KR940020162A - 액정표시기판과 그 제조방법 - Google Patents

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미노루 히로시마
마사히로 야나미
마사아끼 마쯔다
토시카즈 호리이
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하야오 코자이
켕키치 스즈키
마사루 타카타케
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Abstract

본 발명은, 스위치소자인 박막트랜지스터(TFT)를 내장하는 액정표시기판과 그 제조방법에 관한것으로서, 제조공수를 대폭적으로 저감시키는 것을 목적으로한 것이며, 그 구성에 있어서, 화소전극에 전압을 인가할때에, TFT의 게이트전극에 전압을 인가하므로서 그 드레인, 소오스를 개재해서 이루어지는 액정표시 기판에 있어서, 상기 게이트전극 및 이 게이트전극에 접속되는 배선층(12X)은, 게이트층 및 적어도 게이트 절연막과, a-Si막(12C)의 2층을 포함하는 순차적 적층체로 이루어지고, 이 적층체는 1마스크에 의한 에칭에 의해서 구성되어 있는 것을 특징으로 한 것이다. (제1도)

Description

액정표시기판과 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 액정표시기판의 일실시예를 표시한 평면도.
제2도는 제1도의 A-A′에 있어서의 단면도.
제3도는 본 발명에 의한 액정표시기판의 제조방법의 일실시예를 표시한 공정도.
제4도는 본 발명에 의한 액정표시기판의 제조방법에 있어서의 양극화성전의 액정표시기판의 일실시예를 표시한 평면도.
제5도는 본 발명에 의한 액정표시기판의 제조방법에 있어서의 양극화성방법의 일실시예를 표시한 설명도.
제6도는 본 발명에 의한 액정표시기판의 제조방법의 일공정에 있어서의 기판단면도.
제30도는 본 발명에 의한 액정표시기판의 제조방법의 다른 실시예를 표시한 공정도.
제31도는 본 발명에 의한 액정표시기판의 제조방법에 있어서의 완성시의 기판단면도.
제32도는 본 발명에 의한 액정표시기판의 다른 실시예를 표시한 평면도.
제33도는 제32도의 A-A′에 있어서의 단면도.
제34도는 본 발명에 의한 액정표시기판의 제조방법의 다른 실시예를 표시한 공정도.

Claims (13)

  1. 화소전극에 전압을 인가할때에, TFT의 게이트전극에 전압을 인가하므로서 그 드레인, 소오스를 개재해서 이루어지는 액정표시기판에 있어서, 상기 게이트전극 및 이 게이트전극에 접속되는 배선층은, 게이트층 및 적어도 게이트절연막과, Si막의 2층을 포함하는 순차적 적층체로 이루어지고, 이 적층체는 1마스크에 의한 에칭에 의해서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시기판.
  2. 제1항기재의 적층체로 이루어진 게이트전극 및 이 게이트전극에 접속되는 배선층은 그 옆벽면에 있어서의 게이트층면이 절연화되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시기판.
  3. 제2항에 있어서, 게이트층면의 절연화는 이 게이트금속의 양극화성에 의해서 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정표시기판.
  4. 제3항에 있어서, 게이트전극에 접속되는 배선층의 표면의 일부에 게이트금속층을 노정시키는 구멍을 레이저가공에 의해 형성하고, 이 게이트금속층의 노정부를 양극화성시의 전극으로 한 것을 특징으로 하는 액정표시기판의 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 게이트금속이 적어도 Al, Ta, Ti등의 금속 또는 합금의 단층 또는 적층체로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시기판.
  6. 제2항에 있어서, 게이트층면의 절연화가 이 게이트금속의 옆벽부에 형성한 유기절연체이 의해 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정표시기판.
  7. 화소전극에 전압을 인가할때에, TFT의 게이트전극에 전압을 인가하므로서 그 드레인, 소오스를 개재해서 이루어지는 액정표시기판에 있어서, 상기 게이트전극 및 이 게이트전극에 접속되는 배선층은, 게이트층 및 적어도 게이트절연막과, Si막의 2층을 포함하는 순차적 적층체를 게이트절연막까지 1마스크에 의한 에칭에 의해서 패턴화시키고, 이 패턴으로부터 노정되는 게이트층을 절연화해서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시기판.
  8. 제7항에 있어서, 상기 패턴으로부터 노정되는 게이트층의 절연화를 양극화성에 의해서 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 액정표시기판.
  9. 제8항에 있어서, 게이트층의 양극화성은 그 상층에 순차적으로 형성된 적어도 게이트절연막과, Si막을 포함하는 순차적 적층체를 마스크로하고, 이 마스크로부터 노정된 게이트층을 전극으로서 행하는 것을 특징으로 하는 액정표시기판의 제조방법.
  10. 제1항 또는 제7항에 있어서, 최종보호막, 또는 액정표시소자에 있어서, TFT기판과 쌍을 이루는 다른쪽의 기판을 마스크로해서, 게이트배선상의 Si층 및 절연층을 제거하고, 게이트배선 단자무의 콘택트부를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시기판의 제조방법.
  11. 제1항 또는 제7항에 있어서, TFT의 드레인에 접속되는 배선층이 화소전극과 동일재료이고, 또한 동일 공정에서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시기판.
  12. 제11항에 있어서, 적어도 화소전극의 중앙부를 제외한 영역에 소오스드레인배선과 동일형상의 도전층과 화소전극의 중앙부와 단자부를 제외한 영역에 보호막의 적층체가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시기판.
  13. 액정표시소자의 화면유효부에 손해되는 게이트배선이 절연막으로 피복되어 있고, 또한 드레인배선과 화소전극이 ITO 재료 단독으로 구성되는 액정표시기판에 있어서, 게이트선 및 드레인선을 동시에 보호하는 목적으로 가지고, 두께 200nm 이상의 보호막을 가지지 않는 것을 특징으로 하는 액정표시기판.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Patent event date: 19971030

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I