KR20200085233A - 전기화학소자용 분리막, 이를 포함하는 전기화학소자 및 분리막의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 상기와 같은 특징으로 인하여 다공성 코팅층 내 균일한 기공을 형성하고, 전극 사이의 접착력을 개선한 분리막 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.
Description
도 4는 본 발명의 비교예 1에 따른 다공성 코팅층의 형상을 나타낸 SEM 이미지이다.
| 실시예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 | 실시예 4 | 실시예 5 | 비교예 1 | 비교예 2 | 비교예 3 | ||
| 공정 조건 | 슬러리 온도(℃) | 15 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 |
| 응고액의 온도(℃) | 25 | 17 | 17 | 17 | 17 | 25 | 23 | 35 | |
| 린스액 1(℃) | 25 | 25 | 40 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | |
| 린스액 2(℃) | 25 | 25 | 40 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | |
| 린스액 3(℃) | 25 | 25 | 45 | 30 | 30 | 25 | 25 | 25 | |
| 응고액/린스액 체류시간(sec) | 105sec | 105sec | 70sec | 105sec | 105sec | 105sec | 105sec | 105sec | |
| 응고액 내 용매: 비용매의 중량비 | 1 : 9 | 1 : 9 | 1 : 9 | 2 : 8 | 4 : 6 | 1 : 9 | 1 : 9 | 1 : 9 | |
| 물성 | 분리막 두께(㎛) | 12.9 | 12.8 | 12.9 | 12.7 | 12.6 | 14.5 | 14.9 | 14.9 |
| 도포량 (g/m2) | 5.1 | 5.1 | 5.1 | 5.1 | 5.1 | 5.1 | 5.8 | 4.5 | |
| 충진 밀도 (g/cc) | 1.31 | 1.34 | 1.31 | 1.38 | 1.42 | 0.93 | 0.98 | 0.76 | |
| 접착력(gf/25mm) | 45 | 50 | 63 | 55 | 66 | 26 | 33 | 25 | |
| 저항(ohm) | 0.55 | 0.53 | 0.52 | 0.51 | 0.69 | 0.60 | 0.61 | 0.57 | |
| 비고 | 슬러리 온도 낮춤 | 응고액 온도 낮춤 | 응고액 온도를 낮추고, 린스액 온도를 높임 | 응고액 온도 낮추고, 응고액 농도 조절 |
응고액 온도 낮추고, 응고액 농도 조절 |
상온(25℃) | 슬러리/응고액과 린스액의 온도 차이가 적음 | 응고액의 온도가 상온 이상임 | |
Claims (19)
- (S1) 다공성 고분자 기재의 적어도 일측 표면에 무기물 입자, 바인더 고분자 및 바인더 고분자에 대한 용매를 포함하는 다공성 코팅층 형성용 슬러리를 도포하는 단계;
(S2) 상기 (S1) 단계의 결과물을 바인더 고분자에 대한 비용매를 포함하는 응고액에 침지시키는 단계; 및
(S3) 상기 (S2) 단계의 결과물을 린스액에 투입 및 건조시키는 단계를 포함하며,
상기 (S1) 단계에서 슬러리 도포시 슬러리의 온도 및 상기 (S2) 단계에서 응고액 침지시 응고액의 온도 중 적어도 어느 하나를 20℃ 미만으로 제어하고,
상기 (S1) 단계에서 슬러리 도포시 슬러리의 온도 및 상기 (S2) 단계에서 응고액 침지시 응고액의 온도 중 적어도 어느 하나를, 상기(S3) 단계의 린스액 투입시의 린스액의 온도보다 5 ℃ 내지 25 ℃ 낮도록 제어하는 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 (S1) 단계에서 슬러리 도포시 슬러리의 온도 및 상기 (S2) 단계에서 응고액 침지시 응고액의 온도 중 적어도 어느 하나를 5 ℃ 이상 20 ℃ 미만으로 제어하는 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 (S1) 단계에서 슬러리 도포시 슬러리의 온도 및 상기 (S2) 단계에서 응고액 침지시 응고액의 온도 중 적어도 어느 하나와, 상기(S3) 단계의 린스액 투입시의 린스액의 온도 차이를 15 ℃ 내지 25 ℃로 제어하는 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 용매는 25℃ 조건에서 바인더 고분자를 10wt% 이상 용해시킬 수 있는 것으로서, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸아세트아미드 및 디메틸포름아미드 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 비용매는 25℃ 조건에서 바인더 고분자를 5wt% 미만 용해시킬 수 있는 것으로서, 물, 메탄올, 에탄올, 프로필알코올, 부틸알코올, 부탄디올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 및 트리프로필렌글리콜 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 응고액은 응고액 100 wt% 중 비용매의 함량이 60 wt% 이상인 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 린스액은 비용매를 포함하며, 상기 린스액 100 wt% 중 비용매의 함량이 90 wt% 이상인 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 (S3) 단계는 둘 이상의 복수의 린스액을 준비하고, 상기 (S2) 단계의 결과물을 각각의 린스액에 순차적으로 소정 시간 침지하는 방식으로 수행되는 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제8항에 있어서,
상기 복수의 린스액 중 최초 린스액의 온도는 상기 응고액 침지시 상기 응고액의 온도보다 높은 온도로 제어하고, 최후 린스액의 온도는 건조 온도보다 낮은 온도로 제어하는 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제8항에 있어서,
상기 복수의 린스액은 최초 린스액에서 최후 린스액으로 갈수록 린스액의 온도를 순차적으로 증가시킨 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 (S3) 단계 이후에, 상기 (S3) 단계의 결과물을 어닐링조에서 어닐링하는 (S4) 단계를 더 포함하는 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 다공성 고분자 기재는 용융온도 200℃ 미만의 열가소성 수지를 포함하며, 두께가 4㎛ 내지 15 ㎛이고, 기공도가 30% 내지 70%인 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 다공성 코팅층의 두께는 1.5㎛ 내지 4.0㎛이고, 상기 다공성 코팅층의 충진 밀도는 1 g/cc 내지 1.5 g/cc인 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 무기물 입자는 전기화학소자의 작동 전압 범위(Li/Li+ 기준으로 0~5V)에서 산화 및/또는 환원 반응이 일어나지 않는 것이며, 입자의 평균입경(D50)이 0.1㎛ 내지 2.5㎛인 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 바인더 고분자는 폴리비닐리덴 플루오라이드-헥사플루오로프로필렌 (polyvinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene), 폴리비닐리덴 플루오라이드-트리클로로에틸렌 (polyvinylidene fluoride-co-trichloroethylene), 폴리비닐리덴 플루오라이드-트리플루오로프로필렌 (polyvinylidene fluoride-co-trifluoropropylene), 폴리비닐리덴 플루오라이드-테트라플루오로프로필렌 (polyvinylidene fluoride-co-tetrafluoropropylene), 폴리메틸메타크릴레이트 (polymethylmethacrylate), 폴리에틸헥실아크릴레이트(polyetylexyl acrylate), 폴리부틸아크릴레이트 (polybutylacrylate), 폴리아크릴로니트릴 (polyacrylonitrile), 폴리비닐피롤리돈 (polyvinylpyrrolidone), 폴리비닐아세테이트 (polyvinylacetate), 에틸헥실아크릴레이트(ethylhexyl acrylate)와 메틸메타크릴레이트(methyl methacrylate)의 공중합체, 에틸렌 비닐 아세테이트 공중합체 (polyethylene-co-vinyl acetate), 폴리에틸렌옥사이드 (polyethylene oxide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 셀룰로오스 아세테이트 (cellulose acetate), 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트 (cellulose acetate butyrate), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 (cellulose acetate propionate), 시아노에틸플루란 (cyanoethylpullulan), 시아노에틸폴리비닐알콜 (cyanoethylpolyvinylalcohol), 시아노에틸셀룰로오스 (cyanoethylcellulose), 시아노에틸수크로오스 (cyanoethylsucrose), 플루란 (pullulan), 카르복실 메틸 셀룰로오스 (carboxyl methyl cellulose) 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물을 포함하는, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 무기물 입자와 바인더 고분자의 중량비는 20 : 80 내지 95 : 5인 것인, 전기화학소자용 분리막의 제조방법.
- 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항의 방법에 따라 수득되고,
다공성 고분자 기재 및 상기 다공성 고분자 기재의 적어도 일면에 형성된 다공성 코팅층을 포함하는 분리막이며,
여기에서, 상기 다공성 코팅층은 무기물 입자와 바인더 고분자를 포함하고,
상기 다공성 코팅층이 무기물 입자 및 상기 무기물 입자 표면의 적어도 일부를 피복하는 바인더 고분자를 포함하는 하나 이상의 노드(node)와 상기 노드의 바인더 고분자에서 실(thread) 모양으로 형성되어 나온 하나 이상의 필라멘트를 포함하며, 하나의 노드로부터 연장된 하나 이상의 필라멘트가 형성되어 있고, 상기 필라멘트들은 어느 하나의 노드와 다른 노드를 연결하는 방식으로 배치되어 있는 것인, 전기화학소자용 분리막. - 제17항에 있어서,
상기 다공성 코팅층의 두께는 2㎛ 내지 4 ㎛이고, 상기 다공성 코팅층의 충진 밀도는 1 g/cc 내지 1.5 g/cc인 것인, 전기화학소자용 분리막.
- 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 개재된 분리막을 포함하는 전기화학소자에 있어서,
상기 분리막이 제17항에 기재된 전기화학소자용 분리막인 것인, 전기화학소자.
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