KR20200081246A - 기판 액처리 장치 - Google Patents

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Abstract

[과제] 본 개시는, 기판 액처리 시에 있어서의 기판 면내의 처리의 균일성에 유효한 기판 액처리 장치를 제공한다.
[해결수단] 본 개시의 일 측면에 따른 기판 액처리 장치는, 복수의 기판에 액처리를 실시하기 위한 처리액을 저류하는 처리조와, 처리조 내에 있어서, 복수의 기판 각각의 주면이 연직 방향을 따르도록 복수의 기판을 지지하는 기판 지지부와, 기판 지지부에 의해 지지되어 있는 복수의 기판보다 아래쪽에 마련되며, 처리조 내에 처리액을 토출함으로써 상승류를 생성하는 처리액 토출부와, 처리조의 제1 측벽과, 복수의 기판 중 제1 측벽에 대향하는 주면을 갖는 제1 기판과의 사이에 형성되는 측방 공간에 있어서, 처리액의 흐름을 조절하는 정류부를 포함한다.

Description

기판 액처리 장치{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS}
본 개시는 기판 액처리 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 약액을 수용하는 처리조 내에 기판을 지지함으로써, 상기 기판에 약액 처리를 실시하는 기판 액처리 장치가 개시되어 있다. 이 기판 액처리 장치에서는 처리조가 수지재로 형성되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허공개 평9-10709호 공보
본 개시는, 기판 액처리 시에 있어서의 기판 면내의 처리의 균일성에 유효한 기판 액처리 장치를 제공한다.
본 개시의 일 측면에 따른 기판 액처리 장치는, 복수의 기판에 액처리를 실시하기 위한 처리액을 저류하는 처리조와, 처리조 내에 있어서, 복수의 기판 각각의 주면(主面)이 연직 방향을 따르도록 복수의 기판을 지지하는 기판 지지부와, 기판 지지부에 의해 지지되어 있는 복수의 기판보다도 아래쪽에 마련되며, 처리조 내에 처리액을 토출함으로써 상승류를 생성하는 처리액 토출부와, 처리조의 제1 측벽과, 복수의 기판 중 제1 측벽에 대향하는 주면을 갖는 제1 기판과의 사이에 형성되는 측방 공간에 있어서, 처리액의 흐름을 조절하는 정류부를 구비한다.
본 개시에 의하면, 기판 액처리 시에 있어서의 기판 면내의 처리의 균일성에 유효한 기판 액처리 장치가 제공된다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 액처리 시스템을 모식적으로 예시하는 평면도이다.
도 2는 기판 액처리 장치를 예시하는 모식도이다.
도 3은 기판 액처리 장치의 구성을 예시하는 모식적인 사시도이다.
도 4는 기판 액처리 장치의 구성을 예시하는 모식적인 측면도이다.
도 5는 기판 액처리 장치의 구성을 예시하는 모식적인 정면도이다.
도 6은 제2 실시형태에 따른 기판 액처리 시스템의 기판 액처리 장치의 구성을 예시하는 모식적인 측면도이다.
도 7은 기판 액처리 장치의 구성을 예시하는 모식적인 정면도이다.
도 8은 기판 액처리 장치의 구성을 예시하는 모식적인 평면도이다.
도 9는 기판 액처리 장치의 구성의 다른 예를 도시하는 모식적인 측면도이다.
도 10은 기판 액처리 장치의 구성의 또 다른 예를 도시하는 모식적인 정면도이다.
도 11은 제3 실시형태에 따른 기판 액처리 시스템의 기판 액처리 장치의 구성을 예시하는 모식적인 측면도이다.
도 12는 기판 액처리 장치의 구성을 예시하는 모식적인 평면도이다.
도 13은 기판 액처리 장치의 구성의 다른 예를 도시하는 모식적인 정면도이다.
도 14는 기판 액처리 장치의 구성의 또 다른 예를 도시하는 모식적인 측면도이다.
이하, 다양한 예시적 실시형태에 관해서 설명한다.
본 개시의 일 측면에 따른 기판 액처리 장치는, 복수의 기판에 액처리를 실시하기 위한 처리액을 저류하는 처리조와, 처리조 내에 있어서, 복수의 기판 각각의 주면이 연직 방향을 따르도록 복수의 기판을 지지하는 기판 지지부와, 기판 지지부에 의해 지지되어 있는 복수의 기판보다 아래쪽에 마련되며, 처리조 내에 처리액을 토출함으로써 상승류를 생성하는 처리액 토출부와, 처리조의 제1 측벽과, 복수의 기판 중 제1 측벽에 대향하는 주면을 갖는 제1 기판의 사이에 형성되는 측방 공간에 있어서 처리액의 흐름을 조절하는 정류부를 구비한다.
이 기판 액처리 장치에서는, 측방 공간에 있어서 처리액의 흐름을 조절하는 정류부가 구비된다. 측방 공간에 있어서의 처리액의 상승류가 흐트러지면, 제1 기판의 주면 중 제1 측벽과 대향하는 주면에 있어서의 처리가 불균일하게 될 우려가 있다. 상기 구성에서는, 정류부에 의해 측방 공간에 있어서의 처리액의 흐름이 조절됨으로써, 측방 공간에 있어서의 처리액의 상승류의 흐트러짐이 억제된다. 이 때문에, 상승류의 흐트러짐에 의한 기판 액처리에 미치는 영향이 저감되기 때문에, 기판 면내의 처리의 균일성을 향상시킬 수 있게 된다.
정류부는, 제1 측벽에 형성되며, 처리조 내의 처리액을 배출하는 제1 배출 구멍을 갖더라도 좋다. 이 경우, 처리조 내부를 상승한 처리액에 대해서, 제1 배출 구멍을 통해 처리조 밖으로 배출시킬 수 있기 때문에, 측방 공간에 있어서 처리액이 하강하는 하강류의 형성을 막을 수 있다. 이 때문에, 측방 공간에 있어서의 처리액의 상승류의 흐트러짐이 억제된다. 그 결과, 기판 면내의 액처리의 균일성을 향상시킬 수 있게 된다.
제1 배출 구멍은 제1 기판의 상단부에 대향하도록 형성되어 있어도 좋다. 이 경우, 측방 공간에 있어서의 상술한 하강류의 형성을 보다 적합하게 막을 수 있다. 그 때문에, 하강류에 기인하는 상승류의 흐트러짐이 보다 확실하게 억제되므로, 기판 면내의 액처리의 균일성이 보다 확실하게 도모된다.
기판 액처리 장치는, 처리조의 제1 측벽에 접속되어 있는 제2 측벽에 형성되며, 처리조 내의 처리액을 배출하는 제2 배출 구멍을 갖는 제2 정류부를 더 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 제2 배출 구멍도 이용하여, 처리조 내부를 상승한 처리액에 대해서 처리조 밖으로 배출시킬 수 있다. 이 때문에, 측방 공간에 있어서의 처리액의 상승류의 흐트러짐이 보다 억제되므로, 기판 면내의 액처리의 균일성을 보다 향상시킬 수 있게 된다.
정류부는 측방 공간에 배치되는 판형 부재를 갖더라도 좋다. 판형 부재는 제1 기판 및 제1 측벽으로부터 이격되어 있어도 좋다. 판형 부재의 한쪽의 주면은 제1 기판에 대향하는 대향면이라도 좋다. 이 경우, 처리조 내부를 상승한 처리액의 일부가, 측방 공간 중의 판형 부재와 제1 측벽의 사이에 형성되는 공간에 있어서 하강류를 형성할 수 있다. 이와 같이, 하강류가 형성될 수 있는 공간을 형성함으로써, 상기 공간과는 다른 공간에 있어서의 하강류의 형성을 막을 수 있어, 제1 기판의 주면을 따르는 상승류의 흐트러짐이 억제된다. 그 결과, 기판 면내의 액처리의 균일성을 향상시킬 수 있게 된다.
제1 기판과 판형 부재의 간격은, 판형 부재와 제1 측벽의 간격보다 작아도 좋다. 이 경우, 제1 기판과 판형 부재 사이의 공간보다 판형 부재와 제1 측벽 사이의 공간에 하강류가 형성되기 쉽다. 이 때문에, 제1 기판의 주면을 따르는 상승류의 흐트러짐을 더욱 억제할 수 있어, 기판 면내의 액처리의 균일성이 보다 확실하게 도모된다.
정류부는 판형 부재를 처리조에 고정하는 고정부를 갖더라도 좋다. 이 경우, 판형 부재가 처리조에 대하여 고정부에 의해 고정되기 때문에, 예컨대 기판 지지부를 처리조 밖으로 이동시켜 복수의 기판을 전달하는 경우에, 판형 부재가 기판의 전달에 영향을 주지 않는다. 그 결과, 기판의 용이한 전달과 기판 면내의 처리 균일성 향상의 양립이 도모된다.
기판 지지부는, 연직 방향 및 제1 기판의 주면에 대하여 교차하는 방향을 따라 연장되어 복수의 기판을 아래쪽에서 지지하여도 좋다. 판형 부재는 기판 지지부에 대하여 고정되어 있어도 좋다. 이 경우, 판형 부재를 제1 기판에 보다 가깝게 할 수 있다. 그 경우, 판형 부재와 제1 측벽의 사이에서의 하강류의 형성을 보다 촉진할 수 있다. 그 결과, 제1 기판의 주면을 따르는 상승류의 흐트러짐을 더욱 억제할 수 있어, 기판 면내의 액처리의 균일성이 보다 확실하게 도모된다.
기판 지지부는, 연직 방향 및 제1 기판의 주면에 대하여 교차하는 방향을 따라 연장되어 복수의 기판을 아래쪽에서 지지하여도 좋다. 정류부는 판형 부재를 고정하기 위한 고정부를 갖더라도 좋다. 판형 부재는, 처리조에 고정부를 통해 고정되어 있는 제1 칸막이 부재와, 기판 지지부에 대하여 고정되어 있는 제2 칸막이 부재를 갖더라도 좋다. 제1 칸막이 부재는 대향면의 일부를 구성하고 있어도 좋다. 제2 칸막이 부재는 대향면의 다른 부분을 구성하고 있어도 좋다. 이 경우, 예컨대 기판 지지부를 처리조 밖으로 이동시켜 복수의 기판을 전달하는 경우에, 기판 지지부에는 제2 칸막이 부재만큼의 스페이스가 생긴다. 이 때문에, 상기 스페이스에 전달용 부재를 통해서 복수의 기판을 전달할 수 있기 때문에, 판형 부재가 기판의 전달에 영향을 주기 어렵다. 그 결과, 기판의 용이한 전달과 기판 면내의 처리 균일성 향상의 양립이 도모된다.
정류부는, 제1 측벽의 내면에서 내측으로 돌출하면서 또한 제1 측벽을 따라 연직 방향과 교차하는 방향으로 연장되는 돌출 부재를 갖더라도 좋다. 이 경우, 돌출 부재에 의해 처리조 내부를 상승한 처리액의 측방 공간으로 향하는 흐름이 가로막힌다. 그 결과, 측방 공간에서의 상승류의 흐트러짐이 억제되기 때문에, 기판 면내의 액처리의 균일성을 향상시킬 수 있게 된다.
돌출 부재와 제1 기판의 간격인 제1 간격은, 복수의 기판 중 제1 기판과 인접하는 제2 기판과 제1 기판의 간격인 제2 간격과 대략 일치하거나 또는 제2 간격보다 작더라도 좋다. 이 경우, 돌출 부재와 제1 기판의 간격이 충분히 작아지기 때문에, 돌출 부재와 제1 기판 사이를 지나는 처리액의 흐름의 형성이 가로막힌다. 그 결과, 측방 공간에서의 상승류의 흐트러짐이 보다 확실히 억제되기 때문에, 기판 면내의 액처리의 균일성이 보다 확실하게 도모된다.
돌출 부재는, 제1 기판의 상단에 대응하는 중앙 위치에서 양 외측으로 향해서 아래쪽으로 경사져 연장되어 있어도 좋다. 이 경우, 처리조 내부를 상승한 처리액은 돌출 부재의 경사에 의해 제1 기판의 외측으로 피하도록 흐른다. 이 때문에, 측방 공간에서의 상승류의 흐트러짐이 보다 확실히 억제되기 때문에, 기판 면내의 액처리의 균일성을 향상시킬 수 있게 된다.
돌출 부재 중 제1 기판과 대향하는 측면은, 아래쪽으로 향함에 따라서 제1 측벽에 근접하도록 경사져 있어도 좋다. 이 경우, 측방 공간에 있어서 상승해 온 처리액의 흐름이 돌출 부재에 의해 저해되기 어렵다. 그 결과, 액처리의 확실한 실행과 면내 균일성 향상의 양립이 도모된다.
이하, 도면을 참조하여 다양한 예시적 실시형태에 관해서 상세히 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일한 부호를 붙여, 중복되는 설명을 생략한다. 또한 이후에는, 설명을 위해서 상호 직교하는 XYZ축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 방향 상향으로 한다.
[제1 실시형태]
우선, 도 1∼도 5를 참조하여 제1 실시형태에 따른 기판 액처리 시스템을 설명한다.
[기판 액처리 시스템]
도 1에 도시하는 것과 같이, 기판 액처리 시스템(1A)은, 캐리어 반입출부(2)와 로트 형성부(3)와 로트 배치부(4)와 로트 반송부(5)와 로트 처리부(6)와 제어부(7)를 구비한다.
이 중 캐리어 반입출부(2)는, 복수 매수(예컨대 25장)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 나란하게 하여 수용한 캐리어(9)의 반입 및 반출을 행한다. 이 캐리어 반입출부(2)에는, 복수 개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 마련되어 있다. 여기서, 캐리어 스톡(12)은, 제품으로 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리하기 전에 일시적으로 보관한다. 또한 캐리어 스톡(13)은, 제품으로 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리한 후에 일시적으로 보관한다.
그리고, 캐리어 반입출부(2)는, 외부로부터 캐리어 스테이지(10)에 반입된 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12)이나 캐리어 배치대(14)에 반송한다. 또한 캐리어 반입출부(2)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13)이나 캐리어 스테이지(10)에 반송한다. 캐리어 스테이지(10)에 반송된 캐리어(9)는 외부로 반출된다.
로트 형성부(3)는, 하나 또는 복수의 캐리어(9)에 수용된 기판(8)을 조합하여 동시에 처리되는 복수 매수(예컨대 50장)의 기판(8)으로 이루어지는 로트를 형성한다. 또한 로트를 형성할 때는, 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면을 상호 대향하도록 로트를 형성하여도 좋고, 또한 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면이 전부 한쪽을 향하도록 로트를 형성하여도 좋다. 이 로트 형성부(3)에는, 복수 매수의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 마련되어 있다. 또한 기판 반송 기구(15)는, 기판(8)의 반송 도중에 기판(8)의 자세를 수평 자세에서 수직 자세 및 수직 자세에서 수평 자세로 변경시킬 수 있다.
그리고, 로트 형성부(3)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)를 이용하여 기판(8)을 로트 배치부(4)에 반송하고, 로트를 형성하는 기판(8)을 로트 배치부(4)에 배치한다. 또한 로트 형성부(3)는, 로트 배치부(4)에 배치된 로트를 기판 반송 기구(15)로 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)에 반송한다. 또한 기판 반송 기구(15)는, 복수 매수의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전(로트 반송부(5)에 의해 반송되기 전)의 기판(8)을 지지하는 처리 전 기판 지지부와, 처리 후(로트 반송부(5)에 의해 반송된 후)의 기판(8)을 지지하는 처리 후 기판 지지부의 2종류를 갖고 있다. 이에 따라, 처리 전의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 기판(8) 등에 전착(轉着)되는 것을 방지한다.
로트 배치부(4)는, 로트 반송부(5)에 의해서 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6)의 사이에서 반송되는 로트를 로트 배치대(16)에서 일시적으로 배치(대기)한다. 이 로트 배치부(4)에는, 처리 전(로트 반송부(5)에 의해 반송되는 전)의 로트를 배치하는 반입 측의 로트 배치대(17)와, 처리 후(로트 반송부(5)에 의해 반송된 후)의 로트를 배치하는 반출 측의 로트 배치대(18)가 마련되어 있다. 반입 측의 로트 배치대(17) 및 반출 측의 로트 배치대(18)에는, 1 로트분의 복수 매수의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 나란하게 배치된다.
그리고, 로트 배치부(4)에서는, 로트 형성부(3)에서 형성한 로트가 반입 측의 로트 배치대(17)에 배치되고, 그 로트가 로트 반송부(5)를 통해 로트 처리부(6)에 반입된다. 또한 로트 배치부(4)에서는, 로트 처리부(6)로부터 로트 반송부(5)를 통해 반출된 로트가 반출 측의 로트 배치대(18)에 배치되고, 그 로트가 로트 형성부(3)에 반송된다.
로트 반송부(5)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)의 사이나 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다. 이 로트 반송부(5)에는, 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 마련되어 있다. 로트 반송 기구(19)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)를 따르게 하여 배치한 레일(20)과, 복수 매수의 기판(8)을 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)로 구성한다. 이동체(21)에는, 수직 자세로 전후로 나란한 복수 매수의 기판(8)을 유지하는 기판 유지체(22)가 진퇴가 자유롭게 마련되어 있다.
그리고, 로트 반송부(5)는, 반입 측의 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하여, 그 로트를 로트 처리부(6)에 전달한다. 또한 로트 반송부(5)는, 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하여, 그 로트를 반출 측의 로트 배치대(18)에 전달한다. 또한 로트 반송부(5)는, 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6) 내부에 있어서 로트의 반송을 행한다.
로트 처리부(6)는, 수직 자세로 전후로 나란한 복수 매수의 기판(8)을 1 로트로 하여 에칭이나 세정이나 건조 등의 처리를 행한다. 이 로트 처리부(6)에는, 기판(8)의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(23)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(24)와, 기판(8)의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(25)와, 기판(8)의 에칭 처리를 행하는 2대의 에칭 처리 장치(26)가 나란하게 마련되어 있다.
건조 처리 장치(23)는, 처리조(27)와, 처리조(27)에 승강이 자유롭게 설치된 기판 승강 기구(28)를 구비한다. 처리조(27)에는, 건조용의 처리 가스(IPA(이소프로필알코올) 등)가 공급된다. 기판 승강 기구(28)에는, 1 로트분의 복수 매수의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 나란하게 유지된다. 건조 처리 장치(23)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(28)로 수취하고, 기판 승강 기구(28)로 그 로트를 승강시킴으로써, 처리조(27)에 공급한 건조용의 처리 가스로 기판(8)의 건조 처리를 행한다. 또한, 건조 처리 장치(23)는 기판 승강 기구(28)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
기판 유지체 세정 처리 장치(24)는, 처리조(29)를 가지고, 이 처리조(29)에 세정용의 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있게 되어 있으며, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용의 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.
세정 처리 장치(25)는, 세정용의 처리조(30)와 린스용의 처리조(31)를 가지고, 각 처리조(30, 31)에 기판 승강 기구(32, 33)가 승강이 자유롭게 설치되어 있다. 세정용의 처리조(30)에는 세정용의 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용의 처리조(31)에는 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
에칭 처리 장치(26)는, 에칭용의 처리조(34)와 린스용의 처리조(35)를 가지고, 각 처리조(34, 35)에 기판 승강 기구(36, 37)가 승강이 자유롭게 설치되어 있다. 에칭용의 처리조(34)에는 에칭용의 처리액(인산 수용액)이 저류된다. 린스용의 처리조(35)에는 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
이들 세정 처리 장치(25)와 에칭 처리 장치(26)는 같은 구성으로 되어 있다. 에칭 처리 장치(26)에 관해서 설명하면, 기판 승강 기구(36)에는, 1 로트분의 복수 매수의 기판(8)이 수직 자세로 전후(X축 방향)로 나란하게 유지된다. 에칭 처리 장치(26)에 있어서, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)로 수취하고, 기판 승강 기구(36)로 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(34)의 에칭용 처리액에 침지시켜 기판(8)의 에칭 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(26)는, 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다. 또한, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(37)로 수취하고, 기판 승강 기구(37)로 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(35)의 린스용 처리액에 침지시켜 기판(8)의 린스 처리를 행한다. 그 후, 기판 승강 기구(37)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
제어부(7)는, 기판 액처리 시스템(1A)의 각 부(캐리어 반입출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6))의 동작을 제어한다. 이 제어부(7)는 예컨대 컴퓨터로 이루어지며, 컴퓨터로 읽어들일 수 있는 기억 매체(138)를 구비한다. 기억 매체(138)에는, 기판 액처리 시스템(1A)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(7)는, 기억 매체(138)에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 기판 액처리 시스템(1A)의 동작을 제어한다. 또한 프로그램은, 컴퓨터에 의해서 읽어들일 수 있는 기억 매체(138)에 기억되어 있던 것으로, 다른 기억 매체로부터 제어부(7)의 기억 매체(138)에 인스톨된 것이라도 좋다. 컴퓨터에 의해서 읽어들일 수 있는 기억 매체(138)로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD) 마그넷 광디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
[기판 액처리 장치]
이어서, 도 2를 참조하여, 기판 액처리 시스템(1A)이 포함하는 기판 액처리 장치(A1)에 관해서 상세히 설명한다. 도 2에 도시하는 것과 같이, 기판 액처리 장치(A1)는 에칭 처리 장치(26)를 포함하여 구성되어 있다.
에칭 처리 장치(26)는, 미리 정해진 농도의 약제(인산)의 수용액(인산 수용액)을 에칭용의 처리액으로서 이용하여 기판(8)을 액처리(에칭 처리)한다. 여기서, 인산 수용액의 농도는 적절하게 변경하여도 좋다. 에칭 처리 장치(26)는, 도 2에 도시하는 것과 같이, 처리액 저류부(38)와 처리액 공급부(39)와 처리액 순환부(40)와 처리액 배출부(41)와 가스 공급부(55)를 구비한다.
처리액 저류부(38)는, 처리액을 저류하여 그 처리액에 의해 기판(8)을 처리한다. 처리액 저류부(38)는 처리조(34)와 외조(外槽)(42)를 갖는다. 처리액 저류부(38)는, 상부를 개방시킨 처리조(34)의 주위에, 상부를 개방시킨 외조(42)를 형성하여, 처리조(34)와 외조(42)에 처리액을 저류한다. 처리조(34)는, 기판(8)을 기판 승강 기구(36)에 의해서 침지시킴으로써 액처리하는 처리액을 저류한다. 외조(42)는 처리조(34)로부터 오버플로우한 처리액을 저류한다. 외조(42)에 저류된 처리액은 처리액 순환부(40)에 의해서 처리조(34)에 공급된다. 외조(42)에는 액면 센서(80)가 마련되어 있다. 액면 센서(80)는 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 있어서의 액면 높이를 검출하는 센서이다. 액면 센서(80)로서는 액면 높이를 검출할 수 있는 각종 센서를 이용할 수 있다. 액면 센서(80)는 검출한 액면 높이를 나타내는 정보를 제어부(7)에 출력한다.
처리액 공급부(39)는 처리액 저류부(38)에 처리액을 공급한다. 처리액 공급부(39)는 수용액 공급부(43)와 물 공급부(44)(순수 공급부)를 구비한다. 수용액 공급부(43)는 수용액 공급원(45)과 유량 조정기(46)를 갖는다.
수용액 공급원(45)은 처리액 저류부(38)에 대하여 인산 수용액을 공급한다. 수용액 공급원(45)으로부터 공급되는 인산 수용액은 유로(43a)를 통해 처리액 저류부(38)에 공급된다. 유량 조정기(46)는 유로(43a)에 있어서의 수용액 공급원(45)의 하류 측에 마련되어 있다. 유량 조정기(46)는 제어부(7)에 접속되어 있으며, 제어부(7)에 의해서 개폐 제어 및 유량 제어된다.
물 공급부(44)는 처리액 저류부(38)에 물(순수)을 공급한다. 물 공급부(44)는, 미리 정해진 온도(예컨대 25℃)의 순수를 공급하기 위한 물 공급원(47)을, 처리액 저류부(38)의 외조(42)에 유량 조정기(48)를 통해 접속한다. 유량 조정기(48)는 제어부(7)에 접속되어 있으며, 제어부(7)에 의해서 개폐 제어 및 유량 제어된다.
처리액 순환부(40)는 외조(42) 내의 처리액을 처리조(34)에 보낸다. 처리액 순환부(40)는 순환 유로(49)와 펌프(50)와 히터(51)와 필터(52)와 농도계(53)를 구비한다. 순환 유로(49)는, 처리액 저류부(38)의 외조(42)의 바닥부에서 처리조(34)의 바닥부로 연장된 유로이다. 순환 유로(49)의 처리조(34) 내의 단부에는, 처리액을 처리조(34) 내에 공급하기 위한 처리액 토출 부재(60)가 마련된다. 순환 유로(49)에는, 펌프(50), 히터(51), 필터(52) 및 농도계(53)가 상류 측(외조(42) 측)에서 하류 측(처리조(34) 측)으로 순차 마련되어 있다. 펌프(50) 및 히터(51)는 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 구동 제어된다. 펌프(50)는 처리액을 상류측 에서 하류 측으로 압송(壓送)한다. 히터(51)는 처리액을 설정 온도(예컨대 165℃)까지 가열한다. 필터(52)는 처리액 중에 혼입된 파티클을 제거한다. 농도계(53)는, 순환 유로(49)에 있어서의 처리액 중의 미리 정해진 성분(예컨대 인산 등)의 농도를 계측한다. 농도계(53)는 계측한 농도에 관련한 정보를 제어부(7)에 출력한다. 또한, 농도계(53)는 설치되어 있지 않아도 좋다.
처리액 배출부(41)는 처리조(34) 내부로부터 처리액을 배출한다. 처리액 배출부(41)는 예컨대 배액 유로(41A)와 밸브(41B)를 갖는다. 배액 유로(41A)는 처리조(34) 내의 처리액을 도출한다. 배액 유로(41A)의 일단부는 처리조(34)의 바닥부에 접속되어 있고, 배액 유로(41A)의 타단부는 기판 액처리 시스템(1A)의 배액관(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 밸브(41B)는 배액 유로(41A)에 마련되어 있다. 밸브(41B)는 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해서 개폐 제어된다.
가스 공급부(55)는 처리조(34) 내에 불활성 가스를 공급한다. 가스 공급부(55)는 가스 공급원(56)과 유량 조정기(57)를 갖는다. 가스 공급원(56)은, 처리액 저류부(38)에 대하여 불활성 가스로서 예컨대 질소 가스를 공급한다. 가스 공급원(56)으로부터 공급되는 질소 가스는 유량 조정기(57)를 통해 처리조(34) 내에 공급된다. 가스 공급부(55)의 처리조(34) 내의 단부에는, 질소 가스를 처리조(34) 내에 공급하기 위한 가스 토출 부재(65)가 마련된다. 유량 조정기(57)는 가스 공급원(56)의 하류 측에 마련되어 있다. 유량 조정기(57)는 제어부(7)에 접속되어 있으며, 제어부(7)에 의해서 개폐 제어 및 유량 제어된다.
(에칭 처리 장치)
이어서, 도 3∼도 5를 참조하여 에칭 처리 장치(26)의 구성의 일례를 구체적으로 설명한다. 도 3∼도 5에서는, 에칭 처리 장치(26) 중 처리액 저류부(38) 근방을 도시하고 있다.
도 3에 도시하는 것과 같이, 에칭 처리 장치(26)의 처리조(34)는 상부가 개방된 수용 용기이다. 처리조(34)는 직방체형을 띠고 있다. 구체적으로는 처리조(34)는, 각각 YZ 평면을 따라 연장되는 한 쌍의 측벽(34a)(제1 측벽) 및 측벽(34b)과, 각각 XZ 평면을 따라 연장되는 한 쌍의 측벽(34c)(제2 측벽) 및 측벽(34d)(제2 측벽)을 갖는다. 또한 처리조(34)는, 측벽(34a∼34d) 각각의 하단에 접속되어 XY 평면을 따라 연장되는 바닥벽(34e)을 갖는다. 측벽(34a) 및 측벽(34b)은 X축 방향에 있어서 상호 대향하고 있다. 측벽(34c) 및 측벽(34d)은 Y축 방향에 있어서 상호 대향하고 있다. 측벽(34a∼34d), 바닥벽(34e) 및 측벽(34a∼34d)의 상단을 포함하는 가상면으로 구간되는 공간(이하, 「처리조(34) 내의 저류 공간」이라고 한다.)에, 복수의 기판(8) 및 복수의 기판(8)을 에칭 처리하기 위한 처리액이 수용된다.
외조(42)는 처리조(34)를 수용하도록 형성되어 있다. 외조(42)는 직방체형을 띠고 있다. 외조(42)는 상부가 개방된 수용 용기이다. 구체적으로는, 외조(42)는 처리조(34)의 측벽(34a∼34d) 및 바닥벽(34e)을 덮고 있다. 외조(42)는, 각각 YZ 평면을 따라 연장되는 한 쌍의 측벽(42a) 및 측벽(42b)과, 각각 XZ 평면을 따라 연장되는 한 쌍의 측벽(42c) 및 측벽(42d)을 갖는다. 또한 외조(42)는, 측벽(42a∼42d) 각각의 하단에 접속되어 XY 평면을 따라 연장되는 바닥벽(42e)을 갖는다. 측벽(42a)은 처리조(34)의 측벽(34a)과 대향하고 있고, 측벽(42b)은 처리조(34)의 측벽(34b)과 대향하고 있다. 측벽(42c)은 처리조(34)의 측벽(34c)과 대향하고 있고, 측벽(42d)은 처리조(34)의 측벽(34d)과 대향하고 있다. 즉, 처리조(34)의 측벽(34a∼34d)의 외측에 각각 외조(42)의 측벽(42a∼42d)이 마련되어 있다. 또한, 바닥벽(42e)은 처리조(34)의 바닥벽(34e)과 대향하며, 바닥벽(34e)의 아래쪽(Z축 마이너스 측)에 마련되어 있다.
외조(42)의 측벽(42a∼42d)의 내면 및 바닥벽(42e)의 내면과, 처리조(34)의 측벽(34a∼34d)의 외면 및 바닥벽(34e)의 외면에 의해, 처리조(34)로부터 오버플로우한 처리액을 저류하기 위한 공간(이하, 「외조(42) 내의 저류 공간」이라고 한다.)이 형성되어 있다. 처리조(34) 내의 저류 공간에 공급된 처리액이 처리조(34)의 용적을 넘은 경우에, 처리액이 측벽(34a∼34d)의 상단을 각각 넘어(넘쳐), 외조(42) 내의 저류 공간으로 흐른다(오버플로우한다). 또한, 처리조(34) 및 외조(42)의 상부 개구는, 도시하지 않는 덮개체에 의해 폐쇄되어도 좋다.
기판 승강 기구(36)는, 에칭 처리를 행할 때에 로트를 구성하는 복수의 기판(8)을 처리조(34) 내에 지지하고, 에칭 처리 전후에 있어서 복수의 기판(8)을 승강시킨다. 도 4에 도시하는 것과 같이, 기판 승강 기구(36)는, 수평 방향(X축 방향)을 따라 배열된 복수의 기판(8)을 지지한다. 기판 승강 기구(36)에 의해 지지되어 있는 복수의 기판(8) 각각의 주면은 YZ 평면을 따라 연장되어 있다. 즉, 복수의 기판(8)은, 각각 수직 방향(수직 방향: Z축 방향)으로 주면이 연장되도록 기판 승강 기구(36)에 의해 수직 자세로 지지된다. 기판 승강 기구(36)는, 처리액 저류부(38)의 외측에 마련된 승강 구동부(도시하지 않음)를 구비하고 있고, 승강 구동부의 구동에 의해 수직 방향(Z축 방향)으로 이동할 수 있게 되어 있다. 기판 승강 기구(36)는, 지지판(71)과 가이드판(72)과 복수(예컨대 4개)의 기판 지지 부재(73a∼73d)(기판 지지부)를 갖는다.
지지판(71)은, 승강 구동부(도시하지 않음)에 대하여 접속됨과 더불어, 가이드판(72) 및 복수의 기판 지지 부재(73a∼73d)를 지지한다. 지지판(71)은 판형이며, 연직 방향(Z축 방향)을 따라 연장되어 있다. 즉, 지지판(71)은, 한 쌍의 주면이 각각 YZ 평면으로 연장되도록 배치되어 있다. 지지판(71)은, X축 방향에 있어서, 측벽(34b) 부근에 배치되어 있다. 지지판(71)의 하단은 복수의 기판(8)보다 아래쪽에 위치하고 있다. 지지판(71)의 한쪽의 주면(측벽(34a)과 대향하는 주면)에는 가이드판(72)이 마련되어 있다. 가이드판(72)은 기판(8)에 대응한 크기의 원판형을 띠고 있다(도 4도 참조).
복수의 기판 지지 부재(73a∼73d)는 복수의 기판(8)을 수직 자세로 지지한다. 기판 지지 부재(73a∼73d)는 각각 단면 형상이 장방형인 부재이며, 지지판(71)의 가이드판(72)이 마련되어 있는 측의 주면(측벽(34a)과 대향하는 주면)의 아래쪽에 고정되고, 이 주면에서 측벽(34a)으로 향하는 방향(X축 방향)으로 연장된다. 기판 지지 부재(73a∼73d)는, 처리조(34) 내에 수용한 상태에서의 기판(8)의 외형에 대응한 배치로 되어 있다. 구체적으로는, X축 방향에서 봤을 때, 기판 지지 부재(73a, 73b)는 측방(측벽(34c, 34d)에 가까운 쪽)에 배치되어 있고, 기판 지지 부재(73c, 73d)는 중앙(측벽(34c, 34d)에서 먼 쪽)에 배치되어 있다. 또한, 기판 지지 부재(73a, 73b)는 기판 지지 부재(73c, 73d)보다 위쪽에 배치되어 있다. 기판 지지 부재(73a∼73d)는 상면에 복수(예컨대 50∼52개)의 기판 지지 홈을 포함하고 있다. 이 기판 지지 홈에 기판(8)의 주연부를 삽입함으로써, 기판 승강 기구(36)(기판 지지 부재(73a∼73d))는 복수의 기판(8)을 유지할 수 있다.
이후에는, 기판 승강 기구(36)에 의해 지지되어 있는 복수의 기판(8) 중 X축 마이너스 측에서부터 세어 n번째(n은 1∼N의 정수)에 배치된 기판을 「기판(Wn)」이라고 하여 설명하는 경우가 있다. 예컨대, 가장 측벽(34a)에 가까운 위치에 배치된 기판을 「기판(W1)」, 가장 측벽(34a)에서 이격된 위치에 배치된 기판을 「기판(WN)」이라고 한다. 또한, 복수의 기판(8) 각각에 있어서의 한 쌍의 주면 중, 측벽(34a)에 가까운 주면을 「주면(Wa)」이라고 하고, 측벽(34b)에 가까운 주면을 「주면(Wb)」이라고 한다. 또한, 처리조(34) 내에 있어서 기판 승강 기구(36)(기판 지지 부재(73a∼73d))에 지지되어 있는 상태의 기판(8)(기판(Wn))을 단순히 「기판(8)(기판(Wn))」이라고 하여 설명한다.
처리조(34)의 바닥벽(34e) 근방에는, 순환 유로(49)(도 2 참조)의 일단에 접속되는 복수(예컨대 3개)의 처리액 토출 부재(60)(처리액 토출부)와 접속 부재(63)가 마련된다. 복수의 처리액 토출 부재(60)의 상류 측에는, 순환 유로(49)로부터 연속되는 복수(예컨대 2개)의 공급관(61)이 배치된다. 복수의 공급관(61)은, 지지판(71)과 측벽(34b) 사이에 배치되어, 연직 방향으로 연장되어 있다. 공급관(61)의 하단에는, 처리액을 분기시키는 분기부(도시하지 않음)를 통해 복수의 처리액 토출 부재(60)가 접속되어 있다.
복수의 처리액 토출 부재(60)는 처리액을 처리조(34) 내에 토출한다. 복수의 처리액 토출 부재(60)는, 각각 X축 방향을 따라 연장되어 있는 통형의 부재이며, 공급관(61) 측의 단부에서는 분기부에 대하여 연통됨과 더불어 공급관(61) 측과 반대쪽의 단부는 닫혀 있다. 복수의 처리액 토출 부재(60)는, Y축 방향에 있어서 상호 대략 동일한 간격으로 나란하게 배치되어 있다. 복수의 처리액 토출 부재(60)는, X축 방향에서 봤을 때, 기판(8)(기판(W1))의 가로 폭의 범위 내에 배치되어 있다. 이 예에서는, 복수의 처리액 토출 부재(60)는, Y축 방향에 있어서, 기판 지지 부재(73a, 73c) 사이, 기판 지지 부재(73c, 73d) 사이 및 기판 지지 부재(73d, 73b) 사이에 각각 배치되어 있다.
복수의 처리액 토출 부재(60)는, 복수의 기판(8)(의 하단)보다 아래쪽에 있어서, 상호 대략 동일한 높이 위치에 배치되어 있다. 도 5에 도시되는 예에서는, 복수의 처리액 토출 부재(60)의 상단은 기판 지지 부재(73c, 73d)의 상단(및 높이 방향 중앙)보다 낮다. 각 처리액 토출 부재(60)는 복수의 토출 구멍(도시하지 않음)을 갖는다. 복수의 토출 구멍은 각 처리액 토출 부재(60)의 주면에 분산되어 배치되어 있다. 복수의 토출 구멍을 통해 처리액이 처리조(34) 내의 저류 공간에 토출됨으로써, 처리액 토출 부재(60)는 처리액의 상승류(Fu)(도 4 참조)를 생성한다. 여기서, 처리액의 상승류란, 처리조(34) 내에 저류되어 있는 처리액의 내부에 있어서 연직 방향을 따라 아래에서 위로 향하여 흐르는 처리액의 흐름이다.
접속 부재(63)는 복수의 처리액 토출 부재(60)의 단부끼리를 물리적으로 접속한다. 접속 부재(63)는 Y축 방향으로 연장되는 막대형의 부재이며, 복수의 처리액 토출 부재(60)의 선단(측벽(34a)에 가까운 타단)에 마련되어 있다. 도 4에 도시하는 예에서는, 접속 부재(63)는 X축 방향에 있어서 기판(W1)(제1 기판)과 측벽(34a) 사이에 배치되어 있다. 또한, 도 5에서는 접속 부재(63)의 도시는 생략되어 있다.
처리조(34) 내의 바닥벽(34e) 근방에는, 가스 공급부(55)의 공급로의 일단에 접속되는 복수(예컨대 6개)의 가스 토출 부재(65)와 접속 부재(68)가 마련된다. 복수의 가스 토출 부재(65)의 상류 측에는, 가스 공급부(55)의 공급로로부터 연속되는 복수(예컨대 2개)의 공급관(66)이 배치된다. 복수의 공급관(66)은, 지지판(71)과 측벽(34b)의 사이에, 공급관(61)과 간섭하지 않도록 배치되며, 연직 방향으로 연장되어 있다. 공급관(66)의 하단에는, 가스를 분기시키는 분기부(도시하지 않음)를 통해 복수의 가스 토출 부재(65)가 접속되어 있다.
복수의 가스 토출 부재(65)는, 불활성 가스를 처리조(34) 내에 토출하여, 질소 가스로 이루어지는 기포에 의해 처리액의 상승류(Fu)의 형성을 촉진한다. 이 질소 가스의 공급에 의해, 상승류(Fu)의 상태가 균일하게 유지되기 쉽게 된다. 복수의 가스 토출 부재(65)는, 각각 X축 방향을 따라 연장되어 있는 통형의 부재이며, 공급관(66) 측의 단부에서는 분기부에 대하여 연통됨과 더불어 공급관(66) 측과 반대쪽의 단부는 닫혀 있다. 복수의 가스 토출 부재(65)는 Y축 방향을 따라 나란하게 배치되어 있다. 복수의 가스 토출 부재(65)는, X축 방향에서 봤을 때, 기판(8)(기판(W1))의 가로 폭의 범위 내에 배치되어 있다. 도 5에 도시하는 예에서는, 기판 지지 부재(73a, 73c) 사이, 기판 지지 부재(73c, 73d) 사이 및 기판 지지 부재(73d, 73b) 사이의 각각에 있어서, 하나의 처리액 토출 부재(60)를 사이에 두도록 2개의 가스 토출 부재(65)가 배치되어 있다.
복수의 가스 토출 부재(65)는 복수의 처리액 토출 부재(60)(의 중심)보다 아래쪽에 배치되어 있다. 각 가스 토출 부재(65)는 복수의 토출 구멍(도시하지 않음)을 갖는다. 복수의 토출 구멍은 각 가스 토출 부재(65)의 주면에 분산되어 배치되어 있다. 복수의 토출 구멍을 통해 불활성 가스가 처리조(34) 내에 토출됨으로써 처리액의 상승류(Fu)의 형성이 촉진된다.
접속 부재(68)는 복수의 가스 토출 부재(65)의 단부끼리를 물리적으로 접속한다. 접속 부재(68)는 Y축 방향을 따라 연장되는 막대형의 부재이며, 복수의 가스 토출 부재(65)의 선단(측벽(34a)에 가까운 타단)에 마련되어 있다. 도 4에 도시하는 예에서는, 접속 부재(68)는 기판(W1)과 측벽(34a)의 사이에 배치되어 있다. 접속 부재(68)는, X축 방향에 있어서 접속 부재(63)와 대략 같은 위치에 배치되어 있고, 접속 부재(63)보다 아래쪽에 배치되어 있다. 한편, 도 5에서는 접속 부재(68)의 도시는 생략되어 있다.
처리조(34) 내에 있어서 기판 지지 부재(73a∼73d)에 의해 지지되어 있는 복수의 기판(8)은, X축 방향에 있어서 상호 대략 같은 간격으로 배치되어 있다. 일례로서, 기판(W1)과 기판(W2)의 간격(D1)은 4 mm∼6 mm 정도이다. 여기서, 간격(D1)은 기판(W1)의 주면(Wb)과 기판(W2)의 주면(Wa) 사이의 최단 거리이다. 기판(W1)과 측벽(34a)의 간격(D2)은 간격(D1)의 3배∼5배 정도이다. 일례로서, 간격(D2)은 12 mm∼30 mm 정도이다. 또한, 간격(D2)은 기판(W1)의 주면(Wa)과 측벽(34a)의 내면 사이의 최단 거리이다. 기판(WN)과 가이드판(72)의 간격은 간격(D1)의 2배∼3배 정도이다. 일례로서, 기판(WN)과 가이드판(72)의 간격은 8 mm∼18 mm 정도이다.
기판(8)에 관련한 액처리를 행할 때, 에칭 처리 장치(26)의 처리액 저류부(38)에서는, 순환 유로(49)를 흐르는 처리액이 공급관(61)을 거쳐 처리액 토출 부재(60)에 형성된 토출 구멍으로부터 처리조(34) 내에 공급된다. 복수의 처리액 토출 부재(60)로부터 토출된 처리액은, 상승류(Fu)로서 복수의 기판(8)끼리의 사이를 흐른다. 또한, 복수의 처리액 토출 부재(60)로부터 토출된 처리액에 의해, 기판(W1)과 측벽(34a) 사이의 측방 공간(Va) 및 기판(WN)과 가이드판(72) 사이의 측방 공간(Vb)에도 각각 상승류(Fu)가 형성된다. 또한, 복수의 처리액 토출 부재(60)로부터 토출된 처리액에 의해서, 복수의 기판(8)(기판 지지 부재(73a))과 측벽(34c) 사이의 측방 공간(Vc) 및 복수의 기판(8)(기판 지지 부재(73b))과 측벽(34d) 사이의 측방 공간(Vd)에 있어서도 각각 상승류(Fu)가 형성된다.
상승류(Fu)로서 처리조(34) 내부를 위쪽으로 이동하여 상단 부근에 달한 처리액은, 처리조(34)의 측벽(34a∼34d)을 넘어 흘러, 흐름(Fo)으로서 외조(42) 내의 저류 공간에 유입된다(외조(42)로 오버플로우된다). 외조(42) 내의 저류 공간의 처리액은 재차 순환 유로(49)를 경유하여 처리조(34) 내에 공급된다. 이후, 처리조(34) 내로의 처리액의 토출, 상승류의 형성, 외조(42)로의 월류(越流) 및 순환 유로(49)를 경유한 처리조(34) 내부로의 공급이 반복된다. 이때, 제어부(7)는, 외조(42) 내의 저류 공간의 처리액의 액면 높이가 미리 정해진 범위로 유지되도록 처리액 순환부(40)(펌프(50)) 및 처리액 배출부(41)(밸브(41B))를 제어하여도 좋다. 이러한 처리액의 순환이 반복되고 있는 처리조(34) 내에, 복수의 기판(8)이 미리 정해진 시간 침지됨으로써, 기판(8) 각각의 주면(Wa) 및 주면(Wb)의 적어도 한쪽에 대하여 액처리(에칭 처리)가 실시된다. 이 에칭 처리에서는, 주면(Wa, Wb)에 있어서의 에칭량이, 주면(Wa, Wb)을 따라 흐르는 상승류(Fu)의 세기 또는 방향을 따라서 변화할 수 있다.
여기서, 에칭 처리 장치(26)는, 처리액의 흐름을 조절하는 정류부(98) 및 정류부(99)(제2 정류부)를 구비하고 있다. 정류부(98)는 측방 공간(Va, Vb)에 있어서 처리액의 흐름을 조절한다. 구체적으로는 정류부(98)는, 측방 공간(Va, Vb)에 있어서, 후술하는 하강류에 의한 액처리에 미치는 영향을 억제하도록 처리액의 흐름을 조절한다. 정류부(98)는, 복수(예컨대 11개)의 배출 구멍(75a)(제1 배출 구멍)과, 복수(예컨대 11개)의 배출 구멍(75b)과, 복수(예컨대 11개)의 배출 구멍(75c)을 갖는다.
복수의 배출 구멍(75a)은 처리조(34) 내의 처리액을 배출하는 기능을 갖는다. 복수의 배출 구멍(75a)은 측벽(34a)에 형성되어 있고, 각각 X축 방향에 있어서 측벽(34a)을 관통하고 있다. 따라서, 복수의 배출 구멍(75a)은, 처리조(34) 내의 저류 공간(측방 공간(Va))과 외조(42) 내의 저류 공간을 접속한다. X축 방향에서 봤을 때, 각 배출 구멍(75a)의 형상(윤곽)은 장방형이라도 좋고, 원형 또는 타원형이라도 좋다. 혹은, 각 배출 구멍(75a)의 형상은 Y축 방향 및 Z축 방향의 어느 한쪽으로 연장되는 슬릿형이라도 좋다.
복수의 배출 구멍(75a)은 기판(8)(기판(W1))의 상단부와 대향하도록 배치되어 있다. 여기서, 복수의 배출 구멍(75a)이 기판(W1)의 상단부와 대향하고 있다는 것은, 배출 구멍(75a)의 적어도 일부가, 기판(W1)의 상단(기판(W1)의 가장 높은 점)에서부터 기판(W1)의 3/4 높이까지의 범위 내에 위치하고 있다는 것이다. 도 5에 예시하는 것과 같이, 복수의 배출 구멍(75a)은, 기판(W1)의 상단부에 있어서의 상측 부근에 배치되어 있어도 좋다. 예컨대, 배출 구멍(75a)의 적어도 일부가, 기판(W1)의 상단에서부터 기판(W1)의 7/8 높이까지의 범위 내에 위치하고 있어도 좋다. 혹은, 복수의 배출 구멍(75a)은 기판(W1)의 상단에 대향하도록 배치되어 있어도 좋다. 이 경우, 배출 구멍(75a)의 적어도 일부가, 기판(W1)의 상단과 대략 같은 높이 위치에 배치되어 있으면 된다.
복수의 배출 구멍(75a)은 수평 방향(Y축 방향)을 따라 나란하게 배치되어 있다. 예컨대 복수의 배출 구멍(75a)은, Y축 방향에 있어서, 인접하는 배출 구멍(75a)끼리의 간격이 대략 같아지도록 배치되어 있다. 도 5에 도시하는 예에서는, 복수의 배출 구멍(75a)은, 기판(W1)의 가로 폭과 대략 같은 범위 내에 있어서 일렬로 나란하게 배치되어 있다. 또한 복수의 배출 구멍(75a)은, 기판(W1)의 가로 방향(Y축 방향)에 있어서의 중앙 영역에 배치되고, 중앙 영역보다 외측에는 배치되어 있지 않아도 좋다. 기판(W1)의 가로 방향에 있어서의 중앙 영역이란, 예컨대 기판(W1)의 가로 폭의 1/3의 범위를 포함하는 영역이다. 이와 같이 형성된 복수의 배출 구멍(75a)은, 측방 공간(Va)에 있어서, 처리조(34) 내에 저류되어 있는 처리액을 외조(42) 내의 저류 공간에 배출한다.
복수의 배출 구멍(75b) 및 복수의 배출 구멍(75c)은 처리조(34) 내의 처리액을 배출하는 기능을 갖는다. 복수의 배출 구멍(75b)은 측벽(34b)에 형성되어 있고, 각각 X축 방향에 있어서 측벽(34b)을 관통하고 있다. 복수의 배출 구멍(75c)은 지지판(71) 및 가이드판(72)에 형성되어 있다. 복수의 배출 구멍(75c)은, X축 방향에 있어서 지지판(71) 및 가이드판(72)을 관통하고 있다. 또한, 도 4에서는 복수의 배출 구멍(75b, 75c) 중 하나의 배출 구멍이 도시되어 있고, 도 5에서는 복수의 배출 구멍(75b, 75c)의 도시는 생략되어 있다. 복수의 배출 구멍(75b)과 복수의 배출 구멍(75c)은, X축 방향에서 봤을 때 상호 대응하는 위치에 배치되어 있다. 구체적으로는, X축 방향에서 봤을 때, 복수의 배출 구멍(75b) 각각의 적어도 일부가 복수의 배출 구멍(75c)과 각각 겹쳐 있다.
복수의 배출 구멍(75b, 75c)은 복수의 배출 구멍(75a)에 대응하도록 배치되어 있다. 높이 방향에 있어서의 기판(WN)에 대한 복수의 배출 구멍(75b, 75c)의 위치 관계는, 기판(W1)에 대한 복수의 배출 구멍(75a)의 위치 관계와 같은 식으로 되어 있다. 배출 구멍(75b, 75c)은 수평 방향(Y축 방향)을 따라 나란하게 배치되어 있다. 예컨대, 복수의 배출 구멍(75b, 75c)은, Y축 방향에 있어서, 인접하는 배출 구멍(75b, 75c)끼리의 간격이 대략 같아지도록 배치되어 있다. Y축 방향에 있어서의 기판(WN)에 대한 복수의 배출 구멍(75b, 75c)의 위치 관계는, 기판(W1)에 대한 복수의 배출 구멍(75a)의 위치 관계와 마찬가지다. 이와 같이 형성된 복수의 배출 구멍(75b, 75c)은, 측방 공간(Vb)에 있어서, 처리조(34) 내에 저류되어 있는 처리액을 외조(42) 내의 저류 공간에 배출한다.
정류부(99)는 측방 공간(Vc, Vd)에 있어서 처리액의 흐름을 조절한다. 구체적으로는 정류부(99)는, 측방 공간(Vc, Vd)에 있어서 하강류에 의한 액처리에 미치는 영향을 억제하도록 처리액의 흐름을 조절한다. 정류부(99)는, 복수(예컨대 9개)의 배출 구멍(76a)(제2 배출 구멍)과, 복수(예컨대 9개)의 배출 구멍(76b)(제2 배출 구멍)을 갖는다.
복수의 배출 구멍(76a, 76b)은 각각 처리조(34) 내의 처리액을 배출하는 기능을 갖는다. 복수의 배출 구멍(76a, 76b)은 측벽(34a)에 접속되어 있는 측벽(34c, 34d)에 각각 형성되어 있다. 복수의 배출 구멍(76a, 76b)은 Y축 방향에 있어서 측벽(34c, 34d)을 관통하고 있다. 또한, 도 4에서는 복수의 배출 구멍(76a)의 도시는 생략되어 있고, 도 5에서는 복수의 배출 구멍(76a, 76b) 중 하나의 배출 구멍이 도시되어 있다. 복수의 배출 구멍(76a, 76b)은 복수의 배출 구멍(75a)에 대응하는 높이 위치에 배치되어 있다. 복수의 배출 구멍(76a, 76b)은 X축 방향을 따라 나란하게 배치되어 있다. 예컨대 복수의 배출 구멍(76a, 76b)은, X축 방향에 있어서, 인접하는 배출 구멍(76a, 76b)끼리의 간격이 대략 같아지도록 배치되어 있다. 복수의 배출 구멍(76a, 76b)은, X축 방향에 있어서, 기판(W1)보다 측벽(34a)에 가까운 위치에서부터 기판(WN)보다 측벽(34b)에 가까운 위치까지의 범위 내에 나란하게 배치되어 있다. 복수의 배출 구멍(76a)의 배치 위치는 복수의 배출 구멍(76b)의 배치 위치에 대응하고 있다. 환언하면, Y축 방향에서 봤을 때, 복수의 배출 구멍(76a)은 복수의 배출 구멍(76b)과 겹쳐 있다. 이와 같이 형성된 복수의 배출 구멍(76a, 76b)은, 측방 공간(Vc, Vd)에 있어서, 처리조(34) 내에 저류되어 있는 처리액을 외조(42) 내의 저류 공간에 배출한다.
복수의 배출 구멍(75a, 75b, 75c) 및 복수의 배출 구멍(76a, 76b)의 높이 위치(이하, 「배출 구멍 높이」라고 한다.)는, 외조(42) 내에 저류되어 있는 처리액의 액면 높이보다 높다. 구체적으로는 배출 구멍 높이는, 제어부(7)에 의해 미리 정해진 높이 위치로 유지되는 외조(42) 내의 처리액의 액면 높이보다 높더라도 좋다. 배출 구멍 높이가 외조(42) 내의 처리액의 액면 높이보다 높음으로써, 처리조(34) 내의 처리액이 배출 구멍을 통해 외조(42) 내의 저류 공간으로 배출되기 쉽다.
[작용]
상기 실시형태에서 설명한 에칭 처리 장치(26)에서는, 측방 공간(Va)에 있어서 처리액의 흐름을 조절하는 정류부(98)가 구비된다. 기판(W1)의 측벽(34a)과 대향하는 주면(Wa)을 따라 흐르는 상승류가 흐트러지면, 기판(W1)의 주면(Wa)에 있어서의 처리가 불균일하게 될 우려가 있다. 상기 구성에서는, 정류부(98)에 의해 측방 공간(Va)에 있어서 처리액의 흐름이 조절됨으로써, 기판(W1)의 주면(Wa)을 따라 흐르는 상승류의 흐트러짐이 억제된다. 이 때문에, 상승류의 흐트러짐에 의한 기판액처리에 미치는 영향이 저감되기 때문에, 기판 면내의 처리의 균일성을 향상시킬 수 있게 된다.
처리조(34) 내에서는, 기판(8)에 관련한 액처리가 이루어지는 동안, 상술한 것과 같이 처리액 토출 부재(60)에 의해 상승류(Fu)가 형성된다. 이때, 처리액의 대부분은 처리조(34)에서 외조(42)로 넘어 흐르지만, 처리액의 일부는 처리조(34) 내부를 순환하는 흐름을 형성하는 경우가 있다. 구체적으로는, 처리조(34) 내의 측방 공간(Va)에 하강류(Fd)를 형성함으로써, 처리조(34) 내부를 순환하는 처리액의 흐름이 형성되는 경우가 있다. 처리조(34)의 복수의 기판(8) 사이에는 상승류(Fu)가 형성되고 있기 때문에, 하강류(Fd)가 형성되는 경우, 기판(8)과 처리조(34)의 측벽(34a∼34d) 사이의 공간에 형성된다고 생각된다. 특히, 기판(W1)의 주면(Wa)과 측벽(34a) 사이의 측방 공간(Va)은, 기판(8)끼리의 간격(D1)보다 큰 간격(D2)을 갖고 있는 경우가 많기 때문에, 하강류(Fd)가 형성되기 쉽다. 하강류(Fd)가 형성되면, 처리액의 상승류(Fu)가 흐트러진다. 상승류(Fu)의 흐트러짐은 기판(8)에 있어서의 에칭 처리에 영향을 미친다. 상술한 것과 같이, 에칭 처리에서는, 기판(8)의 주면을 따라 흐르는 상승류(Fu)의 세기 또는 방향에 따라 에칭량이 변화할 수 있다. 따라서, 하강류(Fd)가 기판(8)의 주면 근방에 형성되면, 상승류(Fu)의 흐트러짐이 생겨, 상기 기판(8)의 주면에 있어서의 에칭 처리에 영향을 미쳐, 기판 면내의 액처리의 균일성에 영향을 줄 가능성이 있다.
이에 대하여, 에칭 처리 장치(26)에서는, 측방 공간(Va)에 있어서 처리액의 흐름을 조절하는 정류부(98)가 마련된다. 그 때문에, 정류부(98)에 의해서, 측방 공간(Va)에 있어서의 처리액의 상승류(Fu)의 흐트러짐이 억제된다. 그 때문에, 측방 공간(Va) 근방에 배치되는 기판(W1)의 주면(Wa)을 따라 흐르는 상승류(Fu)의 흐트러짐이 억제되어, 기판 면내의 액처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
에칭 처리 장치(26)에 있어서, 정류부(98)는 측벽(34a)에 마련되며, 처리조(34) 내의 처리액을 배출하는 배출 구멍(75a)을 갖는다. 이 경우, 배출 구멍(75a)이 측벽(34a)에 형성됨으로써, 처리조(34)의 상단 근방까지 상승한 처리액은, 배출 구멍(75a)을 통해 처리조(34) 밖(외조(42) 내의 저류 공간)으로 배출된다. 이 때문에, 측방 공간(Va)에 있어서의 하강류(Fd)의 형성을 막을 수 있게 되므로, 하강류(Fd)에 기인하여 발생하는 기판(W1)의 주면(Wa)을 따라 흐르는 상승류(Fu)의 흐트러짐이 억제된다. 그 결과, 기판 면내의 액처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
에칭 처리 장치(26)에 있어서, 배출 구멍(75a)은 기판(W1)의 상단부에 대향하도록 형성되어 있다. 이 경우, 배출 구멍(75a)에 의해서, 기판(W1)의 주면(Wa)을 따라 하강류(Fd)가 형성되는 것을 보다 효과적으로 막을 수 있다. 또한, 배출 구멍(75a)이 기판(W1)의 상단부에 대향하여 형성되는 경우, 측방 공간(Va)에 있어서의 상승류(Fu)가 배출 구멍(75a)에 의해서 흐트러지는 것을 막을 수 있다. 배출 구멍(75a)이 형성되는 높이 위치에 따라서는, 측방 공간(Va)에 있어서의 상승류(Fu)가 배출 구멍(75a)으로부터의 처리액의 배출에 의한 영향을 받는 것을 생각할 수 있다. 이에 대하여, 배출 구멍(75a)이 기판(W1)의 상단부에 대향하고 있는 경우, 측방 공간(Va)에 있어서 상승류(Fu)의 흐트러짐이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
에칭 처리 장치(26)는, 처리조(34)의 측벽(34a)에 접속되어 있는 측벽(34b, 34d)에 마련되며, 처리조(34) 내의 처리액을 배출하는 배출 구멍(76a, 76b)을 갖는 정류부(99)를 더 구비하고 있다. 이 경우, 배출 구멍(76a, 76b)에 의한 처리액의 배출에 의해서, 측벽(34c, 34d)과 기판(W1)의 주면 사이의 측방 공간(Vc, Vd)에 있어서의 하강류(Fd)의 형성을 막게 된다. 그 때문에, 측방 공간(Vc, Vd)에 있어서 형성되는 하강류(Fd)의 영향을 받아 기판(W1)의 주면(Wa)을 따라 흐르는 상승류(Fu)가 흐트러지는 것을 막게 되기 때문에, 기판 면내의 액처리의 균일성을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 복수의 배출 구멍(75a, 75b, 75c)은 상술한 구성에 한정되지 않는다. 복수의 배출 구멍(75a, 75b, 75c)은, 처리조(34) 내의 처리액을 외조(42) 내의 저류 공간에 배출할 수 있으면 어떠한 구성이라도 좋다. 정류부(98)는, 복수의 배출 구멍(75a) 대신에, 수평 방향(Y축 방향)을 따라 연장되도록 형성된 슬릿형의 하나의 배출 구멍을 갖고 있어도 좋다. 정류부(98)는, 복수의 배출 구멍(75b, 75c) 대신에, 수평 방향(Y축 방향)을 따라 연장되도록 형성된 슬릿형의 하나의 배출 구멍을 갖고 있어도 좋다. 배출 구멍(75a)의 개수와 배출 구멍(75b)(배출 구멍(75c))의 개수는 서로 다르더라도 좋다. 복수의 배출 구멍(75a)의 배치 위치와 복수의 배출 구멍(75b)의 배치 위치는 서로 다르더라도 좋다(X축 방향에서 봤을 때 서로 겹쳐 있지 않아도 좋다).
복수의 배출 구멍(75a, 75b, 75c) 각각의 높이 위치는 서로 다르더라도 좋다. 예컨대 X축 방향에서 봤을 때, 복수의 배출 구멍(75a, 75b, 75c)은, 기판(W1) 또는 기판(WN)의 상단부 주연을 따르도록 배치되어 있어도 좋다. 복수의 배출 구멍(75a, 75b, 75c)은, Y축 방향에 있어서, 인접하는 배출 구멍(75a, 75b, 75c)끼리의 간격이 다르게 배치되어 있어도 좋다. 복수의 배출 구멍(75a, 75b, 75c)의 형상(윤곽) 및 크기의 적어도 한쪽이 서로 다르더라도 좋다. 복수의 배출 구멍(75a, 75b, 75c)은, 기판(W1) 또는 기판(WN)의 상단부 이외의 영역과 대향하고 있어도 좋다. 예컨대 복수의 배출 구멍(75a, 75b, 75c)은, 기판(W1) 또는 기판(WN)의 높이 방향에 있어서의 중앙 영역에 대향하고 있어도 좋다.
복수의 배출 구멍(76a, 76b)은, 처리조(34) 내의 처리액을 외조(42) 내의 저류 공간에 배출할 수 있으면 어떠한 구성이라도 좋다. 정류부(99)는, 복수의 배출 구멍(76a, 76b) 대신에, X축 방향을 따라 연장되도록 형성된 슬릿형의 하나의 배출 구멍을 갖고 있어도 좋다. 배출 구멍(76a)의 개수와 배출 구멍(76b)의 개수는 서로 다르더라도 좋다. 복수의 배출 구멍(76a)의 배치 위치와 복수의 배출 구멍(76b)의 배치 위치는 서로 다르더라도 좋다(Y축 방향에서 봤을 때 서로 겹쳐 있지 않아도 좋다).
복수의 배출 구멍(76a, 76b) 각각의 높이 위치는 서로 다르더라도 좋다. 복수의 배출 구멍(76a, 76b)은, X축 방향에 있어서, 인접하는 배출 구멍(76a, 76b)끼리의 간격이 다르게 배치되어 있어도 좋다. 복수의 배출 구멍(76a, 76b)의 형상(윤곽) 및 크기의 적어도 한쪽이 서로 다르더라도 좋다. 복수의 배출 구멍(76a, 76b)은, 기판(8)의 높이 방향에 있어서의 중앙 영역의 높이 위치에 배치되어 있어도 좋고, 기판(W1)의 하단부의 높이 위치에 배치되어 있어도 좋다. 복수의 배출 구멍(75a, 75b, 75c)의 높이 위치와 복수의 배출 구멍(76a, 76b)의 높이 위치는 서로 다르더라도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는 복수의 배출 구멍(75a, 75b, 75c, 76a, 76b)이 형성되어 있는 경우에 관해서 설명했지만, 정류부(98)로서 적어도 측벽(34a)에 있어서 복수의 배출 구멍(75a)이 형성되어 있으면 된다. 측벽(34a)에 있어서 복수의 배출 구멍(75a)이 형성되어 있음으로써, 적어도 측방 공간(Va)에 있어서의 상승류(Fu)의 흐트러짐을 억제할 수 있어, 기판(W1)의 주면(Wa)에 있어서의 에칭 처리가 상승류(Fu)의 흐트러짐의 영향을 받는 것을 막을 수 있다.
[제2 실시형태]
이어서, 도 6∼도 8을 참조하여 제2 실시형태에 따른 기판 액처리 시스템을 설명한다. 제2 실시형태에 따른 기판 액처리 시스템이 구비하는 에칭 처리 장치(26A)는, 정류부의 구조가 제1 실시형태에서 설명한 에칭 처리 장치(26)와 다르다. 에칭 처리 장치(26A)에 있어서의 정류부(98A)는, 복수의 배출 구멍(75a, 75b, 75c) 대신에 판형 부재(81)와 복수의 고정 부재(82)를 갖는다. 또한, 에칭 처리 장치(26A)에 있어서의 정류부(99A)는, 복수의 배출 구멍(76a, 76b) 대신에 판형 부재(83a, 83b)와 복수의 고정 부재(84a, 84b)를 갖는다.
도 6 및 도 7에 도시하는 것과 같이, 측방 공간(Va)에 마련되는 정류부(98A)로서의 판형 부재(81)는, 측방 공간(Va)을 2개의 영역으로 나눈다. 판형 부재(81)는 판형을 띠고 있고, 주면이 YZ 평면을 따라 연장된다. 환언하면, 판형 부재(81)의 한 쌍의 주면은, 각각 기판(8)의 주면(Wa, Wb)과 대략 평행하면서 또한 측벽(34a)과 대략 평행하다. 판형 부재(81)는, 기판(W1) 및 측벽(34a) 각각에 대향하도록 기판(W1)과 측벽(34a) 사이에 배치되어 있다. 도 6 및 도 7에 도시하는 예에서는, X축 방향에서 봤을 때, 판형 부재(81)는 기판(W1)의 전역을 덮고 있다. 즉, X축 방향에서 봤을 때, 판형 부재(81)의 크기(면적)는 기판(W1)의 크기보다 크다. 즉, 판형 부재(81)의 가로 폭(Y축 방향의 길이)은 기판(W1)의 가로 폭보다 길고, 판형 부재(81)의 세로 폭(Z축 방향의 길이)은 기판(W1)의 세로 폭보다 길다. 판형 부재(81)의 하단은 기판(W1)의 하단보다 낮다. 또한, 도 7에서는 판형 부재(81)의 하단이 처리액 토출 부재(60)보다 낮은 상태를 도시하고 있지만, 판형 부재(81)의 하단의 위치는 적절하게 변경할 수 있다. 또한, 판형 부재(81)가 측방 공간(Va)에 배치됨으로써, 기판(W1)과 측벽(34a)은 판형 부재(81)를 통해 상호 대향한다.
X축 방향에 있어서, 판형 부재(81)는 기판(W1) 및 측벽(34a)과 이격되어 있다. 판형 부재(81)는, 기판(W1)과 대향하는 대향면(81a)과, 대향면(81a)과는 반대쪽의 접속면(81b)을 갖는다. 즉, 대향면(81a)은 판형 부재(81)의 한쪽의 주면에 상당하고, 접속면(81b)은 판형 부재(81)의 다른 쪽의 주면에 상당한다. 판형 부재(81)와 기판(W1)의 간격(D3)은, 판형 부재(81)와 측벽(34a)의 간격(D4)에 대략 일치하여도 좋고, 간격(D4)보다 작더라도 좋다. 간격(D3)은 대향면(81a)과 기판(W1)의 주면(Wa) 사이의 최단 거리이다. 간격(D4)은 접속면(81b)과 측벽(34a)의 내면 사이의 최단 거리이다. 간격(D3)은 간격(D1)에 대략 일치하여도 좋고, 간격(D1)보다 작더라도 좋다. 또한, 간격(D3) 및 간격(D4)의 관계, 그리고 간격(D3) 및 간격(D1)의 관계는 상기한 것에 한정되지 않는다.
복수(예컨대 4개)의 고정 부재(82)(고정부)는 판형 부재(81)를 처리조(34)(측벽(34a))에 고정한다. 복수의 고정 부재(82)는 예컨대 직방체형을 하고 있다. 각 고정 부재(82)의 일단이 측벽(34a)에 접속되고, 고정 부재(82)의 타단이 판형 부재(81)(접속면(81b))에 접속됨으로써, 판형 부재(81)는 복수의 고정 부재(82)를 통해 처리조(34)에 접속된다(고정된다). 복수의 고정 부재(82)는, 측방 공간(Va)에 있어서 처리액의 흐름을 크게 저해하지 않으면, 어떠한 크기 및 형상을 갖고 있어도 좋고, 어떻게 배치되어 있어도 좋다.
기판(W1)과 측벽(34a) 사이에 판형 부재(81)가 배치됨으로써, 측방 공간(Va)이 2개의 공간으로 나뉜다. 구체적으로는, 판형 부재(81)는, 측방 공간(Va)을 공간(Va1)과 공간(Va2)의 2개로 구획한다. 공간(Va1)은 기판(W1)과 판형 부재(81) 사이의 공간이고, 공간(Va2)은 측벽(34a)과 판형 부재(81) 사이의 공간이다. 공간(Va1) 및 공간(Va2)은 각각 연직 방향으로 연장되는 공간이다. 공간(Va1) 및 공간(Va2)의 크기(체적)의 대소 관계는, 간격(D3) 및 간격(D4)의 대소 관계에 의존하고 있으며, 공간(Va1)의 크기는 공간(Va2)의 크기에 대략 일치하여도 좋고, 공간(Va2)보다 작더라도 좋다.
도 7에 도시하는 것과 같이, 측방 공간(Vc)에는, 정류부(99A)로서의 판형 부재(83a) 및 복수(예컨대 4개)의 고정 부재(84a)가 배치되어 있고, 측방 공간(Vd)에는, 정류부(99A)로서의 판형 부재(83b) 및 복수의 고정 부재(84b)가 배치되어 있다. 판형 부재(83a, 83b)는 판형 부재(81)와 같은 식으로 구성되어 있으며, Y축 방향에서 봤을 때 복수의 기판(8)(기판(W1∼WN))을 덮고 있다. 판형 부재(83a)는 기판(8)(Wn)의 주면 및 측벽(34c)과 이격되어 있다. 또한, 판형 부재(83b)는 기판(8)(Wn)의 주면 및 측벽(34d)과 이격되어 있다. 이 결과, 판형 부재(83a, 83d)는 각각 측방 공간(Vc, Vd)을 2개의 공간으로 나눈다. 구체적으로는 판형 부재(83a)는, 측방 공간(Vc)을, 기판(8)의 주면과 판형 부재(83a) 사이의 공간 및 판형 부재(83a)와 측벽(34c) 사이의 공간의 2개로 구획한다. 마찬가지로 판형 부재(83b)는, 측방 공간(Vd)을, 기판(8)의 주면과 판형 부재(83b) 사이의 공간 및 판형 부재(83b)와 측벽(34d) 사이의 공간의 2개로 구획한다. 또한, 고정 부재(84a, 84b)는 고정 부재(82)와 같은 식으로 구성되어 있으며, 판형 부재(83a, 83b)를 측벽(34c, 34d)(처리조(34))에 고정하고 있다. 환언하면, 판형 부재(83a, 83b)는 고정 부재(84a, 84b)를 통해 처리조(34)에 고정되어 있다.
제2 실시형태에 따른 에칭 처리 장치(26A)에 있어서, 정류부(98A)는 측방 공간(Va)에 배치되는 판형 부재(81)를 갖는다. 판형 부재(81)는, 기판(W1)으로부터 이격되어 있으면서 또한 측벽(34a)으로부터 이격되어 있다. 판형 부재(81)의 한쪽의 주면은 기판(W1)에 대향하는 대향면(81a)이다. 이러한 구성에서는, 처리조(34)의 상단 근방까지 상승한 처리액의 일부가 측방 공간(Va) 중 판형 부재(81)와 측벽(34a)의 공간(Va2)에 있어서 하강류(Fd)를 형성할 수 있다. 즉, 공간(Va2)이 하강류(Fd)가 형성될 수 있는 공간으로 된다. 이러한 공간(Va2)을 형성함으로써, 상기 공간과는 다른 공간에 있어서의 하강류(Fd)의 형성을 막을 수 있다. 따라서, 공간(Va1)에 배치되는 기판(W1)의 주면(Wa)을 따라 하강류(Fd)가 형성되는 것을 막을 수 있어, 기판(W1)의 주면(Wa)을 따르는 상승류(Fu)의 흐트러짐이 억제된다. 그 결과, 기판 면내의 액처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
에칭 처리 장치(26A)에 있어서, 기판(W1)과 판형 부재(81)의 간격(D3)은 판형 부재(81)와 측벽(34a)의 간격(D4)보다 작다. 이 경우, 기판(W1)과 판형 부재(81) 사이의 공간(Va1)보다 판형 부재(81)와 측벽(34a) 사이의 공간(Va2)에 하강류(Fd)가 형성되기 쉽다. 이 때문에, 기판(W1)의 주면(Wa)을 따르는 상승류(Fu)의 흐트러짐을 더욱 억제할 수 있으므로, 기판면 내의 액처리의 균일성이보다 확실하게 도모된다.
에칭 처리 장치(26A)에 있어서, 정류부(98A)는 판형 부재(81)를 처리조(34)에 고정하는 고정 부재(82)를 갖는다. 이 경우, 고정 부재(82)에 의해서 판형 부재(81)가 처리조(34)에 고정되기 때문에, 예컨대 기판 지지 부재(73a∼73d)를 처리조(34) 밖으로 이동시켜 복수의 기판(8)을 전달하는 경우에, 판형 부재(81)가 기판(8)의 전달에 영향을 주지 않는다. 그 결과, 기판 지지 부재(73a∼73d)에의 기판의 용이한 전달과 기판 면내의 처리의 균일성 향상의 양립이 도모된다.
또한, 판형 부재(81)는 상기한 구성에 한정되지 않는다. 판형 부재(81)는, 주면(대향면(81a))과 직교하는 방향에서 봤을 때, 기판(W1)의 전역과 겹치는 위치에 마련되어 있지 않아도 좋다. 예컨대, 판형 부재(81)는 기판(W1)의 일부와 겹치는 위치에 마련되어 있어도 좋다. 또한, 예컨대 기판(W1)의 가로 폭의 1/3 정도의 폭을 갖는 판형 부재(81)가, 주면(대향면(81a))과 직교하는 방향에서 봤을 때, 기판(W1)의 일부와 겹치도록 마련되어도 좋다. 혹은, 기판(W1)의 세로 폭의 1/3 정도를 갖는 판형 부재(81)가 기판(W1)의 상단부와 겹치도록 마련되어도 좋다. 판형 부재(81)는, 주면(대향면(81a))과 직교하는 방향에서 봤을 때, 기판(W1)에 대응한 형상을 하고 있어도 좋다. 혹은, 판형 부재(81)가 기판(W1)의 상단부를 덮는 경우에, 판형 부재(81)가 기판(W1)의 상단부에 대응한 형상을 하고 있어도 좋다.
상기한 것과 같이, 판형 부재(81)의 형상은 적절하게 변경할 수 있지만, 공간(Va2)에서의 하강류(Fd)의 형성을 촉진한다는 관점에서는, 주면(대향면(81a))과 직교하는 방향에서 봤을 때, 판형 부재(81)와 기판(W1)이 겹치는 영역을 크게 하며 또한 판형 부재(81)가 차지하는 면적을 크게 하는 것을 생각할 수 있다. 이러한 구성으로 함으로써, 공간(Va1)과 공간(Va2)을 보다 명확하게 구획할 수 있어, 공간(Va2)에 있어서의 하강류(Fd)의 형성을 촉진할 수 있다고 생각된다. 또한, 판형 부재(81)는 고정 부재(82)를 통해 처리조(34)의 측벽(34a) 이외의 부분(예컨대 바닥벽(34e))에 고정되어 있어도 좋다.
판형 부재(81)는 처리조(34)와는 다른 부재에 고정되어 있어도 좋다. 도 9에는, 판형 부재(81)가 기판 승강 기구(36)의 기판 지지 부재(73a∼73d)에 마련되는 경우의 에칭 처리 장치(26A)의 구성이 예시되어 있다. 도 9에 도시하는 것과 같이, 판형 부재(81)는, 기판 지지 부재(73a∼73d)의 선단부(지지판(71)에 고정되어 있는 단부와는 반대의 단부)에 고정되어 있어도 좋다. 예컨대, 기판 지지 부재(73a∼73d)는 판형 부재(81)를 지지하기 위한 지지 홈을 갖고 있어도 좋다. 또한 이 경우에도, 기판(W1)과 판형 부재(81)의 간격(D3)은, 판형 부재(81)와 측벽(34a)의 간격(D4)과 대략 일치하거나, 간격(D4)보다 작은 구성으로 할 수 있다. 이와 같이 판형 부재(81)를 처리조(34)가 아니라 기판 승강 기구(36)에 대하여 고정한 경우라도, 측방 공간(Va)은, 기판(W1)과 판형 부재(81) 사이의 공간 및 판형 부재(81)와 측벽(34a) 사이의 공간으로 판형 부재(81)에 의해 구획된다. 또한, 판형 부재(81)에 의해서 측방 공간(Va)를 2개의 공간으로 구획함으로써, 하강류(Fd)가 형성될 수 있는 공간 이외의 공간에 있어서, 상승류(Fu)의 흐트러짐을 막을 수 있다.
도 9에 예시되는 에칭 처리 장치(26A)에 있어서, 기판 지지 부재(73a∼73d)는, 연직 방향 및 기판(W1)의 주면(Wa)에 교차하는 방향을 따라 연장되어 있다. 특히 기판 지지 부재(73a∼73d)는, 연직 방향 및 기판(W1)의 주면(Wa)에 직교하는 방향(X축 방향)을 따라 연장되어 있다. 또한, 판형 부재(81)는 기판 지지 부재(73a∼73d) 중 기판(W1)이 배치되어 있는 선단부에 마련되어 있다. 이 경우, 판형 부재(81)가 처리조(34)에 대하여 고정되어 있는 경우와 비교하여, 판형 부재(81)를 기판(W1)에 가깝게 할 수 있다. 이 때문에, 판형 부재(81)와 기판(W1) 사이의 공간이 작아져, 판형 부재(81)와 측벽(34a) 사이에 하강류(Fd)가 보다 확실하게 흐른다. 그 결과, 기판(W1)의 주면(Wa)을 따라 하강류(Fd)가 형성되는 것을 보다 확실하게 막게 되기 때문에, 기판 면내의 액처리의 균일성 향상이 보다 확실하게 도모된다.
또한, 판형 부재(81)는 분리한 복수의 판형 부재(칸막이 부재)로 구성되어도 좋다. 도 10에는, 측방 공간(Va)에 배치되는 정류부(98A)로서의 판형 부재가, 기판 지지 부재(73a∼73d) 및 처리조(34) 각각에 마련되는 경우의 에칭 처리 장치(26A)의 구성이 예시되어 있다. 도 10에 도시되는 예에서는, 판형 부재(81)에 대응하는 부재로서, 칸막이 부재(85)(제1 칸막이 부재)와 칸막이 부재(87a, 87b)(제2 칸막이 부재)에 의해서 판형 부재가 구성되어 있다. 칸막이 부재(85)는, 고정 부재(86)(고정부)를 통해 처리조(34)(측벽(34a))에 고정되어 있고, 기판(W1)의 가로 방향(Y축 방향)에 있어서의 중앙 영역에 대향하도록 배치되어 있다. 칸막이 부재(87b)는, 기판 지지 부재(73a, 73c)의 선단부에 고정되어 있고, 칸막이 부재(87a)는 기판 지지 부재(73b, 73d)의 선단부에 고정되어 있다. 칸막이 부재(87a, 87b)는, 기판(W1)의 가로 방향에 있어서의 중앙 영역의 측방 영역에 대향하도록 각각 배치되어 있다. 칸막이 부재(85)의 주면과 직교하는 방향(X축 방향)에서 봤을 때, 칸막이 부재(85)는 칸막이 부재(87a, 87b) 양쪽과 겹쳐 있지 않다. 환언하면, 칸막이 부재(85)는 측방 공간(Va)에 배치되는 판형 부재의 대향면의 일부를 구성하고 있고, 칸막이 부재(87a, 87b)는 상기 대향면의 다른 부분을 구성하고 있다.
도 10에 예시되는 에칭 처리 장치(26A)에 있어서, 기판 지지 부재(73a∼73d)는, 연직 방향 및 기판(W1)의 주면(Wa) 양쪽에 직교하는 방향(X축 방향)을 따라 연장된다. 정류부(98A)는 판형 부재를 처리조(34)에 접속하기 위한 고정 부재(86)를 갖는다. 이 판형 부재는, 처리조(34)에 고정 부재(86)를 통해 접속되어 있는 칸막이 부재(85)와, 기판 지지 부재(73a∼73d)의 기판(W1)이 배치되어 있는 단부에 마련되어 있는 칸막이 부재(87a, 87b)를 갖는다. 칸막이 부재(85)는 판형 부재의 기판(W1)에 대향하는 대향면의 일부를 구성하고 있다. 칸막이 부재(87a, 87b)는 상기 대향면의 다른 부분을 구성하고 있다. 이러한 구성을 가지고 있음으로써, 예컨대 기판 지지 부재(73a∼73d)를 처리조(34) 밖으로 이동시켜, 복수의 기판(8)을 전달하는 경우에, 판형 부재가 전달 작업에 간섭하는 것을 막을 수 있다. 구체적으로는, 도 9에서 도시한 구성과 비교하여, 기판 지지 부재(73a∼73d)의 선단부에는 적어도 칸막이 부재(85)만큼의 스페이스가 생긴다. 이 때문에, 상기 스페이스에, 기판(8)의 전달에 이용하는 부재를 통해서 복수의 기판(8)을 전달할 수 있기 때문에, 판형 부재가 기판(8)의 전달에 영향을 주기 어렵다. 그 결과, 기판의 용이한 전달과 기판 면내의 처리의 균일성 향상의 양립이 도모된다.
[제3 실시형태]
이어서, 도 11 및 도 12를 참조하여 제3 실시형태에 따른 기판 액처리 시스템을 설명한다. 제3 실시형태에 따른 기판 액처리 시스템이 구비하는 에칭 처리 장치(26B)는, 정류부(98B)가 복수의 배출 구멍(75a, 75b, 75c) 대신에 돌출 부재(91)와 돌출 부재(92)를 갖는 점, 정류부(99B)를 갖추지 않는 점에 있어서 에칭 처리 장치(26)와 상이하다.
도 11 및 도 12에 도시되는 돌출 부재(91)는, 측벽(34a)의 내면을 따라(측벽(34c)에서 측벽(34d)을 향하는 방향을 따라) 연장되는 막대형의 부재이다. 도 11에 도시되는 예에서는, 돌출 부재(91)의 단면 형상(길이 방향에 대하여 직교하는 면에 있어서의 단면형상)은 사각형이다. 돌출 부재(91)는, 측방 공간(Va)에 있어서 측벽(34a)의 내면에 고정되어 있고, 기판(W1)을 향하여 돌출되어 있다. 돌출 부재(91)는 기판(W1)과 대향하는 대향면(91a)을 갖는다. 대향면(91a)은 기판(W1)의 상단부(상단)와 대향하고 있다. 돌출 부재(91)와 기판(W1)의 간격(D5)(제1 간격)은, 기판(W1)과 기판(W2)의 간격(D1)(제2 간격)과 대략 일치하거나, 간격(D1)보다 작게 할 수 있다. 또한, 간격(D5)은 돌출 부재(91)의 대향면(91a)과 기판(W1)의 주면(Wa) 사이의 최단 거리이다. 간격(D5)이 간격(D1)과 대략 일치한다는 것은, 간격(D5)이 간격(D1)과 완전히 일치하는 경우뿐만 아니라, 간격(D5)이 간격(D1)의 0.95배∼1.05배의 범위 내에 들어가는 경우도 포함된다. 또한, 간격(D5)이 간격(D1)보다 크더라도 좋다.
돌출 부재(91)는 측벽(34a)의 상단에 마련되어 있다. 예컨대 돌출 부재(91)의 상면의 높이 위치는 측벽(34a)의 상면의 높이 위치에 대략 일치한다. 도 12에 도시하는 것과 같이, 돌출 부재(91)의 가로 폭(Y축 방향에 있어서의 길이)은, 기판(W1)의 가로 폭보다 길게 할 수 있다. 예컨대 돌출 부재(91)의 가로 폭은, 측벽(34c)과 측벽(34d) 사이의 거리와 대략 동일하다.
돌출 부재(92)는, 지지판(71)의 기판(WN)에 가까운 주면을 따라(측벽(34c)에서 측벽(34d)을 향하는 방향을 따라) 연장되는 막대형의 부재이다. 도 11에 도시하는 예에서는, 돌출 부재(92)의 단면 형상(길이 방향에 대하여 직교하는 면에 있어서의 단면 형상)은 사각형이며, 돌출 부재(92)의 단면의 크기는 돌출 부재(91)의 단면의 크기와 대략 동일하다. 돌출 부재(92)는, 측방 공간(Vb)에 있어서, 기판 승강 기구(36)의 지지판(71)에 고정되어 있고, 기판(WN)을 향하여 돌출되어 있다. 돌출 부재(92)는 기판(WN)과 대향하는 대향면(92a)을 갖는다. 대향면(92a)과 기판(WN)의 간격은, 간격(D1)과 대략 일치하거나 간격(D1)보다 작게 할 수 있다.
도 11에 도시하는 것과 같이, 돌출 부재(92)는 가이드판(72)의 위쪽에 배치되어 있다. 돌출 부재(92)는, 높이 방향에 있어서 돌출 부재(91)에 대응하도록 마련되어 있다. 예컨대 돌출 부재(92)의 상면의 높이 위치는 측벽(34b)의 상면의 높이 위치와 대략 일치한다. 도 12에 도시하는 것과 같이, 돌출 부재(92)의 가로 폭은, 기판(WN)의 가로 폭보다 길고, 측벽(34c)과 측벽(34d) 사이의 거리보다 작다. 즉, 돌출 부재(92)는 측벽(34c) 및 측벽(34d) 양쪽으로 이격되어 있다.
제3 실시형태에 따른 에칭 처리 장치(26B)에 있어서, 정류부(98B)는, 측벽(34a)의 내면으로부터 처리조(34)의 내측, 즉, 기판(W1)으로 향해 돌출하는 돌출 부재(91)를 갖는다. 돌출 부재(91)는, 측벽(34a)을 따라 연직 방향과 교차하는 방향으로 연장되어 있다. 이러한 구성에서는, 하강류(Fd)가 기판(W1)의 주면(Wa)을 따라 흐르려고 해도, 돌출 부재(92)에 의해서 흐름이 가로막히게 된다. 그 결과, 하강류에 기인하는 상승류의 흐트러짐이 억제되기 때문에, 기판 면내의 액처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
에칭 처리 장치(26B)에 있어서, 정류부(98B)가 돌출 부재(91, 92)를 가짐으로써, 측방 공간(Va, Vb)에 있어서 처리조(34)의 상단 부근까지 상승한 처리액은, 넘어 흐르는 흐름(Fo)으로서 외조(42) 내의 저류 공간으로 흐르기 쉽게 된다. 또한, 돌출 부재(91)가 측벽(34a)의 상단에 마련됨으로써, 돌출 부재(91)의 상면 및 측벽(34a)을 넘는 흐름(Fo)이 생기기 쉽게 된다. 돌출 부재(92)가 지지판(71)에 마련됨으로써, 돌출 부재(92)를 피하여 측벽(34c, 34d)을 넘는 흐름(Fo)이 생기기 쉽게 된다.
에칭 처리 장치(26B)에 있어서, 돌출 부재(91)와 기판(W1)의 간격(D5)은, 복수의 기판(8) 중 기판(W1)과 인접하는 기판(W2)과 기판(W1)의 간격(D1)과 대략 일치하거나 또는 간격(D1)보다 작다. 이 경우, 하강류(Fd)가 측방 공간(Va)으로 흐르려고 해도, 측방 공간(Va)의 유로가 좁기 때문에 측방 공간(Va)에 있어서 하강류(Fd)가 형성되기 어렵다. 그 결과, 하강류(Fd)에 기인하는 상승류(Fu)의 흐트러짐이 보다 확실하게 억제되기 때문에, 기판 면내의 액처리의 균일성이 보다 확실하게 도모된다.
또한, 돌출 부재(91, 92)는 상술한 구성에 한정되지 않는다. 돌출 부재(91, 92)의 가로 폭(Y축 방향에 있어서의 길이)은, 기판(W1)의 가로 폭과 대략 동일하여도 좋고, 기판(W1)의 가로 폭보다 좁더라도 좋다. 예컨대 돌출 부재(91, 92)의 가로 폭은, 기판(W1)의 가로 폭의 1/3 정도라도 좋고, 이 돌출 부재(91, 92)가 기판(W1)의 폭 방향에 있어서의 중앙 영역에 대응하여 마련되어도 좋다. 돌출 부재(91, 92)는, 상호 분리된 복수의 주상체(柱狀體)에 의해 구성되어 있고, 상기 복수의 주상체 전체적으로 Y축 방향을 따라 연장되어 있으면 된다. 돌출 부재(91, 92)는, 기판(W1)의 상단부 이외의 영역에 대응하도록 배치되어 있어도 좋다. 돌출 부재(91, 92)의 상면은 측벽(34a, 34b)의 상면보다 낮더라도 좋다.
도 13에는, 기판(W1)의 주면과 직교하는 방향에서 봤을 때, 돌출 부재(91)가 기판(W1)의 상단부의 주연부를 따르도록 배치되어 있는 경우의 에칭 처리 장치(26B)의 구성이 예시되어 있다. 이 경우, 정류부(98B)는, 돌출 부재(91) 대신에 돌출 부재(93)를 갖는다. 도 13에 도시되는 돌출 부재(93)는, 측벽(34a)을 따라, 기판(W1)의 상단에 대응하는 돌출 부재(93)의 중앙 위치에서 양 외측으로 향해서 아래쪽으로 경사져 연장되어 있다. 즉, 기판(W1)의 주면(Wa)과 직교하는 방향에서 봤을 때, 돌출 부재(93)의 중앙 위치에서 양 외측의 단부로 향함에 따라서, 상면의 높이 위치는 서서히 낮아지고 있다. 또한, 돌출 부재(93)의 기판(W1)의 상단에 대응하는 정점은 측벽(34c, 34d)의 상면보다 낮게 되어 있다.
도 13에 예시되는 에칭 처리 장치(26B)에 있어서, 돌출 부재(93)는, 기판(W1)의 상단에 대응하는 중앙 위치에서 양 외측으로 향해서 아래쪽으로 경사져 연장되어 있다. 이 경우, 돌출 부재(93)를 향하여 흐르고자 하는 하강류(Fd)가, 돌출 부재(93)의 경사에 의해 기판(W1)의 외측(측방 공간(Vc, Vd))으로 피하는 식으로 흐른다. 이 때문에, 기판(W1)의 주면(Wa)을 따라 흐르는 하강류(Fd)의 형성을 막게 되므로, 기판 면내의 액처리의 균일성을 향상시킬 수 있다.
돌출 부재(91)의 XZ 평면에 있어서의 단면 형상은 장방형에 한정되지 않는다. 도 14에는, 돌출 부재의 연장 방향에 직교하는 평면에 있어서의 단면 형상이 삼각형인 경우의 에칭 처리 장치(26B)의 구성이 예시되어 있다. 이 경우, 정류부(98B)는 돌출 부재(91, 92) 대신에 돌출 부재(91X, 92X)를 갖는다. 돌출 부재(91X)는 기판(W1)과 대향하는 대향면(91a)(측면)을 갖는다. 대향면(91a)은, 아래쪽으로 향함에 따라서 측벽(34a)에 근접하도록(기판(W1)에서 멀어지도록) 경사져 있다. 돌출 부재(92X)는 기판(WN)과 대향하는 대향면(92a)(측면)을 갖는다. 대향면(92a)은, 아래쪽으로 향함에 따라서 측벽(34b)에 근접하도록(기판(WN)에서 멀어지도록) 경사져 있다. 돌출 부재(91X, 92X)의 상면은 측벽(34a, 34b)의 상면보다 낮더라도 좋다. 또한, 돌출 부재(91X, 92X)의 상면의 높이 위치는 측벽(34a, 34b)의 상면의 높이 위치와 대략 동일하여도 좋다.
도 14에 예시되는 에칭 처리 장치(26B)에 있어서, 돌출 부재(91X)의 기판(W1)과 대향하는 대향면(91a)은, 아래쪽으로 향함에 따라서 측벽(34a)에 근접하도록 경사져 있다. 돌출 부재(92X)의 기판(WN)과 대향하는 대향면(92a)은, 아래쪽으로 향함에 따라서 측벽(34b)에 근접하도록 경사져 있다. 이 경우, 측방 공간(Va, Vb)에 있어서 상승해 온 처리액의 흐름(상승류(Fu))이 돌출 부재(91X, 92X)에 의해 저해되기 어렵다. 그 결과, 액처리의 확실한 실행과 면내 균일성 향상의 양립이 도모된다.
위에서 개시된 다양한 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 상기한 실시형태는 첨부한 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고서 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
정류부(98)는, 제1 실시형태에 따른 배출 구멍(75a), 제2 실시형태에 따른 판형 부재(81) 및 제3 실시형태에 따른 돌출 부재(91) 중 2개 이상의 요소를 조합함으로써, 측방 공간(Va)에 있어서 처리액의 흐름을 조절하여도 좋다.
복수의 기판(8)(기판(W1∼WN))의 모든 주면(Wa, Wb)이 YZ 평면을 따라 연장되어 있지 않아도 좋다. 복수의 기판(8) 중 적어도 기판(W1)의 주면(Wa, Wb)이 YZ 평면을 따라 연장되어 있으면 된다.

Claims (17)

  1. 복수의 기판에 액처리를 실시하기 위한 처리액을 저류하는 처리조와,
    상기 처리조 내에 있어서, 상기 복수의 기판 각각의 주면이 연직 방향을 따르도록 상기 복수의 기판을 지지하는 기판 지지부와,
    상기 기판 지지부에 의해 지지되어 있는 상기 복수의 기판보다 아래쪽에 마련되며, 상기 처리조 내에 상기 처리액을 토출함으로써 상승류를 생성하는 처리액 토출부와,
    상기 처리조의 제1 측벽과, 상기 복수의 기판 중 상기 제1 측벽에 대향하는 주면을 갖는 제1 기판과의 사이에 형성되는 측방 공간에 있어서, 상기 처리액의 흐름을 조절하는 정류부를 구비하는 기판 액처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정류부는, 상기 제1 측벽에 마련되며, 상기 처리조 내의 상기 처리액을 배출하는 제1 배출 구멍을 갖는 것인 기판 액처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 배출 구멍은, 상기 제1 기판의 상단부에 대향하도록 마련되어 있는 것인 기판 액처리 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 처리조의 상기 제1 측벽에 접속되어 있는 제2 측벽에 마련되며, 상기 처리조 내의 상기 처리액을 배출하는 제2 배출 구멍을 갖는 제2 정류부를 더 구비하는 기판 액처리 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 정류부는 상기 측방 공간에 배치되는 판형 부재를 가지고,
    상기 판형 부재는 상기 제1 기판 및 상기 제1 측벽으로부터 이격되어 있고,
    상기 판형 부재의 한쪽의 주면은 상기 제1 기판에 대향하는 대향면인 것인 기판 액처리 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 정류부는 상기 측방 공간에 배치되는 판형 부재를 가지고,
    상기 판형 부재는 상기 제1 기판 및 상기 제1 측벽으로부터 이격되어 있고,
    상기 판형 부재의 한쪽의 주면은 상기 제1 기판에 대향하는 대향면인 것인 기판 액처리 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1 기판과 상기 판형 부재의 간격은 상기 판형 부재와 상기 제1 측벽의 간격보다 작은 것인 기판 액처리 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 정류부는 상기 판형 부재를 상기 처리조에 고정하는 고정부를 갖는 것인 기판 액처리 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 정류부는 상기 판형 부재를 상기 처리조에 고정하는 고정부를 갖는 것인 기판 액처리 장치.
  10. 제5항에 있어서, 상기 기판 지지부는 상기 연직 방향 및 상기 제1 기판의 주면에 대하여 교차하는 방향을 따라 연장되어 상기 복수의 기판을 아래쪽에서 지지하고,
    상기 판형 부재는 상기 기판 지지부에 대하여 고정되어 있는 것인 기판 액처리 장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 기판 지지부는 상기 연직 방향 및 상기 제1 기판의 주면에 대하여 교차하는 방향을 따라 연장되어 상기 복수의 기판을 아래쪽에서 지지하고,
    상기 판형 부재는 상기 기판 지지부에 대하여 고정되어 있는 것인 기판 액처리 장치.
  12. 제5항에 있어서, 상기 기판 지지부는, 상기 연직 방향 및 상기 제1 기판의 주면에 대하여 교차하는 방향을 따라 연장되어 상기 복수의 기판을 아래쪽에서 지지하고,
    상기 정류부는 상기 판형 부재를 고정하기 위한 고정부를 가지고,
    상기 판형 부재는, 상기 처리조에 상기 고정부를 통해 고정되어 있는 제1 칸막이 부재와, 상기 기판 지지부에 대하여 고정되어 있는 제2 칸막이 부재를 가지고,
    상기 제1 칸막이 부재는 상기 대향면의 일부를 구성하고 있고,
    상기 제2 칸막이 부재는 상기 대향면의 다른 부분을 구성하고 있는 것인 기판 액처리 장치.
  13. 제7항에 있어서, 상기 기판 지지부는, 상기 연직 방향 및 상기 제1 기판의 주면에 대하여 교차하는 방향을 따라 연장되어 상기 복수의 기판을 아래쪽에서 지지하고,
    상기 정류부는 상기 판형 부재를 고정하기 위한 고정부를 가지고,
    상기 판형 부재는, 상기 처리조에 상기 고정부를 통해 고정되어 있는 제1 칸막이 부재와, 상기 기판 지지부에 대하여 고정되어 있는 제2 칸막이 부재를 가지고,
    상기 제1 칸막이 부재는 상기 대향면의 일부를 구성하고 있고,
    상기 제2 칸막이 부재는 상기 대향면의 다른 부분을 구성하고 있는 것인 기판 액처리 장치.
  14. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 정류부는, 상기 제1 측벽의 내면에서 내측으로 돌출되면서 또한 상기 제1 측벽을 따라 상기 연직 방향과 교차하는 방향으로 연장되는 돌출 부재를 갖는 것인 기판 액처리 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 돌출 부재와 상기 제1 기판의 간격인 제1 간격은, 상기 복수의 기판 중 상기 제1 기판과 인접하는 제2 기판과 상기 제1 기판의 간격인 제2 간격과 일치하거나 또는 상기 제2 간격보다 작은 것인 기판 액처리 장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 돌출 부재는, 상기 제1 기판의 상단부에 대응하는 중앙 위치에서 양 외측을 향하여 아래쪽으로 경사져 연장되어 있는 것인 기판 액처리 장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 돌출 부재 중 상기 제1 기판과 대향하는 측면은, 아래쪽으로 향함에 따라서 상기 제1 측벽에 근접하도록 경사져 있는 것인 기판 액처리 장치.
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