KR970051995A - 채널 일부에 절연층이 형성된 에스오아이(soi) 트랜지스터 - Google Patents

채널 일부에 절연층이 형성된 에스오아이(soi) 트랜지스터 Download PDF

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KR970051995A
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삼성전자 주식회사
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Abstract

채널 일부에 절연층을 형성하여 플로팅 바디 효가(floating body effect)를 제거한 SOI 트랜지스터에 관하여 개시한다. 본 발명은 그 위에 산화막이 형성된 실리콘 기판 상에 제2의 실리콘층 및 게이트 절연막 및 게이트 전극이 있는 SOI(Silicon-On-Insulator) 트랜지스터에 있어서, 상기 산화막 상에 위치하고, 상기 제2의 실리콘층의 일부에 절연층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 SOI 트랜지스터를 제공한다. 상기 절연층은 상기 SOI 트랜지스터의 채널로 이용되는 상기 게이트 전극의 하부 중간에 형성된다. 또한, 상기 절연층은 그 중앙 윗 부분이 얇도록 타원형으로 형성된다. 본 발명에 의하면, SOI 트랜지스터의 채널 영역 일부에 절연층을 만들어 기생 바이폴라 트랜지스터 형성을 방지함으로써 플로팅 바디 효과를 억제할 수 있다.

Description

채널 일부에 절연층이 형성된 에스오아이(SOI) 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 SLI 트랜지스터의 단면도이다.

Claims (3)

  1. 매몰 산화막이 형성된 실리콘 기판 상에 제2의 실리콘층 및 게이트 절연막 및 게이트 전극이 있는 SOI(Silicon-On-Insulator) 트랜지스터에 있어서, 상기 산화막 상에 위치하고, 상기 제2의 실리콘층의 일부에 절연층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 SOI 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 상기 SOI 트랜지스터의 채널로이용되는 상기 게이트 전극의 하부 중간에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 SOI 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 그 중앙 윗 부분의 실리콘층이 얇도록 타원형으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 SOI 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100373851B1 (ko) * 2001-03-30 2003-02-26 삼성전자주식회사 소이형 반도체 장치 및 그 형성 방법
KR100835522B1 (ko) * 2006-12-27 2008-06-04 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법

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