KR20220132015A - 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기 및 제조 프로세스 - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 출원의 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 단면도를 도시하고;
도 2는 본 출원의 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 평면도를 도시하며;
도 3은 본 출원의 다른 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 단면도를 도시하고;
도 4는 본 출원의 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스의 흐름도를 도시하며;
도 5a 내지 도 5j는 본 출원의 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스의 각각의 단계들의 개략적인 구조도들을 도시하고;
도 6은 본 출원의 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스의 단계들 중 S5 및 S6의 흐름도를 도시하며;
도 7a 및 도 7b는 본 출원의 다른 실시예에 따른 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스의 각각의 단계들의 개략적인 구조도들을 도시한다.
Claims (23)
- 방열(heat dissipation) 구조를 갖는 벌크 음향 공진기(bulk acoustic resonator)로서,
기판, 금속 방열층 - 상기 금속 방열층은 상기 기판 상에 형성되고 상기 금속 방열층의 표면 상에 절연층이 제공됨 -, 및 상기 절연층 상에 형성된 공진 기능층(resonance function layer)을 포함하고, 상기 금속 방열층 및 상기 절연층은 상기 기판 상의 공동(cavity)을 규정하고, 상기 공진 기능층에서 하부 전극층이 상기 공동을 덮는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기. - 제1항에 있어서,
상기 하부 전극층의 에지(edge)는 상기 공동의 측면(side) 상에 형성된 상기 절연층 상에 놓이는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기. - 제1항에 있어서,
상기 공진 기능층은 상기 하부 전극층 상에 순차적으로 적층된(stacked) 압전층(piezoelectric layer) 및 상부 전극층을 더 포함하는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기. - 제3항에 있어서,
상기 상부 전극층은 상기 공진 기능층의 유효(effective) 공진 영역으로부터 주변 공진기로 연장되는 연결부를 포함하고, 상기 금속 방열층은 상기 연결부 아래에 완전히 분포되지는 않는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기. - 제4항에 있어서,
상기 연결부와 상기 압전층 아래의 갭(gap)에 희생(sacrificial) 재료층이 배열되고, 상기 희생 재료층의 상위 표면은 상기 절연층의 상위 표면과 동일한 높이이고, 상기 압전층은 상기 희생 재료층, 상기 절연층 및 상기 하부 전극층의 상위 표면에 배치되는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기. - 제4항에 있어서,
상기 유효 공진 영역 및 상기 연결부 너머의, 상기 압전층의 부분에는 금속 기둥(pillar)이 제공되고, 상기 금속 기둥은 상기 압전층 및 상기 절연층을 통해 연장되며, 상기 금속 방열층으로 연장되는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 벌크 음향 공진기는 상기 기판 상에 배치된 접착층(adhesive layer)을 더 포함하는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기. - 제7항에 있어서,
상기 접착층 상에 금속 차폐층(shielding layer)이 제공되는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 방열층은 Ag, Cu, Au, Al, Mo, W, Zn, Ni, Fe 및 Sn 중 하나 이상으로 구성된 복합 다층(composite multilayer) 금속층 재료로 이루어진, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연층의 재료는 AlN, Si 및 SiN 중 하나 이상을 포함하는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기. - 제6항에 있어서,
상기 금속 기둥의 재료는 Ag, Cu, Au, Al, Mo, W, Zn, Ni, Fe 또는 Sn을 포함하는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기. - 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스로서,
기판 상에 금속 방열층을 형성하고, 제1 공동을 형성하기 위해 상기 금속 방열층을 에칭(etching)하는 단계(S1);
상기 기판 및 상기 금속 방열층 상에 절연층을 형성하는 단계(S2) - 상기 절연층에 의해 상기 제1 공동을 기반으로 제2 공동이 형성됨 -;
희생 재료로 상기 제2 공동을 충진하는 단계(S3); 및
상기 희생 재료 및 상기 절연층 상에 순차적으로 공진 기능층을 형성하는 단계(S4) - 상기 제2 공동은 상기 공진 기능층의 하부 전극층에 의해 덮임 -
를 포함하는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스. - 제12항에 있어서,
단계(S1)는: 스퍼터링(sputtering), 포토리소그래피(photolithography) 및 에칭, 또는 증착 및 스폴링(spalling), 또는 전기도금(electroplating)에 의해 상기 기판 상에 상기 제1 공동을 갖는 상기 금속 방열층을 형성하는 단계를 포함하는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스. - 제12항에 있어서,
상기 공진 기능층은 순차적으로 적층된 하부 전극층, 압전층 및 상부 전극층을 포함하고, 상기 상부 전극층은 유효 공진 영역으로부터 주변 공진기까지 연장되는 연결부를 포함하고, 상기 금속 방열층은 상기 연결부 아래에 완전히 분포되지는 않는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기. - 제14항에 있어서,
단계(S3)는: 상기 연결부 및 상기 압전층 아래의 갭을 희생 재료로 충진하고, 상기 희생 재료 및 상기 절연층의 상위 표면을 평탄하게 유지하기 위해 화학적 기계적 연마(polishing)를 수행하는 단계를 더 포함하는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스. - 제12항에 있어서,
상기 하부 전극층의 에지는 상기 제2 공동의 측면 상에 형성된 상기 절연층 상에 놓이는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스. - 제14항에 있어서,
상기 공진 기능층의 상기 연결부 및 상기 유효 공진 영역 너머의 상기 압전층의 부분 상에 상기 압전층 및 상기 절연층을 관통하여 상기 금속 방열층에 도달하는 홀(hole)을 형성하는 단계(S5); 및
상기 홀에 금속 기둥을 형성하는 단계(S6)를 더 포함하는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스. - 제17항에 있어서,
단계(S6) 이후에 다음 단계: 상기 제2 공동에서 상기 희생 재료를 제거하는 단계가 더 포함되는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스. - 제12항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
단계(S1) 이전에 다음 단계: 상기 기판 상에 접착층을 형성하는 단계가 더 포함되는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스. - 제19항에 있어서,
단계(S1) 이전에 다음 단계: 상기 접착층 상에 금속 차폐층을 형성하는 단계가 더 포함되는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스. - 제12항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 방열층은 Ag, Cu, Au, Al, Mo, W, Zn, Ni, Fe 및 Sn 중 하나 이상으로 구성된 복합 다층 금속층 재료로 이루어진, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스. - 제12항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절연층의 재료는 AlN, Si 및 SiN 중 하나 이상을 포함하는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스. - 제17항에 있어서,
상기 금속 기둥의 재료는 Ag, Cu, Au, Al, Mo, W, Zn, Ni, Fe 또는 Sn을 포함하는, 방열 구조를 갖는 벌크 음향 공진기의 제조 프로세스.
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Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111342792B (zh) * | 2020-02-19 | 2021-05-25 | 见闻录(浙江)半导体有限公司 | 一种具有电磁屏蔽结构的固态装配谐振器及制作工艺 |
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| CN114257195B (zh) * | 2020-09-21 | 2025-03-11 | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 | 一种薄膜体声波谐振器的制造方法 |
| CN115244852B (zh) * | 2021-02-22 | 2026-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 压电元件、压电振动器及其制作和驱动方法、电子设备 |
| CN113810009B (zh) * | 2021-09-22 | 2023-03-24 | 武汉敏声新技术有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制备方法、薄膜体声波滤波器 |
| CN114301414B (zh) * | 2021-12-30 | 2025-09-26 | 苏州汉天下电子有限公司 | 体声波谐振器及其制造方法、以及电子器件 |
| CN117040479B (zh) * | 2022-12-14 | 2024-03-01 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 一种声波滤波器、通信设备和电子设备 |
| WO2025047333A1 (ja) * | 2023-08-25 | 2025-03-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| CN118041285B (zh) * | 2024-03-06 | 2024-12-03 | 武汉敏声新技术有限公司 | 一种体声波谐振器及其制备方法 |
| WO2025216821A1 (en) * | 2024-04-08 | 2025-10-16 | Qorvo Us, Inc. | Systems and methods for heat dissipation in acoustic resonators |
| CN119276239B (zh) * | 2024-12-10 | 2025-04-04 | 象朵创芯微电子(苏州)有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器芯片结构以及制造方法 |
| CN121461926B (zh) * | 2025-12-25 | 2026-04-28 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | 滤波器及其形成方法、以及电子设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281846A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Sony Corp | 共振器、共振器の製造方法および通信装置 |
| KR20140010102A (ko) * | 2011-04-01 | 2014-01-23 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법과 휴대 전화기 |
| KR20190038435A (ko) * | 2017-09-29 | 2019-04-08 | 코르보 유에스, 인크. | 내부 정전기 차폐 기능을 구비한 baw 필터 구조 |
| CN209710062U (zh) * | 2019-04-10 | 2019-11-29 | 嘉兴宏蓝电子技术有限公司 | 一种体声波谐振器及其通信器件 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485703B1 (ko) * | 2003-04-21 | 2005-04-28 | 삼성전자주식회사 | 기판으로부터 부양된 에어갭을 갖는 박막 벌크 음향공진기 및 그 제조방법 |
| US20060017352A1 (en) * | 2004-07-20 | 2006-01-26 | Aram Tanielian | Thin device and method of fabrication |
| JP2006050021A (ja) | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器及びその製造方法 |
| JP4707533B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2011-06-22 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器およびフィルタ |
| US7561009B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation |
| JP4707574B2 (ja) | 2006-02-02 | 2011-06-22 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法 |
| JP2007221588A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器及び薄膜圧電共振器の製造方法 |
| JP4428354B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-03-10 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電薄膜共振子 |
| JP2008035119A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振子及びその製造方法 |
| JP5202287B2 (ja) | 2008-12-25 | 2013-06-05 | 京セラ株式会社 | 圧電共振器 |
| CN106257831B (zh) * | 2015-06-16 | 2019-04-02 | 三星电机株式会社 | 体声波谐振器及包括该体声波谐振器的滤波器 |
| US10608608B2 (en) * | 2017-01-03 | 2020-03-31 | Win Semiconductors Corp. | Method for fabricating bulk acoustic wave resonator with mass adjustment structure |
| US20180234075A1 (en) | 2017-02-14 | 2018-08-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator |
| CN107528561A (zh) * | 2017-09-12 | 2017-12-29 | 电子科技大学 | 一种空腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| JP7447372B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2024-03-12 | サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. | バルク音響共振器及びその製造方法 |
| CN207939485U (zh) * | 2018-05-25 | 2018-10-02 | 河海大学常州校区 | 一种频率可调的薄膜体声波谐振器 |
| US11764750B2 (en) * | 2018-07-20 | 2023-09-19 | Global Communication Semiconductors, Llc | Support structure for bulk acoustic wave resonator |
| CN109474252B (zh) * | 2018-10-29 | 2020-12-01 | 武汉大学 | 可提高q值的空腔薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN111193490B (zh) | 2018-11-14 | 2025-05-13 | 天津大学 | 散热结构、带散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
| CN209709146U (zh) * | 2019-04-11 | 2019-11-29 | 嘉兴宏蓝电子技术有限公司 | 一种具有热桥结构的baw双工器 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281846A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Sony Corp | 共振器、共振器の製造方法および通信装置 |
| KR20140010102A (ko) * | 2011-04-01 | 2014-01-23 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법과 휴대 전화기 |
| KR20190038435A (ko) * | 2017-09-29 | 2019-04-08 | 코르보 유에스, 인크. | 내부 정전기 차폐 기능을 구비한 baw 필터 구조 |
| CN209710062U (zh) * | 2019-04-10 | 2019-11-29 | 嘉兴宏蓝电子技术有限公司 | 一种体声波谐振器及其通信器件 |
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