KR20200093577A - 연마 조성물 - Google Patents

연마 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR20200093577A
KR20200093577A KR1020207017309A KR20207017309A KR20200093577A KR 20200093577 A KR20200093577 A KR 20200093577A KR 1020207017309 A KR1020207017309 A KR 1020207017309A KR 20207017309 A KR20207017309 A KR 20207017309A KR 20200093577 A KR20200093577 A KR 20200093577A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
copper
polishing composition
alumina
abrasive particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020207017309A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102689096B1 (ko
Inventor
가즈키 모리야마
Original Assignee
니타 듀폰 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니타 듀폰 가부시키가이샤 filed Critical 니타 듀폰 가부시키가이샤
Publication of KR20200093577A publication Critical patent/KR20200093577A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102689096B1 publication Critical patent/KR102689096B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463Aqueous liquid suspensions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409Abrasive particles per se
    • H01L21/304
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26Cleaning or polishing of the conductive pattern
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

연마 조성물은, 구리 또는 구리합금과 수지를 연마하는 연마 조성물로서, 알루미나 연마입자와, 글리신과, 음이온 계면활성제와, 물을 포함한다.

Description

연마 조성물
본원은, 일본특허출원 제2017-250013호의 우선권을 주장하고, 인용에 의해 본원 명세서의 기재에 포함된다.
본 발명은, 연마 조성물에 관한 것이다.
최근, 프린트 기판, 모듈 기판, 패키지 기판 등의 소형화 및 고집적화에 수반하여, 배선의 미세화 및 고밀도화가 진행되고 있다. 이 배선은, 층층이 겹쳐져 요철이 형성되므로, 연마에 의해 이 요철을 제거하고, 평탄하게 할 필요가 있다.
종래, 프린트 기판 등에서는, 수지로 이루어지는 절연 기판 상에 구리 또는 구리합금으로 이루어지는 배선을 적층시킴으로써 도전층을 형성한다. 구리 또는 구리합금을 연마하는 연마 조성물로서는, 예를 들면, 콜로이달 실리카 등의 연마입자(砥粒)와, 구리 착화제와, 알킬벤젠술폰산 트리에탄올아민과, 물을 포함하는 연마 조성물이 알려져 있다(특허문헌 1).
일본공개특허 제2015-90922호 공보
최근에는, 구리 또는 구리합금을 연마할 때, 절연 기판을 구성하는 수지도 동시에 연마하고자 한다는 요망이 있다. 특히, 구리 또는 구리합금에 대하여, 고선택비로 수지를 연마하는 것이 기대되고 있다. 그러나, 구리 또는 구리합금과 수지를 동시에 연마하는 연마 조성물에 대하여, 지금까지 아무런 검토가 이루어져 있지 않았다.
본 발명은, 이와 같은 현상황을 감안하여 이루어진 것이며, 수지의 연마 속도에 대한 구리 또는 구리합금의 연마 속도를 억제하고, 또한, 구리 또는 구리합금의 연마 후의 표면거칠기를 저감할 수 있는 연마 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 알루미나 연마입자, 글리신, 음이온 계면활성제 및 물을 포함하는 연마 조성물을 사용하여 구리 또는 구리합금과 수지를 동시에 연마함으로써, 수지의 연마 속도에 대한 구리 또는 구리합금의 연마 속도를 억제하고, 또한, 구리 또는 구리합금의 연마 후의 표면거칠기를 저감할 수 있는 것을 찾아냈다. 본 발명의 요지는, 하기와 같다.
본 발명에 관한 연마 조성물은, 구리 또는 구리합금과 수지를 연마하는 연마 조성물로서, 알루미나 연마입자와, 글리신과, 음이온 계면활성제와, 물을 포함한다.
본 발명에 관한 연마 조성물은, 상기 글리신의 함유량이 0.3 질량% 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에 관한 연마 조성물은, 상기 음이온 계면활성제가, 알킬벤젠술폰산인 것이 바람직하다.
본 발명에 관한 연마 조성물은, pH가 7.0 이상 11.0 이하인 것이 바람직하다.
[도 1] 각 실시예 및 비교예의 연마 조성물을 사용하여 폴리이미드 및 구리를 연마했을 때의 연마 속도, 및 구리를 연마한 후의 표면거칠기를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관한 연마 조성물에 대하여 설명한다.
<연마 조성물>
본 발명의 실시형태에 관한 연마 조성물은, 알루미나 연마입자, 글리신, 음이온 계면활성제 및 물을 포함한다.
(알루미나 연마입자)
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 알루미나 연마입자를 함유한다. 상기 알루미나 연마입자로서는, 특별히 한정되지 않고, 공지의 각종 알루미나 입자 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 이와 같은 공지의 알루미나 입자로서는, 예를 들면, α-알루미나, γ-알루미나, δ-알루미나, θ-알루미나, η-알루미나, κ-알루미나, χ-알루미나 등을 들 수 있다. 또한, 제조법에 의한 분류에 기초하여, 흄드 알루미나로 칭해지는 알루미나(전형적으로는 알루미나염을 고온 소성할 때 생산되는 알루미나 미립자), 콜로이달 알루미나 또는 알루미나 졸로 칭해지는 알루미나(예를 들면 베마이트 등의 알루미나 수화물)도, 상기 공지의 알루미나 입자의 예에 포함된다. 이들 알루미나 입자는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
상기 연마 조성물에서의, 상기 알루미나 연마입자의 함유량은, 0.3 질량% 이상인 것이 바람직하고, 5.0 질량% 이하인 것이 바람직하다. 상기 알루미나 연마입자의 함유량이 상기 범위이면, 높은 연마성을 유지하면서, 보존 안정성의 저하를 억제할 수 있다. 상기 알루미나 연마입자의 함유량은, 1.0 질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 3.0 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 그리고, 상기 알루미나 연마입자가 2종 이상 포함되는 경우, 상기 알루미나 연마입자의 함유량은, 상기 알루미나 연마입자의 합계 함유량으로 한다.
본 실시형태에 관한 연마 조성물에서는, 연마입자가 알루미나 연마입자인 것에 의하여, 후술하는 음이온 계면활성제가 이 알루미나 연마입자 표면에 흡착하고, 클러스터를 형성한다. 그 결과, 상기 알루미나 연마입자의 분산성을 향상시켜, 상기 알루미나 연마입자의 침강을 방지할 수 있으므로, 연마 조성물을 연마 패드 상에 균일하게 공급할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 관한 연마 조성물에서는, 연마입자가 알루미나 연마입자인 것에 의하여, 형성된 상기 클러스터의 입자 직경이 상기 알루미나 연마입자의 입자 직경보다 커진다. 이에 의해, 수지의 연마 속도를 향상시킬 수 있다.
(글리신)
본 실시형태에 관한 연마 조성물은 글리신을 함유한다. 상기 연마 조성물은 글리신을 포함함으로써, 구리 또는 구리합금의 연마 후의 표면거칠기를 저감할 수 있다.
상기 연마 조성물에서의, 상기 글리신의 함유량은 0.3 질량% 이상인 것이 바람직하고, 15.0 질량% 이하인 것이 바람직하다. 상기 글리신의 함유량이 상기 범위이면, 구리 또는 구리합금의 연마 후의 표면거칠기를 보다 저감할 수 있다. 상기 글리신의 함유량은 0.4 질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 5.0 질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.
(음이온 계면활성제)
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 음이온 계면활성제를 함유한다. 상기 음이온 계면활성제로서는, 예를 들면 폴리아크릴산, 알킬벤젠술폰산, 알칸술폰산 및 α-올레핀술폰산, 및 이들의 염 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 알킬벤젠술폰산 또는 그의 염인 것이 바람직하다. 그리고, 이들의 음이온 계면활성제는 단독으로 사용해도 되도, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
상기 알킬벤젠술폰산으로서는, 예를 들면, C6부터 C20의 알킬벤젠술폰산을 들 수 있고, 구체적으로는, 데실벤젠술폰산, 운데실벤젠술폰산, 도데실벤젠술폰산, 트리데실벤젠술폰산, 테트라데실벤젠술폰산 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 구리 또는 구리합금의 표면으로의 흡착 속도 및 연마의 용이성의 관점에서, 도데실벤젠술폰산인 것이 바람직하다. 또한, 알킬벤젠술폰산염으로서는, 예를 들면, 알킬벤젠술폰산 나트륨, 알킬벤젠술폰산 트리에탄올아민 등을 들 수 있다.
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 음이온 계면활성제를 포함한다. 이에 의해, 상기 음이온 계면활성제가, 연마 시에, 구리 또는 구리합금의 표면에 흡착하여, 상기 구리 또는 구리합금을 보호한다. 그 결과, 수지의 연마 속도에 대한 상기 구리 또는 구리합금의 연마 속도를 억제할 수 있다. 또한, 상기 연마 조성물에 있어서, 음이온 계면활성제는, 전술한 알루미나 연마입자 표면에 흡착함으로써 클러스터를 형성하고, 상기 알루미나 연마입자의 분산성을 향상시킨다. 이에 의해, 상기 알루미나 연마입자의 침강을 방지할 수 있으므로, 연마 조성물을 연마 패드 상에 균일하게 공급할 수 있다. 또한, 형성된 상기 클러스터의 입자 직경은, 상기 알루미나 연마입자의 입자 직경보다 커진다. 이로써, 수지의 연마 속도를 향상시킬 수 있다.
상기 연마 조성물에서의, 상기 음이온 계면활성제의 함유량은 0.3 질량% 이상인 것이 바람직하고, 3.0 질량% 이하인 것이 바람직하다. 상기 음이온 계면활성제의 함유량이 상기 범위이면, 수지의 연마 속도에 대한 구리 또는 구리합금의 연마 속도를 보다 억제할 수 있다. 상기 음이온 계면활성제의 함유량은 0.5 질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.5 질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 그리고, 상기 음이온 계면활성제가 2종 이상 포함되는 경우, 상기 음이온 계면활성제의 함유량은 상기 음이온 계면활성제의 합계 함유량으로 한다.
(물)
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 알루미나 연마입자, 글리신 및 음이온 계면활성제가 물에 용해 또는 현탁되어 있다. 상기 물은, 알루미나 연마입자, 글리신 및 음이온 계면활성제의 각종 작용을 저해하지 않도록, 이온 교환수 등의 불순물이 적은 것을 이용하는 것이 바람직하다.
(소포제)
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 필요에 따라 소포제를 포함해도 된다. 이러한 구성에 의하여, 연마 조성물의 거품이 일어나는 것을 억제하고, 구리 또는 구리합금 및 수지를 보다 균일하게 연마할 수 있다. 상기 소포제로서는, 예를 들면 실리콘 에멀션, 비이온계 계면활성제 등을 들 수 있다. 상기 연마 조성물에서의, 상기 소포제의 함유량은, 0.05 질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.3 질량% 이하인 것이 바람직하다.
(pH 조정제)
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, pH가 7.0 이상 11.0 이하인 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하여, 수지에 대한 기계적 연마력이 향상되고, 수지의 연마 속도를 향상시킬 수 있다. 한편, 구리 또는 구리합금에 대해서는, 상기 구리 또는 구리합금의 표면에 음이온 계면활성제가 흡착함으로써, 상기 구리 또는 구리합금의 연마 속도를 억제할 수 있다. pH를 상기 범위에 조정하기 위하여, 본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 필요에 따라 pH 조정제를 포함해도 된다. 상기 pH 조정제로서는, 예를 들면, 유기산, 무기산 등의 산, 암모니아, KOH 등의 무기 염기, 수산화테트라메틸암모늄(TMAH) 등의 유기 염기 등을 들 수 있다.
그리고, 본 발명에 관한 연마 조성물은, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 관한 연마 조성물은, 전술한 작용 효과에 한정되는 것도 아니다. 본 발명에 관한 연마 조성물은, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 각종 변경이 가능하다.
<연마 대상물>
본 실시형태에 관한 연마 조성물은, 구리 또는 구리합금과 수지를 연마한다. 상기 구리 또는 구리합금으로서는, 예를 들면, 구리, 주석-구리합금, 니켈-구리합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 수지로서는, 예를 들면 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다.
본 실시형태에 관한 연마 조성물로 연마하는 연마 대상물로서는, 구리 또는 구리합금과 수지를 포함하는 프린트 기판, 모듈 기판, 패키지 기판 등을 들 수 있다.
<실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명은, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
<연마 조성물의 조정>
표 1에 나타내는 조성(組成)의 실시예 및 비교예의 연마 조성물을 제작하였다. 각 성분의 상세를 이하에 나타낸다.
알루미나 연마입자: A9225(산고반(주) 제조)
글리신: 후소 가가쿠 고교(주) 제조
LAS: 도데실벤젠술폰산 트리에탄올아민(도호 가가쿠 고교(주) 제조)
실리콘계 소포제: 실리콘 에멀션(센카(주) 제조)
KOH: 도아 고세이(주) 제조
물: 이온 교환수
<pH의 측정>
각 실시예 및 각 비교예의 연마 조성물의 pH는, pH미터를 이용하여 측정하였다.
<연마 속도의 측정>
각 실시예 및 각 비교예의 연마 조성물을 사용하여, 하기 조건으로 피연마물을 연마하고, 연마 속도를 구하였다. 결과를 표 1 및 도 1에 나타낸다.
피연마물: 폴리이미드(실리콘 웨이퍼에 성막), 구리(실리콘 웨이퍼에 도금)
연마기: FREX((주) 에바라 세이사쿠쇼 제조)
연마압: 3psi
슬러리 유량: 300mL/min
플래튼(platen) 회전수/캐리어 회전수: 103rpm/97rpm
연마 시간: 1min
연마 패드: IC1000(닛타·하스(주) 제조)
<표면거칠기의 측정>
각 실시예 및 각 비교예의 연마 조성물을 사용하여 구리를 연마한 후, 비접촉 표면거칠기 측정기(Wyko NT9300, Veeco사 제조)를 이용하여, 구리의 표면거칠기 Ra를 측정하였다. 측정 결과를 표 1 및 도 1에 나타낸다.
<분산 안정성의 평가>
각 실시예 및 각 비교예의 연마 조성물 100ml를, 측면이 투명 또는 반투명인 플라스틱 용기에 나누어 충분히 교반한 후, 실온에서 10분간 정치(靜置)함으로써, 각 연마 조성물의 슬러리를 얻었다. 그리고, 각 슬러리를 육안으로 관찰하는 것에 의해, 분산 안정성의 평가를 행하였다. 평가 기준은 하기와 같다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
○: 연마입자가 용기 하부에 침강한 모양이 관찰되지 않음
×: 연마입자가 용기 하부에 침강하고 있는 모양이 관찰됨
[표 1]
Figure pct00001
표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 요건을 모두 만족시키는 실시예 1∼7의 연마 조성물에서는, 폴리이미드 수지의 연마 속도에 대한 구리의 연마 속도를 억제하고, 또한, 구리의 연마 후의 표면거칠기를 저감할 수 있다. 또한, 실시예 1∼7의 연마 조성물에서는, 알루미나 연마입자의 분산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 글리신의 함유량이 0.3 질량% 이상인 실시예 3∼7의 연마 조성물은, 구리의 연마 후의 표면거칠기를 보다 저감할 수 있다.
한편, 비교예 1∼3의 연마 조성물은, 음이온 계면활성제를 함유하지 않으므로, 폴리이미드 수지의 연마 속도에 대한 구리의 연마 속도를 충분히 억제할 수 없다. 또한, 비교예 1의 연마 조성물은, 글리신을 함유하지 않으므로, 구리의 연마 후의 표면거칠기를 충분히 저감할 수 없다.

Claims (5)

  1. 구리 또는 구리합금과 수지를 연마하는 연마 조성물로서,
    알루미나 연마입자(砥粒),
    글리신,
    음이온 계면활성제, 및

    을 포함하는, 연마 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 글리신의 함유량이 0.3 질량% 이상인, 연마 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 음이온 계면활성제가 알킬벤젠술폰산인, 연마 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    pH가 7.0 이상 11.0 이하인, 연마 조성물.
  5. 제3항에 있어서,
    pH가 7.0 이상 11.0 이하인, 연마 조성물.
KR1020207017309A 2017-12-26 2018-12-26 연마 조성물 Active KR102689096B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017250013A JP7064870B2 (ja) 2017-12-26 2017-12-26 研磨組成物
JPJP-P-2017-250013 2017-12-26
PCT/JP2018/047846 WO2019131761A1 (ja) 2017-12-26 2018-12-26 研磨組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200093577A true KR20200093577A (ko) 2020-08-05
KR102689096B1 KR102689096B1 (ko) 2024-07-25

Family

ID=67067473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207017309A Active KR102689096B1 (ko) 2017-12-26 2018-12-26 연마 조성물

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP7064870B2 (ko)
KR (1) KR102689096B1 (ko)
CN (2) CN120383911A (ko)
SG (1) SG11202005883UA (ko)
TW (1) TWI796411B (ko)
WO (1) WO2019131761A1 (ko)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020040636A (ko) * 2000-11-24 2002-05-30 가네꼬 히사시 화학적 기계적 연마용 슬러리
KR20060044392A (ko) * 2004-03-19 2006-05-16 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물 및 연마방법
JP2009129977A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Jsr Corp 多層回路基板の研磨方法および多層回路基板
WO2014007836A1 (en) * 2012-07-05 2014-01-09 Ihnfeldt Robin Contact release capsule useful for chemical mechanical planarization slurry
KR20140087639A (ko) * 2012-12-31 2014-07-09 제일모직주식회사 구리 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법
JP2015090922A (ja) 2013-11-06 2015-05-11 ニッタ・ハース株式会社 研磨組成物

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004247605A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Toshiba Corp Cmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法
TWI288046B (en) * 2003-11-14 2007-10-11 Showa Denko Kk Polishing composition and polishing method
JP2010512657A (ja) * 2006-12-22 2010-04-22 テクノ セミケム シーオー., エルティーディー. ゼオライトを含有する銅化学機械的研磨組成物
CN109153886B (zh) * 2016-04-27 2021-12-21 巴斯夫欧洲公司 化学机械抛光(cmp)组合物在抛光包含钴和/或钴合金的基材中的用途
JP6924616B2 (ja) * 2017-05-25 2021-08-25 ニッタ・デュポン株式会社 研磨用スラリー

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020040636A (ko) * 2000-11-24 2002-05-30 가네꼬 히사시 화학적 기계적 연마용 슬러리
KR20060044392A (ko) * 2004-03-19 2006-05-16 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물 및 연마방법
JP2009129977A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Jsr Corp 多層回路基板の研磨方法および多層回路基板
WO2014007836A1 (en) * 2012-07-05 2014-01-09 Ihnfeldt Robin Contact release capsule useful for chemical mechanical planarization slurry
KR20140087639A (ko) * 2012-12-31 2014-07-09 제일모직주식회사 구리 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법
JP2015090922A (ja) 2013-11-06 2015-05-11 ニッタ・ハース株式会社 研磨組成物
KR20160082501A (ko) * 2013-11-06 2016-07-08 니타 하스 인코포레이티드 연마 조성물 및 프린트 배선판의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102689096B1 (ko) 2024-07-25
WO2019131761A1 (ja) 2019-07-04
JP7064870B2 (ja) 2022-05-11
JP2019116528A (ja) 2019-07-18
CN111527175A (zh) 2020-08-11
CN120383911A (zh) 2025-07-29
SG11202005883UA (en) 2020-07-29
TWI796411B (zh) 2023-03-21
TW201927994A (zh) 2019-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101356287B1 (ko) 금속 제거 속도 조절을 위한 할라이드 음이온
TWI646180B (zh) 用於硏磨藍寶石表面之化學機械硏磨組成物及其使用方法
KR102308637B1 (ko) 연마 조성물 및 프린트 배선판의 제조 방법
JP7324187B2 (ja) 研磨組成物
CN100516159C (zh) 抛光组合物及抛光方法
TWI853796B (zh) 研磨組合物、及調整研磨速度之方法
KR102689096B1 (ko) 연마 조성물
CN114846111A (zh) 研磨用浆料
JP7457586B2 (ja) 研磨用組成物の濃縮液およびこれを用いた研磨方法
JP2009188058A (ja) 半導体ウエハ研磨用コロイダルシリカおよびその製造方法
JP2009099874A (ja) 研磨用組成物
KR20130113375A (ko) 연마 조성물, 연마 조성물의 제조 방법 및 기판의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000