KR930001577A - 기준전압 발생회로 - Google Patents

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KR930001577A KR1019910010193A KR910010193A KR930001577A KR 930001577 A KR930001577 A KR 930001577A KR 1019910010193 A KR1019910010193 A KR 1019910010193A KR 910010193 A KR910010193 A KR 910010193A KR 930001577 A KR930001577 A KR 930001577A
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이영택
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
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    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • G—PHYSICS
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Abstract

내용 없음

Description

기준전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 회로도.
제4도는 본 발명에 따른 단면도.

Claims (9)

  1. 외부 전원 전압공급 단자와, 전원 접지전압단자와, 기준전압 출력단자와, 제1노드와, 제2노드와, 제3노드와, 상기 외부 전원 전압단자의 제1노드 사이에 연결된 제1저항수단과, 상기 제1노드와 제2노드 사이에 연결된 제2저항수단과, 상기 제2노드에 콜렉터 단자가 베이스 단자와 공통으로 연결되고 상기 전원접지 전압단자에 에미터 단자가 연결된 제1바이폴라 트랜지스터와 상기 제1노드와 제3노드 사이에 연결된 제3저항수단과, 상기 제3노드에 콜렉터 단자가 연결되고 상기 제2노드에 베이스 단자가 연결된 제2바이폴라 트랜지스터와, 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 에미터 단자와 전원접지 전압 단자 사이에 연결된 제4저항수단과, 상기 제1노드와 전원접지 전압단자에 콜렉터 단자와 에미터 단자가 각각 연결되고 상기 제3노드에 베이스 단자가 연결된 제3바이폴라 트랜지스터를 구비하는 정전압 발생회로에 있어서, 상기 제1노드와 제3노드 사이에 연결된 제1캐패시터를 구비함을 특징으로 하는 정전압 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1캐패시터가 주파수 보상용 임을 특징으로 하는 정전압 발생회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 저항수단들이 소정의 도전형을 가지며 정전압이 인가되는 전도층과 절연막이 순차적으로 형성된 반도체 기판 상면에 형성됨을 특징으로 하는 정전압 발생회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1노드와 기준전압 출력단자 사이에 연결된 저항수단과 상기 기준전압 출력단자와 전원접지 전압단자 사이에 연결된 제2캐패시터를 더 구비함을 특징으로 하는 정전압 발생회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 저항수단과 제2캐패시터가 기판전압의 변동주기 주파수 대역 이하만 통과시키는 범위내에서 각각의 저항값과 캐패시턴스를 가짐을 특징으로 하는 정전압 발생회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 저항수단들이 소정의 도전형을 가지며 정전압이 인가되는 전도층과 절연막이 순차적으로 형성된 반도체 기판 상면에 형성됨을 특징으로 하는 정전압 발생회로.
  7. 외부 전원 전압공급 단자와, 전원접지 전압단자와, 기준전압 출력단자와, 제1노드와, 제2노드와, 제3노드와, 상기 외부 전원전압단자와 제1노드 사이에 연결된 제1저항수단과, 상기 제1노드와 제2노드 사이에 연결된 제2저항수단과, 상기 제2노드에 콜렉터 단자와 베이스 단자가 공통으로 연결되고 상기 전원접지 전압단자에 에미터 단자와 연결된 제1바이폴라 트랜지스터와, 상기 제1노드와 제3노드 사이에 연결된 제3저항수단과, 상기 제3노드에 콜렉터 단자가 연결되고 상기 제2노드에 베이스단자가 연결된 제2바이폴라 트랜지스터와, 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 에미터 단자와 전원접지단자 사이에 연결된 제4저항수단과, 상기 제1노드와 전원접지단자에 콜렉터 단자와 에미터 단자가 각각 연결되고 상기 제3노드에 베이스단자가 연결된 제3바이폴라 트랜지스터를 구비하는 정전압 발생회로에 있어서, 상기 제1노드와 기준전압 출력단자 사이에 연결된원 저항수단과, 상기 기준전압 출력단자와 전원접지 전압단자 사이에 연결된 캐패시터를 더 구비함을 특징으로 하는 정전압 발생회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 저항수단들이 소정의 도전형을 가지며 정전압이 인가되는 전도층과 절연막이 순차적으로 형성된 반도체 기판 상면에 형성됨을 특징으로 하는 정전압 발생회로.
  9. 음의 온도계수를 갖는 복수개의 바이폴라 트랜지스터와 양의 온도계수를 갖는 복수개의 저항수단의 결합으로 이루어지는 정전압 발생회로에 있어서 상기 복수개의 저항수단이 소정의 도전형을 가지며 정전압이 인가되는 전도층과 절연막이 순차적으로 형성된 반도체 기판 상면에 형성됨을 특징으로 하는 정전압 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100333547B1 (ko) * 1999-06-29 2002-04-24 박종섭 기준전압 발생기

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940007298B1 (ko) * 1992-05-30 1994-08-12 삼성전자 주식회사 Cmos트랜지스터를 사용한 기준전압 발생회로
KR970010284B1 (en) * 1993-12-18 1997-06-23 Samsung Electronics Co Ltd Internal voltage generator of semiconductor integrated circuit
DE19618914C1 (de) * 1996-05-10 1997-08-14 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials
DE10211912B4 (de) 2002-03-18 2004-02-05 Infineon Technologies Ag Integrierter Schaltkreis und Verfahren zum Steuern einer Stromversorgung desselben
DE102011089402B4 (de) * 2011-04-28 2015-07-16 Zentrum Mikroelektronik Dresden Ag Anordnung und Verfahren zur Erzeugung einer Ausgangsspannung

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5849449B2 (ja) * 1977-08-03 1983-11-04 大和製罐株式会社 空気流による物体搬送方法
US4277739A (en) * 1979-06-01 1981-07-07 National Semiconductor Corporation Fixed voltage reference circuit
JPS6089956A (ja) * 1983-10-24 1985-05-20 Toshiba Corp 半導体装置
US4553083A (en) * 1983-12-01 1985-11-12 Advanced Micro Devices, Inc. Bandgap reference voltage generator with VCC compensation
JPS60229125A (ja) * 1984-04-26 1985-11-14 Toshiba Corp 電圧出力回路
JPS6132565A (ja) * 1984-07-25 1986-02-15 Nec Corp Ｍｏｓ集積回路
JPS61172364A (ja) * 1985-09-27 1986-08-04 Nec Corp 定電圧回路を形成した半導体装置
US4795918A (en) * 1987-05-01 1989-01-03 Fairchild Semiconductor Corporation Bandgap voltage reference circuit with an npn current bypass circuit
US4849933A (en) * 1987-05-06 1989-07-18 Advanced Micro Devices, Inc. Bipolar programmable logic array
US4795961A (en) * 1987-06-10 1989-01-03 Unitrode Corporation Low-noise voltage reference
JPS6455623A (en) * 1987-08-27 1989-03-02 Fujitsu Ltd Reference voltage generating circuit
US4906863A (en) * 1988-02-29 1990-03-06 Texas Instruments Incorporated Wide range power supply BiCMOS band-gap reference voltage circuit
DE4005756A1 (de) * 1989-04-01 1990-10-04 Bosch Gmbh Robert Praezisions-referenzspannungsquelle

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100333547B1 (ko) * 1999-06-29 2002-04-24 박종섭 기준전압 발생기

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