KR970077172A - 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
- H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
- H10P30/22—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping using masks
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
Claims (1)
- 반도체 소자 제조 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 이온 주입 마스크를 이용하여 불순물 이온 주입 장비로 이온을 주입하여 이온 주입 영역을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960014211A KR970077172A (ko) | 1996-05-02 | 1996-05-02 | 반도체 소자 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960014211A KR970077172A (ko) | 1996-05-02 | 1996-05-02 | 반도체 소자 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077172A true KR970077172A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66217101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960014211A Withdrawn KR970077172A (ko) | 1996-05-02 | 1996-05-02 | 반도체 소자 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077172A (ko) |
-
1996
- 1996-05-02 KR KR1019960014211A patent/KR970077172A/ko not_active Withdrawn
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Legal Events
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