KR950009727A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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Abstract

메모리 셀의 보유내용을 차동출력에 의해 도출하는 한쌍의 데이터선을 갖는 반도체 기억장치에서 선택시에 있어서의 전위확정시간을 단축한다. 메모리셀이 비선택상태의 때에 선택신호(YS)가 비활성상태로 변화하는 타이밍에 응답하여 pMOS트랜지스터(M14)에 의해 한쌍의 데이터선(W,WB)을 단락시킨다. 다음에 선택상태로 되었을 때 전의 데이터 및 노이즈의 영향을 없애고, 독출할 데이터의 전위차를 즉시 발생시킬 수 있다.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 기억장치의 주요부의 구성을 도시하는 회로도,
제 2도는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 기억장치의 주요부의 구성을 도시하는 회로도.

Claims (8)

  1. 메모리 셀의 보유능력을 한쌍의 차동신호로 하여 도출하는 한쌍의 데이터선과, 이 한쌍의 데이터선의 차동신호를 검출 증폭하는 증폭수단과, 상기 증폭수단을 활성제어하는 활성화제어수단 및, 상기 증폭수단의 비활성시에 상기 한쌍의 데이터선을 부유 상태로 하는 부유 제어수단을 포함하는 반도체 기억장치에 있어서, 상기 증폭수단의 비활성시에 부유 상태에 있는 상기 한쌍의 데이터선끼리 단락시키는 단락제어수단을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단락제어수단은 상기 증폭수단의 활성화 제어신호에 동기하여 단락제어를 행하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 증폭수단은 상기 한쌍의 데이터선의 차동신호를 베이스 차동입력으로 하는 차동 대쌍극성 트랜지스터를 갖고, 상기 활성화 제어수단은 상기 증폭수단의 활성화 제어신호를 레벨 변환하는 수단을 가지며, 이 레벨변환수단의 지연시간에 대응하여 상기 활성화 제어신호를 지연제어하여 상기 단락제어수단의 단락제어를 행하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 부유 제어수단은 상기 메모리 셀의 유지출력인 한쌍의 차동출력을 각각 베이스 입력으로 하고 에미터 출력선이 상기 한쌍의 데이터선으로 된 한쌍의 에미터 폴로워 트랜지스터 및, 이 한쌍의 에미터 폴로워 트랜지스터의 동작 전류원으로 되며 상기 비활성화 제어신호에 따라 온오프 제어되는 한쌍의 전류원을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 한쌍의 데이터선에는 상기 한쌍의 에미터 폴로워 트랜지스터가 복수 대 결선 OR 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  6. 제1항, 제2항, 제3항, 제5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 유지출력의 내용에 따라서 상기 한쌍의 데이터선의 전위변화 후에 상기 단락제어수단에 의해 단락상태를 해체하는 단락해제수단을 더 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  7. 메모리 셀의 유지출력을 한쌍의 차동신호로 하여 도출하는 한쌍의 에미터 폴로워 수단과, 이 한쌍의 에미터폴로워 출력을 도출하는 한쌍의 데이터선과, 이 한쌍의 데이터선의 차동신호를 검출증폭하는 쌍극성 차동증폭수단과, 상기 차동증폭수단을 활성제어하는 활성화 제어수단 및, 상기 차동증폭수단의 비활성시에 상기 한쌍의 데이터선끼리 단락시키면서 소정전위에 설정하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 소정전위는 상기 에미터 폴로워 수단의 동작시의 에미터 바이어스 근방의 전위인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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