KR970052364A - 반도체 장치의 콘택 형성 방법 - Google Patents

반도체 장치의 콘택 형성 방법 Download PDF

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KR970052364A KR1019950057073A KR19950057073A KR970052364A KR 970052364 A KR970052364 A KR 970052364A KR 1019950057073 A KR1019950057073 A KR 1019950057073A KR 19950057073 A KR19950057073 A KR 19950057073A KR 970052364 A KR970052364 A KR 970052364A
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김광호
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Abstract

불순물 확산영역과 도전층 또는 배선층을 접촉시키기 위한 반도체 장치의 콘택 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체기판에 형성된 층간절연층을 식각하여 N+및 P+영역을 오픈시키는 콘택홀을 동시에 형성하는 단계, 콘택홀이 형성된 결과물상에 도전물질을 증착하여 N+및 P+영역과 동시에 접촉하는 도전층을 형성하는 단계, 도전층이 형성된 결과물 상에, 도전물질을 증착한 후, 에치백하여 콘택홀을 채우는 단계 및 결과물 상에 배선층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 기존의 물질을 그대로 이용하면서 N+및 P+콘택을 동시에 형성할 수 있으며, 콘택홀을 완전히 매몰함으로써 표면이 평탄화되어 후속 공정을 용이하게 할 수 있다.

Description

반도체 장치의 콘택 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2D도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 콘택 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

Claims (3)

  1. 반도체기판에 형성된 층간절연층을 식각하여 N+및 P+영역을 오픈시키는 콘택홀을 동시에 형성하는 단계, 콘택홀이 형성된 결과물상에 도전물질을 증착하여 N+및 P+영역과 동시에 접촉하는 도전층을 형성하는 단계, 도전층이 형성된 결과물 상에, 도전물질을 증착한 후, 에치백하여 콘택홀을 채우는 단계 및 결과물 상에 배선층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도전층 또는 배선층은 실리사이드로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 콘택홀을 매몰시키는 도전물질은 폴리실리콘인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100678859B1 (ko) * 2005-10-21 2007-02-05 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 방법

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