KR970077432A - 회절광을 사용한 기판검사 방법 및 장치 - Google Patents
회절광을 사용한 기판검사 방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970077432A KR970077432A KR1019970017246A KR19970017246A KR970077432A KR 970077432 A KR970077432 A KR 970077432A KR 1019970017246 A KR1019970017246 A KR 1019970017246A KR 19970017246 A KR19970017246 A KR 19970017246A KR 970077432 A KR970077432 A KR 970077432A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- light
- irradiating
- detecting
- diffraction efficiency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N21/4788—Diffraction
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
Claims (18)
- 표면에 주기적인 구조를 갖는 피쳐(feature)를 갖는 기판에서 표면 결함을 검사하는 방법에 있어서, 기판의 표면위에 입사광을 조사하는 단계와; 기판의 표면으로부터의 회절광을 검출하는 단계와; 회절광의 회절효율을 기지의 회절효율과 비교하는 단계; 및 비교된 효율에서 기판위의 피쳐(feature)에 있는 국부적 결함의 유무를 판정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 회절광을 사용한 기판검사방법.
- 제1항에 있어서, 피쳐의 주기적 구조는 특정한 폭과 피치를 갖추고, 입사광을 조사하는 단계가 특정한 폭과 피치에 대응해서 결정되는 파장의 광을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
- 제1항에 있어서, 입사광이 단색인 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
- 제1항에 있어섬, 상기 기판의 표면상의 피쳐가 복수의 폭과 피치를 갖추고, 입사광을 조사하는 단계가 기판의 표면상에 복수의 파장의 광을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
- 제1항에 있어서, 입사광을 조사하는 단계가 면광원(elongated and extended source)으로부터의 광을 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
- 제1항에 있어서, 기지의 회절효율과 비교하는 단계는, 검사할 기판의 피쳐와 동일한 피이와 폭을 가지면서 무결함인 참조기판을 공급하는 단계; 및 참조기판의 표면의 회절 효율을 기지의 회절효율로 하여 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
- 제1항에 있어서, 회절광을 검출하는 단계는 입사광의 경로에 관계하는 복수의 각도에 있어서 회절광을 검출하는 단계인 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
- 제1항에 있어서, 기판의 표면상의 피쳐가 복수의 폭과 피치를 갖추고, 회절광을 검출하는 단계가 각 피쳐의 폭과 피치에 대응함과 동시에 입사광의 경로에 관련하는 복수의 각도에 있어서 회절광을 검출하는 단계인 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 표면이 이 면 내에 위치하는 상태에서 기판을 회전시키는 단계; 및 이 기판을 회전시키는 단계의 전후에 있어서 기판의 표면에서의 회절광을 검출하여 기판의 복수의 방향에 있어서 기판의 회절 효율을 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
- 제1항에 있어서, 입사광을 확산시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가판검사방법.
- 제5항에 있어서, 면광원으로부터의 광을 조사하는 단계는, 기판의 표면의 제1의 부분에만 광원의 제1부분만으로부터의 광을 공급하는 단계; 및 기판의 표면의 제2의 부분에만 광원의 제2부분만으로부터의 광을 공급하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
- 제1항에 있어서, 기판의 표면위에 다색광을 조사하는 단계와; 기판의 표면으로부터의 산란광을 검출하는 단계; 및 이와 같이 검출한 산란광에서 기판의 표면위에 있는 파티클을 검출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사방법.
- 표면에 주기적인 구조를 갖는 피쳐를 갖는 기판에서 표면 결함을 검사하는 장치에 있어서, 기판을 유지하는 지지체와; 기판이 지지체위에 있을 때에 기판의 표면위에 광을 조사하도록 설치되어 있는 광원과; 기판의 표면으로부터의 회절광을 수신하도록 설치된 검출기; 및 수신된 광의 회절효율을 기지의 회절효율과 비교하여 기판의 표면위의 피쳐에 있는 국부적인 결함의 유무를 판정하기 위해 검출기에 접속된 프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사장치.
- 제13항에 있어서, 검출기에 상기 지지체에 대해서 상기 검출기를 이동시키는 기구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판검사장치.
- 제13항에 있어서, 지지체가 그지지 표면에서 규정되는 평면 내 서 기판을 회전시키는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판검사장치.
- 제13항에 있어서, 광원과 지지체 사이에 삽입되는 확산기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사장치.
- 제14항에 있어서, 지지체에 대해서 검출기를 이동시키는 기구가, 지지체에 대해서 소정의 위치에 설치된 카메라 스테이션; 및 기판의 표면으로부터의 회절광을 수신해서 카메라에 상기 수신된 광을 조사하도록 설치된 가동반사소자로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판검사장치.
- 제13항에 있어서, 기판의 표면에 다색광을 조사하도록 설치된 제2의 광원; 및 기판의 표면에서 산란된 다색광을 수신하도록 설치된 검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판검사장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US644,649 | 1996-05-07 | ||
| US08/644,649 US5777729A (en) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | Wafer inspection method and apparatus using diffracted light |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077432A true KR970077432A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=24585813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970017246A Ceased KR970077432A (ko) | 1996-05-07 | 1997-05-06 | 회절광을 사용한 기판검사 방법 및 장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5777729A (ko) |
| JP (1) | JP3669101B2 (ko) |
| KR (1) | KR970077432A (ko) |
| TW (1) | TW395002B (ko) |
Families Citing this family (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411377B1 (en) * | 1991-04-02 | 2002-06-25 | Hitachi, Ltd. | Optical apparatus for defect and particle size inspection |
| JP4327266B2 (ja) * | 1997-02-26 | 2009-09-09 | 株式会社東芝 | パターン寸法評価方法及びパターン形成方法 |
| AU8127498A (en) * | 1997-07-10 | 1999-02-08 | Nikon Corporation | Device and method for inspecting surface |
| US5956138A (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-21 | Kaiser Optical Systems | Multiple-zone emission spectra collection |
| JP4110653B2 (ja) | 1999-01-13 | 2008-07-02 | 株式会社ニコン | 表面検査方法及び装置 |
| KR20010007152A (ko) * | 1999-06-01 | 2001-01-26 | 오노 시게오 | 결함검사장치 및 결함검사방법 |
| US8531678B2 (en) * | 1999-07-09 | 2013-09-10 | Nova Measuring Instruments, Ltd. | Method and system for measuring patterned structures |
| US6432729B1 (en) * | 1999-09-29 | 2002-08-13 | Lam Research Corporation | Method for characterization of microelectronic feature quality |
| US6973207B1 (en) * | 1999-11-30 | 2005-12-06 | Cognex Technology And Investment Corporation | Method and apparatus for inspecting distorted patterns |
| US20050174583A1 (en) * | 2000-07-06 | 2005-08-11 | Chalmers Scott A. | Method and apparatus for high-speed thickness mapping of patterned thin films |
| JP4591802B2 (ja) | 2000-09-13 | 2010-12-01 | 株式会社ニコン | 表面検査装置および方法 |
| KR100856357B1 (ko) | 2000-09-13 | 2008-09-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 표면검사장치 및 표면검사방법 |
| AU2002219847A1 (en) | 2000-11-15 | 2002-05-27 | Real Time Metrology, Inc. | Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects |
| US6809809B2 (en) * | 2000-11-15 | 2004-10-26 | Real Time Metrology, Inc. | Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects |
| US6657714B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Defect detection with enhanced dynamic range |
| US6768543B1 (en) | 2001-11-01 | 2004-07-27 | Arun Ananth Aiyer | Wafer inspection apparatus with unique illumination methodology and method of operation |
| US7206442B1 (en) | 2001-11-16 | 2007-04-17 | Rudolph Technologies, Inc. | Optical inspection method utilizing ultraviolet light |
| US6847443B1 (en) | 2002-01-17 | 2005-01-25 | Rudolph Technologies, Inc. | System and method for multi-wavelength, narrow-bandwidth detection of surface defects |
| US20030184769A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Houge Erik Cho | Patterned implant metrology |
| JP2003319146A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Pentax Corp | フィルムスキャナ |
| EP2009676B8 (en) | 2002-05-08 | 2012-11-21 | Phoseon Technology, Inc. | A semiconductor materials inspection system |
| WO2006072071A2 (en) | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Phoseon Technology Inc. | Methods and systems relating to light sources for use in industrial processes |
| JP4095391B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2008-06-04 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法 |
| US7427521B2 (en) * | 2002-10-17 | 2008-09-23 | Timbre Technologies, Inc. | Generating simulated diffraction signals for two-dimensional structures |
| JP3787123B2 (ja) * | 2003-02-13 | 2006-06-21 | 株式会社東芝 | 検査方法、プロセッサ及び半導体装置の製造方法 |
| JP4529366B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2010-08-25 | 株式会社ニコン | 欠陥検査装置、欠陥検査方法及びホールパターンの検査方法 |
| TWI302756B (en) * | 2004-04-19 | 2008-11-01 | Phoseon Technology Inc | Imaging semiconductor structures using solid state illumination |
| DE102004029014B4 (de) * | 2004-06-16 | 2006-06-22 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Verfahren und System zur Inspektion eines Wafers |
| JP2007121269A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-05-17 | Hoya Corp | 欠陥検査装置及び方法、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法、並びに半導体ウェハの製造方法 |
| CN1940540A (zh) | 2005-09-30 | 2007-04-04 | Hoya株式会社 | 缺陷检查装置和缺陷检查方法 |
| US7326929B2 (en) * | 2006-02-06 | 2008-02-05 | Northrop Grumman Corporation | Method and apparatus for inspection of semiconductor devices |
| US7724362B1 (en) | 2006-03-14 | 2010-05-25 | Kla-Tencor Corporation | Oblique incidence macro wafer inspection |
| JP4993934B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-08-08 | Hoya株式会社 | パターン欠陥検査方法、フォトマスクの製造方法、及び表示デバイス用基板の製造方法 |
| US7970201B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-06-28 | Applied Materials Israel, Ltd. | Method and system for defect detection |
| JP5534406B2 (ja) | 2007-09-26 | 2014-07-02 | 株式会社ニコン | 表面検査方法および表面検査装置 |
| TWI408356B (zh) * | 2008-09-02 | 2013-09-11 | Ind Tech Res Inst | 反射式散射儀 |
| JP5178561B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2013-04-10 | Hoya株式会社 | パターン検査方法、パターン検査装置、フォトマスク製造方法、およびパターン転写方法 |
| NL2004949A (en) * | 2009-08-21 | 2011-02-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus. |
| DE102010061505B4 (de) * | 2010-12-22 | 2012-10-31 | Kla-Tencor Mie Gmbh | Verfahren zur Inspektion und Detektion von Defekten auf Oberflächen von scheibenförmigen Objekten |
| US9234843B2 (en) | 2011-08-25 | 2016-01-12 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | On-line, continuous monitoring in solar cell and fuel cell manufacturing using spectral reflectance imaging |
| CN103033129B (zh) * | 2011-10-07 | 2015-10-21 | 财团法人工业技术研究院 | 光学设备及光学定址方法 |
| WO2013108087A1 (en) * | 2012-01-18 | 2013-07-25 | Jawaharlal Nehru Centre For Advanced Scientific Research | A system and a method to detect hydrogen leakage using nano-crystallised palladium gratings |
| KR101376831B1 (ko) * | 2012-03-27 | 2014-03-20 | 삼성전기주식회사 | 표면결함 검사방법 |
| US9243886B1 (en) * | 2012-06-26 | 2016-01-26 | Kla-Tencor Corporation | Optical metrology of periodic targets in presence of multiple diffraction orders |
| KR20140011777A (ko) * | 2012-07-19 | 2014-01-29 | 삼성전기주식회사 | 표면 이물질 검사 시스템 및 그 제어 방법 |
| US20140085458A1 (en) * | 2012-09-26 | 2014-03-27 | Apple Inc. | Angular visual response of cosmetic surfaces |
| WO2014050609A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 不規則な凹凸表面を有する基板を検査する装置及びそれを用いた検査方法 |
| TWI525378B (zh) * | 2013-12-06 | 2016-03-11 | 友達光電股份有限公司 | 主動元件陣列基板和顯示面板 |
| US10127652B2 (en) * | 2014-02-06 | 2018-11-13 | Kla-Tencor Corp. | Defect detection and classification based on attributes determined from a standard reference image |
| CN106248684B (zh) * | 2015-06-03 | 2019-12-17 | 法国圣戈班玻璃公司 | 用于检测透明基底的内部瑕疵的光学装置及方法 |
| US10480935B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-11-19 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Thickness mapping using multispectral imaging |
| US20190257876A1 (en) * | 2018-02-21 | 2019-08-22 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | System and method for detecting defects in an electronic device |
| US10753729B2 (en) | 2018-10-02 | 2020-08-25 | Saudi Arabian Oil Company | Photonic sensing analytical device |
| US20220285226A1 (en) * | 2021-03-04 | 2022-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and methods for three dimensional reticle defect smart repair |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60127403A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-08 | Anritsu Corp | 厚み測定装置 |
| US4707611A (en) * | 1986-12-08 | 1987-11-17 | Rockwell International Corporation | Incremental monitoring of thin films |
| JPS6475903A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Ricoh Kk | Method for measuring refractive index and film thickness |
| US4899055A (en) * | 1988-05-12 | 1990-02-06 | Tencor Instruments | Thin film thickness measuring method |
| US5164603A (en) * | 1991-07-16 | 1992-11-17 | Reynolds Metals Company | Modular surface inspection method and apparatus using optical fibers |
| JPH0545862A (ja) * | 1991-08-15 | 1993-02-26 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | 異物検出方式および異物検査装置 |
| JP3095856B2 (ja) * | 1992-02-19 | 2000-10-10 | オリンパス光学工業株式会社 | 外観検査用投光装置 |
| JP3409909B2 (ja) * | 1994-03-11 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置 |
| JP3483948B2 (ja) * | 1994-09-01 | 2004-01-06 | オリンパス株式会社 | 欠陥検出装置 |
| US5640237A (en) * | 1995-08-29 | 1997-06-17 | Kla Instruments Corporation | Method and apparatus for detecting non-uniformities in reflective surafaces |
-
1996
- 1996-05-07 US US08/644,649 patent/US5777729A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-03-10 JP JP05468797A patent/JP3669101B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-15 TW TW086104820A patent/TW395002B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-05-06 KR KR1019970017246A patent/KR970077432A/ko not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW395002B (en) | 2000-06-21 |
| US5777729A (en) | 1998-07-07 |
| JP3669101B2 (ja) | 2005-07-06 |
| JPH09329555A (ja) | 1997-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970077432A (ko) | 회절광을 사용한 기판검사 방법 및 장치 | |
| US7453577B2 (en) | Apparatus and method for inspecting a patterned part of a sample | |
| KR100261832B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 에지 검사용 장치 및 방법 | |
| CA1226348A (en) | Inspection system utilizing dark-field illumination | |
| US9739719B2 (en) | Measurement systems having linked field and pupil signal detection | |
| CN101960579B (zh) | 缺陷检测及响应 | |
| US7561282B1 (en) | Techniques for determining overlay and critical dimension using a single metrology tool | |
| KR970707432A (ko) | 패턴 결함 검출기(defect detection in patterned substrates using optical computing) | |
| KR870007561A (ko) | 피검사물의 표면 검사 장치 | |
| JPH0915163A (ja) | 異物検査方法及び装置 | |
| KR20100053038A (ko) | 웨이퍼 결함의 검사장치 및 검사방법 | |
| JP2947513B1 (ja) | パターン検査装置 | |
| JPS62127652A (ja) | 半導体ウエハの表面欠陥検査装置 | |
| US5987160A (en) | Method and apparatus for inspecting a photoresist material by inducing and detecting fluorescence of the photoresist material | |
| JPH05206237A (ja) | 半導体基板の欠け検査装置 | |
| WO2007017941A1 (ja) | 端部傷検査装置 | |
| JP2006242828A (ja) | 表面欠陥検出装置 | |
| JPH04177851A (ja) | ウェーハ外観検査装置 | |
| KR20000014554A (ko) | 웨이퍼 결함 검출장치 | |
| JPS6074528A (ja) | レジストパタ−ン検査装置 | |
| JPS62223651A (ja) | 検査方法および装置 | |
| JP3406951B2 (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JPH0329177B2 (ko) | ||
| JPH1196812A (ja) | 欠陥検出用の照明装置 | |
| JPH0555332A (ja) | 異物検査装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000 |