KR910020501A - 음화 작용 사진 요소 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (31)
- 하기의 a)-f)순서로 구성되는 음화작용의 사진 요소 제조방법: a)하기의 ⅰ)-ⅳ)를 혼합하여 구성되는 조성물을 형성하고;ⅰ)하기의 일반식 (1), (2) 또는 (3)으로 표시되는 감광성 화합물 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 1%내지 약 25%:(식에서, R은 H, -X-Rb또는이고;X는 단일C-C 결합, -O-, -S-, -SO2-, (CCH3이고, n은 1또는 2이고, Ra는 H, -OH, -OY, -OZ, 할로겐 또는 저급 알킬이며 적어도 하나의 Ra 라디칼은 -OY이고 그의 적어도 하나는 -OZ이며, Rb는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된) 아릴임;(식에서, R1은 H, 또는이고, Rc는 H, -OH, -OY 또는 -OZ이며, 적어도 하나의 Rc라디칼은 -OY이고 그의 적어도 하나는 -OZ임);(식에서, R2는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 아킬이고, Rd는 -OH, -OY, 또는 -OZ이고 적어도 하나의 Rd 라디칼은 -OY이고 그의 적어도 하나는 -OZ이며; 식에서 Y는 1, 2-나프토퀴론디아지드 - 4 -술포닐이고 Z는 1, 2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐 또는 -W-R3-로 이때, W는또는 -SO2- 이고, R3는 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 알릴임); ⅱ)노볼락 및/또는 폴리비닐 페놀 수지 조성물의 고형물 부분중량을 기준으로 약 75% 내지 약99%; 및ⅲ)가교 화합물 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 0.5%내지 약 20%, 이때 가교 화합물은 상기 디아지드가 화학선에 노출될 때 발생되는 산의 양과 강도의 존재하에서, 단계(e)의 가열조건의 적용 하에서 상기 수지를 가교할 수 있을 때, 상기 가교 화합물은 일반식R1O-CHR3)n-A-(CHR4-OR2)m(식에서, A는 일반식 B또는 B-Y-B를 가지며, 이때 B는 치환된 또는 비치환된 단핵 또는 융합된 다핵 방향족 탄화수소 또는 산소 또는 황 함유 헤테로시클릭 화합물이고, Y는 단일 결합, C1-C4-알킬렌 또는 -알킬렌디옥시(이들의 사슬은 산소원자들의 의해 차단될수 있음), -O-, -S-, -SO2-, -CO-, CO2-, -CONH-또는 페닐렌 디옥시이고, R1과 R2는 H, C1-C6알킬 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 아릴, 알카릴 또는 아실이고; R3, R4는 독립적으로 H, C1-C4-알킬 또는 치환된 또는 비치환된 페닐이고 n은 1내지 3범위이고 m은 0-3범위이되, 단 n+m은 1이상임)을 가짐;ⅳ)전술한 조성물 성분을 응해시키기 충분한 용매; 및 b)상기 조성물을 지지체 상에 피복하고; c)상기의 피복된 지지체를, 상기 용매의 실질적으로 전부가 건조될때까지 약 20℃ 내지 약 100℃온도에서 가열하고; d)상기 조성물을 화학, 전자 비임, 이온 비임 또는 X선 복사에 상형성 방식으로 노출시키고; e)상기의 피복된 지지체를 적어도 약95℃내지 약 160℃온도에서 약 10초 이상 가열하여 상기 수지를 가교한 다음; 임의적으로 조성물 전부를 약 200내지 약 500nm범위의 화학선에 상기 피복을 반응시키기에 충분한 양으로 일광노출시키고; f)상기 조성물의 복사에 노출안된 상아닌 영역을 현상제로 제거한다.
- 제1항에 있어서, 가교 화합물은 일반식(식에서, R1, R4, R5, R6는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴, 아릴알킬 또는 OR2이고; R2, R3는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴 또는 아릴알킬이다)을 갖는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 가교제는 디메틸을 파라크레졸 또는 메틸 메록시 디페닐 에테르인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 가교제화합물은 벤젠, 1-메록시-2, 6-비스(히드록시메틸-4-메틸-ⅰ페놀, 2, 6-비스(메톡시메틸)-4-메틸-ⅰ 및 벤젠, 1-메톡시-2, 6-비스(메톡시메틸)-4-메틸-로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 용매는 프로필렌글리콜 에테르 아세테이트인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 지지체는 실리콘, 알루미늄 또는 중합체 수지, 이산화 실리콘, 도우프 이산화 실리콘, 질화 실리콘, 탄탈, 구리, 폴리실리콘 세라믹 알루미늄/구리 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 조성물은 착색제, 염료, 항줄무늬제, 균전제, 가소제, 부착 향상제, 속도 증진제, 및 계면활성제로 구성도는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물을 부가적으로 함유하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 현상제는 수성 알칼리 용액인 방법.
- 제1항에 있어서, 단계(e)후에 상기의 피복된 지지체는 약200내지 약500nm의 화학선에 전부 노출되는 방법.
- 제1항의 방법에 따라 제조되는 사진 요소.
- 다음의 ⅰ)-ⅳ)를 혼합하는 구성되는 사진 조성물; ⅰ)일반식(1) (2)또는 (3)으로 표시되는 감광성 화합물 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약1%내지 약 25%;(식에서, R은 H, -X-RD 또는이고; X는 단일 C-C 결합, -O-, -S-, -SO2-, (CH2)n-, 또는이고, n은 1또는 2이고, Ra는 H, -OH, -OY, -OZ, 할로겐 또는 저급 알킬이며 적어도 하나의 Ra 라디칼은 -OY이고 그의 적어도 하나의 -OZ이며, Rb는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴임);(식에서, R1은 H, 또는이고, Rc는 H, -OH, -OY 또는 -OZ이며, 적어도 하나의 Rc라디칼은 -OY이고 그의 적어도 하나는 -OZ임); 및(식에서, R2는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴이고, Rd는 -OH, -OY또는 -OZ이고 적어도 하나의 Rd 라디칼은 -OY이고 그의 적어도 하나는 -OZ이고; 식에서 Y는 1, 2-나프토퀴논디아지드-4-술포닐이고 Z는 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐 또는 -W-R3로 이때, W는또는 -SO2-이고, R3는 알킬, 아릴 치환된 알킬 또는 치환된 아릴임);ⅱ)노볼락 및/또는 폴리비닐 페놀 수지 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약75%내지 약 99%; 및 ⅲ)가교 화합물의 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 1.5%내지 약 20%, 이때 가교 화합물은 상기 디아지드가 화학선에 노출될 때 발생되는 산의 양과 강도의 존재하에서, 단계(e)의 가열 조건의 적용하에서 상기 수지를 가교 할 수 있을 때, 상기 가교 화합물은 일반식(R1O-CHR3)n-A-(CHR4-OR2)m(식에서, A는 일반식 B또는 B-Y-B를 가지며, 이때 B는 치환된 또는 비치환된 단핵 또는 융합된 다핵 방향족 탄화수소 또는 산소 또는 황 함유 헤테로시클릭 화합물이고, Y는 단일 결합, C1-C4-알킬렌 또는 -알킬렌디옥시(이들의 사슬은 산소원자들에 의해 차단될 수 있음), -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -CO2,-O-CO2-,-CONH-또는 페닐렌디옥시이고, R1과 R2는 H, C1-C6-알킬, 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 아릴, 알카릴 또는 아실이고; R3, R4는 독립적으로 H, C1-C4-알킬 또는 치환된 또는 비치환된 페닐이고 n은 1내지 3범위이고 m은 0-3 범위이되, 단 n + m은 1이상임)을 가지며; ⅳ)전술한 성분을 용해시키기에 충분한 용매.
- 제11항에 있어서, 가교화합물을 일반식(식에서, R1, R4, R5, R6는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시크로알킬, 아릴, 아릴알킬 또는 OR2이고; R2, R3는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴 또는 아릴알킬임)을 갖는 조성물.
- 제11항에 있어서, 상기 가교제는 디메틸을 파라크레졸 또는 메틸 메톡시 디페닐 에테르 조성물.
- 제11항에 있어서, 상기 가교 화합물은 벤젠, 1-메톡시-2, 6-비스(히드록시메틸-4-메틸-;페놀, 2, 6-비스(메톡시메틸)-4-메틸-; 및 벤젠, 1-메톡시-2, 6-비스(메톡시메틸)-4-메틸-로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물인 조성물.
- 제11항에 있어서, 상기 용매는 프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트인 조성물.
- 제11항에 있어서, 상기 조성물은 착색제, 염료, 항줄무늬제, 균전제, 가소제, 부착향상제, 속도 증진제, 및 계면활성제로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물을 부가적으로 함유하는 조성물.
- 지지체와 상기 지지체 상에 처리된 제11항의 조성물로 구성되는 사진 요소.
- 제17항에 있어서, 상기 지지체는 실리콘, 알루미늄 또는 중합체수지, 이산화 실리콘, 도우프 이산화 실리콘, 질화 실리콘, 탄탈, 구리, 폴리실리콘, 세라믹 및 알루미늄/구리 혼합물로 구성되는 군으로 선택되는 요소.
- 제17항에 있어서, 가교 화합물은 일반식(식에서, R1, R4, R5, R6는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시크로알킬, 아릴, 아릴알킬 또는 OR2이고; R2, R3는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴 또는 아릴알킬임)을 갖는 요소.
- 제17항에 있어서, 상기 가교 화합물은 디메틸을 파라크레졸 또는 메틸 메록시 디페닐에테르인 효소.
- 하기의 a)-f) 순서로 구성되는 음화 작용의 사진 요소 제조 방법; a)하기의 ⅰ)-ⅳ)를 혼합하여 구성되는 조성물을 형성하고; ⅰ)하기의 (Ⅰ), (Ⅱ), (Ⅲ)의 축합 생성물로 구성되는 감광성 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약1%내지 약25%; (Ⅰ)하기의 (A), (B) 및 (C)로 구성되는 군으로부터 선택되는 페놀 화합물;(식에서 R은 H, 또는 -X-Rb이고; Rb는 H, -OH, 할로겐 또는 저급 알킬이고, 적어도 2개내지 6개 이하이 Ra 라디칼은 -OH이고, X는 단일 C-C 결합, -O-, -S-, -SO2-, 이고, n은 1또는 2이고, Rb는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 아릴임);(식에서, R1은 H, 또는이고 Rc는 H또는 -OH이고 적어도 2개의 Rc 라디칼은 -OH임); 및(식에서, R2는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴임); (Ⅱ)1, 2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산(디아조 1); 및 (Ⅲ) 1, 2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산(디아조2); 및/또는 일반식:W-R3(식에서, W는또는 -SO2-V이고, V는 할로겐이고, R3는 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴임)으로 표시되는 유기산 할라이드로, 이때 반응하는 디아조 1의 양 대 반응하는 디아조 2 및/또는 유기산의 양의 몰비는 약 1 : 1 내지 약 39 : 1임; ⅱ) 노볼락 수지 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 75%내지 약 99%; 및 ⅲ)가교 화합물의 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 0.5%내지 약20%, 이때 가교 화합물은 상기 디아지드가 화학선에 노출될 때 발생되는 산의 양과 강도의 존재하에서, 단계(e)의 가열 조건의 적용하에서 상기 수지를 가교할 수 있을 때, 상기 가교 화합물은 일반식(R1O-CHR3)n-A-(CHR4-OR2)m(식에서, A는 일반식 B또는 B-Y-B를 가지며, 이때 B는 치환된 또는 비치환된 단핵 또는 융합된 다핵 방향족 탄화수소 또는 산소 또는 황 함유 헤테로시클릭 화합물이고, Y는 단일 결합, C1-C4-알킬렌 또는 -알킬렌디옥시(이들의 사슬은 산소원자들에 의해 차단될 수 있음), -O-, -S-, -SO2-, -CO-, CO2, -O-CO2-, -CONH-또는 페닐렌디옥시이고, R1과 R2는 H, C1-C6-알킬, 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 아릴, 알카릴 또는 아실이고; R3, R4는 독립적으로 H, C1-C4-알킬, 또는 치환된 또는 비치환된 페닐이고 n은 1내지 3범위이고 m 은 0-3위이되, 단 n + m은 1이상임)을 가지며;ⅳ)전술한 조성물 성분을 용해시키기 충분한 용매; b)상기 조성물을 지지체 상에 피복하고; c)상기의 피복된 지지체를, 상기 용매의 실질적으로 전부가 건조될때까지 약 20℃내지 약 100℃온도에서 가열하고; d)상기 조성물을 화학, 전자 비임, 이온 비임 또는 X선 복사에 상형성 방식으로 노출시키고; e)상기의 피복된 지지체를 적어도 약 95℃내지 약160℃의 온도에서 약 10초 이상 가열하여 상기 수지를 가교한 다음; 임의적으로 조성물 전부를 약 200내지 약500nm 범위의 화학선에 상기 피복을 반응시키기에 충분한 일광 노출시키고; f)상기 조성물의 복사에 노출안된 상아닌 영역을 현상제로 제기한다.
- 제21항의 방법에 따라 제조되는 사진 요소.
- 하기의 ⅰ) -ⅳ)를 혼합하여 구성되는 사진 조성물: ⅰ)하기의 (Ⅰ), (Ⅱ) 및 (Ⅲ)의 축합 생성물로 구성되는 감광제조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 1%내지 약 25%: (Ⅰ)하기의 (A), (B) 및 (C)로 구성도는 군으로부터 선택되는 페놀 화합물:(식에서, R은 H, -X-Rb또는Ra는 H, -OH, 할로겐 또는 저급 알킬이고 적어도 2개 내지 6개 이하의 Ra 라디칼은 -OH이고, X는 단일 C-C 결합, -O-, -S-, -SO2-, 이고, n은 1또는 2이고, Rb는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 아릴임);(식에서, R1은 H, 또는이고, Rc는 H또는 -OH이고 적어도 2개의 Rc 라디칼은 -OH임); 및(식에서, R2는 H, 알킬, 아릴, 치환돈 알킬, 또는 치환된 아릴임); (Ⅱ) 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산(디아조 1); 및 (Ⅲ) 1, 2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산(다아조 2; 및/또는 일반식:W-R3(식에서, W는또는 ―SO2―V이고, V는 할로겐이고, R3는 알킬, 아릴, 또는 치환된 알릴임)으로 표시되는 유기산 할라이드로, 이때 반응하는 디아조 1의 양 대반응하는 디아조 2 및/또는 유기산의 양의 몰비는 약 1：1 내지 약 39：1임;ⅱ) 노볼락 및 또는 폴리비닐/페놀 수지 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 75%내지 약 99%;및ⅲ)가교 화합물의 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 0.5%내지 약20%, 이때 가교 화합물은 상기 디아지드가 화학선에 노출될 때 발생되는 산의 양과 강도의 존재하에서, 가열 적용하에서, 가열 적용하에서 상기 수지를 가교할 수 있을 때, 상기 가교 화합물은 일반식(R1O―CHR3)n―A―(CHR4―OR2)m(식에서,A는 일반식 B또는 B-Y-B를 가지며, 이때 B는 치환된 또는 비치환된 단핵 또는 융합된 다핵 방향족 탄화수소 또는 산소 또는 황 함유 헤테로시클릭 화합물이고, Y는 단일 결합, C1-C4-알킬렌 또는 -알킬렌디옥시 (이들의 사슬은 산소원자들에 의해 차단될 수 있음), -O-, -S-, -SO2-, -CO-, CO2, -O-CO2-, -CONH-또는 페닐렌디옥시이고, R1과 R2는 H, C1-C6-알킬, 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 아릴, 알카릴 또는 아실이고; R3, R4는 독립적으로 H, C1-C4-알킬 또는 치환된 또는 비치환된 페닐이고 n은 1내지 3범위이고 m은 0-3위이되, 단 n + m 은 1이상임)을 가지며; ⅳ)전술한 성분을 용해시키기 충분한 용매.
- 지지체와 상기 지지체상에 처리되는 제23항의 조성물로 구성되는 사진 요소.
- 제24항에 있어서, 상기 지지체는 실리콘, 알루미늄 또는 중합체 수지, 이산화 실리콘, 도우프 이산화 실리콘, 질화 실리콘, 탄탈, 구리, 폴리실리콘, 세라믹 및 알루미늄/구리 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 요소.
- 제24항에 있어서, 가교 화합물은 일반식(식에서, R1, R4, R5, R6는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시크로알킬, 아릴, 아릴알킬 또는 OR2이고; R2, R3는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴 또는 아릴알킬임)을 갖는 요소.
- 제17항에 있어서, 상기 가교 화합물은 디메틸을 파라크레졸 또는 메틸 메록시 디페닐에테르인 요소.
- 하기의 a)-f) 순서로 구성되는 음화 작용의 사진 요소 제조 방법; a)하기의ⅰ)-ⅳ)구성되는 조성물을 형성하고; ⅰ)하기의 (Ⅰ), (Ⅱ) 및 (Ⅲ)의 축합 생성물로 구성되는 감광성 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약1%내지 약 25%; (Ⅰ)하기의 (A), (B) 및 (C)로 구성되는 군으로부터 선택되는 페놀 화합물;(식에서, R은 H, -X-Rb또는이고,Ra는 H, -OH, 할로겐 또는 저급 알킬이고 적어도 2개 내지 6개 이하의 Ra 라디칼은 -OH이고, X는 단일 C-C 결합, -O-, -S-, -SO2-, 이고, n은 1또는 2이고, Rb는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 아릴임);(식에서, R1은 H, 또는이고, Rc는 H또는 -OH이고 적어도 2개의 Rc 라디칼은 -OH임); 및(식에서, R2는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴임); (Ⅱ) 1, 2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산(디아조 1); 및 (Ⅲ)1, 2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산(디아조2); 및/또는 일반식:W-R3(식에서, W는또는 -SO2-V이고, V는 할로겐이고, R3는 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴임)으로 표시되는 유기산 할라이드로, 이때 반응하는 디아조 1의 양 대 반응하는 디아조2 및/또는 유기산의 양의 몰비는 약1 : 1 내지 약 39 : 1임; ⅱ)노볼락 수지 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 75%내지 약 99%; 및 ⅲ)가교 화합물의 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 0.5%내지 약20%, 이때 가교 화합물은 상기 디아지드가 화학선에 노출될 때 발생되는 산의 양과 강도의 존재하에서, 단계(e)의 가열조건의 적용하에서 상기 수지를 가교할 수 있을 때, 상기 가교 화합물은 일반식(R1O-CHR3)n-A-(CHR4-OR2)m(식에서, A는 일반식 B또는 B-Y-B를 가지며, 이때 B는 치환된 또는 비치환된 단핵 또는 융합된 다핵 방향족 탄화수소 또는 산소 또는 황 함유 헤테로시클릭 화합물이고, Y는 단일 결합, C1-C4-알킬렌 또는 -알킬렌디옥시(이들의 사슬은 산소원자들에 의해 차단될 수 있음), -O-, -S-, -SO2-, -CO-, CO2, -O-CO2-, CONH-또는 페닐렌디옥시이고, R1과 R2는 H, C1-C6-알킬, 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 아릴, 알카릴 또는 아실이고; R3, R4는 독립적으로 H, C1-C4-알킬 또는 치환된 또는 비치환된 페닐이고 n은 1내지 3범위이고 m은 0-3위이되, 단 n + m은 1이상임)을 가지며;ⅳ)전술한 조성물 성분을 용해시키기 충분한 용매; b)상기 조성물을 지지체 상에 피복하고; c)상기의 피복된 지지체를 , 상기 용매의 실질적으로 전부가 건조될때까지 약 20℃내지 약 100℃온도에서 가열하고; d)상기 조성물을 화학, 전자 비임, 이온 비임 또는 X선 복상에 상형성 방식으로 노출시키고; e)상기의 피복된 지지체를 적어도 약 95℃내지 약 160℃의 온도에서 약 10초 이상 가열하여 상기 수지를 가교한 다음; 임의적으로 조성물 전부를 약 200내지 약 500nm 범위의 화학선에 상기 피복을 반응시키기에 충분한 일광 노출시키고; f)상기 조성물의 복사에 노출안된 상아닌 영역을 적당한 현상제로 제거한다.
- 제28항의 방법에 따라 제조되는 사진 요소.
- 하기의 a) -f)순서로 구성되는 음화 작용의 사진 요소 제조 및 사용 방법; a)하기의 ⅰ) -ⅳ)를 혼합하여 구성되는 조성물을 형성하고: ⅰ)하기의 (Ⅰ), (Ⅱ) 및 (Ⅲ)의 축합 생성물로 구성되는 감광성 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 1%내지 약 25%:Ⅰ. 일반식:을 갖는 페놀 화합물 (식에서, Ra는 H, -OH, 할로겐 또는 저급 알킬이고, 적어도 2개 내지 6개 이하의 Ra 라디칼은 OH이고, X는 단일 C-C 결합, -O-, -S-, -SO2-, 또는이고, n은 1또는 2임); (Ⅱ) 1, 2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산(디아조 Ⅰ); 및 (Ⅲ) 1, 2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산(디아조 Ⅱ) ; 또는 일반식W - R3의 유기산(식에서, W는또는 -SO2-V 이고, V는 할로겐이고, R3는 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴임)으로 표시되는 유기산 할라이드로, 이때 반응하는 디아조 Ⅰ의 양 대 반응하는 디아조 Ⅱ 및/또는 유기산의 양의 몰비는 약 1 : 1 내지 약 39 : 1임;ⅱ) 노볼락 수지 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 75%내지 약 99%; 및 ⅲ)가교 화합물의 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 0.5%내지 약20%, 이때 가교 화합물은 상기 디아지드가 화학선에 노출될 때 발생되는 산의 양과 강도의 존재하에서, 단계(e)의 가열조건의 적용하에서 상기 수지를 가교할 수 있을 때, 상기 가교 화합물은 일반식(식에서, R1, R4, R5, R6는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시크로알킬, 아릴, 아릴알킬 또는 OR2이고; R2, R3는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴 또는 아릴알킬임); ⅳ)전술한 조성물 성분을 용해시키기 충분한 용매; b)상기 조성물을 지지체 상에 피복하고; c)상기의 피복된 지지체를, 상기 용매의 실질적으로 전부가 건조될때까지 약 20℃내지 약 100℃온도에서 가열하고; d) 상기 조성물을 화학, 전자 비임, 이온 비임 또는 X선 복상에 상형성 방식으로 노출시키고; e)상기의 피복된 지지체를 적어도 약 95℃내지 약160℃의 온도에서 약 10초 이상 가열하여 상기 수지를 가교한 다음; 임의적으로 조성물 전부를 약 200내지 약 500nm범위의 화학선에 상기 피복을 반응시키기에 충분한 양으로 일광 노출시키고; f)상기 조성물의 노출안된 상아닌 영역을 현상제로 제거한다.
- 제30항의 방법에 따라 제조되는 사진 요소.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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