KR20220125099A - 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치 및 방법 - Google Patents

기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

기생 인덕턴스를 이용한 스위칭 전류 측정방식에서 온도에 민감하며 전류측정 오차를 발생시키는 기생 저항(DCR) 성분을 보상 또는 제거하여 전류 측정 정밀도를 높이고자 하는 발명이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 파워모듈의 스위칭 전류를 검출하기 위하여 전류의 미분 성분으로부터 도출된 전압을 출력하는 전류검출부에 연결되는 필터; 상기 필터에서 출력된 전압을 적분하는 적분기; 상기 적분기의 아날로그 출력전압을 디지털 전압으로 변환하여 샘플링하는 ADC; 상기 ADC에서 출력되는 샘플링된 적분기 출력값을 전류값으로 환산하는 스케일러; 및 상기 스케일링된 전류에서 온도 종속 DCR 효과를 제거하는 보상기를 포함하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치가 제공된다.

Description

기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치 및 방법 {Apparatus for reducing temperature effects in stray inductance based switching current measurement}
본 발명은 전력반도체 파워모듈에서의 스위칭 전류 측정에 관한 것으로, 구체적으로는, 기생 인덕턴스를 이용한 스위칭전류 측정시의 온도 영향을 감소하는 기술에 관한 것이다.
도 1을 참조하면, 3상 인버터 형태의 파워모듈(전력반도체)(10)의 각 상별 스위칭 전류를 측정하기 위해서 각 상의 파워모듈의 켈빈핀(Kelvin pin) K와 소스핀(source pin) S 사이에 전류검출부(20)가 연결되어, K-S 사이를 흐르는 스위칭 전류 i_sw의 미분 성분을 적분하여 전압
Figure pat00001
(여기서 L_s는 기생 인덕턴스(stray inductance))을 도출하여 스위칭 전류 i_sw를 측정하는 방법이 사용된다. 이 방법은 션트저항(shunt resistor)을 이용한 측정 방식 대비, 측정으로 인한 손실이 없다는 장점을 갖는다.
그러나 이러한 스위칭 전류 측정 방식에서는, 도 1에 나타낸 것과 같이 K와 S 사이의 기생 인덕턴스 L_s에 추가하여 기생 저항(또는 직류저항(DCR) 성분) R_s가 존재하는 문제점이 있다. 따라서 전류검출부(20)에서 출력되는 전압 v_didt는 사실은
Figure pat00002
가 된다. 따라서 이 기생 저항에 의한 전압강하 성분(R_s*i_sw)을 제거해야 한다. 더욱이, 이 기생 저항(R_s) 성분은 온도에 따라 증가 또는 감소하는 온도 종속성을 갖는다. 따라서 종래의 K-S 간 전압 측정에 의한 스위칭 전류 측정 방식의 측정 정밀도가 낮아진다.
본 발명은 상술한 기생 인덕턴스를 이용한 스위칭 전류 측정방식에서 온도에 민감하며 전류측정 오차를 발생시키는 기생 저항(DCR) 성분을 보상 또는 제거하여 전류 측정 정밀도를 높이고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 파워모듈의 스위칭 전류를 검출하기 위하여 전류의 미분 성분으로부터 도출된 전압을 출력하는 전류검출부에 연결되는 필터; 상기 필터에서 출력된 전압을 적분하는 적분기; 상기 적분기의 아날로그 출력전압을 디지털 전압으로 변환하여 샘플링하는 ADC; 상기 ADC에서 출력되는 샘플링된 적분기 출력값을 전류값으로 환산하는 스케일러; 및 상기 스케일링된 전류에서 온도 종속 DCR 효과를 제거하는 보상기를 포함하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치가 제공된다.
또한 상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 파워모듈의 스위칭 전류를 검출하기 위하여 전류의 미분 성분으로부터 도출된 전압을 출력하는 전류검출부에서 출력되는 전압을 필터링하고; 상기 필터링된 전압을 적분하고; 상기 적분된 아날로그 출력전압을 디지털 전압으로 변환하여 샘플링하고; 상기 샘플링된 적분기 출력값을 전류값으로 환산하고; 및 상기 스케일링된 전류값에서 온도 종속 DCR 효과를 제거하여 전류를 보상하는 것을 포함하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 방법이 제공된다.
이상에서 소개한 본 발명의 구성 및 작용은 이후에 도면과 함께 설명하는 구체적인 실시예를 통하여 더욱 명확해질 것이다.
본 발명에 따르면, 온도에 따라 변하는 DCR의 영향성을 최소화하여 전류 측정 정밀도를 높일 수 있다. 그리고 스위칭 전류 측정 센서에 소요되는 비용을 절감할 수 있다(현재 양산 적용중인 제품에는 Current Transducer 또는 Hall Effect 타입의 센서가 사용됨. 본 발명에 의하면 이와 같은 센서를 구성하기 위해 필요한 Magnetic Core를 사용하지 않아도 되기 때문에 비용이 절감됨). 또한 Magnetic Core를 사용하지 않기 때문에 전력모듈이 포함된 인버터 제품의 사이즈를 효과적으로 줄일 수 있다.
궁극적으로 본 발명에 의해 정확한 스위칭 전류 측정이 가능해져 암숏(Arm-short), 과전류(Overcurrent) 현상을 빠르고 정확하게 감지하여 전력반도체를 보호할 수 있다.
도 1은 파워모듈(전력반도체)(10)의 각 상별 스위칭 전류를 측정하기 위한 전류검출부(20)의 예시도.
도 2는 본 발명에 따른 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치의 구성도.
도 3a와 도 3b는 도 2의 전류검출부(20), 필터(30), 적분기(40)의 회로 예시도로, 도 3a는 필터로 HPF를 사용한 실시형태, 도 3b는 필터로 LPF를 사용한 실시형태를 나타낸다.
도 4~도 7은 적분기(40)의 설명을 위한 것으로, 도 4는 HPF로 필터(30)를 구성한 경우의 실시형태, 도 5는 적분 모드와 리셋 모드의 동작을 설명하기 위한 파형도, 도 6은 LPF로 필터(30')를 구성한 경우의 실시형태, 도 7은 도 4에 나타낸 HPF 필터(30)의 다른 실시형태
도 8은 본 발명에 의해 기생저항 성분 보상이 이루어진 결과를 나타내는 시뮬레이션 결과도.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 한편, 본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
도 2는 본 발명에 따른 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치의 구성도이다.
본 발명의 장치는 파워모듈(10)의 스위칭 전류 i_sw가 흐르는 기생 인덕턴스 L_s 및 기생 저항 R_s가 존재하는 켈빈핀-소스핀 간에 흐르는 전류(i_sw)를 검출하기 위하여 전류의 미분 성분으로부터 도출된 전압 v_didt를 출력하는 전류검출부(20)에 병렬 연결되어 전압 v_didt를 필터링하는 필터(30);
상기 필터(30)에서 출력된 전압 v_f를 적분하는 적분기(40); 상기 적분기(40)의 아날로그 출력전압 v_intg를 디지털 전압으로 변환(analog-to-digital conversion)하여 샘플링하는 ADC(50);
ADC(50)에서 출력되는 샘플링된 적분기 출력값 v_intg_samp를 전류값 i_sw_samp로 환산하는 스케일러(60);
스케일링된 전류 isw_samp에서 온도 종속 DCR 효과(temperature dependent DCR effect)를 제거하는 보상기(70)를 포함한다.
도 2의 각 구성요소를 구체적으로 설명한다.
도 3a와 도 3b는 도 2의 전류검출부(20), 필터(30), 적분기(40)의 회로 예시도로, 도 3a는 필터로 HPF를 사용한 실시형태, 도 3b는 필터로 LPF를 사용한 실시형태를 나타낸다.
도 3a에서 파워모듈(10)에 흐르는 스위칭 전류 i_sw는 캘빈핀-소스핀간 전압(Kalvin-to-source voltage) V_KS =
Figure pat00003
=
Figure pat00004
이다. 이
Figure pat00005
는 도 3a와 도 3b에서 V_stray로 표시되어 있다. 이 V_stray는 필터(30)를 거쳐서 적분기(40)로 입력된다. 필터(30)는 도면에서 보듯이 RC 필터로 구현될 수 있는데, 도 3a의 고역통과필터(HPF) 또는 도 3b의 저역통과필터(LPF)로 구현될 수 있다. 필터(30)의 파라미터는
Figure pat00006
로 세팅될 수 있다(여기서, Rf, Cf는 추후 설명함).
적분기(40)는 OPAMP를 이용하여 구현할 수 있다. 적분기(40)는 컨트롤러(e.g., 마이컴)로부터 PWM 스위칭신호를 받아 동작한다. 적분기 출력 v_intg와 스위칭 전류 i_sw의 관계는
Figure pat00007
이다(여기서, Ri와 Ci는 추후 설명함. s는 상수임).
한편, 리셋 회로가 적분기(40)에 포함될 수 있다. 또는, 이 리셋 회로는 적분기(40)에 포함되지 않고 별도의 회로로 구성될 수 있다. 어느 경우든, 리셋 회로가 필요한 이유는 적분기가 적분 동작을 할 때에 적분값이 누적되지 않도록 스위칭 주기마다 리셋을 수행하기 위한 것이다. 적분기(40)와 리셋 회로의 구체적인 설명은 추후에 한다.
스케일러(60)는 ADC(50)에서 출력된 v_intg_samp에 스케일링 상수
Figure pat00008
를 적용하여 샘플링된 스위칭 전류 i_sw_samp을 출력한다.
보상기(70)는 상기 샘플링된 스위칭 전류 i_sw_samp을 소프트웨어 알고리즘을 이용해 보상 처리를 수행하여 온도에 따라 변동되는 DCR(기생저항) 성분이 제거된 전류 i_s_hat을 출력한다.
적분기(40)에 대해 도 4~도 7을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 4는 HPF로 필터(30)를 구성한 경우의 실시형태이다. 전류검출부(20)의 소스핀에 필터 커패시터 Cf가 연결되고 전류검출부(20)의 켈빈핀에 필터 저항 Rf가 연결되며 Cf와 Rf가 직렬로 연결되는, RC 필터 기반의 HPF이다. 이 필터(30)의 출력전압 V_HPF는 적분기인 OP-AMP의 (-)입력단에 인가되는데, 적분기 저항 Ri를 통해서 연결된다. OP-AMP의 (+)입력단은 켈핀핀과 연결되어 접지된다. 그리고 OP-AMP의 (-)입력단과 출력단 사이에는 적분 커패시터 Ci가 연결된다.
앞에서 리셋 회로에 대해서 언급한 바 있다. 도 4에 리셋 회로가 도시되어 있다. Ci 양단을 도통시키는 Switch 1과 Cf 양단을 도통시키는 Switch 2가 연동하여 리셋 회로가 구성되어 있다. 이들 Switch 1과 Switch 2는 파워모듈(10)의 스위칭소자에 인가되는 PWM 스위칭 신호 S(=1 또는 =0)에 연동하여 동작한다. 예를 들어, 별도의 회로를 구성하여 PWM 스위칭 신호가 1 또는 0일 때에 Switch 1과 Switch 2를 오픈(open) 또는 쇼트(short-circuit)시키는 리셋신호(도 4에서, Vreset)를 발생시킬 수 있다.
즉, PWM 스위칭 신호 S=1이 스위칭소자에 인가됨에 의한 스위칭소자의 PWM ON Sequence 동안에, 리셋신호 Vreset=0이 Switch 1과 Switch 2를 오픈시켜서 OP-AMP는 적분기로 동작하여 전류를 측정한다. 반면에 PWM 스위칭 신호 S=0이 스위칭소자에 인가됨에 의한 스위칭소자의 PWM OFF Sequence에서는, 리셋신호 Vreset=1이 Switch 1 및 Switch 2를 각각 쇼트시켜서 Ci 및 Cf에 충전된 에너지(전압)가 방전되어 리셋되도록 한다.
도 5는 적분 모드와 리셋 모드의 동작을 설명하기 위한 A상 스위칭 전류(Ia_sw), 적분기 출력전압(V_intg*K_scale), S(PWM on/off 신호), RC 필터(30)의 커패시터 전압(Vcf)의 파형도이다.
도 6은 LPF로 필터(30')를 구성한 경우의 실시형태이다. 도 4의 경우와 달리 전류검출부(20)의 소스핀에 필터 저항 Rf가 연결되고 전류검출부(20)의 켈빈핀에 필터 커패시터 Cf가 연결되며 Cf와 Rf가 함께 연결되는, RC 필터 기반 LPF이다. 이 필터(30')의 출력전압 V_LPF는 적분기인 OP-AMP의 (+)입력단에 인가된다. OP-AMP의 (-)입력단은 적분기 저항 Ri를 통해서 소스핀과 연결된다. 그리고 OP-AMP의 (-)입력단과 출력단 사이에는 적분 커패시터 Ci가 연결된다. 또한 리셋 회로는 도 4의 경우와 유사하게, Ci 양단을 도통시키는 Switch 1과 Cf 양단을 도통시키는 Switch 2가 연동하여 리셋 회로를 구성한다. 이들 Switch 1과 Switch 2는 위에서 설명한 것처럼 PWM 스위칭 신호 S(=1 또는 =0)에 연동하여 동작한다. 리셋 동작은 도 4의 경우와 동일하다.
또한, 도 7은 도 4에 나타낸 HPF 필터(30)의 다른 실시형태이다. 리셋 회로로서, Ci 양단을 도통시키는 Switch 1만 있고 Cf 양단을 도통시키는 Switch 2가 생략되어 있다. Switch 1을 이용하여 PWM OFF sequence 동안 적분기 커패시터 Ci를 Reset하고, PWM OFF sequence 동안에는 Switch 2와 Cf를 연결하는 통로(42)를 통하여 HPF의 커패시터 Cf를 Reset한다. 따라서 별도의 Switch 2를 사용하지 않는다.
다음, 보상기(70)에 대해 상세하게 설명한다.
보상기(70)는 3상 인버터 회로(RL 회로) 및 RC필터의 응답특성을 이용한 보상 알고리즘으로 구현된다. 파워모듈에 온도센서(NTC)가 있기 때문에, 보상기(70)는 이 온도센서를 이용하여 Stray Resistance 값의 변화량을 계산할 수 있다.
보상기(70)는 아래의 수식을 이용해서 전류값 i_sw에서(정확하게는 도 2에 나타낸 i_sw_samp)에서 DCR 성분을 제거하여 전류값 i_s_hat을 출력한다. 이 전류값 i_s_hat이 기생저항 성분이 제거된 스위칭 전류 측정값이다.
Figure pat00009
위 식에서, 인버터 RL회로(즉, 파워모듈의 K-S 간에 존재하는 기생 인덕턴스 및 저항)를 흐르는 전류 변화량(current variation)은 아래 식과 같이 계산될 수 있다.
Figure pat00010
또한, 위 식에서 Rs 오차(변화량) 성분 및 인버터 RL회로의 전류 변화량의 복합 작용 성분(filtered current variation)은 아래 식과 같이 계산될 수 있다.
Figure pat00011
또한 위 식에서, Rs 오차(변화량) 성분을 보상하기 위한 파라미터(parameter for compensation)는 아래 식과 같이 계산될 수 있다.
Figure pat00012
위의 식들에서
Figure pat00013
(D는 Duty cycle로, 0~1 사이의 값)이다. 그리고 Rs, Ls: Stray Resistance and Stray Inductance, Rf, Cf: RC filter parameters(HPF or LPF), Rm, Lm: RL circuit parameters(3-phase inverter), Rs,25: Original Rs Value at 25℃, ΔRs: Error or Variation of Rs이다.
도 8은 본 발명에 의해 기생저항 성분의 보상이 이루어진 결과를 나타내는 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 보상기(70)의 보상 전과 후의 결과를 대비해서 표시하고 있다.
시뮬레이션 조건은 다음과 같다.
- Stray Resistance, Rs = 1.5*Rs,25 (@ 파워모듈 온도 Tc=125℃)
- 필터 적용시: 센싱 오차 22.5% (45A)
- 필터 및 보상 알고리즘 적용시: 센싱 오차 2% (4A)
도 8에 표시된 변수 및 파라미터의 의미는 다음과 같다.
Ias, Ibs, Ics: A상, B상, C상 전류(A-/B-/C-phase current) [A]
Ias_hat: A상의 샘플링된 스위칭 전류(Sampled switching current of A-phase) [A]
Ias_hat_f1: 보상된 전류(Compensated current) [A]
Ia_sw: A상의 스위칭 전류(Switching current of A-phase) [A]
Ia_sw_meas: 적분기 출력*[Ri*Ci/Ls](Output of the integrator multiplied by Ri*Ci/Ls) [A]
Ias_samp: 샘플링된 A상 전류(Sampled A-phase current) [A]
Delta_IL: 전류 변화량(Current Variation)
Figure pat00014
Delta_IL_filt: 필터링된 전류 변화량(Filtered Current Variation)
Figure pat00015
Krs: 보상 파라미터(Parameter for compensation)
d_calc: 듀티비(Duty ratio)
이상에서 본 발명의 구성에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하였으나, 이는 예시에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에 통상의 지식을 가진자라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 변형과 변경이 가능함은 물론이다. 따라서 본 발명의 보호 범위는 전술한 실시예에 국한되어서는 아니되며 이하의 특허청구범위의 기재에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (18)

  1. 파워모듈의 스위칭 전류를 검출하기 위하여 전류의 미분 성분으로부터 도출된 전압을 출력하는 전류검출부에 연결되는 필터;
    상기 필터에서 출력된 전압을 적분하는 적분기;
    상기 적분기의 아날로그 출력전압을 디지털 전압으로 변환하여 샘플링하는 ADC;
    상기 ADC에서 출력되는 샘플링된 적분기 출력값을 전류값으로 환산하는 스케일러; 및
    상기 스케일링된 전류에서 온도 종속 DCR 효과를 제거하는 보상기를 포함하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 필터는 HPF인 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 필터는 LPF인 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 적분기는 OPAMP를 포함하여 컨트롤러로부터 PWM 스위칭신호를 받아 동작하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 적분기가 적분 동작을 할 때에 적분값이 누적되지 않도록 리셋을 수행하는 리셋 회로를 추가로 포함하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 보상기는 상기 샘플러에서 샘플링된 전류를 소프트웨어 알고리즘을 이용해 보상 처리를 수행하여 기생저항 성분이 제거된 전류를 출력하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 PWM ON Sequence 동안에 상기 적분기가 적분 동작을 수행하고 PWM OFF Sequence 동안에 상기 리셋 회로가 리셋 동작을 수행하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 리셋 회로는 PWM 스위칭 신호에 연동하여 개폐되는 적어도 하나 이상의 스위치에 의해 리셋 동작을 수행하도록 구성되는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 보상기는 상기 스위칭 전류에서 기생저항 성분을 제거하기 위하여, 기생 인덕턴스 및 저항에 흐르는 전류 변화량, Rs 오차 성분 및 인버터 RL회로의 전류 변화량의 복합 작용 성분, Rs 오차 성분을 보상하기 위한 파라미터를 이용하는 소프트웨어 알고리즘을 포함하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 장치.
  10. 파워모듈의 스위칭 전류를 검출하기 위하여 전류의 미분 성분으로부터 도출된 전압을 출력하는 전류검출부에서 출력되는 전압을 필터링하고;
    상기 필터링된 전압을 적분하고;
    상기 적분된 아날로그 출력전압을 디지털 전압으로 변환하여 샘플링하고;
    상기 샘플링된 적분기 출력값을 전류값으로 환산하고; 및
    상기 스케일링된 전류값에서 온도 종속 DCR 효과를 제거하여 전류를 보상하는 것을 포함하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 필터링은 고역 통과 필터링인 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 필터링은 저역 통과 필터링인 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 적분 단계는, 수신된 PWM 스위칭신호를 받아 동작하는 OPAMP를 이용하여 적분을 수행하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 적분 동작을 할 때에 적분값이 누적되지 않도록 리셋을 수행하는 단계를 추가로 포함하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 보상 단계는 상기 샘플링된 전류를 소프트웨어 알고리즘을 이용해 보상 처리를 수행하여 기생저항 성분이 제거된 전류를 출력하는 것을 포함하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 방법.
  16. 제14항에 있어서, PWM ON Sequence 동안에 상기 적분 단계가 수행되고, PWM OFF Sequence 동안에 상기 리셋 단계가 실행되는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 리셋 단계는 PWM 스위칭 신호에 연동하여 개폐되는 적어도 하나 이상의 스위치에 의해 리셋 동작을 수행하는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 방법.
  18. 제10항에 있어서, 상기 보상 단계는 상기 스위칭 전류에서 기생저항 성분을 제거하기 위하여, 기생 인덕턴스 및 저항에 흐르는 전류 변화량, Rs 오차 성분 및 인버터 RL회로의 전류 변화량의 복합 작용 성분, Rs 오차 성분을 보상하기 위한 파라미터를 이용하는 소프트웨어 알고리즘에 의해 수행되는 기생 인덕턴스 기반 스위칭전류 측정에서의 온도 영향 저감 방법.
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