KR970077284A - 트리플루오로아세트산 및 유도체를 이용하는 플라즈마 부식법 - Google Patents

트리플루오로아세트산 및 유도체를 이용하는 플라즈마 부식법 Download PDF

Info

Publication number
KR970077284A
KR970077284A KR1019960054033A KR19960054033A KR970077284A KR 970077284 A KR970077284 A KR 970077284A KR 1019960054033 A KR1019960054033 A KR 1019960054033A KR 19960054033 A KR19960054033 A KR 19960054033A KR 970077284 A KR970077284 A KR 970077284A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
corrosion
chemical
mixtures
flow rate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019960054033A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100219347B1 (ko
Inventor
앨린 로버츠 데이빗
니콜라스 브티스 레이몬드
케네스 호크버그 아더
그로브 브라이언트 로버트
길스 랜간 존
Original Assignee
윌리엄 에프. 마쉬
에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US08/645,439 external-priority patent/US5626775A/en
Application filed by 윌리엄 에프. 마쉬, 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 filed Critical 윌리엄 에프. 마쉬
Publication of KR970077284A publication Critical patent/KR970077284A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100219347B1 publication Critical patent/KR100219347B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P70/20—Cleaning during device manufacture
    • H10P70/27—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive materials, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H10P70/273—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive materials, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation of conductive layers, e.g. by RIE
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 조건하에서 실리콘 디옥사이드, 실리콘 니트라이드, 보론포스포러스 실리케이드 유리, 플루오로실리케이트 유리, 실리콘옥시니트라이드, 텅스텐, 텅스텐 실리사이드 및 이의 혼합물로부터 선택된 물질의 부식법에 관한 것이며, 구체적으로 플라즈마-증강된 화학적 증착 반응기의 반응 챔버 내벽 또는 기타 표면으로부터 실리콘 디옥사이드 또는 실리콘 니트라이드를 제거하는 세정법에 관한 것이다. 본 발명의 부식법에 사용되는 부식용 화학물질(etchant : 부식제)은 트리플루오로아세트산 그의 유도체이며, 그 예로는 트리플루오로아세트산 무수물, 트리플루오로아세트산의 트리플루오로메틸 에스테르 및 트리플루오로아세트산 아미드 및 이의 혼합물을 들 수 있다.

Description

트리플루오로아세트산 및 유도체를 이용하는 플라즈마 부식법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (20)

  1. 플라즈마 반응 조건하에서 트리플루오로아세트산, 트리플루오로아세트산 무수물, 트리플루오로아세트산의 트리플루오로메틸에스테르, 트리플루오로아세트산 아미드 및 이의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택된 개량된 부식용 화학물질을 이용하여 실리콘 디옥사이드, 실리콘 니트라이드, 보론포스포러스 실리케이트 유리, 플루오로실리케이트 유리, 실리콘옥시니트라이드, 텅스텐, 텅스텐 실리사이드 및 이의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택된 물질을 부식시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 부식법이 바람직하지 않은 실리콘 디옥사이드 및/또는 실리콘 니트라이드로 이루어진 챔버 표면을 세정하는 플라즈마 반응기 챔버 내에서 수행되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 부식용 화학물질이 증기 또는 담체 가스 내에 포함된 증기로 플라즈마 반응기 챔버내로 투입되는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 담체 가스가 아르곤, 헬륨, 질소 및 이의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 부식을 화학물질이 산소와 혼합되는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 부식용 화학물질은 유속이 약 0 내지 5000표준㎤/분(sccm)인 산소와 혼합되는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 부식용 화학물질이 아르곤, 헬륨 및 이의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 플라즈마 안정화 가스와 혼합되는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 부식용 화학물질이 약 1 내지 5000sccm의 유속으로 사용되는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 약 20 내지 5000와트의 플라즈마 전압을 이용하여 상기 플라즈마 반응 조건을 유지하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 반응 조건이 약 25 내지 500℃의 온도를 포함하는 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 반응 조건이 약 0.05 내지 10.0torr의 압력을 포함하는 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 부식용 화학물질이 트리플루오로아세트산 무수물인 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 부식용 화학물질이 트리플루오로아세트산 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 부식용 화학물질이 트리플루오로아세트산의 트리플루오로메틸 에스테르인 방법.
  15. 제1항에 있어서, 실리콘 니트라이드가 부식되는 방법.
  16. 플라즈마 반응기 내에서 상기 부식용 화학물질로 트리플루오로아세트산 무수물을 이용하고, 부식용 화학물질의 유속 약 400 내지 2000sccm, 산소 유속 약 400 - 2500sccm, 플라즈마 전력 약 600 내지 3500와트, 압력 약 0.7 내지 8torr 및 반응기 온도 약 350 내지 420℃의 플라즈마 반응 조건 하에서 실리콘 디옥사이드, 실리콘 니트라이드, 보론포스포러스 실리케이트 유리, 플루오로실리케이트 유리, 실리콘옥시니트라이드, 텅스텐, 텅스텐 실리사이드 및 이의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질을 부식시키는 방법.
  17. 플라즈마 반응기 내에서 상기 부식용 화학물질로 트리플루오로아세트산 무수물을 이용하고, 부식용 화학물질의 유속 약 1600내지 2000sccm, 산소 유속 약 1600-2500sccm, 플라즈마 전력 약 2500내지 3500와트, 압력 약 0.7내지 2.7torr 및 반응기 온도 약 400℃의 플라즈마 반응 조건 하에서 실리콘 디옥사이드, 실리콘 니트라이드, 보론포스포러스 실리케이트유리, 플루오로실리케이트 유리, 실리콘옥시니트라이드, 텅스텐, 텅스텐 실리사이드 및 이의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질을 부식시키는 방법.
  18. 플라즈마 반응기 내에서 상기 부식용 화학물질로 트리플루오로아세트산 무수물을 이용하고, 부식용 화학물질의 유속 약 400 내지 1200sccm, 산소 유속 약 400-1200sccm, 플라즈마 전력 약 600 내지 1200와트, 압력 약 1.5 내지 8torr 및 반응기 온도 약 400℃의 플라즈마 반응 조건 하에서 실리콘 디옥사이드, 실리콘 니트라이드, 보론포스포러스 실리케이트 유리, 플루오로실리케이트 유리, 실리콘옥시니트라이드, 텅스텐, 텅스텐 실리사이드 및 이의 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질을 부식시키는 방법.
  19. 제1항에 있어서, 상기 물질이 웨이퍼 상에 존재하는 방법.
  20. 제1항에 있어서. 상기 물질이 다수의 웨이퍼 상에 존재하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960054033A 1995-11-17 1996-11-14 트리플루오로아세트산 및 유도체를 이용하는 플라즈마 부식법 Expired - Fee Related KR100219347B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US689095P 1995-11-17 1995-11-17
US60/006890 1995-11-17
US08/645,439 US5626775A (en) 1996-05-13 1996-05-13 Plasma etch with trifluoroacetic acid and derivatives
US8/645439 1996-05-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970077284A true KR970077284A (ko) 1997-12-12
KR100219347B1 KR100219347B1 (ko) 1999-09-01

Family

ID=26676213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960054033A Expired - Fee Related KR100219347B1 (ko) 1995-11-17 1996-11-14 트리플루오로아세트산 및 유도체를 이용하는 플라즈마 부식법

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0774778A3 (ko)
JP (1) JP2692707B2 (ko)
KR (1) KR100219347B1 (ko)
IL (1) IL119598A0 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2972786B2 (ja) * 1996-11-05 1999-11-08 工業技術院長 ドライエッチング用ガス
JP2002527908A (ja) * 1998-10-09 2002-08-27 フェイ カンパニ ガス‐アシストｆｉｂエッチングを利用した集積回路再配線
US6268608B1 (en) 1998-10-09 2001-07-31 Fei Company Method and apparatus for selective in-situ etching of inter dielectric layers
JP4754080B2 (ja) * 2001-03-14 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のクリーニング方法及び基板処理装置
US6857433B2 (en) * 2002-07-22 2005-02-22 Air Products And Chemicals, Inc. Process for cleaning a glass-coating reactor using a reactive gas
WO2006061741A2 (en) 2004-12-06 2006-06-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Etchant solutions and additives therefor
WO2009038168A1 (ja) * 2007-09-21 2009-03-26 Tokyo Electron Limited 成膜装置および成膜方法
JP5707144B2 (ja) * 2011-01-18 2015-04-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のドライクリーニング方法及び金属膜の除去方法
JP6896522B2 (ja) * 2017-06-27 2021-06-30 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード エッチング方法およびプラズマエッチング用材料
JP7177344B2 (ja) 2017-11-14 2022-11-24 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6077429A (ja) * 1983-10-04 1985-05-02 Asahi Glass Co Ltd ドライエツチング方法
FR2619578A1 (fr) * 1987-08-18 1989-02-24 Air Liquide Procede de gravure ionique reactive a basse tension d'autopolarisation par addition de gaz inertes
US5213621A (en) * 1991-10-11 1993-05-25 Air Products And Chemicals, Inc. Halogenated carboxylic acid cleaning agents for fabricating integrated circuits and a process for using the same
US5413670A (en) * 1993-07-08 1995-05-09 Air Products And Chemicals, Inc. Method for plasma etching or cleaning with diluted NF3

Also Published As

Publication number Publication date
JP2692707B2 (ja) 1997-12-17
JPH09181054A (ja) 1997-07-11
KR100219347B1 (ko) 1999-09-01
EP0774778A3 (en) 1998-01-14
IL119598A0 (en) 1997-02-18
EP0774778A2 (en) 1997-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW387018B (en) Plasma etch with trifluoroacetic acid and derivatives
KR102158307B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 챔버에서의 인-시튜 챔버 세정 효율 향상을 위한 플라즈마 처리 프로세스
KR970008333A (ko) 화학 증착(cvd) 장치로부터 잔류물을 세척하기 위한 방법
KR100682042B1 (ko) 플라즈마 클리닝 가스 및 플라즈마 클리닝 방법
US20080314418A1 (en) Method and System for Furnace Cleaning
KR910007089A (ko) 반도체 웨이퍼 처리 장치용 세척 방법
KR100263958B1 (ko) 삼불화 질소-산소를 사용한 가열 세정 방법
US20060017043A1 (en) Method for enhancing fluorine utilization
KR970077284A (ko) 트리플루오로아세트산 및 유도체를 이용하는 플라즈마 부식법
ATE251341T1 (de) Verfahren zur ätzung von substraten
KR0181728B1 (ko) 화학 증착장치의 서셉터에서 적층물을 제거하기 위한 개선된 세정공정
US20230131072A1 (en) Dry etching method or dry cleaning method
Tatsumi et al. Selective epitaxial growth by UHV-CVD using Si2H6 and Cl2
US7479457B2 (en) Gas mixture for removing photoresist and post etch residue from low-k dielectric material and method of use thereof
JPH1187324A (ja) プラズマ処理方法
KR20010104260A (ko) 화학 증착챔버 내부의 오염물을 제거하기 위한 가스 반응
KR940010228A (ko) 400℃이상의 온도에서의 반도체 웨이퍼 처리방법
CN101233072B (zh) 加工衬底的方法
KR100497884B1 (ko) 세정기체
KR960042998A (ko) 애싱방법
KR900017144A (ko) 콜드웰 cvd 반응기에서의 티타늄 질화물 증착장치 및 그 방법
US7624742B1 (en) Method for removing aluminum fluoride contamination from aluminum-containing surfaces of semiconductor process equipment
US6127271A (en) Process for dry etching and vacuum treatment reactor
US5721176A (en) Use of oxalyl chloride to form chloride-doped silicon dioxide films of silicon substrates
KR20010106232A (ko) 화학 증착 공정의 개선 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030417

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20040616

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20040616

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000