KR970052829A - 반도체 소자의 금속층간 절연막 제조 방법 - Google Patents

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여태정
홍흥기
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김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자의 제조방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
다층 금속배선 공정의 금속층간 절연막으로 TEOS계 산화막을 사용하였는데, 상기 TEOS계 산화막이 제대로 베리어 역할을 수행하지 못하여 후속 공정인 SOG막의 중착 및 큐어링을 실시하는 동안에 발생하는 수분과, 보호막의 형성 수행시 발생하는 수소 이온이 소자 내로 침투하여 누설 전류와 드레스 홀드 전압의 시프트 현상을 유발한다는 문제점이 발생함.
3. 발명의 해결방법의 요지
산화막과 굴절율이 크로 조밀한 구조의 질화막으로 형성되는 금속층간 절연막을 이용함으로써 수분과 수소 이온에 대한 베리어 효과를 증대시킬 수 있도록 함.
4. 발명의 중요한 용도.
반도체 소자의 제조, 특히 다층 금속 배선 공정에 이용됨.
※선택도 : 제1도

Description

반도체 소자의 금속층간 절연막 제조 방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 제조된 반도체 소자의 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 금속층간 절연막 제조 방법에 있어서, 소정의 금속층 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 소정의 두께로 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막 상에 소정의 공정 조건 하에서 소정의 두께로 질화막을 중착하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 금속층간 절연막 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 질화막을 중착하는 소정의 공정 조건은, 약 350℃ 내지 500℃의 온도에서 인-시투 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 산화막의 두께는 약 800Å 내지 900Å이고, 상기 질화막의 중착 두께는 약 100Å 내지 200Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층간 절연막 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100749633B1 (ko) * 2006-08-28 2007-08-14 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 장치 제조방법

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