KR20220146520A - 무용제형의 광경화성 액상 조성물, 이의 경화물, 이를 포함하는 광학 충전제, 및 이의 경화물로 이루어진 층을 포함하는 표시 장치 - Google Patents

무용제형의 광경화성 액상 조성물, 이의 경화물, 이를 포함하는 광학 충전제, 및 이의 경화물로 이루어진 층을 포함하는 표시 장치 Download PDF

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Abstract

[과제] 작은 갭에도 용이하게 주입 가능한 저점도성을 가지며, 자외선 등의 고에너지선의 조사에 의해 신속하게 경화하고, 경화 후의 굴절률이 가시 영역뿐만 아니라 적외 영역에서도 높고, 임의로 낮은 비유전율을 부여하는 조성을 설계 가능하여, 특히 적외 LED 광원을 이용한 디바이스용 재료로서 유용한 광경화성 액상 실리콘 조성물, 이의 경화물, 이를 포함하는 광학 충전제 및 이의 경화물로 이루어진 층을 포함하는 표시 장치를 제공한다.
[해결 수단] (A) 1분자 중에 평균적으로 1개 이상의 광반응성 관능기, 및 2개 이상의 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기를 가지며, 규소 원자수가 1~5인 1종 이상의 오가노실란 또는 오가노폴리실록산, 임의로 추가로 (C) 경화 촉매를 포함하는 무용제형 및 저점도의 광경화성 액상 조성물, 이의 경화물, 이를 포함하는 광학 충전제 및 이의 경화물로 이루어진 층을 포함하는 표시 장치.

Description

무용제형의 광경화성 액상 조성물, 이의 경화물, 이를 포함하는 광학 충전제, 및 이의 경화물로 이루어진 층을 포함하는 표시 장치
본 발명은 화학선(actinic rays), 예를 들어 자외선 또는 전자선에 의해 경화 가능한 오가노실란 또는 오가노폴리실록산을 포함하는 무용제형의 광경화성 액상 조성물, 특히 주입 성형에 적합하게 이용 가능한 저점도를 갖는 동시에, 높은 굴절률을 갖는 경화물을 부여하는 경화성 액상 조성물, 이의 경화물 및 이의 용도에 관한 것이다. 본 발명의 광경화성 액상 조성물은 무용제형이며, 굴절률 및 투명성이 높아, 전자·전기 디바이스, 광학 디바이스를 위한 광투과층을 형성하는 재료로서 적합하다. 또한, 상기 무용제형의 광경화성 액상 조성물은 굴절률 및 투명성이 우수하며, 또한 저유전율의 경화물을 부여하는 재료로서 설계할 수 있다.
백색 및 자외 LED를 광원으로 하는 전자·전기 디바이스, 광학 디바이스가 폭넓게 실용화되고 있다. 그의 주변 재료로서는 높은 투명성, 신뢰성이 요구되기 때문에, 실리콘 재료가 활발히 검토되고 있다. 광원을 직접 봉지(封止)하는 액상 봉지 재료로서는, 예를 들어 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같은 고굴절률 액상 실리콘 조성물이 이미 실용화되어 있다. 또한, 각종 센서, 감시 카메라, 적외 데이터 통신 등의 큰 시장을 겨냥하여, 적외 LED 광원 및 이를 이용한 디바이스도 활발히 개발되고 있다. 한편, 이들 종래의 LED에 더하여, 그의 높은 에너지 효율을 살린 마이크로 LED 기술이 급속히 연구·개발되어, 다양한 용도로 응용되기 시작하고 있다.
여기서, 최근 검토가 진행되고 있는 마이크로 LED 등은 그의 광원 기판의 사이즈가 매우 작기 때문에, 주변 재료도 소면적 및 박층이 요구되는 경우가 많다. 이 경우, 광원 기판과 투명 기판의 사이에 봉지층을 형성하는 수법으로서는, 양자의 간극에 경화성 조성물을 주입하여 경화하는 주입 성형법이 유망시 되고 있다. 이 가공법에 적합한 재료로서, 광경화가 가능하고, 경화 후에 높은 투명성을 갖는 저점도의 액상 규소계 재료가 요구되고 있다. 또한, 계면 반사를 저감하여 광 추출 효율을 높이기 위해, 고굴절률의 재료가 요망되고 있다.
그러나, 상기 특허문헌 1에 개시된 경화성 액상 실리콘 조성물은 25℃에서의 조성물의 전체 점도가 3,000 mPas 이상으로 매우 높아, 주입 성형법에는 적합하지 않다. 보다 구체적으로는, 조성물의 전체 점도가 높아, 주입 성형법에 적용한 경우, 부재 사이의 미소한 간극(이하, 「작은 갭」이라고 부르는 경우가 있다)에 주입할 수 없거나, 충분한 갭필(gap-fill)성을 실현할 수 없는 경우가 있다. 구체적으로는, 고점도의 경화성 액상 실리콘 조성물을 광원 기판과 투명 기판의 사이에 주입하여 봉지하고자 해도, 양자 사이의 간극을 충분히 메우도록 주입하는 것이 곤란하기 때문에, 공정에서의 결함 및 봉지 불량의 원인이 되는 경우가 있으며, 최종적인 표시 디바이스의 생산 효율 및 수율의 저하, 품질 저하 및 고장의 원인이 되어 바람직하지 않다.
이에 반해, 특허문헌 2에는 자외선 반응성기를 갖는 실리콘 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하며, 잉크젯법에 의해 도포할 수 있는 저점도 전자 디바이스용 봉지제가 개시되어 있다. 여기서는, 에폭시기를 갖는 저분자량 실리콘 화합물에 대해 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 3에는 다관능 양이온 중합성 화합물, 점도 8 mPa·s 이하의 단관능 양이온 중합성 화합물, 및 양이온 경화 촉매를 함유하는 자외선 경화성 저점도 수지 조성물이 개시되어 있다. 여기서도, 에폭시기를 갖는 저분자량 실리콘 화합물에 대해 기재되어 있다.
그러나, 이들 문헌에는, 액상 조성물 또는 이의 경화물이 고굴절률, 구체적으로는 파장 847 nm에서의 굴절률이 1.47을 초과하는 경화성 액상 조성물 및 이의 경화물은 구체적으로 개시되어 있지 않으며, 고굴절률의 재료로서 적용하는 것이 곤란하다.
또한, 특허문헌 4에는 양말단 지환식 에폭시 변성 실리콘 수지 및 광산 발생제를 포함하는 패턴 형성 가능한 감광성 수지 조성물이 개시되어 있다. 여기서는, 페닐기를 함유하는 고굴절률 실리콘 재료가 예시되어 있지만, 그의 중합도가 높기 때문에 조성물 점도가 높고, 유기 용매에 희석한 조성물만이 예시되어 있다. 그러나, 유기 용매를 포함하는 용제형 조성물은 그의 도포/적용 공정에서 휘발성의 유기 용매를 대량으로 사용하기 때문에, 작업 환경의 악화, 환경 부하의 문제가 있다. 또한, 주입 성형법에 적용한 경우, 유기 용매가 전자 기판, 반도체 칩 등에 악영향을 미칠 가능성이 있는 것 외에, 경화 전에 주입 부피가 변화하여, 공정에서의 결함 및 봉지 불량의 원인이 되는 경우가 있어 바람직하지 않다. 특히, 특허문헌 4에는 무용제형의 광경화성 액상 조성물 및 이에 적합한 조성에 관해서는 기재도 시사도 되어 있지 않다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 제2007-008996호(특허공보 제5392805호) 특허문헌 2: 국제 공개 제2016/167347호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 제2018-111792호 특허문헌 4: 일본 공개특허공보 제2019-117325호
본 발명의 목적은 작은 갭에도 용이하게 주입 가능한 저점도성을 가지며, 자외선 등의 고에너지선의 조사에 의해 신속하게 경화하고, 경화 후의 굴절률이 가시 영역뿐만 아니라 적외 영역에서도 높아, 특히 적외 LED 광원을 이용한 디바이스용 재료로서 유용한 광경화성 액상 조성물, 이의 경화물, 및 이의 용도를 제공하는 것에 있다.
또한, 본 발명자들은 광경화성 액상 조성물에 대해, 그의 저점도(갭필성 및 도포성), 경화성, 투명성 및 높은 굴절률에 더하여, 새로운 과제를 밝혀냈다. 최근, 고굴절률 및 고투명한 재료의 용도 전개가 확대되고 있으며, 전자 디바이스 및 전기 디바이스를 구성하는 절연층/절연 코팅층으로서의 용도가 상정된다. 그러나, 공지의 고굴절률의 경화물을 부여하는 광경화성 액상 조성물에서는, 특히 비유전율이 2.70 이하, 2.60 이하 등의 낮은 비유전율을 부여하는 조성의 설계가 곤란하며, 낮은 비유전율과 높은 굴절률을 겸비하며, 또한 저점도이고 경화성이 우수한 무용제형의 광경화성 액상 조성물을 제공하기에는 이르지 않았다.
본 발명의 광경화성 액상 조성물은
(A) 1분자 중에 평균적으로 1개 이상의 광반응성 관능기, 및 2개 이상의 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기를 가지며, 규소 원자수가 1~5인 1종 이상의 오가노실란 또는 오가노폴리실록산
을 필수성분으로서 함유하고, E형 점도계를 이용하여 25℃에서 측정한 액상 조성물 전체의 점도가 500 mPa·s 이하이며, 또한 조성물 중에 유기 용제를 포함하지 않는 것을 특징으로 하며, 또한, (C) 경화 촉매, (D) 특정 규소 원자를 포함하지 않는 광경화성 화합물 및 (E) 광증감제로부터 선택되는 성분을 추가로 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 경화물은 상기 무용제형의 광경화성 액상 조성물에 광조사하여, 경화시켜 이루어진 것인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 광학 충전제는 상기 무용제형의 광경화성 액상 조성물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 표시 장치는 상기 무용제형의 광경화성 액상 조성물을 경화시켜 이루어진 경화물로 이루어진 층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 특히, 상기 표시 장치는 적외 LED 광원을 이용한 표시 장치인 것이 바람직하다.
본 발명의 표시 장치의 제조 방법은 상기 무용제형의 광경화성 액상 조성물을 광원용 기판과 투명 기판 사이에 주입하는 공정, 및 주입 후의 무용제형의 광경화성 액상 조성물에 고에너지선을 조사함으로써 경화시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 무용제형 광경화성 액상 조성물은 유기 용제를 사용하지 않고 작은 갭에도 용이하게 주입 가능한 저점도성을 가지며, 자외선 등의 고에너지선의 조사에 의해 신속하게 경화한다. 또한, 경화 후의 굴절률은 가시 영역뿐만 아니라 적외 영역에서도 높다는 특징이 있어, 적외 LED 광원을 이용한 디바이스용 재료로서 유용하다.
또한, 본 발명의 무용제형의 광경화성 액상 조성물은 상기 (A) 성분과 (B) 성분을 병용함으로써, 상기 특성에 더하여, 낮은 비유전율을 갖는 경화물을 부여하도록 설계하는 것이 가능하며, 낮은 비유전율과 높은 굴절률을 겸비하며, 또한 저점도이고 경화성이 우수한 무용제형의 광경화성 액상 조성물, 이를 광경화시켜 이루어진 전자 디바이스 및 전기 디바이스를 구성하는 절연층/절연 코팅층을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 구성에 대해 더욱 상세하게 설명한다.
[(A) 성분]
본 발명의 (A) 성분은 본 조성물의 특징적인 구성 중 하나이고, 광경화성 액상 조성물의 주제(主劑) 중 하나로서, 조성물 전체의 경화성을 해치지 않고 저점도화시키는 성분이고, 필요에 따라 후술하는 (C) 성분의 존재하에 광조사함으로써 경화하는 화합물이다.
(A) 성분은 1분자 중에 평균적으로 1개 이상의 광반응성 관능기, 및 2개 이상의 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기를 가지며, 규소 원자수가 1~5인 1종 이상의 오가노실란 또는 오가노폴리실록산이다. (A) 성분은 휘발성이 낮고, 본 발명의 조성물의 광경화를 저해하지 않는다는 특징이 있다. 또한, (A) 성분은 분자 내에 방향족기 또는 아르알킬기를 갖기 때문에, 조성물 전체 및 경화물의 굴절률을 향상시키는 성분이기도 하다.
이러한 (A) 성분은 규소 원자수가 5 이하이기 때문에, 분자량이 작은 실란 또는 실록산 올리고머(오가노폴리실록산이며, 실록산 중합도가 5 이하인 것)이며, 또한 분자 내에, 광반응성 관능기로서는 경화 촉매의 존재하 또는 부존재하에서 광조사에 의해 서로의 사이에 결합을 발생시킬 수 있는 유기기를 적어도 1개 이상 가져, 조성물에 광경화 반응성을 부여한다. 한편, (A) 성분은 비교적 저분자량, 저점도의 성분이면서 휘발성이 낮다고 하는 성질을 갖는다. 이 때문에, (A) 성분을 포함하는 본 발명의 조성물에서는, 우수한 광경화 반응성과, 주입 성형에 적합한 조성물 전체의 점도를 저하시켜, 갭필성을 현저히 개선할 수 있다.
(A) 성분 중의 광반응성 관능기의 예로서, 라디칼 중합성기 및 양이온 중합성기를 열거할 수 있다. 라디칼 중합성기는 라디칼 반응 메커니즘에 의해 새로운 결합, 특히 라디칼 중합성기끼리의 사이의 결합을 형성할 수 있는 관능기이면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 아크릴기, 메타크릴기, 말레이미드기 및 이들 중 어느 기를 함유하는 유기기를 들 수 있다. 구체적인 예로서는, 아크릴옥시프로필, 메타크릴옥시프로필, 아크릴아미드프로필, 메타크릴아미드프로필 및 3-(N-말레이미드)프로필 등의 기를 라디칼 중합성기로서 열거할 수 있다. 양이온 중합성기로서는, 비닐 에테르기, 에폭시기 함유기, 옥세탄기 함유기 등의 기, 예를 들어 CH2=CH-O-(CH2)n-(n은 3~20의 정수이다), 글리시딜옥시-(CH2)n-(n은 3~20의 정수이다), 3, 4-에폭시사이클로헥실-(CH2)n-(n은 2~20의 정수이다) 등의 기를 들 수 있다.
(A) 성분의 광반응성 관능기로서는, 양이온 중합성 관능기, 특히 1종 이상의 에폭시기 함유기인 것이 바람직하다. 특히 바람직한 기로서, 에폭시사이클로헥실 알킬기, 특히 3,4-에폭시사이클로헥실 에틸기를 열거할 수 있다.
또한, 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기로서는, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기 등의 탄소수 6~12의 아릴기; 벤질기, 펜에틸기 등의 탄소수 7~12의 아르알킬기가 예시되며, 경제성의 관점에서 페닐기 및 펜에틸기가 바람직하다.
한편, (A) 성분 중의 (A) 성분 중의 규소 원자에 결합하는 그 외의 기(구체적으로는, 상기 광반응성 관능기, 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기 이외의 기)로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 등의 탄소수 1~12의 알킬기; 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐 치환의 탄소수 1~12의 알킬기가 예시되며, 경제성, 내열성의 관점에서 메틸기가 바람직하다. (A) 성분 중의 규소 원자에는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, sec-부톡시기, tert-부톡시기 등의 알콕시기나 수산기가 소량 결합해 있을 수도 있다.
(A) 성분이 평균 조성식 (1);
RX aRY bRZ cSiO(4-a-b-c)/2 (1)
(식 중, RX는 광반응성 관능기이고, RY는 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기이고, RZ는 상기 광반응성 관능기, 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기를 제외한 비치환 또는 불소로 치환된 1가 탄화수소기, 수산기 및 알콕시기로부터 선택되는 기이고,
a, b, c는 다음 조건: 1≤a+b+c≤3, 및 0.08≤a/(a+b+c)≤0.5를 만족하는 수이며, 분자 중에 1개 이상의 RX 및 적어도 2개의 RY를 갖는다.)
로 표시되는 규소 원자수가 2~5인 오가노폴리실록산인 것이 바람직하다. 여기서, RX, RY, RZ는 각각 상기 광반응성 관능기, 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기, 및 광반응성 관능기 및 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기 이외의 기를 적용할 수 있다.
또한, 성분 (A)는 (A1) 하기 식 (2):
[화 1]
Figure pct00001
(2)
(식 중, 모든 R1~R8기 중 1분자당 평균적으로 1개 이상의 기는 광반응성 관능기이며, 적어도 2개는 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기이고; 그 외 R1부터 R8은 각각 독립적으로 비치환 또는 불소로 치환된 1가 탄화수소기이고; n은 0부터 3의 수이다)로 표시되는 쇄상 오가노폴리실록산, 및
(A2) 하기 식 (3):
[화 2]
Figure pct00002
(3)
(식 중, R9, R10은 각각 독립적으로 광반응성 관능기, 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기, 및 비치환 또는 불소로 치환된 1가 탄화수소기로부터 선택되는 기이고, 모든 R9, R10 중 평균적으로 1개 이상의 기는 광반응성 관능기이며, 적어도 2개는 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기이고, k는 3~5의 수이다.)
로 표시되는 환상 오가노폴리실록산, 및
이들 오가노폴리실록산의 혼합물
로 이루어진 군으로부터 선택되는, 광반응성 관능기를 갖는 1종류 이상의 오가노폴리실록산인 것이 바람직하다. 여기서도, 광반응성 관능기, 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기, 및 광반응성 관능기 및 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기 이외의 기는 상기한 기를 적용할 수 있다.
(A) 성분의 규소 원자수를 조절함으로써, 본 발명의 광경화성 액상 조성물의 점도를 제어할 수 있다. 규소 원자수는 2 또는 3인 것이 바람직하다. 상기 범위의 하한 이상이면, 얻어지는 경화물의 역학 강도가 충분히 높고, 한편 상기 범위의 상한 이하이면, 광경화성 액상 조성물을 저점도화하기 쉽기 때문이다.
또한, (A) 성분의 광반응성 관능기의 수를 조절함으로써, 본 발명의 광경화성 액상 조성물을 경화하여 이루어진 경화물의 경도를 제어할 수 있다. 광반응성 관능기의 수는 1분자당 평균적으로 1개 이상 2개 이하인 것이 바람직하다. 상기 범위의 하한 이상이면, 얻어지는 경화성 조성물의 광경화성이 충분히 높고, 한편 상기 범위의 상한 이하이면, 얻어지는 경화물의 인성이 향상되기 때문이다.
(A) 성분으로서는, 하기 화합물 A1~A20이 예시된다.
A1: 디페닐-비스[2-(3, 4-에폭시사이클로헥실)에틸]실란
A2: 1,3-디메틸-1,3-디페닐-1, 3-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]디실록산
A3: 1,5-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3,3-디페닐-1,1,5,5-테트라메틸트리실록산
A4: 1,5-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,5-디페닐-1,3,3,5-테트라메틸트리실록산
A5: 1,5-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,3,5-트리페닐-1,3,5-트리메틸트리실록산
A6: 1,7-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3,3-디페닐-1,1,5,5,7,7-헥사메틸테트라실록산
A7: 1,7-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3,5-디페닐-1,1,3,5,7,7-헥사메틸테트라실록산
A8: 1,7-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1, 7-디페닐-1,3,3,5,5,7-헥사메틸테트라실록산
A9: 1,3-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-5,7-디페닐-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산
A10: 1,5-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3,7-디페닐-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산
A11: 1,3-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-5,7-디페네틸-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산
A12: 1,5-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3,7-디페네틸-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산
A13: 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3,3-디페닐-5-페네틸-1,1,5,5-테트라메틸트리실록산
A14: 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,5-디페닐-5-페네틸-1,3,3,5-테트라메틸트리실록산
A15: 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,3,5-트리페닐-1,3,5-트리메틸-5-페네틸트리실록산
A16: 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3,3-디페닐-7-페네틸-1,1,5,5,7,7-헥사메틸테트라실록산
A17: 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3,5-디페닐-7-페네틸-1,1,3,5,7,7-헥사메틸테트라실록산
A18: 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,7-디페닐-7-페네틸-1,3,3,5,5,7-헥사메틸테트라실록산
A19: 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3,5,7-트리페닐-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산
A20: 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3,5,7-트리페네틸-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산
(A) 성분의 함유량은 (A) 성분을 포함하는 광경화성 액상 조성물 100 질량부에 대해 10~99.9 질량부인 것이 아주 알맞다. 보다 바람직한 함유량은 15~99.5 질량부이며, 더욱더 바람직한 함유량은 25~99 질량부이다. 이는, (A) 성분의 함유량이 상기 범위의 하한 이상이면, 얻어지는 경화물의 기계적 특성이 향상되기 때문이며, 한편 상기 범위의 상한 이하이면, 얻어지는 경화성 조성물의 광경화성이 충분히 높기 때문이다.
(A) 성분의 함유량은 후술하는 (B) 성분을 임의로 사용하는 경우, 광경화성 액상 조성물 전체 100 질량부에 대해, (A) 성분 및 (B) 성분의 총합이 90~99.9 질량부인 것이 바람직하며, 95~99.5 질량부인 것이 보다 바람직하고, 98~99 질량부의 범위인 것이 특히 바람직며, 또한 (A) 성분과 (B) 성분의 질량비가 100:0~10:90의 범위, 100:0~15:85의 범위, 100:0~20:80인 범위에서 선택할 수 있다. 여기서, 본 발명에 관한 무용제형의 광경화성 액상 조성물이 광경화 반응에 의해 비유전율 2.70 이하, 특히 2.60 이하의 경화물을 부여하도록 조성물을 설계하는 경우, (A) 성분과 (B) 성분의 질량비가 80:20~20:80의 범위에 있는 것이 바람직하며, 70:30~30:70의 범위인 것이 보다 바람직하다.
[(C) 성분]
본 발명의 (C) 성분은 경화에 사용하는 광/고에너지선의 종류 및 필요에 따라, 광경화성 액상 조성물을 경화시키는 경화 촉매이다. (A) 성분이 갖는 광반응성 관능기가 에폭시 또는 비닐 에테르 등을 포함하는 양이온 중합성 관능기인 경우에는, 경화 촉매로서 (C1) 광양이온 중합 개시제를 사용한다. 광양이온 중합 개시제로서는, 광 또는 전자선의 조사에 의해 브뢴스테드산(Broensted acid) 또는 루이스산을 생성할 수 있는 화합물, 이른바 광산 발생제가 공지이며, 광 등의 조사에 의해 산이 발생하고, 그의 산이 양이온 중합성 관능기끼리의 반응을 일으키는 것이 알려져 있다. 또한, 광반응성 관능기가 라디칼 중합성 관능기인 경우에는, 경화 촉매로서 (C2) 광라디칼 중합 개시제를 사용할 수 있다. 광라디칼 중합 개시제는 자외선 또는 전자선의 조사에 의해 프리 라디칼이 발생하고, 그것이 라디칼 중합 반응을 일으켜 본 발명의 조성물을 경화시킬 수 있다. 전자선 조사에 의해 본 발명의 조성물을 경화시키는 경우에는, 이들 중합 개시제는 통상 불필요하며, (C) 성분없이도 경화 반응이 진행된다.
실용상, (A) 성분 중의 광반응성 관능기가 에폭시기 함유기인 것이 바람직하며, 그 경우, (C1) 광양이온 중합 개시제 및 (C2) 광라디칼 중합 개시제로부터 선택되는 1종류 또는 2종류 이상의 (C) 경화 촉매를 포함하는 것이 바람직하다.
(C1) 광양이온 중합 개시제
본 발명의 조성물에 사용하는 광양이온 중합 개시제는 당기술 분야에서 공지된 것으로부터 임의로 선택하여 사용할 수 있으며, 특별히 특정한 것으로 한정되지 않는다. 광양이온 중합 개시제로는, 디아조늄염, 설포늄염, 요오도늄염, 포스포늄염 등의 강산 발생 화합물이 알려져 있으며, 이들을 사용할 수 있다. 광양이온 중합 개시제의 예로서, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄 헥사플루오로포스페이트, 사이클로프로필디페닐설포늄 테트라플루오로보레이트, 디메틸페나실설포늄 테트라플루오로보레이트, 디페닐요오도늄 헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오도늄 헥사플루오로아르세네이트, 디페닐요오도늄 테트라플루오로메탄설포네이트, 2-(3,4-디메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)비닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 4-이소프로필-4'-메틸디페닐요오도늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)비닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시스티릴)-4, 6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 4-니트로벤젠디아조늄 테트라플루오로보레이트, 트리페닐설포늄 테트라플루오로보레이트, 트리페닐설포늄브로마이드, 트리-p-톨릴설포늄 헥사플루오로포스페이트, 트리-p-톨릴설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, 디페닐요오도늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐요오도늄 나이트레이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄 퍼플루오로-1-부탄설포네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 퍼플루오로-1-부탄설포네이트, N-하이드록시나프탈이미드 트리플레이트, p-톨루엔설포네이트, 디페닐요오도늄 p-톨루엔설포네이트, (4-tert-부틸페닐)디페닐설포늄 트리플레이트, 트리스(4-tert-부틸페닐)설포늄 트리플레이트, N-하이드록시-5-노르보르넨-2,3-디카복시미드 퍼플루오로-1-부탄설포네이트, (4-페닐티오페닐)디페닐설포늄 트리플레이트 및 4-(페닐티오)페닐디페닐설포늄 트리에틸트리플루오로포스페이트 등을 들 수 있으나 이들로 한정되지 않는다. 광양이온 중합 개시제로서 상기 화합물 외에도, Omnicat 250, Omnicat 270(이상, IGM Resins B.V.사), CPI-310B, IK-1(이상, 산아프로 가부시키가이샤(San-Apro Ltd.)), DTS-200(미도리카가쿠 가부시키가이샤(Midori Kagaku Co., Ltd.)) 및 Irgacure 290(BASF사) 등의 시판되고 있는 광개시제를 들 수 있다.
본 발명의 조성물에 첨가하는 광양이온 중합 개시제의 양은 목적으로 하는 광경화 반응이 일어나는 한 특별히 한정되지 않으나, 일반적으로는 본 발명의 (A) 성분 및 후술하는 (B) 성분의 합계량에 대해 0.1~10 질량%, 특히 0.5~5 질량%의 양, 1~2 질량%의 양으로 광양이온 중합 개시제를 이용하는 것이 바람직하다.
(C2) 광라디칼 중합 개시제
광라디칼 중합 개시제는 크게 나누어 광개열형과 수소 인발형(hydrogen abstraction type)의 것이 알려져 있는데, 본 발명의 조성물에 사용하는 광라디칼 중합 개시제는 당해 기술 분야에서 공지된 것으로부터 임의로 선택하여 사용할 수 있으며, 특별히 특정한 것으로 한정되지 않는다. 광라디칼 중합 개시제의 예로서는, 아세토페논, p-아니실, 벤질, 벤조인, 벤조페논, 2-벤조일 안식향산, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 4-벤조일 안식향산, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 메틸 2-벤조일 벤조에이트, 2-(1,3-벤조디옥솔-5-일)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-4'-모폴리노 부티로페논, (±)-캄퍼 퀴논, 4,4'-디클로로벤조페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,4-디에틸티오크산텐-9-온, 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)포스핀 옥사이드, 에틸(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐 포스피네이트, 1,4-디벤조일 벤젠, 2-에틸안트라퀴논, 1-하이드록시사이클로헥실 페닐 케톤, 2-하이드록시-2-메틸프로피오페논, 2-하이드록시-4'-(2-하이드록시에톡시)-2-메틸프로피오페논, 리튬 페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)포스피네이트, 2-메틸-4'-(메틸티오)-2-모폴리노프로피오페논, 2-이소니트로소프로피오페논, 2-페닐-2-(p-톨루엔설포닐옥시)아세토페논 및 페닐비스(2,4,6-트리메틸벤조일)포스핀 옥사이드 등을 열거할 수 있으나 이들로 한정되지 않는다. 또한, 광라디칼 중합 개시제로서 상기 화합물 외에, Omnirad 651, 184, 1173, 2959, 127, 907, 369, 369E 및 379EG(알킬페논계 광중합 개시제, IGM Resins B.V.사), Omnirad TPO H, TPO-L 및 819(아실포스핀 옥사이드계 광중합 개시제, IGM RESINS B.V.사), Omnirad MBF 및 754(분자 내 수소 제거형 광중합 개시제, IGM Resins B.V.사), Irgacure OXE01 및 OXE02(옥심 에스테르계 광중합 개시제, BASF사) 등의 개시제를 들 수 있다.
본 발명의 조성물에 첨가하는 광라디칼 중합 개시제의 양은 목적으로 하는 광중합 반응 또는 광경화 반응이 일어나는 한 특별히 한정되지 않으나, 일반적으로는 본 발명의 조성물의 총질량에 대해 0.01~5 질량%, 바람직하게는 0.05~1 질량%의 양으로 사용된다.
[(E) 광증감제]
또한, 상기 광양이온 중합 개시제 또는 광라디칼 중합 개시제와 조합하여 광증감제를 사용할 수도 있다. 광증감제의 사용은 중합 반응의 광양자 효율을 높일 수 있으며, 광개시제만을 사용한 경우와 비교해 보다 장파장의 광을 중합 반응에 사용할 수 있게 되기 때문에, 조성물의 코팅 두께가 비교적 두꺼운 경우, 또는 비교적 장파장의 LED 광원을 사용하는 경우에 특히 유효하다는 것이 알려져 있다. 본 발명에 관한 무용제형의 광경화성 액상 조성물은 실용상, 상기 (C) 성분에 더하여, 추가로 (E) 광증감제를 1종류 이상 포함하는 것이 바람직하며, 조성물 전체의 광경화 반응성을 향상시킬 수 있다.
광증감제는 공지의 성분을 특별히 제한없이 이용할 수 있으며, 안트라센계 화합물, 페노티아진계 화합물, 페릴렌계 화합물, 시아닌계 화합물, 메로시아닌계 화합물, 쿠마린계 화합물, 벤질리덴 케톤계 화합물, (티오)크산텐 또는 (티오)크산톤계 화합물, 예를 들어 2-클로로티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 스쿠아릴리움계 화합물, (티아)피릴륨계 화합물, 포르피린계 화합물 등이 알려져 있으나, 이들로 한정하지 않으며, 임의의 광증감제를 본 발명의 경화성 조성물에 이용할 수 있다. 일 예로서, 본 발명의 조성물에 있어서, 상기 (A) 성분 중의 광반응성 관능기가 에폭시기 함유기이고, (C1) 광양이온 중합 개시제를 사용하는 경우, 2-이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤류인 삼중항 광증감제가 적합하게 사용 가능하다.
[(B) 성분]
본 발명의 광경화성 액상 조성물은 임의의 성분으로서 (B) 1분자 중에 평균적으로 1개 이상의 광반응성 관능기를 가지며, 규소 원자수가 2~10인 1종 이상의 오가노폴리실록산(단, 상기 (A) 성분에 해당하는 오가노폴리실록산을 제외한다)을 포함할 수 있다.
구체적으로는, (B) 성분은 (A) 성분과, 방향족기 및 아르알킬기의 유무, 및 그의 규소 원자수에 있어서 구별할 수 있다. 즉, (B1) 1분자 중에 평균적으로 1개 이상의 광반응성 관능기를 가지고, 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기의 함유수가 2개 미만인 동시에, 규소 원자수가 2~5의 범위인 1종 이상의 오가노폴리실록산, 및
(B2) 1분자 중에 평균적으로 1개 이상의 광반응성 관능기를 가지며, 또한 규소 원자수가 5를 초과하고 10 이하인 1종 이상의 오가노폴리실록산
으로부터 선택되는 1종류 또는 2종류 이상이다.
이러한 (B) 성분은 하기 평균 조성식 (4)
RX dRY eRZ fSiO(4-d-e-f)/2 (4)
(식 중, RX는 광반응성 관능기이고, RY는 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기이고, RZ는 상기 광반응성 관능기, 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기를 제외한 비치환 또는 불소로 치환된 1가 탄화수소기, 수산기 및 알콕시기로부터 선택되는 기이고,
d, e, f는 다음 조건: 1≤d+e+f≤3 및 0.04≤d/(d+e+f)≤0.5를 만족하는 수이며, 분자 중에 1개 이상의 RX 및 2개 미만의 RY를 갖는다.)
로 표시되는 규소 원자수가 2~10인 직쇄상, 분지상 또는 환상의 폴리실록산이며, (A) 성분에 해당하지 않는 것이다.
성분 (B) 중의 RX, RY, RZ는 각각 상기 광반응성 관능기, 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기, 및 광반응성 관능기 및 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기 이외의 기를 적용할 수 있다.
성분 (B)의 광반응성 관능기로서는, 양이온 중합성 관능기, 특히 1종 이상의 에폭시기 함유기인 것이 바람직하다. 특히 바람직한 기로서, 에폭시사이클로헥실 알킬기, 특히 3, 4-에폭시사이클로헥실 에틸기를 들 수 있다.
(B) 성분으로서는, 하기 화합물 B1~B21이 예시된다.
B1: 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,1,3,3,3-펜타메틸디실록산
B2: 1,3-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,1,3,3-테트라메틸디실록산
B3: 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3-페네틸-1,1,3,3-테트라메틸디실록산
B4: 3-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,1,1,3,5,5,5-헵타메틸트리실록산
B5: 1,5-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,1,3,3,5,5-헥사메틸트리실록산
B6: 1,3,5-트리스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,1,3,5,5-펜타메틸트리실록산
B7: 1,5-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3-페닐-1,1,3,5,5-펜타메틸트리실록산
B8: 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-5-페네틸-1,1,3,3,5,5-헥사메틸트리실록산
B9: 1,7-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,1,3,3,5,5,7,7-옥타메틸테트라실록산
B10: 1,7-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3-페닐-1,1,3,5,5,7,7-헵타메틸테트라실록산
B11: 3-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,1,1,3,5,5,7,7,7-노나메틸테트라실록산
B12: 3,5-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,1,1,3,5,7,7,7-옥타메틸테트라실록산
B13: 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-7-페네틸-1,1,3,3,5,5,7,7-옥타메틸테트라실록산
B14: 3-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-5-페네틸-1,1,1,3,5,7,7,7-옥타메틸테트라실록산
B15: 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,3,3,5,5,7,7-헵타메틸사이클로테트라실록산
B16: 1,3-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,3,5,5,7,7-헥사메틸사이클로테트라실록산
B17: 1,5-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,3,3,5,7,7-헥사메틸사이클로테트라실록산
B18: 1,3,5-트리스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-7-페닐-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산
B19: 1,3,5-트리스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,3,5,7,7-펜타메틸사이클로테트라실록산
B20: 1,3,5,7-테트라키스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산
B21: 1,3,5-트리스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-7-페네틸-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산
본 발명의 광경화성 액상 조성물에 있어서, (B) 성분을 함유시킴으로써, 광경화성 액상 조성물을 경화시켜 이루어진 경화물의 경도, 인장 강도, 파단 신율 등을 포함하는 역학 강도, 경화 반응 속도, 굴절률 등을 소망하는 영역으로 설계하기 위한 자유도를 증대시킬 수 있다. 또한, 적합하게는, (A) 성분 및 (B) 성분을 병용함으로써, 광경화성 액상 조성물을 경화시켜 이루어진 경화물의 비유전율을 2.70 이하, 적합하게는 2.60 이하로 설계하는 것이 가능하다.
그의 함유량에 제한은 없으나, 상술한 바와 같이 광경화성 액상 조성물 전체를 100질량부로 했을 때, (A) 성분 및 (B) 성분의 총합이 90~99.9 질량부인 것이 바람직한 동시에, (A) 성분과 (B) 성분의 질량비가 100:0~10:90의 범위에서 선택되고, 광경화 반응에 의해 비유전율 2.70 이하, 특히 2.60 이하의 경화물을 부여하도록 조성물을 설계하는 경우, (A) 성분과 (B) 성분의 질량비가 80:20~20:80의 범위에 있는 것이 바람직하다. 또한, (B) 성분 단독의 함유량은 0~80 질량부의 범위인 것이 바람직하고, 0~70 질량부의 범위, 0~55 질량부의 범위가 보다 바람직하다.
본 발명의 광경화성 액상 조성물의 점도는 25℃에서의 E형 점도계를 이용하여 측정한 값으로 500 mPa·s 이하이다. 이 범위 내이면, 얻어지는 조성물의 주입 성형이 가능하게 되기 때문이다. 5~250 mPa·s의 범위 내, 5~200 mPa·s의 범위 내, 또는 5~100 mPa·s의 범위 내인 것이 바람직하다. 이는 본 조성물의 점도가 상기 범위의 하한 이상이면, 얻어지는 경화물의 기계적 특성이 양호하기 때문이며, 한편 상기 범위의 상한 이하이면, 얻어지는 조성물의 주입 성형성이 양호하게 되기 때문이다.
본 발명의 광경화성 액상 조성물의 굴절률은 25℃, 파장 847 nm에서의 값으로 1.46 이상인 것이 바람직하며, 1.47 이상, 1.49 이상, 1.50 이상일 수 있으며, 1.46~1.54의 범위, 1.46~1.53의 범위일 수 있다. 이 특성에 의해, 본 조성물을 경화함으로써 얻어지는 경화물의 굴절률이 충분히 높고, 적외 LED를 광원으로 하는 각종 디바이스에서 광학 유리 및 그 외 광투과층과의 사이에서의 계면 반사를 저감하여, 광 추출 효율을 높일 수 있다. 또한, 경화물의 굴절률에 대해서는 후술한다.
[(D) 성분]
본 발명의 광경화성 액상 조성물에는, 본 발명의 목적을 해치지 않는 범위에서 (D) 식: RX-R로 표시되는, 규소 원자를 포함하지 않는 광경화성 화합물을 함유할 수 있다. 여기서, RX는 상기한 광반응성 관능기이며, 라디칼 중합성 관능기, 양이온 중합성 관능기가 적용 가능하지만, 양이온 중합성 관능기, 특히 1종 이상의 에폭시기 함유기인 것이 바람직하다. 특히 바람직한 기로서, 글리시딜기, 에폭시사이클로헥실 알킬기를 열거할 수 있다. 한편, R은 비치환 또는 불소로 치환된 1가 알킬기, 탄소수 2~6의 알케닐기, 탄소수 6~12의 방향족기, 탄소수 7~12의 아르알킬기, 수산기 및 알콕시기로부터 선택되는 1가 관능기이다.
이러한 화합물로서는, 알릴 글리시딜 에테르, 벤질 글리시딜 에테르, 2,2-비스(4-글리시독시페닐)프로판, 1,4-부탄디올-디글리시딜 에테르, 부틸 글리시딜 에테르, tert-부틸 글리시딜 에테르, 4-tert-부틸페닐-글리시딜 에테르, 글리시딜 이소프로필 에테르, 글리시딜 페닐 에테르, 디글리시딜-1,2-사이클로헥산디카복실레이트, 에틸렌 글리콜 디글리시딜 에테르, 네오펜틸 글리콜 디글리시딜 에테르, 2-에틸헥실 글리시딜 에테르, 글리시딜 아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트 등의 글리시딜 에테르류, 글리시딜 에스테르류, 및 3,4-에폭시사이클로헥실메틸 아크릴레이트, 1,2-에폭시-4-비닐사이클로헥산, 3',4'-에폭시사이클로헥실메틸-3, 4-에폭시사이클로헥산카복실레이트, 3,3'-디-7-옥사비사이클로[4,1,0]헵탄 등의 에폭시사이클로헥실기 함유 화합물을 예시할 수 있다.
그 외 첨가제
상기 성분에 더하여, 소망에 따라 추가적인 첨가제를 본 발명의 조성물에 첨가할 수도 있다. 첨가제로서는, 이하에 열거하는 것을 예시할 수 있으나, 이들로 한정되지 않는다.
[접착성 부여제]
본 발명의 조성물에는, 조성물에 접촉하고 있는 기재에 대한 접착성이나 밀착성을 향상시키기 위해 접착 촉진제를 첨가할 수 있다. 본 발명의 경화성 조성물을 코팅제, 실링재 등의, 기재에 대한 접착성 또는 밀착성이 필요한 용도로 사용하는 경우에는, 본 발명의 경화성 조성물에 접착성 부여제를 첨가하는 것이 바람직하다. 이 접착 촉진제로서는, 본 발명의 조성물의 경화 반응을 저해하지 않는 한, 임의의 공지의 접착 촉진제를 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용할 수 있는 접착 촉진제의 예로서, 트리알콕시실록시기(예를 들어, 트리메톡시실록시기, 트리에톡시실록시기) 또는 트리알콕시실릴알킬기(예를 들어, 트리메톡시실릴에틸기, 트리에톡시실릴에틸기)와 하이드로실릴기 또는 알케닐기(예를 들어, 비닐기, 알릴기)를 갖는 오가노실란, 또는 규소 원자수 4~20 정도의 직쇄상 구조, 분지상 구조 또는 환상 구조의 오가노실록산 올리고머; 트리알콕시실록시기 또는 트리알콕시실릴알킬기와 메타크릴옥시알킬기(예를 들어, 3-메타크릴옥시프로필기)를 갖는 오가노실란, 또는 규소 원자수 4~20 정도의 직쇄상 구조, 분지상 구조 또는 환상 구조의 오가노실록산 올리고머; 트리알콕시실록시기 또는 트리알콕시실릴알킬기와 에폭시기 결합 알킬기(예를 들어, 3-글리시독시프로필기, 4-글리시독시부틸기, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸기, 3-(3,4-에폭시사이클로헥실)프로필기)를 갖는 오가노실란 또는 규소 원자수 4~20 정도의 직쇄상 구조, 분지상 구조 또는 환상 구조의 오가노실록산 올리고머; 트리알콕시실릴기(예를 들어, 트리메톡시실릴기, 트리에톡시실릴기)를 2개 이상 갖는 유기 화합물; 아미노알킬트리알콕시실란과 에폭시기 결합 알킬트리알콕시실란의 반응물, 에폭시기 함유 에틸폴리실리케이트를 들 수 있으며, 구체적으로는, 비닐트리메톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란, 하이드로겐트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,6-비스(트리에톡시실릴)헥산, 1,3-비스[2-(트리메톡시실릴)에틸]-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란과 3-아미노프로필트리에톡시실란의 반응물, 실라놀기 봉쇄 메틸비닐실록산 올리고머와 3-글리시독시프로필트리메톡시실란의 축합 반응물, 실라놀기 봉쇄 메틸비닐실록산 올리고머와 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란의 축합 반응물, 트리스(3-트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트를 들 수 있다.
본 발명의 경화성 조성물에 첨가하는 접착 촉진제의 양은 특별히 한정되지 않으나, 경화성 조성물의 경화 특성이나 경화물의 변색을 촉진하지 않기 때문에, 성분 (A) 및 (C)의 합계 100 질량부에 대해 0~5 질량부의 범위 내, 또는 0~2 질량부의 범위 내인 것이 바람직하다.
[그 외 첨가제]
본 발명의 조성물에는, 상술한 접착성 부여제에 더하여, 또는 접착성 부여제 대신, 소망에 따라 그 외 첨가제를 첨가할 수도 있다. 사용할 수 있는 첨가제로서는, 레벨링제, 상술한 접착성 부여제로서 열거한 것에 포함되지 않는 실란 커플링제, 자외선 흡수제, 산화방지제, 중합 금지제, 필러(보강성 필러, 절연성 필러 및 열전도성 필러 등의 기능성 필러) 등을 들 수 있다. 필요에 따라, 적절한 첨가제를 본 발명의 조성물에 첨가할 수 있다. 또한, 본 발명의 조성물에는 필요에 따라, 특히 포팅제(potting agent) 또는 실링재로서 사용하는 경우에는, 요변성 부여제를 첨가할 수도 있다.
본 조성물은 (A) 성분, (C) 성분, 필요에 따라 가하는 (B) 성분, 및 그 외 임의의 성분을 균일하게 혼합함으로써 조제할 수 있다. 본 조성물을 조제할 때, 각종 교반기 또는 혼련기를 이용하여 상온에서 혼합할 수 있으며, 필요에 따라 가열하에서 혼합할 수도 있다. 또한, 각 성분의 배합 순서에 대해서도 한정은 없으며, 임의의 순서로 혼합할 수 있다. 한편, 본 조성물의 조제 도중에서의 경화에 대한 영향을 피하기 위해, 450 nm 이하의 광의 혼입이 없는 장소, 또는 상기 광의 혼입이 가능한 한 적은 장소에서 조제하는 것이 권장된다.
본 조성물은 광조사에 의해 경화할 수 있다. 본 조성물을 경화하기 위해 이용하는 광으로서는, 자외선, 전자선 등의 고에너지선, 가시광선이 예시되는데, 광선의 파장이 250~450 nm의 범위 내인 것이 바람직하며, 파장 400 nm 이하의 자외선을 이용하는 고에너지선의 조사인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 조성물은 전자선을 이용하여 경화시킬 수도 있으며, 이것도 본 발명의 하나의 태양이다. 이 경우, (C) 성분의 부존재하에서도 실용상 충분한 광경화 반응이 진행된다.
본 조성물은 각종 주입제, 포팅제, 봉지제, 접착제로서 유용하며, 특히 적외 LED를 이용한 각종 디바이스, 특히 표시 장치용 광투과층 형성용 광학 충전제로서 유용하다. 이의 경화물은 고온 또는 고온·고습하에서 착색이 적고, 혼탁을 발생시키기 어렵기 때문에, 적외 LED를 이용한 표시 장치용 광투과층으로서 적합하다.
본 조성물은 실온에서 경화가 진행되기 때문에, 내열성이 부족한 기재의 코팅에도 적용할 수 있다. 이와 같은 기재의 종류로서는, 유리, 합성 수지 필름·시트·도막 등 투명 기재인 것이 일반적이다. 또한, 본 조성물의 도공 방법으로서는, 그의 저점도 특성을 살려, 주입(인젝션) 성형이 예시된다.
다음으로, 본 발명의 경화물에 대하여 상세하게 설명한다.
본 조성물을 경화시켜 이루어진 경화물은 높은 굴절률을 가지며, 경화물의 굴절률은 25℃, 파장 847 nm에서의 값으로 1.48 이상이고, 이 조건하에서의 경화물의 굴절률 1.48~1.55의 범위, 굴절률 1.48~1.54의 범위인 것이 바람직하다. 이 특성에 의해, 본 조성물을 경화함으로써 얻어지는 경화물의 굴절률이 충분히 높고, 적외 LED를 광원으로 하는 각종 디바이스에서 광학 유리 및 그 외 광투과층과의 사이에서의 계면 반사를 저감하여, 광 추출 효율을 높일 수 있다.
본 조성물을 경화시켜 이루어진 경화물은 상기한 고굴절률이라는 특징에 더하여, 그의 비유전율이 2.70 이하일 수 있으며, 특히 2.60 이하의 경화물을 부여하는 광경화성 액상 조성물을 적합하게 설계 가능하다. 특히 (A) 성분과 (B) 성분의 종류 및 사용량을 최적화함으로써, 비유전율이 2.20~2.70, 적합하게는 2.20~2.60인 경화물을 부여하는 조성을 설계 가능하다
본 발명의 경화물은 상기 광경화성 액상 조성물에 광조사하여 경화시켜 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 경화물의 형상은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 시트상, 필름상, 테이프상, 괴상(塊狀)을 들 수 있다. 또한, 각종 기재와 일체로 되어 있을 수도 있다.
본 경화물의 형성 방법으로서는, 예를 들어 필름상 기재, 테이프상 기재 또는 시트상 기재에 본 조성물을 도공한 후, 광조사로 경화시켜, 상기 기재의 표면에 본 경화물로 이루어진 경화 피막을 형성할 수 있다. 또한, 적어도 1종이 투명 기재인 2종의 기재 사이에 본 조성물을 주입하고, 투명 기재측으로부터 광을 조사해 경화시켜 기재와 일체화한 경화물로 할 수도 있다. 이 경화 피막의 막 두께는 한정되지 않으나, 바람직하게는 1~3000 μm이며, 보다 바람직하게는 10~2000 μm이다.
본 발명의 표시 장치는 본 발명의 광경화성 액상 조성물을 이용하여 제작된 것이며, 예를 들어 LCD(액정 디스플레이), ECD(일렉트로크로믹 디스플레이) 등의 수광형 표시 장치, 및 ELD(전계 발광 디스플레이) 등의 발광형 표시 장치를 들 수 있다. 본 발명의 표시 장치에서는, 액정·유기 EL 등의 표시부와, 터치 패널, 커버 렌즈 등의 디스플레이 형성 부재의 사이, 또는 디스플레이 형성 부재 사이를 본 발명의 광경화성 액상 조성물의 경화물에 의해 충전함으로써, 계면 반사를 저감하고, 광 추출 효율을 높일 수 있다.
본 발명의 표시 장치의 전형적인 제조법으로서는, 본 발명의 광경화성 액상 조성물의 저점도 특성을 살려, 주입 성형법을 들 수 있다. 구체적으로는, 적외 LED 광원용 기판과 각종 투명 기판 사이의 좁은 틈에 본 조성물을 주입하고, 자외선을 조사함으로써 경화시켜, 표시 장치를 제조하는 방법을 들 수 있다.
한편, 본 발명의 조성물은 그로부터 얻어지는 경화물의 비유전율을 2.70 이하, 적합하게는 2.60 이하의 낮은 값으로 설계할 수 있기 때문에, 고굴절률 및 고투명한 절연 재료로서 사용할 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 조성물은 다양한 물품, 특히 전자 디바이스 및 전기 디바이스를 구성하는 절연층을 형성하기 위한 재료로서 특히 유용하다. 본 발명의 조성물은 기재 위에 도포하고, 또는 적어도 한쪽이 자외선 또는 전자선을 통과하는 재료로 이루어진 2개의 기재로 협지하고, 조성물에 자외선 또는 전자선을 조사함으로써 조성물을 경화시켜 절연층을 형성할 수 있다. 그 경우, 본 발명의 조성물을 기재에 도포할 때 패턴 형성을 수행하고, 그 후 조성물을 경화시킬 수도, 또한 조성물을 기재에 도포하고 경화시킬 때 자외선 또는 전자선의 조사에 의해 경화한 부분과 미경화의 부분을 남기고, 그 후 미경화의 부분을 용매로 제거함으로써 소망하는 패턴의 절연층을 형성할 수도 있다.
본 발명의 조성물은 터치 패널 및 디스플레이 등의 표시 장치의 절연층을 형성하기 위한 재료로서 특히 적합하다. 이 경우, 절연층은 필요에 따라 위에서 설명한 바와 같이 소망하는 임의의 패턴을 형성할 수도 있다. 따라서, 본 발명의 자외선 경화성 오가노폴리실록산 조성물을 경화시켜 얻어지는 절연층을 포함하는 터치 패널 및 디스플레이 등의 표시 장치도 본 발명의 하나의 태양이다.
또한, 본 발명의 조성물을 이용하여, 물품을 코팅한 후에 경화시켜, 절연성의 코팅층(절연막)을 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 조성물은 절연성 코팅제로서 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화성 조성물을 경화시켜 형성한 경화물을 절연성 코팅층으로서 사용할 수도 있다.
본 발명의 광경화성 액상 조성물로 형성되는 절연막은 다양한 용도로 사용할 수 있다. 특히 전자 디바이스의 구성 부재로서, 또는 전자 디바이스를 제조하는 공정에서 사용하는 재료로서 이용할 수 있다. 전자 디바이스에는 반도체 장치, 자기 기록 헤드 등의 전자 기기가 포함된다. 예를 들어, 본 발명의 경화성 조성물은 반도체 장치, 예를 들어 LSI, 시스템 LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM, D-RDRAM 및 멀티 칩 모듈 다층 배선판의 절연 피막, 반도체용 층간 절연막, 에칭 스토퍼막, 표면 보호막, 버퍼 코팅막, LSI에서의 패시베이션막, 플렉서블 동장판의 커버 코팅, 솔더 레지스트막, 광학 장치용 표면 보호막으로서 이용할 수 있다. 특히, 본 발명의 광경화성 액상 조성물은 고굴절률이라는 특징을 겸비하기 때문에, 고굴절률이 요구되는 광학 용도에서의 절연층으로서 특히 적합하다.
또한, 본 발명의 광경화성 액상 조성물은 코팅제로서 사용하는 외에, 포팅제, 특히 전자 디바이스 및 전기 디바이스를 위한 절연성 포팅제로서 사용하기에 적합하다.
이하에서 실시예를 기초로 본 발명을 더욱 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되지 않는다.
실시예
본 발명의 광경화성 액상 조성물 및 이의 경화물을 실시예에 의해 상세하게 설명한다. 또한, 실시예, 비교예 중의 측정 및 평가는 다음과 같이하여 수행하였다.
[광경화성 액상 조성물의 점도]
회전 점도계(도키메크 가부시키가이샤(TOKIMEC INC.) 제품 E형 점도계 VISCONIC EMD)를 사용하여, 25℃에서의 점도(mPa·s)를 측정했다.
[성분 (A)의 화학 구조]
핵자기 공명 스펙트럼 분석에 의해, 성분 (A)의 화학 구조를 동정했다.
[광경화성 액상 조성물 및 이의 경화물의 외관]
광경화성 액상 조성물 및 이의 경화물의 외관을 육안으로 관찰하여, 다음과 같이 평가했다.
A: 투명
B: 약간 혼탁
[경화물의 투명성 및 헤이즈]
경화 후의 두께가 200미크론이 되도록, 광경화성 액상 조성물을 2매의 유리판 사이에 충전하고(충전 면적: 40×40 mm2), 405 nm의 LED 광을 조도 50 mW/cm2로 40초간 조사했다. 2매의 유리판 사이에서 생성된 경화물 시트의 전광선 투과율 및 헤이즈를 닛폰덴쇼쿠코교 가부시키가이샤(NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES CO., LTD.) 제품, SH7000 헤이즈 미터에 의해 JIS K7361-1에 규정되는 방법에 따라 측정했다.
[경화물의 경도]
직경 25 mm, 깊이 10 mm의 유리 컵에 광경화성 액상 조성물을 투입하고, 질소 분위기하 405 nm의 LED 광을 조도 50 mW/cm2로 80초간 조사했다. 생성된 경화물의 실온에서의 경도를 ASTM D 2240에 준거한 D형 듀로미터로 측정했다.
[광경화성 액상 조성물 및 이의 경화물의 굴절률]
상기한 경화성 조성물 및 경도 측정용으로 제작한 경화물을 이용하여, 파장 847 nm에서의 굴절률을 메트리콘(Metricon) 제품 모델 2010/M 프리즘 커플러로 실온에서 측정했다.
[경화물의 비유전율]
제작한 오가노폴리실록산 경화물 위에 양면에 직경 33 mm, 두께 0.007 mm의 주석박을 압착했다. 당해 경화물과 박의 밀착성을 개선하기 위해, 필요에 따라 미량의 실리콘 오일을 개재하여 압착했다. 직경 30 mm의 평행판 전극을 접속한 키사이트 테크놀로지스(Keysight Technologies) 제품 E4990A 프레시젼 임피던스 애널라이저(Precision Impedance analyzer)로 실온, 100 KHz에서의 정전 용량을 측정했다. 측정한 정전 용량의 값과 별도 측정한 경화물의 두께 및 전극 면적의 값을 이용하여, 비유전율을 산출했다.
[실시예 1~7, 비교예 1]
하기 성분을 이용하여, 무용제형의 광경화성 액상 조성물을 조제하였다. 또한, (C) 성분, (D) 성분 및 (E) 성분은 미리 혼합하여 촉매 용액으로 하였다. 이 촉매 용액과 (A) 성분 및 임의의 (B) 성분을 실온에서 자전 공전 믹서를 이용하여 혼합하여, 광경화성 액상 조성물로 하였다. 성분의 혼합 비율과 조성물의 물성 및 경화물의 특성을 표 1에 정리하였다.
(A) 성분으로서, 다음 화합물을 사용하였다.
(A1) 1-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3,3-디페닐-5-페네틸-1,1,5,5-테트라메틸트리실록산
(A2) 1,5-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-3,3-디페닐-1,1,5,5-테트라메틸트리실록산
(B) 성분으로서, 다음 화합물을 사용하였다.
(B1): 3-[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,1,1,3,5,5,5-헵타메틸트리실록산
(B2): 1, 3-비스[2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸]-1,1,3,3-테트라메틸디실록산
(C1) 성분으로서, 다음 화합물을 이용했다.
4-이소프로필-4'-메틸디페닐요오도늄-테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트
(E) 성분으로서, 다음 화합물을 이용했다.
2-이소프로필티오크산톤
(D) 성분으로서, 다음 화합물을 이용했다.
1,2-에폭시-4-비닐사이클로헥산
Figure pct00003
실시예 1~7의 결과로부터, 본 발명의 광경화성 액상 실리콘 조성물은 점도가 낮고, 투명성이 양호하다. 경화하여 얻어지는 경화물의 투명성도 높고, 게다가 굴절률, 특히 적외 영역에서의 굴절률이 높은 것도 확인되었다. 특히, 실시예 6, 7과 같이, 경화물의 고굴절률과 저유전율을 양립 가능한 무용제형의 광경화성 액상 조성물도 설계 가능하였다. 한편, 비교예 1의 결과로부터, 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기를 포함하지 않는 실록산으로 이루어진 광경화성 액상 조성물에서는, 그 광경화에 의해 얻어지는 경화물의 굴절률이 1.48에 그치는 것이 확인되었으며, 또한 저유전율의 경화물을 얻을 수 없었다.
본 발명의 광경화성 액상 조성물은 실온에서의 점도가 낮아 주입 성형에 적합하다. 또한, 장파장의 광, 예를 들어 파장 405 nm의 가시광선 및 자외선의 조사에 의해 신속하게 경화하기 때문에, 생산성의 향상에 공헌한다. 또한 얻어진 경화물은 투명성이 우수하고, 굴절률, 특히 적외 영역에서의 굴절률(1.50 이상)이 높기 때문에, 적외 LED 광원을 이용한 디바이스용 재료로서 유용하다. 또한, 본 발명의 광경화성 액상 조성물은 필요에 따라 낮은 비유전율을 부여하는 경화물을 설계 가능하여, 광학적 특성이 요구되는 절연층/절연 코팅층에도 적합하게 이용 가능하다.

Claims (18)

  1. (A) 1분자 중에 평균적으로 1개 이상의 광반응성 관능기, 및 2개 이상의 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기를 가지며, 규소 원자수가 1~5인 1종 이상의 오가노실란 또는 오가노폴리실록산
    을 포함하고, E형 점도계를 이용하여 25℃에서 측정한 액상 조성물 전체의 점도가 500 mPa·s 이하이며, 또한 조성물 중에 유기 용제를 포함하지 않는, 무용제형의 광경화성 액상 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 추가로, 1종류 또는 2종류 이상의 (C) 경화 촉매를 포함하는, 무용제형의 광경화성 액상 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 광경화 반응에 의해, 25℃, 파장 847 nm에서의 굴절률이 1.48 이상인 경화물을 부여하는, 무용제형의 광경화성 액상 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (A) 성분 중의 광반응성 관능기가 양이온 중합성 관능기인, 무용제형의 광경화성 액상 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, (A) 성분 중의 광반응성 관능기가 에폭시기 함유기이고,
    (C1) 광양이온 중합 개시제 및 (C2) 광라디칼 중합 개시제로부터 선택되는 1종류 또는 2종류 이상의 (C) 경화 촉매를 포함하는, 무용제형의 광경화성 액상 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 추가로, (E) 광증감제를 포함하는, 무용제형의 광경화성 액상 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, (A) 성분이 평균 조성식 (1);
    RX aRY bRZ cSiO(4-a-b-c)/2 (1)
    (식 중, RX는 광반응성 관능기이고, RY는 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기이고, RZ는 상기 광반응성 관능기, 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기를 제외한 비치환 또는 불소로 치환된 1가 탄화수소기, 수산기 및 알콕시기로부터 선택되는 기이고,
    a, b, c는 다음 조건: 1≤a+b+c≤3 및 0.08≤a/(a+b+c)≤0.5를 만족하는 수이며, 분자 중에 1개 이상의 RX 및 적어도 2개의 RY를 갖는다.)
    로 표시되는 규소 원자수가 2~5인 오가노폴리실록산인, 무용제형의 광경화성 액상 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, (A) 성분이
    (A1) 하기 식 (2):
    [화 1]
    Figure pct00004

    (2)
    (식 중, 모든 R1~R8기 중 1분자당 평균적으로 1개 이상의 기는 광반응성 관능기이며, 적어도 2개는 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기이고; 그 외 R1부터 R8은 각각 독립적으로 비치환 또는 불소로 치환된 1가 탄화수소기이고; n은 0부터 3의 수이다)로 표시되는 쇄상 오가노폴리실록산, 및
    (A2) 하기 식 (3):
    [화 2]
    Figure pct00005

    (3)
    (식 중, R9, R10은 각각 독립적으로 광반응성 관능기, 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기, 및 비치환 또는 불소로 치환된 1가 탄화수소기로부터 선택되는 기이고, 모든 R9, R10 중 평균적으로 1개 이상의 기는 광반응성 관능기이며, 적어도 2개는 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기이고, k는 3~5의 수이다.)
    으로 표시되는 환상 오가노폴리실록산, 및
    이들 오가노폴리실록산의 혼합물
    로 이루어진 군으로부터 선택되는 오가노폴리실록산인, 무용제형의 광경화성 액상 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, (A) 성분 중의 광반응성 관능기의 수가 1분자당 평균적으로 1개 이상 2개 이하인, 광경화성 액상 조성물.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 추가로, (B) 1분자 중에 평균적으로 1개 이상의 광반응성 관능기를 가지며, 규소 원자수가 2~10인 1종 이상의 오가노폴리실록산(단, 상기 (A) 성분에 해당하는 오가노폴리실록산을 제외한다)을 포함하는, 무용제형의 광경화성 액상 조성물.
  11. 제10항에 있어서, (B) 성분이
    (B1) 1분자 중에 평균적으로 1개 이상의 광반응성 관능기를 가지며, 탄소수 6~12의 방향족기 및 탄소수 7~12의 아르알킬기로부터 선택되는 1가 관능기의 함유수가 2개 미만이며, 또한 규소 원자수가 2~5의 범위인 1종 이상의 오가노폴리실록산, 및
    (B2) 1분자 중에 평균적으로 1개 이상의 광반응성 관능기를 가지며, 또한 규소 원자수가 5 초과 10 이하인 1종 이상의 오가노폴리실록산
    으로부터 선택되는 1종류 또는 2종류 이상인, 무용제형의 광경화성 액상 조성물.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 추가로, (D) 식: RX-R(식 중, RX는 광반응성 관능기이고, R은 비치환 또는 불소로 치환된 1가 알킬기, 탄소수 2~6의 알케닐기, 탄소수 6~12의 방향족기, 탄소수 7~12의 아르알킬기, 수산기 및 알콕시기로부터 선택되는 1가 관능기)로 표시되는, 규소 원자를 포함하지 않는 광경화성 화합물을 포함하는, 무용제형의 광경화성 액상 조성물.
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 경화 전의 액상 조성물 전체의 25℃, 파장 847 nm에서의 굴절률이 1.47 이상이며, E형 점도계를 이용하여 25℃에서 측정한 액상 조성물 전체의 점도가 250 mPa·s 이하인, 무용제형의 광경화성 액상 조성물.
  14. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, (A) 성분과 (B) 성분의 질량비가 80:20~20:80의 범위이며, 광경화에 의해 비유전율이 2.70 이하인 경화물을 부여하는, 무용제형의 광경화성 액상 조성물.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 무용제형의 광경화성 액상 조성물에 광조사하여 경화시켜 이루어진 경화물.
  16. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 무용제형의 광경화성 액상 조성물을 포함하는, 광학 충전제.
  17. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 무용제형의 광경화성 액상 조성물의 경화물로 이루어진 층을 포함하는 표시 장치.
  18. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 무용제형의 광경화성 액상 조성물을 광원용 기판과 투명 기판 사이에 주입하는 공정, 및 주입 후의 광경화성 액상 조성물에 고에너지선을 조사함으로써 경화시키는 공정을 갖는, 표시 장치의 제조 방법.
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