KR970077110A - 패턴 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 패턴 형성 방법은, 피가공층 위에 유기물을 도포하므로써, 제2층을 형성하는 공정(1)과, 제1층위에 유기 금속화 가능한 재료를 도포하므로써, 두께 30∼100nm의 유기 금속화 가능한 제2층을 형성하는 공정(2)과, 제2층에 유기 금속화 불가능한 부분을 선택적으로 형성하는 공정(3)과, 제2층의 유기 금속화 가능한 부분을 유기 금속화하는 공정(7)과, 유기 금속화 불가능한 부분과, 그 유기 금속화 불가능한 부분 아래에 위치하는 제1층의 부분을 제거하는 공정(8)을 구비한다.

Description

패턴 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시의 형태 1∼3의 패턴 형성 방법을 나타내는 공정도.

Claims (21)

  1. 피가공층(101, 121, 141)위에 유기물을 도포하므로써, 제1층(102, 122, 142)을 형성하는 공정(1)과, 제1층(102, 122, 142) 위에 유기 금속화 가능한 재료를 도포하므로써, 두께 30∼100nm의 제2층(103, 123, 143)을 형성하는 공정(2)과, 그 제2층에 유기 금속화 불가능한 부분(106, 126, 146)을 선택적으로 형성하는 공정(3)과, 상기 제2층의 부분에 있어서, 상기 유기 금속hk 불가능한 부분 이외의 부분(107, 123, 143)을 유기 금속화하는 공정(7)과, 상기 유기 금속화 불가능한 부분(106, 126, 146)과, 그 유기 금속화 불가능한 부분(106, 126, 146) 아래에 위치하는 제1층(102, 122, 142)의 부분을 제거하는 공정(8)을 포함하는 패턴 형성 방법.
  2. 피가공층(101) 위에 유기물을 도포하므로써, 제1층(102)을 형성하는 공정(1)과, 그 제1층(102) 위에 유기금속화 가능한 재료를 도포하므로써, 두께 30∼100nm의 제2층(103)을 형성하는 공정(2)과, 그 제2층(103)에 선택적으로 광(104)을 조사하는 공정(4)과, 상기 제2층(103)을 가열하므로써, 광(104)이 조사된 상기 제2층의 부분(105)를 유기 금속화 불가능한 부분(106)으로 하는 공정(5)과, 상기 제2층의 부분에 있어서, 상기 유기금속화 불가능한 부분 이외의 부분(107)을 유기 금속화하는 공정(7)과, 상기 유기 금속화 불가능한 부분(106)과, 그 유기 금속화 불가능한 부분(106) 아래에 위치하는 제1층(102)의 부분을 제거하는 공정(8)을 포함하는 패턴 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 유기 금속화 가능한 재료는, 활성 수소를 포함하는 패턴 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 유기 금속화 가능한 재료는, OH기, COOH기, NH기 및 SH기로부터 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종류를 포함하는 패턴 형성 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제2층을 형성하는 공정(2)은, 상기 제2층(103)의 표면을 덮는 보호막(111)을 형성하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 유기물은, 상기 광(104)에 대한 반사율이 5% 이하인 패턴 형성 방법.
  7. 피가공층(121, 141) 위에 유기물을 도포하므로써, 제1층(122, 142)을 형성하는 공정(1)과, 그 제1층(122, 142) 위에 유기 금속화 가능한 재료를 도포하므로써, 두께 30∼100nm의 제2층(123, 143)을 형성하는 공정(2)과, 그 제2층(123, 143)에 선택적으로 광(124a 124b 144)을 조사하므로써, 광(124a , 124b, 144)이 조사된 상기 제2층의 부분을 유기 금속화 불가능한 부분(126, 146)으로 하는 공정(6)과, 상기 제2층의 부분에 있어서, 상기 유기 금속화 불가능한 부분 이외의 부분(123, 143)을 유기 금속화하는 공정(7)과, 상기 유기 금속화 불가능한 부분(126, 146)과, 그 유기 금속화 불가능한 부분(126, 146) 아래에 위치하는 제1층(122, 142)의 부분을 제거하는 공정(8)을 포함하는 패턴 형성 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2층(143)의 부분을 유기 금속화 불가능한 부분(146)으로 하는 공정(6)은, 비활성가스(145)중에서 상기 제2층(143)에 광(144)을 조사하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 유기 금속화 가능한 재료는, 활성 수소를 포함하는 패턴 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 유기 금속화 가능한 재료는, OH기, COOH기, NH기 및 SH기로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종류를 포함하는 패턴 형성 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 광(124a)의 강도는, 10mJ/㎤/펄스 이상인 패턴 형성 방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 유기 금속화 가능한 재료는, 상기 광(124b)에 대하여 투과율이 80% 이상인 패턴 형성 방법.
  13. 피가공층(161, 181, 201, 221) 위에 제1유기물을 도포하므로써, 제1층(162, 182, 202, 222)을 형성하는 공정(11)과, 그 제1층(162, 182, 202, 222) 위에 제2유기물을 도포하므로써, 두께 30∼100nm의 제2층(163, 183, 203, 223)을 형성하는 공정(12)과, 그 제2층(163, 183, 203, 223)에 유기 금속화 가능한 부분(167, 187, 207, 227)을 선택적으로 형성하는 공정(13)과, 상기 유기 금속화 가능한 부분(167, 187, 207, 227)을 유기 금속화하는 공정(20)과, 상기 유기 금속화 가능한 부분 이외의 부분(166, 186, 206, 226)과, 그 유기 금속화 가능한 부분 이외의 부분(166, 186, 206, 226) 아래에 위치하는 제1층(162, 182, 202, 222)의 부분을 제거하는 공정(21)을 포함하는 패턴 형성 방법.
  14. 피가공층(161) 위에 제1유기물을 도포하므로써, 제1층(162)을 형성하는 공정(11)과, 그 제1층(162) 위에 제2유기물을 도포하므로써, 두께 30∼100nm의 제2층(163)을 형성하는 공정(12)과, 그 제2층(163)에 선택적으로 광(164)을 조사하므로써, 광(164)이 조사된 상기 제2층의 부분을 유기 금속화 가능한 부분(165, 167)으로 하는 공정(14)과, 상기 제2층(163)을 가열하므로써, 상기 제2층의 부분에 있어서, 상기 유기 금속화 가능한 부분(165, 167) 이외의 부분을 유기 금속화 불가능한 부분(166)으로 하는 공정(15)과, 상기 유기 금속화 가능한 부분(167)을 유기 금속화하는 공정(20)과, 상기 유기 금속화 불가능한 부분(166)과, 그 유기 금속화 불가능한 부분(166) 아래에 위치하는 제1층(162)의 부분을 제거하는 공정(21)을 포함하는 패턴 형성 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1층(162)을 형성하는 공정(11)은, 상기 제1유기물을 도포한 후, 상기 제1유기물을 가열하므로써, 상기 제1유기물을 단단하게 하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법.
  16. 피가공층(181) 위에 유기물을 도포하므로써, 제1층(182)을 형성하는 공정(11)과, 그 제1층(182) 위에 제2유기물을 도포하므로써, 두께 30∼100nm의 제2층(183)을 형성하는 공정(12)과, 그 제2층(183)에 선택적으로 광(184)을 조사하는 공정(16)과, 상기 제2층(183)을 가열하므로써, 광(184)이 조사된 상기 제2층의 부분(185)을 유기 금속화 가능한 부분(187)으로 하는 공정(17)과, 상기 유기 금속화 가능한 부분(187)을 유기 금속화하는 공정(20)과, 상기 유기 금속화 가능한 부분 이외의 부분(186)과, 그 유기 금속화 가능한 부분 이외의 부분(186) 아래에 위치하는 제1층(182)의 부분을 제거하는 공정(21)을 포함하는 패턴 형성 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1층(182)을 형성하는 공정(11)은, 상기 제1유기물을 도포한 후, 상기 제1유기물을 가열하므로써, 상기 제1유기물을 단단하게 하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법.
  18. 피가공층(201, 221) 위에 제1유기물을 도포하므로써, 제1층(202, 222)을 형성하는 공정(11)과, 그 제1층(202, 222) 위에 제2유기물을 도포하므로써, 두께 30∼100nm의 제2층(203, 223)을 형성하는 공정(12)과, 그 제2층(203, 223) 전체를 유기 금속화 가능하게 하는 공정(18)과, 유기 금속화 가능한 상기 제2층(207, 227)에 선택적으로 광(204, 224)을 조사하므로써, 광(204 224)이 조사된 상기 제2층의 부분을 유기 금속화 불가능한 부분(206, 226)으로 하는 공정(19)과, 상기 제2층의 유기 금속화 가능한 부분(207, 227)을 유기 금속화 하는 공정(20)과, 상기 유기 금속화 불가능한 부분(206, 226)과, 그 유기 금속화 불가능한 부분(206, 226)의 아래에 위치하는 제1층(202, 222)의 부분을 제거하는 공정(21)을 포함하는 패턴 형성 방법.
  19. 제18항에 있어서, 광(224)이 조사된 상기 제2층의 부분을 유기 금속화 불가능한 부분(226)으로 하는 공정(19)은, 비활성 가스(225)중에서 상기 제2층에 선택적으로 광(224)을 조사하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 제1층(202, 222)을 형성하는 공정(11)은, 상기 제1유기물을 도포한 후, 상기 제1유기물을 가열하므로써, 상기 제1유기물을 단단하게 하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법.
  21. 제18항에 있어서, 상기 제2층(203, 223) 전체를 유기 금속화 가능하게 하는 공정(18)은, 상기 제2층(203, 223) 전체를 자외선(211, 231)을 조사하는 것을 포함하는 패턴 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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