KR20210105902A - 복수의 공동들 중 일 군의 공동들을 충전 액체로 선택적으로 충전하기 위한 방법 - Google Patents

복수의 공동들 중 일 군의 공동들을 충전 액체로 선택적으로 충전하기 위한 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210105902A
KR20210105902A KR1020217019037A KR20217019037A KR20210105902A KR 20210105902 A KR20210105902 A KR 20210105902A KR 1020217019037 A KR1020217019037 A KR 1020217019037A KR 20217019037 A KR20217019037 A KR 20217019037A KR 20210105902 A KR20210105902 A KR 20210105902A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cavities
filling
liquid
cavity
surface energy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020217019037A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102903040B1 (ko
Inventor
엠마누엘 올리에르
파브리스 에미유
프레데릭 루
울리히 소우프레마니엔
실비아 스칼린젤라
티펜 듀퐁
클레망스 탈렛
압델하이 아보울라이크
Original Assignee
꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스
알레디아
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스, 알레디아 filed Critical 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스
Publication of KR20210105902A publication Critical patent/KR20210105902A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102903040B1 publication Critical patent/KR102903040B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H01L33/501—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H01L33/0025—
    • H01L33/0041—
    • H01L33/08—
    • H01L33/18—
    • H01L33/20—
    • H01L33/44—
    • H01L33/505—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/062—Light-emitting semiconductor devices having field effect type light-emitting regions, e.g. light-emitting High-Electron Mobility Transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/813—Bodies having a plurality of light-emitting regions, e.g. multi-junction LEDs or light-emitting devices having photoluminescent regions within the bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/817—Bodies characterised by the crystal structures or orientations, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H10H20/818—Bodies characterised by the crystal structures or orientations, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light-emitting regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/832—Electrodes characterised by their material
    • H10H20/833—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
    • H01L2933/0041—

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 복수의 공동들(10) 중 제1 공동(11)을, 충전 액체(15)로, 선택적으로(selectively) 충전하기 위한 방법에 관한 것으로서, 이때, 상기 공동들(10) 중 각각의 공동은 기재의 전면(21)에서 개방되고, 상기 방법은: a) 상기 제1 공동(11)의 제1 내부 표면의 표면 에너지를, 또는 다른 공동들의 제2 내부 표면들(122)의 표면 에너지를 변경시켜, 상기 제1 표면(121)이 제1 표면 에너지를 갖고 상기 제2 표면들(122)이 제2 표면 에너지를 갖도록 하기 위한 처리 단계; 및 b) 상기 충전 액체(15)를 도포(spreading)하기 위한 시퀀스를 포함하는 단계;를 포함하고, 이때, 상기 제1 표면(121) 및 상기 제2 표면들(122)이 상기 충전 액체(15)에 각각 흡인 효과(attracting effect) 및 반발 효과(repelling effect)를 가하도록 상기 제1 표면 에너지 및 상기 제2 표면 에너지를 조정한다.

Description

복수의 공동들 중 일 군의 공동들을 충전 액체로 선택적으로 충전하기 위한 방법
본 발명은 공동들(cavities)을 선택적으로(selectively) 충전하기 위한 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 바닥(bottom)에 발광 다이오드를 수용하는 공동들을, 충전 재료로, 선택적으로(selectively) 충전하기 위한 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 충전 방법은 디스플레이 또는 프로젝션 장치의 컬러 픽셀의 제조에 유리하게 사용된다.
본 충전 방법은 전자, 광전자, 전자기계(MEMS) 또는 광전자기계(MOEMS) 장치의 제조에 유리하게 사용된다.
마이크로전자, 광전자, 전자기계 또는 심지어 광전자기계 장치를 제조하는 방법도 충진 액체로 공동들을 충전하는 단계를 포함할 수 있다.
이러한 충전은, 당해 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 제1 기술에 따라, 복수의 공동들의 집단적 충전(collective filling)일 수 있다.
특히, 집단적 충전은, 특히 스피너(spinner)에 의해, 공동들이 개방되는, 면(전면으로도 지칭됨)에 충전 액체를 도포(spreading)하는 단계를 포함할 수 있다.
그러나, 이 기술은 만족스럽지 않다.
실제로, 이 기술은 공동들을 서로 구별하는 것이 가능하지 않으며, 예를 들어, 선택적(selective) 방식으로 상이한 충전 액체로 공동들을 충전하는 것이 가능하지 않다.
이 문제를 해결하기 위해, 예를 들어, 인쇄 수단, 또는 드립-공급 분배 수단(drip-feed distribution means)으로, 공동들을 개별적으로 충전하는 방법이 제안되었다.
그러나, 이 기술도 또한 만족스럽지 않다.
실제로, 후자는 생산 속도(production rates)를 엄격하게 제한한다.
더욱이, 이 기술은 매우 작은 치수의 공동들(cavities)을 개별적인 방식으로 충전하는 것과 관련해서는 그 효능을 상실한다.
마지막으로, 이 기술의 비용이 항상 업계의 현재 요구 사항과 양립할 수 있는 것은 아니다.
그러나, 공동들의 선택적인(selective) 충전은, 특히 디스플레이 장치(또는, 스크린) 또는 프로젝션 장치의 제조에, 특히 중요하다.
예를 들어, 디스플레이 장치는 발광 다이오드(LED), 특히 복수의 색상들을 생성하도록 설정된 LED를 포함할 수 있다.
이 LED는 특히, 본 설명의 끝에 인용되고, 도 1에 도시된, 참고문헌 [1]에 설명된 것과 같은 나노와이어 LED일 수 있다.
이 디스플레이 장치에서, LED는 공동들(C)의 바닥에 형성되며, 공동들은 지지 기재의 면(전면이라고 지칭되는)에 개방된다. 각각의 공동(cavity)의 바닥은 벽 P(측벽이라고 하는)로 덮이고, 후자와 함께 공동(cavity) 체적 V를 한정한다.
공동(cavity) 체적은 봉지제 재료(encapsulation material) M이라고 하는 재료로 채워지며, LED에 의해 방출될 가능성이 있는 전자기 복사선을, 상이한 파장의 전자기 복사선으로 변환하도록 구성된 형광체(phosphors)로 충전된다.
컬러 디스플레이 장치의 경우, LED가 있는 공동들은 공동들의 군으로 배열되어 픽셀을 형성한다.
그 다음, 주어진 픽셀의 상이한 색상들을 표시하기 위한 능력(capacity)은, 한 공동으로부터 다른 공동에 걸쳐서 상이한 광변환 특성을 갖는 형광체가 적재된(charged) 봉지제 재료로 상기 픽셀의 각각의 공동을 충전함으로써 획득된다.
따라서, 이 참고문헌 [1]에서는, 잉크젯에 의해, 주어진 픽셀의 공동들을, 봉지제 재료(예를 들어, 형광체로 충전된 실리콘 매트릭스)로, 선택적으로(selectively) 충전하는 것이 제안되었다.
위에서 언급한 바와 같이, 참고문헌 [1]에 설명된 충전 기술은 만족스럽지는 않다.
상세한 설명 끝에 인용된 참고문헌 [2]는 공동들을 선택적으로(selectively) 충전하는 대안적인 방법을 제안한다.
특히, 참고문헌 [2]는, 도 1a를 참조하여, 공동들의 기하학적 구조를 적용하는 것을 제안하고, 특히 상이한 크기의 공동들을 사용한다.
보다 정확하게, 참고문헌 [2]는 크기가 작고 원통형인 제1 유형의 공동, 및 더 큰 크기의 상호 연결된 채널의 네트워크를 형성하는 제2 유형의 공동을 고려한다.
따라서, 용융 상 변화 재료(PCM)과 같은 액상 재료는 공동들이 개방된 표면 위에 도포되어, 더 작은 공동들, 및 특히 제1 공동들을 우선적으로 충전할 것이다.
그러나, 이 선택적인(selective) 충전 기술은 만족스럽지 않다.
실제로, 이것은 특정한 공동(cavity) 지오메트리를 강요하며, 모든 공동들이 동일한 기하학적 성질을 가질 때는 사용될 수 없다.
따라서, 본 발명의 하나의 목적은, 생산 속도에 영향을 주지 않고, 공동들을, 충전 액체로, 선택적으로(selectively) 충전하는 방법을 제안하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 또한, 공동들의 크기 및/또는 기하학적 형태와 무관하게, 공동들을, 충전 액체로, 선택적으로(selectively) 충전하는 방법을 제안하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 또한, 작은 공동들, 특히 최대 치수가 20 마이크로미터 미만인 개구부(opening)를 갖는 공동들을, 충전 액체로, 선택적으로(selectively) 충전하는 방법을 제안하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 또한, 종래 기술의 공지된 방법보다 더 구현하기 쉽도록, 공동들을 선택적으로(selectively) 충전하는 방법을 제안하는 것이다.
본 발명의 목적은, 적어도 부분적으로, 적어도 일 군의 공동들 중, 제1 공동이라고 지칭되는, 일 공동을, 충전 액체로, 선택적으로(selectively) 충전하기 위한 방법에 의해 달성되며, 각각의 공동은 기재의, 전면(front face)이라고 지칭되는, 일 면(a face) 상으로 개방되고, 각각의 공동들은 내부 표면을 포함하며, 본 방법은 다음 단계들을 포함한다:
a) 제1 공동의, 제1 표면이라고 지칭되는, 내부 표면의 표면 에너지를, 또는 제1 공동 이외의, 제2 공동들이라고 지칭되는, 공동들의, 제2 표면들이라고 지칭되는, 내부 표면들의 표면 에너지를 변경시켜, 제1 표면이 제1 표면 에너지를 갖고 제2 표면들이 제1 에너지와 다른 제2 표면 에너지를 갖도록 하기 위한 처리 단계;
b) 전면 상에 충전 액체를 도포(spreading)하는 적어도 하나의 시퀀스를 포함하는 단계;를 포함하고,
제1 표면 에너지 및 제2 표면 에너지를 조정하되, 제1 표면 및 제2 표면들이 충전 액체에 각각 흡인력(attracting force) 및 반발력(repelling force)을 가하여, 단계 b)가, 충전 액체에 의한, 제2 공동들 대비 제1 공동의 선택적(selective) 충전이 발생하도록, 제1 표면 에너지 및 제2 표면 에너지를 조정한다.
본 발명에 따른, 주어진 표면의 표면 에너지는, 상기 표면을 적시는 액체의 능력을 조절한다. 표면을 적시는 액체의 능력은, 특히 액체의 액적이 문제의 표면 상에 있을 때 접촉각을 측정함으로써 얻을 수 있다(접촉각 측정 방법은 본 설명의 마지막에 인용된 참고문헌 [4]에 설명되어 있다).
특히, 접촉각이 클수록, 액체가 안착되는 표면이 상기 액체에 반발 효과를 더 많이 발휘한다. 반대로, 접촉각이 작을수록, 액체가 안착되는 표면이 상기 액체에 흡인 효과를 더 많이 발휘한다.
충전 액체가 수성 상인 경우, 상기 액체에 흡인 효과를 가하는 표면은 친수성 표면이라고 하는 반면, 반대의 경우에는 소수성 표면이라고 한다.
따라서, 본 발명에 따른 충전 방법은 형상 및/또는 크기를 고려하지 않고 일 군의 공동들 중 제1 공동을 선택적(selective) 방식으로 충전할 수 있게 한다.
달리 표현하면, 공동들은 동일할 수 있다.
더욱이, 본 발명에 따른 방법은 유리하게는 동일한 기재 상에 배열된 복수의 군들의 공동들 중 제1 공동들의 각각을 선택적으로(selectively) 그리고 집단적으로(collectively) 충전하는 데 사용될 수 있다.
그러면 생산 속도는 영향을 받지 않으므로, 업계의 요구 사항과 양립된다.
더욱이, 본 발명에 따른 방법은 입자의 크기에 민감하지 않으므로, 매우 작은 크기의 공동들, 특히 수십 마이크로미터보다 작은 공동들, 유리하게는 10 마이크로미터보다 더 작은 공동들, 더욱더 유리하게는 5 마이크로미터 미만, 예를 들어, 1 마이크로미터의 공동들을 충전하는 것이 가능하다.
"공동의 크기"는 그 개구부의 최대 치수로 정의된다.
일 구현 모드에 따르면, 처리 단계 a)는, 제1 표면에 대해 또는 제2 표면들에 대해 선택적으로(selectively) 수행되는, 플라즈마 처리 또는 자외선 처리를 포함한다.
일 구현 모드에 따르면, 단계 a)는, 제2 표면들의 마스킹에 의해 또는 제1 표면의 마스킹에 의해, 제1 표면에 대해 또는 제2 표면들에 대해, 각각, 선택적으로(selectively) 수행된다.
일 구현 모드에 따르면, 단계 a)는, 제1 표면 및 제2 표면들을 피복함으로써, 패시베이션 층이라고 지칭되는 층을 형성하는 단계 a1)이 선행되고, 패시베이션 층은, 단계 a)의 처리 효과에 의해 그것의 표면 에너지를 변경하도록 구성된, 활물질이라고 지칭되는, 재료로 만들어진다.
일 구현 모드에 따르면, 패시베이션 층은, 실록산 화합물, 플루오로실란, 플루오로 폴리머, 옥타데실트리에톡시실란, 프로필트리메톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 옥틸트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 도데실트리에톡시실란, 디메톡시-메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 트리클로로(옥타데실)실란, 트리클로로(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실트리메톡시실란으로부터 선택된 재료들 중 적어도 하나의 재료를 포함한다.
일 구현 모드에 따르면, 패시베이션 층은 화학 기상 증착 방법에 따라 형성되고, 특히 플라즈마에 의해 활성화된다.
일 구현 모드에 따르면, 충전 액체를 도포하는 단계는 스크레이퍼(scraper) 또는 슬롯 다이(slot die)를 사용한다.
일 구현 모드에 따르면, 충전 액체는 용매, 충전 매트릭스 및 활성 적재물(active charge)로 지칭되는 적재물(charge)을 포함하는 혼합물이다.
일 구현 모드에 따르면, 단계 b)는 복수의, 유리하게는 2회의, 충전 액체 도포 시퀀스들을 포함하고, 각각의 도포 시퀀스 후에 용매의 증발 시퀀스의 실행을 포함한다.
일 구현 모드에 따르면, 충전 액체의 증발 시퀀스는 용매를 증발시키기 위한 열처리 단계를 포함한다.
일 구현 모드에 따르면, 충전 매트릭스는 또한, 열처리 단계 동안 고화되어 활성 적재물을 그것의 체적 내에 포획하도록 적합화(adapted)된다.
일 구현 모드에 따르면, 용매는 프로필렌 글라이콜 모노메틸 에테르 아세테이트의 용액을 포함한다.
일 구현 모드에 따르면, 충전 매트릭스는 아크릴레이트 유형 투명 재료, 유리하게는 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 또는 실리콘 수지 또는 폴리머를 포함한다.
일 구현 모드에 따르면, 활성 적재물은 변환 재료(conversion material), 특히 광변환 재료(optical conversion material)를 포함한다.
일 구현 모드에 따르면, 광변환 재료는 양자점(QD), 나노판 또는 형광체(phosphors)를 포함한다.
일 구현 모드에 따르면, 각각의 공동들의 바닥은 작용화(functionalised)된다.
일 구현 모드에 따르면, 공동들 중 각각의 바닥의 작용화는 발광 다이오드의 사용을 포함하고, 유리하게는 발광 다이오드는 적어도 하나의 나노와이어 형태이다.
본 발명은 또한, 일 군의 공동들의 각각의 공동들을, 상이한 충전 액체로 충전하기 위한 제조 방법에 관한 것으로, 이 제조 방법은 본 발명의 충전 방법에 따라 각각의 공동들을 순차적으로 충전하는 단계를 포함한다.
일 구현 모드에 따르면, 상기 군의 공동들은 디스플레이 장치의 픽셀을 형성하고, 특히 픽셀의 공동들 각각은 상이한 색상을 방출하도록 의도된다.
다른 특징 및 장점은, 첨부된 도면을 참조하여, 비제한적인 예로서 주어진, 본 발명에 따른 공동들을 선택적으로(selectively) 충전하기 위한 방법의 하기 설명에서 명백해질 것이다:
도 1은 공동들의 바닥에 형성되고 충전 액체로 충전된 나노와이어 형태의 LED가 제공되는 디스플레이 장치의 개략도이다.
도 2a, 2b, 2c, 2d는 본 발명의 일부로서 구현될 수 있는 다른 단계들의 개략도이며, 특히 도 2a는 공동 형성 단계를 나타내고, 도 2b는 단계 a1)을 나타내고, 도 2c는 처리 단계 a)를 나타내고, 도 2d는 단계 b)를 나타낸다.
도 3a 및 3b는, 각각 헬륨 플라즈마 및 자외선에 대한 노출 시간(수평축, 단위: "초")의 함수로서, 표면에서의, 액체, 특히 물의 접촉각(수직 축, 단위: "°")의 변화 추이를 나타내는 그래프로서, 이때, 에너지 흐름에 노출된 표면은 특히, 전구체로서 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTSO)을 사용하여 플라즈마 강화 기상 증착에 의해 형성된 실록산 유형 재료를 포함한다.
도 3c는 표면에서 액체, 특히 물의 접촉각(수직축, 단위: "°")의 변화를 엑시머 레이저(수평축, 단위: "펄스들의 수")에 의해 방출되는 여러 펄스의 함수로 나타낸 그래프로, 표면은 특히 OMCTSO의 플라즈마 강화 기상 증착에 의해 형성된 실록산을 포함한다.
도 3d는 직경 10 μm의 원형 개구부를 갖고 서로 15μm(중심 간 거리)만큼 분리된, 복수의 공동들을 포함하는 표면에 대해 광학 현미경으로 얻은 이미지로, 표면은 특히 SiOC 실록산 유형 재료로 제조되고 110 nm와 동일한 두께를 갖는 패시베이션 층을 포함하고, 패시베이션 층은 OMCTSO의 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)에 의해 형성된다.
도 3e는 상기 표면의 영역 A 상에서 단계 a)를 실행한 후의 표면의 이미지로서, 특히, 초기에 기저층(underlayer)을 덮는 패시베이션 층의 스택으로 덮인 상기 표면은, 영역 A의 패시베이션 층을 전체적으로 분쇄하도록 의도된 레이저 복사선에 노출되었다.
도 4a 및 4b는 바닥에 수직인 상기 공동들의 단면을 따라 공동들의 주사 전자 현미경에 의해 얻어진 이미지로, 본 발명에 따른 충전 방법의 단계 a) 및 b)를 실행한 후에 얻어졌으며, 이 때, 단계 b)는 오직 한번만 수행되었고, 도 4a 및 4b는, 특히, 각각, 제2 공동들 및 제1 공동들을 도시한다.
도 5a 및 5b는 바닥에 수직인 상기 공동들의 단면을 따라 공동들의 주사 전자 현미경에 의해 얻어진 이미지로, 본 발명에 따른 충전 방법의 단계 a) 및 b)를 실행한 후에 얻어졌으며, 이 때, 단계 b)는 2회 수행되었고, 도 5a 및 5b는, 특히, 각각, 제2 공동들 및 제1 공동들을 도시한다.
도 6a 및 6b는 바닥에 수직인 상기 공동들의 단면을 따라 공동들의 주사 전자 현미경에 의해 얻어진 이미지로, 본 발명에 따른 충전 방법의 단계 a) 및 b)를 실행한 후에 얻어졌으며, 이 때, 단계 b)는 오직 한번 수행되었고, 도 6a 및 6b는, 특히, 각각, 제2 공동들 및 제1 공동들을 도시한다.
도 7a 및 7b는 바닥에 수직인 상기 공동들의 단면을 따라 공동들의 주사 전자 현미경에 의해 얻어진 이미지로, 본 발명에 따른 충전 방법의 단계 a) 및 b)를 실행한 후에 얻어졌으며, 이 때, 단계 b)는 오직 한번 수행되었고, 도 7a 및 7b는, 특히, 각각, 제2 공동들 및 제1 공동들을 도시한다.
도 8은 소수성 탄소 사슬을 갖는 실란 화합물에 대한 에너지 흐름, 특히 UV 복사선의 효과를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 9a 내지 9d는 일 군의 공동들 중 복수의 공동들을 순차적으로 충전하는 단계를 포함하는 제조 방법의 개략도이다.
본 발명에 따른 방법은 적어도 일 군의 공동들 중에서 선택된 제1 공동을, 충전 액체로, 선택적으로(selectively) 충전하는 방법에 관한 것이다.
더욱 구체적으로, 본 발명에 따른 방법은 공동들의 표면 에너지를 구별하기 위한 메커니즘을 사용하며, 이 메카니즘은 다른 공동들에 대하여 제1 공동을 충전 액체로 충전하는 것을 촉진하도록 한다.
특히, 제1 공동의 표면의 표면 에너지는 제1 공동의 표면 및 다른 공동들의 표면들이, 각각, 충전 액체에 대해 흡인 효과 및 반발 효과를 발휘하도록 적합화(adapted)되어, 다른 공동들에 대해 제1 공동을, 충전 액체로, 선택적(selective) 충전하도록 한다.
본 발명에 따른 방법은 특히 상기 군의 모든 공동들을 순차적으로 충전하기 위해 사용될 수 있다.
도 2a 내지 2d는 일 군의 공동들(10) 중에서, 제1 공동(11)으로 지칭되는 공동을, 충전 액체(15)로, 충전하기 위한 방법을 도시한다.
상기 군의 공동들(10)의 각각의 공동들은 지지 기재(20)의 전면(21)으로 지칭되는 면으로 개방된다.
이러한 점에서, 공동들은 내부 표면(12)을 포함한다.
내부 표면(12)은 벽이 형성되어 있는 바닥을 포함할 수 있다. 벽은 오목하거나, 볼록하거나, 또는 평평할 수 있다.
공동들은 또한, 다른 형태를 가질 수 있으며, 예를 들어, 원추형, 피라미드 형 또는 U자형일 수 있다.
공동들의 형성은 전면(21)으로부터, 지지 기재(20)를 에칭하는 단계, 특히 실리콘 기재를 에칭하는 단계를 포함할 수 있다.
그러나, 재료의 성장을 포함하는 다른 기술이 고려될 수 있으며, 예를 들어, 비제한적인 방식으로, 공동들의 형성이 전기화학적으로 수행될 수 있다. 금속 격자를 이동하거나 또는 실리콘 지지체 상에 증착된 (금속)재료 내로 격자를 에칭하는 것도 또한 가능하다.
공동들의 벽은 지지 기재(20)의 전면(21)에 직교(orthogonal)할 수 있다.
코팅은 내부 표면(12)을 덮을 수 있으며, 예를 들어, 코팅은 금속, 옥사이드, 니트라이드 중에서 선택된 재료들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
각각의 공동들의 내부 표면(12)은 작용화될 수 있다. 예를 들어, 내부 표면은 하나 이상의 전자 장치, 마이크로전자 장치를 포함할 수 있다.
예를 들어, 공동들이 바닥을 포함하는 경우, 하나 이상의 전계루미네선스(electroluminescent) 구조가 바닥 위에 배치될 수 있다.
"전계루미네선스 구조"는 통상적으로 전류가 통과할 때 광 복사선을 방출하는 구조로 정의된다.
전계루미네선스 구조는 2D 발광 다이오드, 즉 평면(planar)을 포함할 수 있고, 따라서, 반도체 필름의 스택을 포함할 수 있다.
대안적으로, 발광 구조는 3D 발광 다이오드일 수 있으며, 각각은 이들이 안착한 공동의 바닥에 대해 수직인 복수의 발광 나노와이어 또는 마이크로와이어 또는 피라미드를 포함한다.
각각의 발광 다이오드는 반도체 재료(X)의 제1 층, 및 반대 전도도(opposite conductivities)를 갖는 반도체 재료 W의 제2 층의 스택을 포함할 수 있고, 이때, 제1 층과 제2 층 사이에는 활성층(Y)이 개재된다. 특히, 반도체 재료(X)의 제1 층 및 반도체 재료(W)의 제2 층의 도핑은 각각 N 형 및 P 형이다.
활성층 Y는 봉쇄(containment) 수단을 포함할 수 있다.
예를 들어, 활성층(Y)은 각각 제1 층(X) 및 제2 층(W)을 형성하는 두 반도체 재료들의 에너지 갭보다 에너지 갭이 작은 반도체 재료로 이루어진 단일 양자우물(single quantum well)을 포함할 수 있다.
또한, 예로서, 활성층(Y)은 복수의 양자우물의 스택, 특히 양자우물 및 장벽층의 교대(alternation)를 포함할 수 있다
따라서, 비제한적인 방식으로, 제1 층(X) 및 제2 층(W)는 GaN을 포함할 수 있는 반면, 활성층(Y)은 InGaN을 포함할 수 있다.
이러한 점에서 나노와이어 또는 마이크로와이어의 사용은 GaN-n의 영역, 활성 영역, GaN-p 또는 InGaN-p의 영역에 의해 형성된 스택들을 포함할 수 있다.
이와 관련하여, 당해 기술 분야의 통상의 기술자는 본 설명의 마지막에 인용된 특허 출원[3], 더욱 특히 19 페이지 24 행부터 20 페이지 10 행까지를 참조할 수있다.
그런 다음, 충전 방법은, 제1 공동(11)의, 제1 표면(121)이라고 지칭되는, 내부 표면(12)의 표면 에너지를, 또는 제1 공동(11) 이외의, 제2 공등들이라고 지칭되는, 공동들의, 제2 표면들(122)이라고 지칭되는, 내부 표면들의 표면 에너지를 변경시키는 단계 a)를 포함한다.
특히, 단계 a) 이후에, 제1 표면(121)은 제1 에너지를 갖는 반면, 제2 표면(122)은 제1 에너지와 다른 제2 에너지를 갖는다.
다음에서, 단순화를 위해, 단계 a)는 제1 표면(121)의 표면 에너지를 변경하도록 의도된 것으로 간주된다.
그러나, 당해 기술분야의 통상의 기술자는 통상적인 지식과 본 설명을 읽고 제2 표면들의 표면 에너지를 변경하기 위한 단계 a)를 구현하는 데 필요한 정보를 찾을 수 있다.
본 발명의 의미 내에서 이해되는 바와 같이, 단계 a)는 제1 공동(11)의 내부 표면(12)의 표면 에너지를 선택적으로(optionally) 변경하고, 제2 공동들의 내부 표면들의 표면 에너지는 변경하지 않고 남겨 둔다.
단계 a)는 특히 에너지 흐름에 대한 노출을 포함할 수 있다.
에너지 흐름에 대한 노출은 플라즈마, 더욱 특히 오존 플라즈마에 대한 노출을 포함할 수 있다.
보완적 및/또는 대안적 방식으로, 에너지 흐름에 대한 노출은 UV 복사선에 대한 노출을 포함할 수 있고, UV 복사선은 특히 248 나노미터 또는 193 나노미터와 동일한 파장을 갖는 광 방출을 포함할 수 있다.
보완적 및/또는 대안적인 방식으로, 에너지 흐름에 대한 노출은 특히 펄스 엑시머 레이저 공급원에 의해 방출되는, UV 레이저 복사선에 대한 노출을 포함할 수 있다. UV 복사선의 파장은 150 nm 내지 350 nm, 예를 들어, 248 nm일 수 있다.
레이저 펄스는 1 Hz와 1000 Hz 사이의 주파수, 예를 들어, 20 Hz 내지 300 Hz의 주파수, 및 1 ps 내지 100 ns의 반치폭(half-value width), 예를 들어, 25 ns의 반치폭을 가질 수 있다.
레이저 펄스들의 플루언스(fluence)는 1 mJ/cm2 내지 1000 mJ/cm2, 예를 들어, 230 mJ/cm2 내지 330 mJ/cm2를 포함할 수 있다.
자외선 레이저 복사선에 대한 노출은 또한, 처리될 표면 근처에 강한 산화 분위기를 유지함으로써 수행될 수 있다.
강한 산화 분위기는 특히 산소가 풍부한 상태이거나(예를 들어, 산소 농도가 20% 초과일 수 있음), 또는 오존을 포함할 수 있다(특히, 오존 농도는 0.1 ppm 내지 100 ppm, 바람직하게는 1 ppm 내지 10 ppm일 수 있음).
강한 산화 분위기를 사용하면 단계 a)의 효능이 향상된다.
대안적으로 및/또는 추가적으로, 단계 a)는 공동들의 내부 표면 상에 형성된 층들의 스택의 융삭(ablation)을, 특히 신속한 융삭을, 포함할 수 있다. 특히, 층들의 스택은, 상기 서브층(141)에 친수성 성질(즉, 물에 친화적임)을 제공하도록 적합화된 재료로 만들어진 서브층(141)이라고 지칭되는 다른 층 상에 놓이는 패시베이션 층(14)(이하에 설명됨), 특히 소수성 패시베이션 층을 포함할 수 있다. 서브층(141)을 형성하는 이 재료는 또한, 패시베이션 층(14)과 매우 다른 열팽창 계수(CTE)를 갖도록 선택된다.
서브층(141)은 특히 실리콘 니트라이드, 또는 이 계열의 옥사이드(SixNy, 또는 SixOzNy)를 포함할 수 있다.
예를 들어, SiN 표면에서 측정된 물의 접촉각은 40°인 한편, 실록산 SiOC 표면에서는 100°보다 크다. SiN의 CTE는 3.3 x 10-6 K-1이고, SiOC의 경우에는 CTE가 3.1 x 10-4 K-1이다.
실리콘 니트라이드 층의 형성은 통상의 기술자에게 공지되어 있으며, 특히 PECVD에 의해 실현될 수 있다. 서브층(141)의 두께는 10 nm 내지 5 μm일 수 있고, 바람직하게는 500 nm일 수 있다.
그 다음, 단계 a)는 위에서 설명된 레이저 복사선 공급원으로 수행된다. 특히, 레이저 복사선은, 제1 표면(121)의 패시베이션 층을 선택적으로(selectively) 분쇄하여 서브층(141)을 드러내는 방식으로, 방출된다. 따라서, 이해되는 바와 같이, 제2 표면(122) 상에 놓인 스택은 레이저의 영향을 받지 않는다.
제1 표면(121)에서 패시베이션 층의 완전한 제거는 단일 레이저 펄스로 달성될 수 있다.
이러한 관점에서, 레이저의 플루언스는 100 mJ/cm2 내지 400 mJ/cm2일 수 있고, 바람직하게는 320 mJ/cm2에 가까울 수 있다.
본 발명자들은 또한, 발견된 서브층(141)의 표면 에너지는 단계 a)를 수행할 때 영향을 받지 않는다는 것을 밝혀냈다.
단계 a)의 이러한 실시 모드는, 그것의 실시의 용이성 및 속도로 인해, 극히 유리하다.
층들의 스택에 대한 단계 a)의 실시의 예를 도 3e에 나타내었다. 특히, 패시베이션 층(14)을 선택적으로(selectively) 분쇄하는 방법은, 스택의 특정 영역 만이 분쇄되는 것을 가능하게 한다. 특히, 도 3e에서, 영역 A만이 친수성 서브층(141)을 노출시키도록 레이저 복사선으로 처리된 반면, 보호되는 영역 B는 소수성 서브층(141) 및 패시베이션 층(14)에 의해 형성된 스택을 포함한다.
에너지 흐름에 대한 제1 표면(121)의 노출은, 마스크, 특히 제1 표면의 반대편에 개구부를 갖는 마스크에 의해 수행될 수 있다. 달리 표현하면, 마스크는 제2 공동들을 가로막는다.
본 발명에 따른 제1 표면 에너지는, 제1 표면(121)이 충전 액체(15)에 흡인효과를 가하도록, 조정된다.
달리 표현하면, 충전 액체(15)의 접촉각이 낮도록, 제1 표면 에너지가 조정된다.
"낮은 젖음 각(low wetting angle)"은 40° 미만, 유리하게는 30° 미만, 더욱 유리하게는 25 ° 미만의 접촉각으로 정의된다.
제2 에너지는, 제2 표면들이 충전 액체(15)에 반발 효과를 가하도록, 조정된다.
달리 표현하면, 충전 액체(15)의 접촉각이 높도록, 제2 표면 에너지가 조정된다.
"높은 접촉각(high contact angle)"은 40°보다 큰, 유리하게는 70°보다 큰, 훨씬 더 유리하게는 90°보다 큰 접촉각으로 정의된다.
임의의 경우에서, 충전(filling)의 선택성(selectivity)은, 소위 저에너지 표면 영역과 고 에너지 표면 영역 사이의 표면 에너지 차이(이는 적어도 30°, 유리하게는 50°보다 큰, 이들 두 표면들 상에서의 충전 액체의 접촉각의 차이를 특징으로 할 것이다)에 의해 얻어질 것이다.
예를 들어, 도 3a 및 3b는, 각각 헬륨 플라즈마 및 적외선에 대한 노출 시간의 함수로서, 표면에서의, 액체, 특히 물의 접촉각(수직 축)의 변화 추이를 나타내는 그래프이다.
에너지 흐름에 노출된 표면은 특히 실록산 유형 재료, 예를 들어, 옥타메틸사이클로테트라실록산(OMCTSO)을 전구체로서 사용하여 플라즈마 강화 기상 증착에 의해 형성된 실록산 유형 재료를 포함한다.
물의 접촉각의 감소가 이러한 그래프들의 각각에서 명확하게 관찰된다. 달리 표현하면, 표면은, 에너지 흐름에 노출되면, 소수성 상태(높은 접촉각)로부터 친수성 상태로 변한다.
도 3c는, 엑시머 레이저(수평축, 수평축, 수직축)에 의해 방출되는 펄스들의 수(수평축: "펄스들의 수")의 함수로서, 표면에서의 액체, 특히 물의 접촉각 (수직축, 단위: "°")의 변화 추이의 또 다른 예시이다. 표면은 특히, OMCTSO의 플라즈마 강화 기상 증착에 의해 형성된 실록산을 포함한다.
레이저 펄스들의 수가 증가함에 따라, 물의 접촉각의 감소가 분명하게 관찰된다. 따라서, 표면의 친수성 성질을 조절하는 것이 가능하다.
도 3d는, 직경이 10 μm 인 원형 개구부를 갖고 서로 15 μm(중심 간 거리) 이격된 복수의 공동들을 포함하는 표면의 광학 현미경으로 얻은 이미지이다. 표면은 특히, 실록산 SiOC 유형 재료로부터 얻어진 110 nm 두께의 패시베이션 층(14)을 포함한다. 패시베이션 층(14)은 OMCTSO의 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)에 의해 형성된다.
따라서, 본 발명의 범위 내에서, 제1 표면에 대해 선택적으로(selectively) 사용되는 에너지 흐름에 대한 노출을 포함하는 처리는, 상기 제1 표면에, 제2 표면들의 표면 에너지와 다른 표면 에너지를 제공하는 것을 가능하게 한다.
달리 표현하면, 단계 b) 동안에 수행되는, 기재의 전면(21)에 대한 충전 액체(15)의 도포(spreading)는, 제1 공동(cavity)(11) 만의 충전을 발생시킬 것이다.
예시로서, 도 8은 자외선(화살표로 표시됨)의 영향 하에서 표면 에너지를 변경시키는 메커니즘을 도식적으로 보여준다.
특히, UV 복사선에 노출되도록 의도된 기재(S)의 표면은 미리 실록산 유형(O)의 재료의 층으로 코팅된다. 영역 1을 UV 복사선에 선택적으로(selectively) 노출시키고 영역 2를 마스킹하도록, 마스크는 상기 표면의 반대편에 위치된다. UV 복사선은 실록산 유형 재료의 층의 탄소 사슬 크기를 줄여서 실록산 유형 재료의 층을 친수성으로 만드는 효과를 갖는다. UV 복사선에 노출되지 않은 영역 2는 그것의 소수성을 보존한다.
본 발명에 따른 단계 a)에 앞서, 제1 표면 및 제2 표면을 피복함으로써, 패시베이션 층(14)으로 지칭되는 층을 형성시키는 단계 a1)이 수행될 수 있다.
패시베이션 층(14)은 특히, 단계 a)의 처리의 효과에 의해 그것의 표면 에너지를 변경하도록 구성된, 활물질이라고 지칭되는 재료로 만들어진다.
패시베이션 층(14)은 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 기술에 의해 형성될 수 있다.
패시베이션 층(14)의 두께는 1 nm 내지 1 마이크로미터, 바람직하게는 50 nm 내지 300 nm일 수 있다.
활물질은, 실록산 화합물, 플루오로실란, 불소 폴리머, 옥타데실트리에톡시실란, 프로필트리메톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 옥틸트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 도데실트리에톡시실란, 디메톡시-메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 트리클로로(옥타데실)실란, 트리클로로(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 및 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실트리메톡시실란으로부터 선택된 재료들 중 적어도 하나의 재료를 포함할 수 있다.
충전 액체(15)를 도포하는 단계 b)의 실행은 스크레이퍼(scraper) 또는 슬롯 다이(slot die)의 사용을 포함할 수 있다.
충전 액체(15)는, 용매, 충전 매트릭스, 및 활성 적재물(active charge)이라고 지칭되는 적재물(charge)을 포함하는 혼합물일 수 있다.
특히, 용매는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트의 용액을 포함할 수 있다.
충전 매트릭스는, 예를 들어 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA)와 같은 투명 아크릴레이트 유형 재료, 실리콘 수지 또는 폴리머를 포함할 수 있다.
활성 적재물은 변환 재료(conversion material), 특히 광변환 재료(optical conversion material)를 포함할 수 있다.
"광변환 재료"는 주어진 파장의 복사선을 다른 파장의 복사선으로 변환할 수 있는 재료로 정의된다.
이러한 광변환 재료는 특히 형광체(phosphors), 또는 양자점을 포함할 수 있다.
특히 유리한 방식으로, 단계 b)는 충전 액체(15)의 복수의, 유리하게는 2회의, 도포 시퀀스들을 포함하고, 각각의 도포 시퀀스 후에 용매의 증발 시퀀스가 수행될 수 있다.
폭이 12 마이크로미터인 개구부를 갖는 공동들에 대해 본 발명에 따른 방법을 실행한 결과를 도 4a 및 4b에 나타내었다.
특히, 도 4a 및 4b의 공동들(그 내부 표면들은 패시베이션 층(14), 및 특히 소수성 말단을 포함하는 실록산의 층으로 코팅되어 있음)은 차별화된 표면 처리를 거쳤다.
특히, 도 4b의 공동들의 내부 표면 내부는 오존 플라즈마에 노출된 반면, 도 4a의 공동들은 어떠한 처리도 거치지 않았다.
그 다음, 양자점이 적재된(charged) PGMEA/PMMA(폴리(메틸 메타크릴레이트)) 용액으로 만든 충전 액체를 도포하기 위한 단계 b)를 수행하였다.
이러한 단계 b)의 종료 시에, 도 4b의 공동들의 부분적인 충전이 명확하게 관찰되는 반면, 도 4a의 공동들 내로는 충전 액체(15)가 침투하지 않는 것으로 보인다.
충전 액체(15)에 대한 도 4a 및 도 4b의 공동들의 표면 에너지 측면들에 있어서의 차별화는 선택적(selective) 충전을 수행하는 것을 가능하게 하고, 더욱 특히, 충전 액체(15)에 대한 친화성을 갖는 공동들을 충전하는 것을 가능하게 한다.
더욱 특히, 패시베이션 층(14)을 헬륨 플라즈마에 노출시킴으로써, 상기 층 상의 충전 액체(15) 액적의 접촉각을 변경시키는 것이 가능하게 된다. 달리 표현하면, 패시베이션 층(14)을 헬륨 플라즈마에 노출시킴으로써, 충전 액체에 의해 적셔지는 상기 층의 능력이 변경된다.
그러나, PGMEA 용매 중의 PMMA 및 양자점의 희석 수준을 고려할 때, 도 4b의 공동들의 충전이 부분적일 뿐이라는 점은 매우 놀랍다.
그러나, 도 4b의 공동들을 완전히 채우기 위해, 단계 b)를 다시, 가능한 한 많은 회수로, 수행하는 것이 가능하다.
이와 관련하여, 도 5a 및 5b는, 각각 도 4a 및 4b의 공동들과 유사한 절차를 거치되, 충전 액체(15)를 도포하는 단계 b)가 2회 수행된 공동들을 보여준다.
따라서, 플라즈마 처리에 노출되지 않은 도 5a의 공동들은 충전 액체(15)에 대해 여전히 반발 효과를 가하는 반면, 도 5b의 공동들의 완전한 충전이 관찰될 수 있다.
유리한 방식으로, 용매 증발 시퀀스(이 경우 PGMEA)가 각각의 도포 시퀀스 후에 수행될 수 있다.
충전 액체(15)의 증발 시퀀스는 용매를 증발시키기 위한 열처리 단계를 포함할 수 있다.
유리한 방식으로, 충전 매트릭스는, 본 발명에 따른 충전 방법 이후, 특히 열처리 단계 동안, 고화되어, 그것의 체적 내에 활성 적재물을 포획하도록 적합화(adapted)될 수 있다.
특히 유리한 방식으로, 용매 중의 충전 액체(15)의 희석은, 단일 도포 단계 b)가 수행된 후에, 제1 공동(11)의 충전이 완료되거나 또는 실질적으로 완료되도록 적합화될 수 있다.
이와 관련하여, 도 6a 및 6b는 각각 제2 공동들 및 제1 공동들의 충전을 도시한다.
특히, 내부 표면들이 패시베이션 층(14), 특히 소수성 말단을 포함하는 실록산 층으로 코팅된 도 6a 및 6b의 공동들은 차별화된 표면 처리를 거쳤다.
특히, 제1 공동들의 내부 표면들은 수은 램프로부터의 자외선에 노출되었지만, 제2 공동들은 처리되지 않았다.
단일 단계 b)에서 도포된 충전 액체(15)는, 양자점이 적재된 PGMEA/PMMA(폴리(메틸 메타크릴레이트))의 60% 희석 용액을 포함하고, 이는 제2 공동들을 비워둔 채 제1 공동들을 완전히 충전하는 것을 가능하게 한다.
달리 표현하면, 충전 액체(15)의 희석 감소는 제1 공동들의 거의 완전하거나 또는 완전한 충전을 얻는 것을 가능하게 한다.
본 발명자들은 또한, 충전 액체(15)로, 매우 작은 크기의 공동들, 특히 1 ㎛의 개구부를 갖는 공동들을, 선택적(selective) 방식으로, 충전하는 것이 가능하다는 것을 실증하였다.
이와 관련하여, 도 7a 및 7b는, 본 발명에 따른 충전 방법이 실행되는, 각각 10 마이크로미터 및 1 마이크로미터의 2개의 공동들을 보여준다.
특히, 패시베이션 층(14)으로 각각 코팅된 도 7a 및 7b의 공동들은 차별화된 표면 처리를 거쳤다.
특히, 도 7b의 공동들의 내부 표면들은 수은 램프로부터의 UV 복사선에 노출된 반면, 도 7a의 공동들은 어떠한 처리도 거치지 않았다.
양자점이 적재된 PGMEA/PMMA(폴리(메틸 메타크릴레이트)) 용액으로 만들어진 충전 액체를 도포하는 단계 b)는, 도 7b의 공동들을 적어도 부분적으로 충전하는 것을 가능하게 하지만, 도 7a의 공동들 내로는 상기 충전 액체가 침투하지 않는 것으로 보인다.
따라서, 도 7a 및 7b의 이미지들은, 본 발명에 따른 방법이 매우 작은 크기의 공동들, 특히 1 마이크로미터 내지 10 마이크로미터의 크기의 공동들을 선택적으로(selectively) 충전할 수 있다는 것을 보여준다.
본 발명에 따른 방법은, 일 군의 공동들(10) 중 복수의 공동들, 특히 모든 공동들을, 상이한 충전 액체(15)로, 순차적으로 충전하도록 수행될 수 있다.
도 9a 내지 9d는, 지지체(20) 상에 형성된 일 군의 4개의 공동들(111a, 111b, 111c, 111d) 중 3개의 공동들(111a, 111b, 111c)을 순차적으로 충전하기 위한 충전 방법의 실행을 도시한다.
도 9a는 공동들(111a, 111b, 111c, 111d) 중 공동(111a)의, 제1 충전 액체에 의한, 선택적(selective) 충전을 도시한다.
도 9b는, 공동들(111b, 111c, 111d) 중 공동(111b)의, 제1 충전 액체(15)와 다른 제2 충전 액체에 의한, 선택적(selective) 충전을 도시한다.
도 9c는, 공동들(111c, 111d) 중 공동(111c)의, 제2 충전 액체(15)와 다른 제3 충전 액체에 의한, 선택적(selective) 충전을 도시한다.
공동(111d)은 비어 있거나, 또는 충전 액체로 충전될 수 있다.
일 군의 공동들(10) 중 공동들의 순차적 충전은 유리하게는 컬러 디스플레이 장치의 제조를 위해 실행될 수 있다.
이 경우, 앞에서 설명된 바와 같은 일 군의 공동들(10)은 컬러 픽셀을 형성하고, 각각의 공동에는 그 바닥에 배열된 적어도 하나의 발광 다이오드가 제공된다. 발광 다이오드는 특히 하나 이상의 나노와이어, 마이크로와이어, 또는 피라미드를 포함할 수 있다.
더욱 특히, 본 발명은 지지 기재(20)의 전면(21) 상에 배열된 복수의 픽셀들, 특히 동일한 픽셀들을 사용할 수 있다.
픽셀들은 유리하게 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.
"매트릭스 형태"는 N 개의 행과 M 개의 열을 갖는 메쉬(mesh)로 정의된다.
각각의 픽셀은 청색 복사선을 방출하기 위한 공동(111a), 적색 복사선을 방출하기 위한 공동(111b), 및 녹색 복사선을 방출하기 위한 공동(111c)을 포함한다.
공동(111d)도 본 충전 방법에 따라 충전될 수 있다. 예를 들어, 공동(111d)은 황색 또는 백색, 또는 심지어 청색 또는 녹색 또는 적색 복사선을 방출하도록 의도될 수 있다.
본 충전 방법은, 초기에(도 9a), 그리고 선택적으로(selectively), 모든 공동들(111a)을, 제1 액체라고 지칭되는 충전 액체(15)로 충전하는 데 사용될 수 있다. 제1 액체는, 제1 파장이라고 지칭되는 주어진 파장의 복사선을 방출하기 위한 활성 적재물(광학적으로 활성임)을 포함할 수 있다.
그 다음(도 9b), 본 충전 방법은, 선택적(selective) 방식으로, 모든 공동들(111b)을, 제2 액체라고 지칭되는 충전 액체(15)로 충전하는 데 사용될 수 있다. 제2 액체는, 제1 파장과 다른 제2 파장이라고 지칭되는 주어진 파장의 복사선을 방출하기 위한 활성 적재물(광학적으로 활성임)를 포함할 수 있다.
마지막으로, 본 충전 방법은, 선택적(selective) 방식으로, 모든 공동들(111c)을, 제3 액체라고 지칭되는 충전 액체(15)로 충전하기 위해, 세 번째로 사용될 수 있다(도 9c). 제3 액체는, 제1 파장 및 제2 파장과 다른 제3 파장이라고 지칭되는 주어진 파장의 복사선을 방출하기 위한 활성 적재물(광학적으로 활성임)를 포함할 수 있다. 특히 공동이, GaN으로 만들어지고 청색 복사선을 방출하도록 의도된 하나 이상의 발광 다이오드들을 포함하는 경우, 활성 적재물의 존재가 엄격하게 요구되지는 않는다.
제1 파장, 제2 파장, 및 제3 파장은, 예를 들어, 각각, 청색 복사선, 적색 복사선, 및 녹색 복사선에 대응할 수 있다.
본 발명에 따른 방법은, 생산 속도에 영향을 주지 않은 채, 선택적으로(selectively) 공동들을 충전하는 것을 가능하게 한다.
특히, 복수의 군들의 공동들 중 제1 공동들은, 상기 군들의 공동들 중 제2 공동들에 대해 선택적으로(selectively), 그리고 집단적으로, 충전될 수 있다.
공동들의 형상 및 크기는 본 발명에 따른 방법의 실행에서 제한되지 않는다. 특히, 공동들은, 본 발명에 따른 방법의 선택성(selectivity)을 변경하지 않은 채, 동일한 특성을 가질 수 있다.
마지막으로, 본 발명에 따른 방법은 또한, 작은 크기의 공동들, 특히 1 마이크로미터 정도의 공동들을 충전하는 것을 가능하게 한다.
참고문헌
[1] FR 3053530
[2] FR 3046021
[3] FR 3012676;
[4] Zhu et al., " Experiments and analysis on self-motion behaviors of liquid droplets on gradient surfaces ", Experimental Thermal and Fluid Science, 33, 947-954, (2009).

Claims (19)

  1. 적어도 일 군의 공동들(10) 중, 제1 공동(11)이라고 지칭되는, 공동(cavity)을, 충전 액체(15)로, 선택적으로(selectively) 충전하기 위한 충전(filling) 방법으로서, 상기 공동들(10) 중 각각의 공동은 기재의, 전면(21)이라고 지칭되는, 면(face) 상으로 개방되고, 상기 공동들(10) 중 각각의 공동은 내부 표면을 포함하며, 상기 충전 방법은:
    a) 상기 제1 공동(11)의, 제1 표면(121)이라고 지칭되는, 내부 표면의 표면 에너지를, 또는 상기 제1 공동(cavity)(11) 이외의, 제2 공동들이라고 지칭되는, 공동들의, 제2 표면들(122)이라고 지칭되는, 내부 표면들의 표면 에너지를 변경시켜, 상기 제1 표면(121)이 제1 표면 에너지를 갖고 상기 제2 표면들(122)이 상기 제1 표면 에너지와 다른 제2 표면 에너지를 갖도록 하는 처리 단계; 및
    b) 상기 전면(21) 상에 상기 충전 액체(15)를 도포(spreading)하는 적어도 하나의 시퀀스를 포함하는 단계;를 포함하고,
    상기 제1 표면 에너지 및 상기 제2 표면 에너지를 조정하되, 상기 제1 표면(121) 및 상기 제2 표면들(122)이 상기 충전 액체(15)에 각각 흡인 효과(attracting effect) 및 반발 효과(repelling effect)를 가하여, 단계 b)가, 상기 충전 액체(15)에 의한, 상기 제2 공동들 대비 상기 제1 공동(11)의 선택적(selective) 충전을 발생시키도록, 상기 제1 표면 에너지 및 상기 제2 표면 에너지를 조정하는,
    충전 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 단계 a)의 상기 처리 단계는, 상기 제1 표면에 대해 또는 상기 제2 표면들에 대해 선택적으로(selectively) 수행되는, 플라즈마 처리 또는 자외선 처리를 포함하는, 충전 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 단계 a)는, 상기 제2 표면들의 마스킹에 의해 또는 상기 제1 표면의 마스킹에 의해, 상기 제1 표면에 대해 또는 상기 제2 표면들에 대해, 각각, 선택적으로(selectively) 수행되는, 충전 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 a)에 앞서, 상기 제1 표면(121) 및 상기 제2 표면들(122)을 피복함으로써, 패시베이션 층(14)이라고 지칭되는 층을 형성하는 단계 a1)이 수행되고, 상기 패시베이션 층(14)은, 단계 a)의 처리의 효과에 의해 그것의 표면 에너지를 변경하도록 구성된, 활물질이라고 지칭되는, 재료로 만들어지는, 충전 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 패시베이션 층은, 실록산 화합물, 플루오로실란, 불소 폴리머, 옥타데실트리에톡시실란, 프로필트리메톡시실란, 프로필트리에톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 옥틸트리메톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 도데실트리에톡시실란, 디메톡시-메틸(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 트리클로로(옥타데실)실란, 트리클로로(3,3,3-트리플루오로프로필)실란, 및 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실트리메톡시실란으로부터 선택된 재료들 중 적어도 하나의 재료를 포함하는, 충전 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 패시베이션 층(14)은 화학 기상 증착 방법에 따라 형성되고, 특히 플라즈마에 의해 활성화되는, 충전 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 충전 액체(15)를 도포하는 단계는 스크레이퍼(scraper) 또는 슬롯 다이(slot die)를 사용하는 것을 포함하는, 충전 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 충전 액체(15)는 용매, 충전 매트릭스, 및 활성 적재물(active charge)로 지칭되는 적재물(charge)을 포함하는 혼합물인, 충전 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 단계 b)는 복수의, 유리하게는 2회의, 충전 액체(15) 도포 시퀀스들을 포함하고, 상기 도포 시퀀스들 중 각각의 도포 시퀀스 후에 상기 용매의 증발 시퀀스가 수행되는, 충전 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 충전 액체(15)의 증발 시퀀스는 상기 용매를 증발시키도록 의도된 열처리 단계를 포함하는, 충전 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 충전 매트릭스는 또한, 상기 열처리 단계 동안 고화되어 상기 활성 적재물을 그것의 체적 내에 포획하도록 적합화되는(adapted), 충전 방법.
  12. 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용매는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트의 용액을 포함하는, 충전 방법.
  13. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 충전 매트릭스는 아크릴레이트 유형 투명 재료, 유리하게는 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 또는 실리콘 수지 또는 폴리머를 포함하는, 충전 방법.
  14. 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성 적재물은 변환 재료(conversion material), 특히 광변환 재료(optical conversion material)를 포함하는, 충전 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 광변환 재료는 양자점 또는 형광체(phosphors)를 포함하는, 충전 방법.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공동들 중 각각의 공동의 바닥이 작용화(functionalised)되는, 충전 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 공동들 중 각각의 공동의 바닥의 작용화는 발광다이오드의 사용을 포함하고, 유리하게는 상기 발광다이오드는 적어도 하나의 나노와이어, 또는 적어도 하나의 마이크로와이어, 또는 적어도 하나의 피라미드의 형태를 갖는, 충전 방법.
  18. 일 군의 공동들(111a, 111b, 111c, 111d)의 공동들을 상이한 충전 액체(15)로 충전하기 위한 제조 방법으로서, 상기 제조 방법은 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 따른 충전 방법에 따라 상기 일 군의 공동들 중의 공동들(111a, 111b, 111c, 111d)을 순차적으로 충전하는 것을 포함하는, 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 일 군의 공동들(111a, 111b, 111c, 111d)은 디스플레이 장치의 픽셀을 형성하고, 특히 상기 픽셀의 상기 공동들 각각은 상이한 색상을 방출하도록 의도되는, 제조 방법.
KR1020217019037A 2018-12-20 2019-11-29 복수의 공동들 중 일 군의 공동들을 충전 액체로 선택적으로 충전하기 위한 방법 Active KR102903040B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1873500A FR3091006B1 (fr) 2018-12-20 2018-12-20 Procede de remplissage selectif, par un liquide de remplissage, d’un groupe de cavites parmi une pluralite de cavites
FR1873500 2018-12-20
PCT/FR2019/052849 WO2020128182A1 (fr) 2018-12-20 2019-11-29 Procede de remplissage selectif, par un liquide de remplissage, d'un groupe de cavites parmi une pluralite de cavites

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210105902A true KR20210105902A (ko) 2021-08-27
KR102903040B1 KR102903040B1 (ko) 2025-12-19

Family

ID=66542417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217019037A Active KR102903040B1 (ko) 2018-12-20 2019-11-29 복수의 공동들 중 일 군의 공동들을 충전 액체로 선택적으로 충전하기 위한 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US12610657B2 (ko)
EP (1) EP3881362A1 (ko)
KR (1) KR102903040B1 (ko)
CN (1) CN113302752A (ko)
FR (1) FR3091006B1 (ko)
WO (1) WO2020128182A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3116014B1 (fr) 2020-11-10 2022-10-14 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE FABRICATION D’UNE PIECE EN ALLIAGE D’ALUMINIUM PAR FABRICATION ADDITIVE A PARTIR D’UN MELANGE DE POUDRES CONTENANT DES PARTICULES DE ZrSi2

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000347601A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Toshiba Electronic Engineering Corp 発光装置
US20140131748A1 (en) * 2012-11-14 2014-05-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package and method of manufacturing the same
KR20150015139A (ko) * 2013-07-31 2015-02-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조방법
KR20160002615A (ko) * 2015-12-14 2016-01-08 성균관대학교산학협력단 내마모성, 소수성 및 소유성을 갖는 코팅막의 제조 방법, 및 이에 따라 제조되는 코팅막
KR20160100983A (ko) * 2013-12-19 2016-08-24 알레디아 광 추출효율이 향상된 발광 다이오드를 구비하는 광전자 디바이스

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4269748B2 (ja) * 2003-04-01 2009-05-27 セイコーエプソン株式会社 表示装置の製造方法
GB2430547A (en) * 2005-09-20 2007-03-28 Seiko Epson Corp A method of producing a substrate having areas of different hydrophilicity and/or oleophilicity on the same surface
KR100904588B1 (ko) * 2007-07-05 2009-06-25 삼성전자주식회사 코어/쉘 형태의 나노와이어를 제조하는 방법, 그에 의해제조된 나노와이어 및 이를 포함하는 나노와이어 소자
JP5417732B2 (ja) * 2008-03-31 2014-02-19 住友化学株式会社 親液撥液パターンの形成方法および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR101077424B1 (ko) * 2010-07-23 2011-10-26 삼성전기주식회사 터치패널 및 그 제조방법
WO2012165269A1 (ja) * 2011-05-31 2012-12-06 シャープ株式会社 カラーフィルタ基板の製造方法、表示装置の製造方法、カラーフィルタ基板、及び、表示装置
KR101335921B1 (ko) * 2011-10-06 2013-12-03 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법
FR3012676A1 (fr) 2013-10-25 2015-05-01 Commissariat Energie Atomique Diode electroluminescente a puits quantiques separes par des couches barrieres d'ingan a compositions d'indium variables
CN104538351B (zh) * 2014-12-31 2018-06-08 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置
CN104733505B (zh) * 2015-03-19 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 发光显示器的像素界定层及其制作方法
KR102360957B1 (ko) * 2015-03-27 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
CN104752490B (zh) * 2015-04-16 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置
CN104932136B (zh) * 2015-07-01 2018-01-26 合肥鑫晟光电科技有限公司 彩膜基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN105204104B (zh) * 2015-10-30 2018-05-25 京东方科技集团股份有限公司 滤光片及其制作方法、显示基板及显示装置
FR3046021B1 (fr) 2015-12-17 2017-12-22 Commissariat Energie Atomique Dispositif composite d'absorption thermique et methode d'obtention
CN105609535B (zh) * 2016-01-15 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置及其制作方法
FR3053530B1 (fr) 2016-06-30 2018-07-27 Aledia Dispositif optoelectronique a pixels a contraste et luminance ameliores
KR102291493B1 (ko) * 2016-08-11 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치
CN108630728B (zh) * 2017-03-24 2020-07-28 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层、有机电致发光器件及其制备方法和显示装置
CN107123752A (zh) * 2017-05-11 2017-09-01 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示装置
US20180341055A1 (en) * 2017-05-23 2018-11-29 Intematix Corporation Color Liquid Crystal Displays and Display Backlights
JP2019023579A (ja) * 2017-07-24 2019-02-14 コニカミノルタ株式会社 シンチレータ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000347601A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Toshiba Electronic Engineering Corp 発光装置
US20140131748A1 (en) * 2012-11-14 2014-05-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package and method of manufacturing the same
KR20140061792A (ko) * 2012-11-14 2014-05-22 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR20150015139A (ko) * 2013-07-31 2015-02-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조방법
KR20160100983A (ko) * 2013-12-19 2016-08-24 알레디아 광 추출효율이 향상된 발광 다이오드를 구비하는 광전자 디바이스
KR20160002615A (ko) * 2015-12-14 2016-01-08 성균관대학교산학협력단 내마모성, 소수성 및 소유성을 갖는 코팅막의 제조 방법, 및 이에 따라 제조되는 코팅막

Also Published As

Publication number Publication date
FR3091006A1 (fr) 2020-06-26
KR102903040B1 (ko) 2025-12-19
US20220029048A1 (en) 2022-01-27
WO2020128182A1 (fr) 2020-06-25
US12610657B2 (en) 2026-04-21
FR3091006B1 (fr) 2021-01-15
CN113302752A (zh) 2021-08-24
EP3881362A1 (fr) 2021-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI739412B (zh) 色彩轉換層之原位固化
KR102488929B1 (ko) 포토레지스트의 광발광 패드들을 포함하는 광전자 디바이스를 제조하기 위한 프로세스
TWI874397B (zh) 發光元件的顏色轉換層
US8222061B2 (en) Mist fabrication of quantum dot devices
US7888857B2 (en) Light emitting device with three-dimensional structure and fabrication method thereof
TW202109856A (zh) 凹槽中的色彩轉換層的原位固化
KR20140144227A (ko) 색 변환이 필요 없는 백색 나노 엘이디
CN106024834A (zh) Oled显示面板、显示装置及oled显示面板的制作方法
KR102903040B1 (ko) 복수의 공동들 중 일 군의 공동들을 충전 액체로 선택적으로 충전하기 위한 방법
TWI832941B (zh) 包含光致發光塊陣列之光電元件及其製造方法
KR102474391B1 (ko) 표면 제어 영역에 양자점이 포함된 구조체를 형성하는 방법 및 양자점이 포함된 구조체가 형성된 표면 제어 기재 그리고 이를 이용한 광전소자
CN112470280B (zh) 发光器件、相关的显示屏以及制造发光器件的方法
KR20090125197A (ko) 발광 다이오드칩의 제조 방법 및 발광 다이오드칩
US12310222B2 (en) Method of printing multi-nanoparticles with uniform surface using evaporation dynamics and surface energy control
KR102600628B1 (ko) 금속 나노체 또는 양자점이 포함된 비대칭도 조절이 가능한 표면 제어 구조체 형성방법 및 이에 의해 형성된 표면 제어 구조체 그리고 이를 이용한 광전소자
TW202429705A (zh) 像素隔離結構及其製造方法
US20180047873A1 (en) Radiation Body and Method for Producing a Radiation Body
KR20110129272A (ko) 반도체 발광소자의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601

R18 Changes to party contact information recorded

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-3-3-R10-R18-OTH-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

E12 Pre-grant re-examination requested

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-3-E10-E12-REX-PX0901 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

E13 Pre-grant limitation requested

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-3-E10-E13-LIM-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11 Amendment of application requested

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-2-P10-P11-NAP-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13 Application amended

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-2-P10-P13-NAP-X000 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PX0901 Re-examination

St.27 status event code: A-2-3-E10-E12-rex-PX0901

F13 Ip right granted in full following pre-grant review

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-3-4-F10-F13-REX-PX0701 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

PX0701 Decision of registration after re-examination

St.27 status event code: A-3-4-F10-F13-rex-PX0701

F11 Ip right granted following substantive examination

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-4-F10-F11-EXM-PR0701 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

U12 Designation fee paid

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-2-2-U10-U12-OTH-PR1002 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

Year of fee payment: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

Q13 Ip right document published

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-Q10-Q13-NAP-PG1601 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)