KR970077963A - 전류전달회로 및 이를 사용한 전류전압변환회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전자기기 일반에 사용되는 전자회로의 일부를 구성하는 전류 전달회로에 관하고, 용이하게 소망의 전류 전달비가 얻어지며, 회로 형성면적의 축소화를 도모하고, 또 전류치 설정의 자유도를 증대시킴으로써회로의 소전력화를 도모하는 목적으로 한다. 본원 발명은 입력단 32를 게이트가 드레인에 접속된 N채널형 MOSFET의 트랜지스터 M11로 구성하고, 출력측 33을 2개의 N채널형 MOSFET의 트랜지스터 M12, M13이 직렬로 접속되고, 각 트랜지스터 M12, M13의 게이트가 트랜지스터 M11의 게이트에 접속되어서 구성된다. 이 경우, 모든 트랜지스터 M11∼M13의 적어도 게이트 길이 L1이 동일하게 형성되어 구성된다.

Description

전류전달회로 및 이를 사용한 전류전압변환회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 제 1 실시예의 회로 구성도, 제 4 도는 제 1 실시예의 다른 실시예의 회로 구성도, 제 5 도는 본 발명의 제 2 실시예의 회로도, 제 6 도는 제 2 실시예의 다른 실시예의 회로 구성도.

Claims (10)

  1. 트랜지스터로 구성된 입력 측에 흐르는 전류에 대하여 트랜지스터로 구성되는 출력측에 소정 비율의 전류가 흐르는 전류 전달회로에 있어서, 상기 입력측과 출력측의 적어도 어느 한 쪽이 복수의 트랜지스터로 구성되고, 상기 입력측과 출력측의 모든 그 트랜지스터는 동일한 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 전류전달회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 트랜지스터는 상기 소정 비율에 따른 수를 갖는 것을 특징으로 하는 전류전달회로.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 입력측의 모든 트랜지스터는 동일한 게이트 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 전류전달회로.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 출력측의 모든 트랜지스터는 동일한 게이트 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 전류전달회로.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 입력측과 출력측을 구성하는 모든 트랜지스터는 동일한 게이트 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 전류전달회로.
  6. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 입력측의 트랜지스터의 게이트폭과 출력측의 트랜지스터의 게이트 폭과는 상기 소정 비율에 따라 다른 것을 특징으로 하는 전류전달회로.
  7. 제 1 항에 기재의 전류전달회로와, 그 전류전달회로의 출력측에 흐르는 전류에 따른 전압을 발생시키는 소정 수의 트랜지스터로 구성되는 것으로서, 그 트랜지스터를 형성하는 적어도 게이트의 길이를 상기 전류전달회로를 구성하는 모든 상기 트랜지스터의 게이트의 길이와 동일하게 형성된 변환회로를 갖는 것을 특징으로 하는 전류 전압 변환회로.
  8. 제 7 항에 있어서, 변환회로를 구성하는 모든 트랜지스터는 동일한 게이트 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 전류 전압 변환회로.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 변환회로의 모든 트랜지스터의 게이트 폭과 상기 전류전달회로의 입력측 또는 출력측의 적어도 한 쪽을 구성하는 트랜지스터의 게이트 폭과는 동일한 것을 특징으로 하는 전류 전압 변환회로.
  10. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 변환회로의 모든 트랜지스터의 게이트 폭은 상기 전류전달회로의 입력측과 출력측을 구성하는 트랜지스터의 게이트 폭과는 다른 것을 특징으로 하는 전류전압변환회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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