KR970077428A - 펑션 테스트를 이용한 아이디디큐(iddq) 테스트 방법 - Google Patents

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반권성
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김광호
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Abstract

본 발명은 반도체 칩의 전기적 특성 검사중 IDDQ를 테스트하는 방법에 관한 것으로, 종래의 DUT 보드에 IDDQ를 테스트하기 위한 회로가 추가되고, 종래의 펑션 테스트 방법을 이용함으로써, 종래의 PMU를 이용한 테스트 시간에 비해 테스트 시간이 단축되고, IDDQ패턴 전반에서 테스트됨으로 반도체 칩의 신뢰도를 높일 수 있고, 별도의 테스트 장비를 사용하지 않아도 됨으로 비용이 절감되는 장점이 있다.

Description

펑션 테스트를 이용한 아이디디큐(IDDQ) 테스트 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 의한 DUT 보드에 부가된 IDDQ를 테스트하기 위한 회로도.

Claims (3)

  1. 첫번째 릴레이, 두번째 릴레이, 상기 첫번째 릴레이와 두번째 릴레이를 전기적으로 연결하는 노드A, 상기노드A에 전기적으로 연결된 저항, 엑스트라 핀 및 과 상기 저항과 엑스트라 핀을 전기적으로 연결하는 노드B, 상기 노드B와 상기 첫번째 릴레이를 연결하는 전기적 연결수단을 갖는 회로 및 테스트 채널을 포함하는 테스트보드가 구비되는 단계; 테스트 될 반도체 칩 패키지의 입·출력 단자가 상기 테스트 채널과 전기적으로 연결되는 단계; 상기 반도체 칩 패키지에 파워 전원이 공급되는 단계; 상기 첫번째 릴레이가 인에이블(enable)되고, 상기 두번째 릴레이가 디스에이블(disable)되어 IDDQ테스트 모드로 전환되는 단계; 및 상기 테스트 채널에 입·출력 신호가 인가되고 상기 엑스트라 핀에서 예상전압이 측정되어 기준전압과의 비교에 의해 반도체 칩 패키지의 양/불량을 판정하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 펑션 테스트를 이용한 IDDQ테스트 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노드B에 캐패시턴스가 전기적으로 연결되어 상기 저항으로 발생되는 노이즈의 우회로(bypass)인 것을 특징으로 하는 펑션 테스트를 이용한 IDDQ 테스트 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 예상전압이 측정되기 전에 세팅 타임(setting time)을 갖는 것을 특징으로 하는 펑션 터스트를 이용한 IDDQ 테스트 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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