KR970077255A - 복사 폴리싱 블록 히터 - Google Patents

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KR970077255A
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polishing block
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polishing
semiconductor wafer
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KR1019970019829A
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Inventor
대럴 엠. 해리스
해럴드 이. 쥬니어 홀
Original Assignee
헨넬리 헬렌 에프.
엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드
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    • H10P52/40—Chemomechanical polishing [CMP]
    • H10P52/402—Chemomechanical polishing [CMP] of semiconductor materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

폴리싱 블록상에 반도체를 장착하여 폴리싱작업시 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 방법, 이 방법은 반도체 웨이퍼를 장착하기 위하여 일정한 표면을 가지고 있는 폴리싱 블록을 제공하는 단계, 폴리싱 블록 표면을 결합제로 코팅하는 단계, 폴리싱 블록과 결합제에 복사열을 가하여 결합제를 연화시키는 단계, 및 반도체 웨이퍼를 연화된 결합체에 가하는 단계로 이루어져 있다. 복사열을 폴리싱 블록과 결합제에 가하는 단계는 건조 환경에서 복사 히터에 의해서 수행된다.

Description

복사 폴리싱 블록 히터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 복사 폴리싱 블록 히터의 정면 및 우측 사시도.

Claims (10)

  1. 폴리싱 블록에 반도체 웨이퍼를 장착하여 폴리싱작업시 반도체 웨이퍼를 유지하는 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼를 장착하기 위한 표면을 가지고 있는 폴리싱 블록을 제공하는 단계; 상기 폴리싱 블록 표면을 결합제로 코팅하는 단계; 건조 환경에서 복사 히터로부터의 복사열을 폴리싱 블록과 그 위의 결합제에 가하여 상기 결합제를 연화시키는 단계; 및 반도체 웨이퍼를 연화된 결합제에 가하는 단계로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복사열을 가하는 단계는 결합제 반대쪽의 폴리싱 블록의 표면쪽으로 복사 히터를 향하게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 결합제의 온도를 감지하는 단계; 및 상기 온도가 소정의 한계에 도달할 때 복사열의 가합을 종결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 복사열을 가하는 단계는 결합제온도가 약 70℃ 이상에 도달할 때 종결되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 복사열을 가하는 단계는 결합제온도가 약 100℃ 이상에 도달할 때 종결되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 대략 60초 미만의 기간후 복사열의 가함을 종료시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 복사열을 가하는 단계는 결합제를 가지고 있는 폴리싱 블록의 표면쪽으로 복사히터로부터의 복사열을 향하게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 폴리싱 블록의 존재를 감지하는 단계; 및 폴리싱 블록이 감지될 때까지 복사열을 가하는 단계를 지연시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 블록을 가열하여 블록에 도포된 결합제를 연화시킴으로써 폴리싱작업시 웨이퍼를 견고하게 유지하도록 폴리싱 블록에 반도체 웨이퍼를 해제 가능하게 결합시키는 장치에 있어서, 폴리싱 블록을 수용 및 유지하도록 구성된 폴리싱 블록 홀더; 및 폴리싱 블록 홀더에 의해서 수용 및 유지될 때 폴리싱 블록쪽으로 복사열 에너지를 향하게 하여 상기 폴리싱 블록을 가열하는 상기 장치에 장착된 복사 히터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 복사 히터는 폴리싱 블록 홀더쪽으로 복사열 에너지를 향하게 하도록 배향된 적외선 히터 요소를 가지고 있는 적외선 히터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970019829A 1996-05-31 1997-05-21 복사 폴리싱 블록 히터 Withdrawn KR970077255A (ko)

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