KR970077486A - 반도체 장치의 트렌치 소자 분리 방법 - Google Patents

반도체 장치의 트렌치 소자 분리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 트렌치 소자 분리 방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 반도체 장치의 소자 분리를 위하여 반도체 기판 상에 스트레스 완충층 및 식각 방지층을 차례대로 적층하고, 상기 반도체 기판의 소자분리 영역이 노출되도록 상기 식각 방지층 및 스트레스 온충층을 패터닝함으로써 식각 방지층 패턴 및 스트레스 완충층 패턴을 형성고, 상기 스트레스 완충층 패턴의 노출된 측벽을 습식 식각에 의해 일부 식각하여 언더컷을 형성하고, 사이 식각 방지층 패턴을 마스크로 하여 상기 반도체 기판을 소정의 깊이로 식각하여 트렌치를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하여, 비교적 단순한 공정에 의해 트렌치의 코너 부분이 라운딩됨으로써, 반도체 장치에서 험프 현상 및 역협폭 효과가 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.

Description

반도체 장치의 트렌치 소자 분리 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 내지 제9도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 장치의 트렌치 소자 분리방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

Claims (6)

  1. 반도체 기판 상에 스트레스 완충층 및 식각 방지층을 차례대로 적층하는 단계와, 상기 반도체 기판의 소자 분리 영역이 노출되도록 상기 식각 방지층 스트레스 완충층을 패터닝함으로써 식각 방지용 패턴 및 스트레스 완충층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 스트레스 완충층 패턴의 노출된 측벽을 습식 식각에 의해 일부식각하여 언더켓을 형성하는 단계와, 상기 식각 방지층 패턴을 마스크로 하여 상기 반도체 기판을 소정의 깊이로 식각하여 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치의 측벽에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 트렌치를 메립히기 위한 절연 물질을 증착하는 단계와, 상기 식각 방지층 패턴이 노출될 때가지 상기 절연 물질으 CMP(Chemical Mechanical Polishing)공정을 이용하여 평탄화하는 단계와, 상기 식각 방지층 패턴 및 스트레스 완충층 패턴을 차례로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트렌치 소자 분리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 트렌치 측벽에 산화막을 형성하는 단계는 습식 산화 분위기 또는 건식 산화 분위기에서 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트렌치 소자 분리 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스트레스 완충층은 열산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트렌치 소자 분리 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 식각 방지층은 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트렌치 소자 분리 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 트렌치를 매립하기 위한 절연 물질은 CVD(Chemical Vapor Deosition)에 의해 증착된 산화막으로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 트렌치 소자 분리 방법
  6. 반도체 기판 상에 스트레스 완충층 및 식각 방지층 차례대로 적층하는 단계와, 상기 반도체 기판의 소자 분리 영역이 노출되도록 상기 식각 방지층 및 스트레스 완충층을 패너닝함으로써 식각 방지층 패턴 및 스트레스 완충층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 식각 방지층 패턴을 마스크로 하여 상기 반도체 기판을 소정의 깊이로 식각하여 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 스트레스 완층층 패턴의 노출된 측벽을 습식 식각에 의해 일부 식각하여 언더컷을 형성하는 단계와, 상기 트렌치의 측벽에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 트렌치를 매립하기 위한 절연 물질을 증착하는 단계와, 상기 식각 방지층 패턴이 노출될 때까지 상기 절연물질을 CMP공정을 이용하여 평탄화하는 단계와, 상기 식각 방지층 패턴 및 스트레스 완충층 패턴을 차례로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트렌치 소자 분리 방법
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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