시티 에러가 아니라, x = x0에서 스캔 통합된 텔레센트리시티 에러이다. 이 텔레센트리시티 에러는 다음과 같다:
Figure pct00008
따라서, 스캐닝 동안 이미지 평면의 이미지 필드를 통과하는 웨이퍼 상의 포인트(x, 예를 들어, x0)가 에너지 가중된 통합 방식으로 경험하는 텔레센트리시티 에러가 교정된다. 이 경우에, x-텔레센트리 에러와 y-텔레센트리시티 에러 간이 구분된다. x-텔레센트리시티 에러 Tx는 스캐닝 방향에 수직인 주 광선으로부터 즉, 필드 높이에 걸쳐서 중심선의 편차로서 규정된다. y-텔레센트리시티 에러 Ty는 스캐닝 방향에서 주 광선으로부터 중심 선의 편차로서 규정된다.
개별 스탑의 로드 축, 즉 그 각각의 종축은 조명 동안 조명 필드를 통해 변위되는 오브젝트의 변위 방향에 평행하게 진행될 수 있다. 그러나, 오브젝트 변위 방향에 대한 로드 축의 평행한 코스는 필수는 아니다.
조명 강도 교정 장치가 장착된 상태에서, 스탑 기준면은 오브젝트 평면, 즉 조명 필드의 배열 평면과 일치할 수 있다.
개별 스탑은 평면 스탑으로 구현될 수 있다. 이 평면 스탑 코스에 기초하여 규정된 개별 스탑 평면은 조명 필드의 배치 평면에 평행하게 진행될 수 있다. 그러나 필수 사항은 아니다.
청구항 2 및 청구항 3에 따른 거리 프로파일, 즉 청구항 2에 따른 교정 장치의 에지를 향한 개별 스탑 거리의 증가 또는 청구항 3에 기재된 교정 방향의 에지를 향한 개별 스탑 거리의 감소는 조명 필드의 조명에 대한 조명 광학 유닛의 영향에 따라 특히 적합한 것으로 입증되었다. 청구항 2에 기재된 장치의 경우에, 교정 장치의 중앙 섹션으로부터 진행하는 개별 스탑의 거리는 단조적으로 또는 엄격하게 단조적으로 증가할 수 있다. 청구항 3에 기재된 배열의 경우에, 교정 장치의 중앙 섹션으로부터 진행하는 개별 스탑의 거리는 단조적으로 또는 엄격하게 단조적으로 감소할 수 있다.
청구항 4에 따른 거리의 아치형 프로파일은 조명 필드의 조명 동안 보상될 전형적인 편차에 잘 적응된다. 이러한 프로파일은 볼록하거나 오목할 수 있고 예를 들어 포물선형일 수 있다. 이러한 대략적인 아치형 프로파일은 근사 함수에 의해, 예를 들어 최소 제곱 맞춤에 의해 교정 차원에 걸쳐 상이한 거리 스탑 그룹에 속하는 각각의 개별 스탑의 거리 값을 기술함으로써 야기된다. 그러면 근사 함수는 아치형 프로파일을 갖는다.
청구항 5에 기재된 바와 같은 교번 거리는 예를 들어 중앙 섹션에서 교정 차원을 따라 서로 겹치는 방식으로 개별 스탑을 배열하는 것을 가능하게 한다. 이를 통해 전체 교정 차원에 걸쳐 개별 스탑으로 조명 필드에 영향을 줄 수 있다.
청구항 6에 기재된 바와 같은 개별 스탑의 적응은 특히 정확한 강도 특정을 가능하게 한다. 개별 스탑의 단부 에지는 비스듬하게 테이퍼링하는 방식으로, 예를 들어 로드 축에 대해 45°의 각도로 구현될 수 있다. 개별 스탑의 단부 에지는 아치형 방식으로 구현될 수 있다.
청구항 7에 기재된 냉각 유닛은 개별 스탑에 대한 높은 열 부하를 견딜 수 있게 한다. 냉각 유닛은 수냉식으로 구현될 수 있다.
청구항 8에 청구된 조명 광학 유닛의 장점은 교정 장치를 참조하여 이미 설명된 것들에 대응한다.
청구항 9에 기재된 교정 장치는 조명 방향-비 의존적 조명 강도 특정 효과에 관하여 특히 정확하다. 조명 강도 교정 장치와 조명 광학 유닛의 필드 평면 사이의 거리는 상기 필드 평면으로부터 가장 멀리 떨어져 있는 조명 강도 교정 장치의 개별 스탑의 거리다. 조명 강도 교정 장치가 배열되는 교정 평면과 조명 광학 유닛의 필드 평면 사이의 거리는 10mm 미만 또는 8mm 미만일 수 있다.
청구항 10에 따른 조명 시스템 및 청구항 11에 따른 투영 노광 장치의 장점은 교정 장치 및 조명 광학 유닛을 참조하여 이미 설명된 것들에 대응한다. 투영 노광 장치의 광원은 EUV 광원일 수 있다. 교정 장치의 장점은 여기에서 특히 더욱 명백하다.
교정 장치의 장점은 청구항 12에 기재된 바와 같은 스캐닝 투영 노광 장치의 경우에 특히 명백하다.
청구항 13에 따른 변위 드라이브는, 예를 들어, 교정 장치에 동시에 실행되는 스캔 스탑의 기능을 추가로 제공하는 것을 가능하게 하여, 이러한 동시에 실행되는 스캔 스탑은 또한 교정 장치로 대체될 수 있으며, 이는 구조적 공간을 위한 경쟁을 추가적으로 완화시키며 조명 광학 유닛의 필드 평면에 매우 근접하게 교정 장치가 배열되는 것을 가능하게 한다.
청구항 14에 기재된 방법 및 청구항 15에 기재된 미세구조화된 또는 나노구조화된 구성 요소의 장점은 위에서 이미 설명한 것들에 해당한다. 특히, 반도체 칩, 예를 들어 메모리 칩이 제조될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들이 도면을 참조하여 아래에서 더 상세히 설명된다.
도 1은 마이크로리소그래피 투영 노광 장치를 개략적으로 그리고 조명 광학 유닛에 관하여 자오 단면으로 도시한다.
도 2은 레티클 또는 오브젝트 평면의 영역에서 도 1로부터의 확대된 발췌를 도시한다.
도 3은 마찬가지로 투영 노광 장치의 도 1에 따른 조명 광학 유닛 대신 사용될 수 있는 조명 광학 유닛의 추가 실시예를 자오 단면으로 개략적으로 도시한다.
도 4는 이러한 측면에서만 도시되는 조명 광학 교정 장치의 핑거 스탑을 갖는 도 1 또는 도 3에 따른 조명 광학 유닛의 오브젝트 필드의 평면도를 도시하며, 여기서, 오브젝트 필드의, 즉, 2개의 조명 개별 필드의 2개의 필드 패싯 이미지는 매우 과장된 곡률로 도시된다.
도 5는 도 1 또는 도 3에 따른 조명 광학 유닛의 동공 패싯 미러의 2개의 섹션을 도시하고, 각각은 복수의 동공 패싯을 갖고, 이를 통해 2개의 필드 패싯의 이미징이 이뤄지고, 이는 도 4에 따른 필드 곡률을 갖는 2개의 패싯 이미지를 야기한다.
도 6a는 도 1 또는 도 3에 따른 조명 광학 유닛의 전체 동공 패싯 미러의 평면도를 개략적으로 도시하고, 여기서, 추가적으로, 상이한 해칭에 의해 표시되고, 동공 패싯 미러의 개별적인 섹션을 통해 이미징되는, 패싯 이미지의, 즉, 조명 개별 필드의 곡률 fc의 값이 특정된다.
도 6b는 동공 패싯 미러의 y-좌표 상의 조명 개별 필드의 곡률 fc의 의존도를 조명 광학 유닛의 추가 실시예에 대해 다이어그램으로 도시한다.
도 7은 조명 광학 유닛의 오브젝트 필드 또는 조명 필드의 배열 평면에 관하여 조명 광학 교정 장치의 개별 스탑의 거리 배열의 변형을, 도 2에서 시야 각도Ⅶ에 따른 도면으로 도시한다.
도 8은 조명 강도 교정 장치의 추가 실시예의 개별 스탑의 거리 배열의 추가 변형을 도 7과 유사한 도면으로 도시한다.
마이크로리소그래피용 투영 노광 장치(1)는 마이크로구조화된 또는 나노구조화된 전자 반도체 구성요소를 제조하는 역할을 한다. 광원(2)은 예컨대 5nm와 30nm 사이의 파장의 범위로 조명하는데 사용된 EUV 방사선을 방출한다. 광원(2)은 GDPP원(가스 방전 생성 플라즈마) 또는 LPP(레이저 생성 플라즈마)원이 될 수 있다. 싱크로트론을 기초로 한 방사선원이 또한 광원(2)으로 사용될 수 있다. 당업자는 이러한 광원에 관한 정보를 예컨대 US 6 859 515 B2에서 찾을 수 있다. EUV 조명 광 또는 이미징 광빔(3)의 형태인 조명 방사선은 투영 노광 장치(1) 내에서의 조명 및 이미징을 위해 사용된다. 광원(2)의 다운스트림에서, 이미징 광 빔(3)은 먼저 콜렉터(4)를 통과하고, 이러한 콜렉터는, 예컨대 선행기술로부터 알려진 멀티-쉘 구조를 갖는 내포(nested) 콜렉터가 되거나, 대안적으로, 광원(2)의 다운스트림에 배열된 타원형 형상의 콜렉터가 될 수 있다. 상응하는 콜렉터는 EP 1 225 481 A로부터 알려져 있다. 콜렉터(4)의 다운스트림에서, EUV 조명 광(3)은 먼저 중간 초점 평면(5)을 통과하고, 이 평면은 원치않는 방사선 또는 입자 부분으로부터 이미징 광 빔(3)을 분리하기 위해 사용될 수 있다. 중간 초점 평면(5)을 통과한 후에, 이미징 광 빔(3)은 먼저 필드 패싯 미러(6) 상에 충돌한다. 필드 패싯 미러의 필드 패싯은 도시되지 않았다. 이러한 필드 패싯은 예를 들어 US 2015/0015865 A1 또는 여기에 인용된 참조에 기재된 바와 같이 직사각형 또는 아치형일 수 있다.
위치적 관계의 설명을 용이하게 하도록, 카테시안 전역 xyz-좌표계가 도면에 각각의 경우에 도시된다. 도 1에서, x-축은 도면의 평면에 수직으로 그리고 도면으로부터 연장한다. 도 1에서, y-축은 우측으로 연장한다. 도 1에서, z-축은 위로 연장한다.
투영 노광 장치(1)의 개별적인 광학 구성요소의 경우의 위치 관계의 기재를 용이하게 하도록, 카테시안 국소 xyz 또는 xy 좌표계가 각각의 경우에 이하의 도면에서 사용된다. 개별적인 국소 xy 좌표는 다르게 기재되지 않을 경우 광학 구성요소의 개별적인 주 배열 평면, 예컨대 반사 평면에 걸쳐져 있다. 전역 xyz 좌표계 및 국소 xyz 또는 xy 좌표계의 x-축은 서로 평행하게 나아간다. 국소 xyz 또는 xy 좌표계의 개별적인 y-축은 전역 xyz 좌표계의 y-축에 관해 각도를 이루며, 이 각도는 x-축에 대한 개별적인 광학 구성요소의 경사 각에 해당한다.
필드 패싯은 각각의 경우에 동일한 x/y 종횡비를 갖는다. x/y 종횡비는 예컨대 12/5가 될 수 있고, 25/4가 될 수 있고, 104/8이 될 수 있고, 20/1가 될 수 있거나 30/1이 될 수 있다.
필드 패싯 미러(6)에서의 반사 이후, 개별 필드 패싯(7)에 할당되는 이미징 광 부분 빔으로 분리되는 이미징 광 빔(3)은 동공 패싯 미러(10) 상에 충돌한다. 전체 이미징 광 빔(3)의 각각의 이미징 광 부분 빔은 개별적인 이미징 광 채널을 따라 가이드된다.
도 6a는 동공 패싯 미러(10)의 원형(round) 동공 패싯(11)의 예시적인 패싯 배열을 도시하며, 이는 예로서 원형 에지 윤곽으로 도시되어 있다. 동공 패싯(11)은 중심 주위에 배치된다. 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛의 실시 예에 따라, 개구(10a)는 동공 패싯 미러(10)의 중심에 존재할 수 있거나 존재하지 않을 수 있다. 개구(10a)가 존재하면, 개구(10a)의 공간은 예를 들어 센서에 사용된다. 다운스트림 투영 광학 유닛이 차폐(obscuration)되어 구현된 경우에도, 개구가 존재하지 않는 경우, 즉 동공 패싯(11)이 동공 패싯 미러(10)의 중심에 존재하는 경우에도, 동공의 정상적으로 블록된 중심에, 즉, 각 경우에 존재하지 않는 개구(10a)의 영역에 존재하는 동공 패싯은 어두운 필드 조명을 위하여 사용될 수 있고, 여기서 상대적으로 높은 차수의 회절로만 이들 중심 동공 패싯을 통해 전달되는 광은 투영 노광 동안의 이미징에 기여한다.
동공 패싯(11)은 필드 패싯들 중 하나에 의해 반사되는 EUV 조명 광(3)의 각각의 이미징 광 부분 빔에 할당되어, 필드 패싯들 중 하나 및 동공 패싯(11) 중 하나에 충돌하고 이들을 포함하는 개별적인 패싯 쌍은 EUV 조명 광(3)의 관련된 이미징 광 부분 빔에 대한 이미징 광 또는 조명 채널을 특정한다. 필드 패싯에 대한 동공 패싯(11)의 채널별 할당은 투영 노광 장치(1)에 의한 원하는 조명에 따라 구현된다.
동공 패싯 미러(10) 및 3개의 EUV 미러(12, 13, 14)로 구성된 다운스트림 전송 광학 유닛(15)을 통해, 필드 패싯은 투영 노광 장치(1)의 오브젝트 평면(16)으로 이미징된다. EUV 미러(14)는 그레이징 입사를 위한 미러(그레이징 입사 미러)로서 구현된다. 오브젝트 평면(16)에는 레티클(17)이 배치되고, 이로부터 EUV 조명광(3)으로, 투영 노광 장치(1)의 다운스트림 투영 광학 유닛(19)의 오브젝트 필드(18)와 일치하는 조명 영역이 조명된다. 조명 영역은 조명 필드라고도 불린다. 오브젝트 필드(18)는 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛의 구체적인 실시 예에 따라 직사각형 또는 아치형이다. 이미징 광 채널은 오브젝트 필드(18)에 중첩된다. EUV 조명 광(3)은 레티클(17)로부터 반사된다. 레티클(17)은 오브젝트 홀더(17a)에 의해 유지되며, 오브젝트 홀더(17a)는 개략적으로 표시된 오브젝트 변위 드라이브(17b)의 도움으로 변위 방향(y)을 따라 구동 방식으로 변위 가능하다.
투영 광학 유닛(19)은 오브젝트 평면(16)의 오브젝트 필드(18)를 이미지 평면(21)의 이미지 필드(20)로 이미징한다. 상기 이미지 평면(21)에는 투영 노광 장치(1)에 의해 투영 노광 동안 노광되는 감광층을 갖는 웨이퍼(22)가 배치된다. 웨이퍼(22), 이미징이 이루어지는 기판은 웨이퍼 또는 기판 홀더(22a)를 유지하고, 이는, 마찬가지로 개략적으로 표시되는 웨이퍼 변위 드라이브(22b)의 도움으로 오브젝트 홀더(17a)의 변위와 동기식으로 변위 방향(y)을 따라 변위가능하다. 투영 노광 동안, 레티클(17)과 웨이퍼(22)는 모두 y-방향으로 동기화된 방식으로 스캐닝된다. 투영 노광 장치(1)는 스캐너로서 구현된다. 스캐닝 방향(y)은 오브젝트 변위 방향이다.
조명 강도 교정 장치(24)는 오브젝트 평면(16)에 인접하여 배치되며, 상기 조명 강도 교정 장치는 아래에서 더욱 상세하게 설명된다. UNICOM으로도 지칭되는 교정 장치(24)는 특히 오브젝트 필드(18) 위의 조명 광의 스캔-통합 강도 분포, 즉 y-방향으로 통합된 강도 분포를 설정하는 역할을 한다. 교정 장치(24)는 제어 유닛(25)에 의해 구동된다. 필드 교정 장치의 예는 WO 2009/074 211 A1, EP 0 952 491 A2, DE 10 2008 013 229 A1 및 US 2015/0015865 A1로부터 알려져 있다.
필드 패싯 미러(6), 동공 패싯 미러(10), 전사 광학 유닛(15)의 미러(12 내지 14) 및 교정 장치(24)는 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛(26)의 일부이다. 조명 광학 유닛(26)은 투영 광학 유닛(19)과 함께 투영 노광 장치(1)의 조명 시스템을 형성한다.
도 2, 4 및 5는 교정 장치(24)를 보다 상세히 도시한다.
도 2는 도 1과 관련하여 축적대로 도시되지 않은 일부 추가 디테일을 갖는, 도 1과 비교하여 확대된 예시를 도시한다.
도 4는 조명 강도 교정 장치(24)의 예시로 도시된 손가락 형상 개별 스탑(27)과 함께 오브젝트 필드(18)의 평면도를 개략적으로 도시한다. 도 4에 따른 상기 평면도는 조명 광학 유닛(26)의 2개의 상이한 조명 채널에 속하는 2개의 필드 패싯 이미지(FFI1, FFI2)를 예시로서 도시한다. 상기 필드 패싯 이미지(FFI1, FFI2)는 모든 필드 패싯 이미지의 중첩의 결과로 전체적으로 발생하는 조명 필드(18)의 조명 개별 필드를 나타낸다.
필드 패싯 이미지(FFI1)는 동공 패싯 미러(10)의 제 1 동공 패싯 섹션(PFA1)(타원 에지 윤곽을 갖는 동공 패싯 미러(10)의 추가 실시예를 부분적으로 도시하는 도 5를 참조)의 동공 패싯(11)들 중 하나를 통해 필드 패싯 미러(6)의 필드 패싯 중 하나의 이미징의 결과로서 발생한다. 동공 패싯 섹션(PFA1)은 매우 작은 y-동공 좌표 yPF를 갖는 동공 패싯(11)을 갖는 도 5의 동공 패싯 미러(10)의 하부 섹션이다.
도 4에 도시된 제 2 필드 패싯 이미지(FFI2)는 도 5의 상단에 도시된 제 2 동공 패싯 섹션(PFA2)으로 구성된 동공 패싯(11)을 갖는 조명 채널을 통한 필드 패싯 미러(6)의 다른 필드 패싯의 이미징의 결과로서 발생한다. 가장 큰 y-동공 좌표 yPF를 갖는 동공 패싯 미러(10)의 동공 패싯(11)은 동공 패싯 섹션(PFA2)에 속한다.
2개의 필드 패싯 이미지(FFI1, FFI2)의 곡률은 모든 패싯 이미지의 곡률의 평균값을 뺀 후의 곡률로서의 결과로서 도 4에 도시된다. 필드 패싯 이미지(FFI1)의 경우에서와 같이 도 4의 상향으로 두드러진(bulged) 곡률(양의 y-값)은 작은 절대 값을 갖는 필드 곡률(fc)로서 이하에서 이해되며, 도 4의 하향으로 두드러진 필드 곡률(작은 y-값)은 큰 절대값을 갖는 필드 곡률(fc)로서 이해된다.
도 6a는 조명 개별 필드의 상이한 곡률(fc), 즉 조명 채널을 통해 각각 이미징된 필드 패싯의 이미지가 개별적인 조명 채널의 폴딩 지오메트리(folding geometry)로 인해 동공 패싯 미러(10)를 통해 조명 채널의 가이던스에 따라 생성된다. 동공 패싯 미러(10)의 매우 작은 y-좌표 yPF의 경우, 이 필드 곡률 fc은 최소이고, 동공 패싯 미러(10)의 y-좌표 yPF가 증가함에 따라 엄격하게 단조적으로 그리고 거의 선형적으로 엄격하게 증가하며 동공 패싯 미러(10)의 최대 y-좌표 값 yPF인 경우의 필드 곡률 값을 갖는다.
도 4 및 도 5와 관련하여 이미 설명된 바와 같이, 도 6의 동공 패싯 미러(10)의 하부 섹션(작은 y-좌표 값)을 통해 가이드되는 조명 채널은 따라서, 도 6의 동공 패싯 미러(10)의 상부 섹션에 의해 가이드되는 필드 패싯 이미지(FFI)와 다른 필드 곡률을 갖는다.
도 6b는 다이어그램에 기초하여, 조명 광학 유닛의 상이한 설계에 대한 동공 패싯 미러(10)의 y-좌표 yPF 상의 조명 개별 필드의 곡률 fc의 의존성을 도시하고, 이는 도 6a에 비해 대향하는 fc(yPF) 의존성을 야기한다. 이 경우, 도 6b의 다이어그램에서의 각각의 데이터 포인트는 정확히 하나의 조명 개별 필드의 필드 곡률 fc을 나타낸다. 동공 패싯 미러(10)의 매우 작은 y-좌표 yPF의 경우, 도 6b에 따른 실시 예의 경우에 필드 곡률 fc은 평균적으로 최대 값이고 동공 패싯 미러(10)의 더 큰 y-좌표 yPF쪽으로 평균적으로 떨어진다. y-좌표 yPF가 증가함에 따라 필드 곡률 fc의 평균값의 하강 프로파일은 대략 선형이다. 필드 곡률 fc의 변화는 y-좌표 yPF가 증가함에 따라 증가한다.
교정 장치(24)는 서로 이웃하여 배열된 복수의 로드 형상 개별 스탑(27)을 갖는다. 이러한 유형의 9개의 개별 스탑(27)은 도 7 및 도 8에 따른 개략도로 도시되며, 각각의 경우에는 로드 축을 따라 관찰 방향을 갖는다. 그러나, 실제로, 개별 스탑(27)의 수는 훨씬 더 많고 10보다 클 수 있고, 25보다 클 수 있고, 50보다 클 수 있으며, 심지어 100보다 클 수도 있다. 따라서, 각각의 개별 스탑(27)의 x-범위는 조명 필드(18)의 x-범위보다 배수만큼 작다. 개별 스탑(27)들 중 인접하는 개별 스탑은 x-차원(dimension)에서 서로 중첩될 수 있다. 이러한 중첩은 개별 스탑(27)의 x-범위의 절반보다 작다.
개별 스탑(27)은 로드 축(28), 즉 로드 형상 개별 스탑(27)의 중심 종축을 가지며, 이는 y-방향을 따라 서로 평행하게 연장된다. 개별 스탑(27)은 도 7 및 도 8에 따른 2개의 대안적인 배치의 도면에 의해 도시된 바와 같이, 로드 축(28)에 대해 횡방향으로, 즉 x-방향을 따라 서로 이웃하게 정렬된 방식으로 배열되고, 이는 개별 스탑(27)을 로드 축에 평행한 시야 방향으로부터 도시한다.
개별 스탑(27)은 각각의 할당된 변위 드라이브 또는 변위 액추에이터(29)의 도움으로 각각의 로드 축을 따라 변위 가능하다. 도 2는 개별 스탑(27)들 중 하나에 대한 이러한 변위 드라이브(29)를 개략적으로 도시한다. 개별 스탑(27)들의 각각은 전용 변위 드라이브(29)를 갖고, 여기서 다양한 변위 드라이브(29)는 개별 스탑의 자유 단부(30)의 y-위치를 개별적으로 특정하기 위해 서로 독립적으로 작동될 수 있다. 이 변위가능성은 조명 필드(18)의 조명의 강도 교정을 특정하는 역할을 하며, 상기 강도 교정은 로드 축(28)에 대해 횡방향으로 강도 교정 차원(x)를 따라 작용한다.
강도 교정 변위 액추에이터(29)는 상이한 강도 교정 변위 위치들 사이에서 각각의 개별 스탑(27)을 변위시키는 역할을 한다. 각각의 강도 교정 변위 위치로의 변위는 조명 필드(18)의 조명의 스캔 일체형 강도 교정을 개별적으로 지정하는 역할을 한다.
상이한 강도 교정 변위 위치는 각각의 개별 스탑(27)이 y-방향으로 조명 필드(18) 내로, 즉 그와 일치하는 조명 광(3)의 빔으로 얼마나 멀리 도입되는지에 따라 다르다.
모든 개별 스탑(27)은 동일한 측면으로부터 EUV 조명광(3)으로 푸시된다.
제어 유닛(25)의 도움으로, 개별 스탑(27)은 서로 독립적으로 y-방향으로 지정된 위치로 설정될 수 있다. 레티클(17)상의 오브젝트 지점이 오브젝트 필드(18)를 통과하는 x-위치, 즉 y-방향에서의 상기 오브젝트 지점의 스캔 경로 및 이에 따른 통합 강도의 필드 높이에 따라 상기 물체 지점이 경험하는 전체 이미징 광 빔(3)의 상기 x-위치에 중첩된 이미징 광 부분 빔은 각각의 개별 스탑(27)의 y-위치에 의해 결정된다. 이러한 방식으로, 개별 스탑(27)의 y-위치를 특정함으로써, 레티클(17)을 조명하는 이미징 광 부분 빔(3)의 세기의 특정 분포를 달성하는 것이 가능하다.
y-방향을 따른 강도 교정 변위 액추에이터(29)의 변위 정확도는 약 8mm의 조명 필드(18)의 y-범위와 비교하여 매우 높으며, 예를 들어 10㎛ 미만의, 예를 들어 5㎛ 이하의 범위의 정확도를 달성할 수 있다.
강도 교정 변위 액츄에이터(29)는 압전 작용 원리, 정전기 작용 원리, 전자 작용 원리, 활성의 자기 변형 원리 또는 열전 작용 원리를 갖는 선형 액추에이터로서 구현될 수 있다.
개별 스탑(27)에 대한 변위 드라이브(29)는 오브젝트 변위 드라이브(17b)의 오브젝트 변위 속도만큼 빠른 개별 스탑(27) 중 적어도 일부의 변위 속도를 가능하게 하도록 구현될 수 있다.
개별 스탑(27)의 자유 단부(30)는 조명 필드(18)의 경계 형상에 적합한 방식으로 형성될 수 있으며, 즉 예를 들어 아치형 조명 필드(18)에 적응하기 위해 상보 적으로 아치형으로 형상화될 수 있다.
개별 스탑(27)의 자유 단부(30)의 단부 에지는 조명 필드(18)에 대해 비스듬하게 테이퍼링되는 적응된 방식으로 구현된다. 각각의 강도 교정 개별 스탑(27)의 x-위치에 따라, 예를 들어, 로드 축에 대하여 30°, 40°, 45°, 50° 또는 60°의 각도로 비스듬하게 테이퍼링되는 방식으로 단부 에지가 형상화될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 단부 에지(30)는 아치형 조명 필드(18)에 적응된 방식으로 아치형으로 만곡되도록 구현될 수 있다.
개별 스탑(27)은 각각 복수의 거리 스탑 그룹에 속한다. 도 7에 따른 실시 예의 경우, 4개의 그러한 거리 스탑 그룹(I 내지 IV)이 존재하며, 상기 거리 스탑 그룹(I 내지 IV) 중 하나에 속하는 개별 스탑(27)은 도 7에서 대응하는 로마 숫자로 색인화된다. 거리 스탑 그룹(I 내지 IV)들 중 각각의 개별 스탑(27I 내지 27IV)의 자유 단부(30)는 스탑 기준면으로부터 상이한 거리(aI 내지 aIV)에 있고, 이는, 도시된 실시예의 경우에 오브젝트 평면(16)과 일치한다. 스탑 기준면은 교정 차원(x)을 따라 교정 기준 축 및 로드 축(28)에 평행하는, 즉, y-축에 평행하는 로드 기준 축에 걸쳐진다. 스탑 기준면은 조명 필드(18)에 대한 배열 평면, 즉, 오브젝트 평면(16)을 명시한다.
도시된 실시 예의 경우, 로드 축(28)은 오브젝트 변위 방향(y)에 평행하게 연장된다. 그러나 필수 사항은 아니다. 로드 축(28)은 또한 오브젝트 변위 방향(y)에 대해 비스듬히 연장될 수 있다.
x-차원에서 볼 때, 조명 강도 교정 장치(24)의 개별적인 스탑 배열은 x-차원을 따라서 볼 때 중심 3개의 개별 스탑(27)에 속하는 중앙 섹션(31), 즉 거리 스탑 그룹(Ⅱ)에 속하는 개별 스탑(27Ⅱ), 그리고 각각의 경우에, 양의 x-방향에서 그리고 음의 x-방향에서 그에 바로 인접한 경우에 거리 스탑 그룹(I)의 2개의 개별 그룹(27I)에 속한다. 교정 차원(x)을 따라서 볼 때의, 즉, 양의 x-방향으로 먼저 그리고 다음으로 음의 x-방향으로 보여지는 바와 같이, 중심 섹션(31)으로부터 나아가는, 개별적인 거리 스탑 그룹과 스탑 기준면(16) 사이의 거리(a)는, 개별 스탑(27)과 중심 섹션(31) 사이의 거리가 증가함에 따라 증가한다. 양의 x-방향 그리고 음의 x-방향으로 중심 섹션(31)에 바로 인접하는 개별 스탑(27Ⅱ)은 스탑 그룹(Ⅱ)에 속하며 거리(aI)보다 긴 오브젝트 평면(16)으로부터 거리(aⅡ)에 있다. 각각의 경우에 양의 x-방향 및 음의 x-방향으로 그에 인접한 개별적인 스탑(27Ⅲ)은 거리(aⅡ)보다 더 긴, 오브젝트로부터의 거리(aⅢ)에 있다. 결과적으로 인접한 개별 스탑(27IV)은 거리(aⅢ)보다 결과적으로 더 긴 거리(aIV)에 있다.
중심 섹션(31)으로부터 나아가는, 각각의 개별 스탑(27I 내지 27IV)과 스탑 기준면(16) 사이의 거리(aI 내지 aIV)는 각각의 개별 스탑(27)과 중심 섹션(31) 사이의 거리가 증가함에 따라 단조적으로 또는 엄격하게 단조적으로 증가할 수 있다.
도 8은 조명 강도 교정 장치(24)에 의해 실현되도록 의도된 강도 교정으로 구성되는 요건에 따라 도 7의 실시예 대신 사용될 수 있는 조명 강도 교정 장치(24)의 추가 실시예를 도시한다. 도 8에 따른 실시예의 경우, 중심 섹션(31)의 개별 스탑은 최대 거리(aIV)에 그리고 스탑 평면(16)으로부터 개별적으로 aIII에 있다. 교정 차원을 따라서 볼 때의, 즉, 먼저 양의 x-방향을 따라 그리고 다음으로 음의 x-방향을 따라 보여지는 바와 같이 중심 섹션(31)으로부터 나아가는. 추가 개별 스탑(27III, 27II, 27I)과 스탑 기준면, 즉, 오브젝트 평면(16) 사이의 거리는, 개별적인 개별 스탑(27)과 중심 섹션(31) 사이의 거리가 증가하면 감소한다. 조명 강도 교정 장치(24)의 실시예에서, 교정 차원(x)을 따르는 최외 개별 스탑(27I)은 따라서 스탑 평면(16)으로부터 최소 거리(aI)에 있다.
도 8에 따른 실시 예에서의 외부를 향한 이러한 거리 감소는 또한 단조롭거나 엄격하게 단조로운(monotonic or strictly monotonic) 프로파일을 가질 수 있다.
평균적으로, 즉, 예를 들어 근사 함수(예를 들어 최소 제곱 맞춤)에 의해 근사화되는 경우, 교정 차원(x)을 따라서 볼 때의, 다양한 스탑 그룹(I 내지 IV)의 각각의 개별 스탑(27)의 거리는 평균 아치형 프로파일을 갖는다. 스탑 평면(16)과 관련하여, 이 원호 형상은 도 7에 따른 실시 예에서와 같이 오목할 수 있거나 도 8에 따른 실시 예에서와 같이 볼록할 수 있다. 이 아치형 프로파일은 예를 들어 포물선일 수 있다.
도 7 및 도 8에 따른 실시 예에서, 2개의 거리 스탑 그룹은 각각의 경우 중앙 섹션(31)에 존재한다. 이들은 도 7에 따른 실시 예에서 스탑 그룹 I 및 II이고 도 8에 따른 실시 예에서의 스탑 그룹(III 및 IV)이다. 이들 거리 스탑 그룹에 속하는 개별 스탑(27)는 중앙 섹션(31)에서 스탑 기준 평면(16)으로부터 교번하는 거리에 있다.
도 8에 따라 선택하는 경우. 또한, 모든 개별 스탑(27)은 개별 스탑의 각각의 x-좌표에 따라 단조로운 또는 엄격하게 단조로운 거리 프로파일을 가질 수 있으며, 여기서 x-차원을 따라서 볼 때의, 중앙에 배열된 개별 스탑(27)은 스탑 기준 표면(16)으로부터 최대 거리 amax이며, 이 개별 스탑 거리(a)는 에지(조명 필드(18)의 최소/최대 x-값)를 향하여 최소 거리 값 amin을 향해 감소한다.
변위 액추에이터(29)는 각각의 개별 스탑(27)이 또한 z-방향을 따라 제어된 방식으로 변위 가능하도록 설계될 수 있다. 이에 의해, 각각의 개별 스탑(27)의 자유 단부(30)와 스탑 평면(16) 사이의 거리(a)를 특히 상세하게 특정할 수 있다.
조명 강도 교정 장치(24)의 적어도 일부 개별 스탑(27)을 냉각시키기 위해, 냉각 장치(32)가 제공될 수 있으며, 이는 도 2에 개략적으로 표시되어 있다. 이것은 능동 및 / 또는 수동 냉각 장치일 수 있다.
도 3을 참조하여, 도 3에 따른 조명 광학 유닛(26) 대신 사용될 수 있는 EUV 투영 리소그래피용 조명 광학 유닛(33)의 추가 실시 예가 아래에 제공된다. 도 1,도 2 및 도 4 내지 도 8을 참조하여 위에서 설명된 것에 대응하는 구성 요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며, 다시 상세하게 논의되지 않을 것이다.
도 3에 도시되지 않는, 광원으로부터 나오는 EUV 조명 광(3)을 효율적으로 수광하기 위해, 조명 광학 유닛(33)의 경우에 타원형으로 구현된 콜렉터(4)가 사용된다. 상기 콜렉터는 필드 패싯 미러(6)를 향해 중간 초점 평면(5)의 중간 초점을 통해 조명 광(3)을 가이드하고, 조명 채널 내로 분할된 광은 동공 패싯 미러(10) 상에 충돌한다.
그 후, 조명 채널로 분할된 조명 광(3)은 동공 패싯 미러(10)로부터 콘덴서 미러(34)를 향해 그리고 그로부터 오브젝트 필드(18)로 반사된다. 오브젝트 평면(16) 아래의, 즉, 더 작은 z-값을 향하는, 조명 강도 교정 장치(24)를 위해 예약된 구조 공간은 도 3에서 35로 표시된다.
투영 노광 동안, 먼저 조명 광(3)에 감광성인 코팅을 갖는 레티클(17) 및 웨이퍼(22)가 제공된다. 이어서, 투영 노광 장치(1)의 도움으로 레티클(17)의 일부가 웨이퍼(22)에 투영된다. 마지막으로, 조명광(3)에 의해 노광된 웨이퍼(22)의 감광 층이 현상된다. 마이크로구조화된 또는 나노구조화된 구성 요소, 예를 들어 반도체 칩이 이러한 방식으로 제조된다.

Claims (15)

  1. 리소그래피 투영 노광 장치의 조명 필드(18)에 걸친 조명 강도를 특정하기 위한 조명 강도 교정 장치(24)로서,
    - 서로 이웃하여 배열되며, 서로 평행하게 배열되는 로드 축(rod axis)(28)들을 가지며, 로드 축들에 관하여 횡방향으로 서로 이웃하여 정렬되는 방식으로 배열되는 복수의 로드형 개별 스탑(27)들을 포함하고;
    - 적어도 개별 로드 축(28)을 따라 개별 스탑(27)들 중 적어도 일부를 변위시키기 위한 변위 드라이브(29)를 포함하고;
    - 개별 스탑(27)의 자유 단부(30)는, 조명 필드(18)의 조명의 강도 교정을 특정하려는 목적으로, 변위 드라이브(29)에 의해, 특정된 강도 교정 변위 위치로 개별적으로 변위가능하고, 상기 강도 교정은 로드 축(28)들에 관하여 교정 차원을 따라 횡방향으로 작용하고,
    - 개별 스탑(27)은 적어도 3개의 거리 스탑 그룹(Ⅰ; Ⅱ; Ⅲ; Ⅳ)에 속하고, 각각의 거리 스탑 그룹(Ⅰ 내지 Ⅳ)의 개별 스탑(27I, 27Ⅱ, 27Ⅲ, 27Ⅳ)의 자유 단부는 스탑 기준면(16)으로부터 상이한 거리(ａI, ａⅡ, ａⅢ, ａⅣ)에 있고,
    - 스탑 기준면(16)은 교정 차원을 따르는 교정 기준축(x) 및 로드 축(28)에 평행한 로드 기준 축(y)에 걸쳐지며 조명 필드(18)에 대한 배열 평면을 특정하는, 교정 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 교정 차원(x)을 따라서 볼 때의, 교정 장치(24)의 중심 섹션(31)으로부터 나아가는, 개별적인 거리 스탑 그룹(Ⅱ 내지 Ⅳ)과 스탑 기준면(16) 사이의 거리(a)는, 개별 스탑(27Ⅱ, 27Ⅲ, 27Ⅳ)과 중심 섹션(31) 사이의 거리가 증가함에 따라 증가하는 것을 특징으로 하는 교정 장치.
  3. 청구항 1에 있어서, 교정 차원(x)을 따라서 볼 때의, 교정 장치(24)의 중심 섹션(31)으로부터 나아가는, 개별 거리 스탑 그룹(Ⅱ 내지 Ⅳ)과 스탑 기준면(16) 사이의 거리(a)는, 개별 스탑(27Ⅲ, 27Ⅱ, 27Ⅰ)과 중심 섹션(31) 사이의 거리가 증가함에 따라 감소하는 것을 특징으로 하는 교정 장치.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 교정 차원(x)을 따라서 볼 때의, 개별적인 거리 스탑 그룹(Ⅱ 내지 Ⅳ)과 스탑 기준면(16) 사이의 거리(a)는 대략 아치형(arcuate) 프로파일을 갖는 것을 특징으로 하는 교정 장치.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 교정 장치(24)의 중심 섹션(31)의 적어도 2개의 거리 스탑 그룹(Ⅰ, Ⅱ; Ⅱ, Ⅳ)을 특징으로 하고, 상기 거리 스탑 그룹(Ⅰ, Ⅱ; Ⅲ, Ⅳ)에 속하는 개별 스탑(27I, 27Ⅱ; 27Ⅲ, 27Ⅳ)은 스탑 기준면(16)으로부터 교번하는 거리(ａI, ａⅡ, ａⅢ, ａⅣ)에 있는, 교정 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 개별 스탑(27)의 단부(30)는 조명 필드(18)의 경계 형상에 맞추어 지는 식으로 형상화되어 있는 것을 특징으로 하는 교정 장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서, 개별 스탑(27)들 중 적어도 일부를 냉각하기 위한 냉각 유닛(32)을 특징으로 하는 교정 장치.
  8. 리소그래피 투영 노광 장치(1)의 조명 필드(18)를 향하여 조명 광(3)을 가이드하기 위한 조명 광학 유닛(26; 33)으로서, 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 기재된 조명 강도 교정 장치(24)를 특징으로 하는 조명 광학 유닛.
  9. 청구항 8에 있어서, 조명 강도 교정 장치(24)는 조명 광학 유닛(26)의 필드면(16)으로부터 20mm 이하만큼 이격되는 것을 특징으로 하는 조명 광학 유닛.
  10. 청구항 8 또는 청구항 9에 기재된 조명 광학 유닛(26), 및 적어도 부분적으로 조명 필드와 일치하는 오브젝트 필드(18)를 이미징하기 위한 것으로, 이미징될 오브젝트(17)는 이미지 필드(20) 내에 배열될 수 있는 투영 광학 유닛(19)을 포함하는, 조명 시스템.
  11. 청구항 10에 기재된 조명 시스템 및 조명 광(3)을 위한 광원(2)을 포함하는 투영 노광 장치(1).
  12. 청구항 11에 있어서,
    - 개별 스탑(27)의 로드 축(28)들을 따라 나아가는 오브젝트 변위 방향(y)을 따라 이미징될 오브젝트(17)를 변위시키기 위한 오브젝트 변위 드라이브(17b)를 갖는 오브젝트 홀더(17a),
    - 오브젝트 변위 방향에 평행하게 나아가는 이미지 변위 방향(y)을 따라, 이미징될 오브젝트(17)의 구조(32)가 이미징되어지는 웨이퍼(22)를 변위시키기 위한 웨이퍼 변위 드라이브(22b)를 갖는 웨이퍼 홀더(22a)를 특징으로 하는 투영 노광 장치(1).
  13. 청구항 12에 있어서, 개별 스탑(27)을 위한 변위 드라이브(29)는, 오브젝트 변위 드라이브(17b)의 오브젝트 변위 속도만큼 빠른 개별 스탑(27)들 중 적어도 일부 개별 스탑의 변위 속도를 가능하게 하도록 구현되는 것을 특징으로 하는 투영 노광 장치(1).
  14. 구조화된 부품을 제조하기 위한 방법으로서,
    - 감광성 재료로 구성된 층이 적어도 부분적으로 도포되어 있는 웨이퍼(22)를 제공하는 단계;
    - 이미징될 구조를 갖는 오브젝트(17)로서의 레티클을 제공하는 단계;
    - 청구항 11 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 투영 노광 장치(1)를 제공하는 단계;
    - 투영 노광 장치(1)를 이용하여 웨이퍼(22)의 층의 영역 상에 레티클(17)의 적어도 일부분을 투영하는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 청구항 14에 기재된 방법에 따라 제조되는 구조화된 부품.
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