KR980010603A - 포토마스크 제조방법 - Google Patents
포토마스크 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980010603A KR980010603A KR1019960031202A KR19960031202A KR980010603A KR 980010603 A KR980010603 A KR 980010603A KR 1019960031202 A KR1019960031202 A KR 1019960031202A KR 19960031202 A KR19960031202 A KR 19960031202A KR 980010603 A KR980010603 A KR 980010603A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photoresist
- shielding pattern
- pattern
- light
- uniform
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
포토마스크 제조방법을 개시하고 있다. 이는, 석영기판 상에 차광패턴을 형성하는 단계; 결과물 전면에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층을 형성하는 단계; 차광패턴이 균일한 영역을 마스킹한 채로 포토레지스트층이 형성된 석영기판의 배면을 노광시키는 단계; 상기 포토레지스트층을 현상함으로써, 불균일하게 형성된 차광패턴 상에만 선택적으로 형성되고, 균일하게 형성된 영역 전부를 덮는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상기 차광패턴이 균일한 선폭을 갖도록 식각하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 포토마스크 전면에 걸쳐 균일한 CD를 갖는 차광패턴을 형성할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 소자 제조시 사용되는 포토마스크 제조방법에 관한 것으로, 특히 임계선폭(Critical
Dimension, 이하 CD라함)의 균일성을 확보할 수 있는 포토마스크 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조공정에 있어서, 집적도 향상에 가장 민감하게 반응하는 기술이 사진공정 기술이다. 특히, 웨이퍼 상에 형성되는 패턴 선폭의 균일도는, 사진공정에서 사용되는 마스크 상에 형성된 차광패턴 선폭의 균일도에 의해 좌우된다고 할 수 있다. 따라서, 마스크 상에 형성되는 차광 패턴의 선폭의 균일도를 개선하기 위한 여러 가지 시도가 이루어지고 있다.
제1a도 및 제1b도는 종래 일반적인 방법으로 제조된 마스크의 문제점을 설명하기 위해 도시한 평면도이고, 제2a도 및 제2b도는 이에 대응되는 단면도이다.
종래 일반적인 방법으로 제조된 마스크의 차광 패턴(3)의 CD는, 동심원 방향으로 CD의 크기가 작아지는 경우(제1a도), 어느 한쪽의 에지부분의 CD의 크기가 작아지는 경우(도1b), 또는 전체 마스크의 CD가 작아지는 경우(도시되지 않음)가 발생하고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 임계선폭의 균일도를 개선할 수 있는 포토마스크 제조방법을 제공하는 것이다.
제1도a 및 1b도는 종래 일반적인 방법으로 제조된 마스크의 문제점을 설명하기 위해 도시한 평면도이다.
제2a도 및 제2b도는 이에 대응되는 단면도이다.
제3도 내지 제8도은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명은, 석영기판 상에 차광패턴을 형성하는 단계; 결과물 전면에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층을 형성하는 단계; 차광패턴이 균일한 영역을 마스킹한 채로 포토레지스트층이 형성된 석영기판의 배면을 노광시키는 단계; 상기 포토레지스트층을 현상함으로써, 불균일하게 형성된 차광패턴 상에만 선택적으로 형성되고, 균일하게 형성된 영역 전부를 덮는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상기 차광패턴이 균일한 선폭을 갖도록 식각하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법을 제공한다. 따라서, 포토마스크 전면에 걸쳐 균일한 CD를 갖는 차광패턴을 형성할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
제3도 내지 제8도는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
제3도를 참조하면, 먼저 석영기판(10) 상에 종래의 방법을 이용하여 차광패턴(12)을 형성한다. 이때, 종래에서와 마찬가지로 CD가 균일한 영역(B)과 균일하지 않은 영역(A)이 나타난다.
제4도를 참조하면, 상기 결과물 전면에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층(14)을 형성한다.
제5도를 참조하면, 포토레지스트층(14)이 형성된 상기 결과물의 배면(back side), 즉 석영기판(10)의 배면을 노광시킨다. 이때, 차광패턴(12)이 균일한 영역(B)은 스크린(16)을 사용하여 노광시키지 않는다.
제6도를 참조하면, 상기 포토레지스트층(14)을 현상한다. 이로써, 불균일하게 형성된 차광패턴(12) 영역(A)에서는 차광패턴 상에만 선택적으로 형성되고, 균일하게 형성된 영역 전부를 덮는 포토레지스트 패턴(18)을 형성한다.
제7도를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(18)을 마스크로하여 상기 차광패턴(12)을 건식 또는 습식식각한다. 이때, 식각시간 조절을 통해 차광패턴(12)의 크기를 조절할 수 있으므로, CD가 균일한 영역과 동일한 CD를 갖도록 식각조건을 결정한다.
제8도를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(18)을 제거하여 균일한 CD를 갖는 차광패턴이 형성된 포토마스크를 완성한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 포토레지스트 도포, 배면 노광 및 현상하여 불균일하게 형성된 차광패턴 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고 이를 이용하여 불균일한 차광패턴을 선택적으로 식각함으로써, 포토마스크 전면에 걸쳐 균일한 CD를 갖는 차광패턴을 형성할 수 있다.
Claims (1)
- 석영기판 상에 차광패턴을 형성하는 단계; 결과물 전면에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층을 형성하는 단계; 차광패턴이 균일한 영역을 마스킹한 채로 포토레지스트층이 형성된 석영기판의 배면을 노광시키는 단계; 상기 포토레지스트층을 현상함으로써, 불균일하게 형성된 차광패턴 상에만 선택적으로 형성되고, 균일하게 형성된 영역 전부를 덮는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상기 차광패턴이 균일한 선폭을 갖도록 식각하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960031202A KR980010603A (ko) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 포토마스크 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960031202A KR980010603A (ko) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 포토마스크 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980010603A true KR980010603A (ko) | 1998-04-30 |
Family
ID=66249992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960031202A Withdrawn KR980010603A (ko) | 1996-07-29 | 1996-07-29 | 포토마스크 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980010603A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6704962B2 (en) | 2000-05-12 | 2004-03-16 | Youn Soo Choi | Elastic body, method for manufacturing the same and mattress including the same |
| KR100774048B1 (ko) * | 2000-08-15 | 2007-11-06 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 포토마스크의 제조방법, 포토마스크 블랭크의 제조방법 및포토마스크의 재생방법 |
-
1996
- 1996-07-29 KR KR1019960031202A patent/KR980010603A/ko not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6704962B2 (en) | 2000-05-12 | 2004-03-16 | Youn Soo Choi | Elastic body, method for manufacturing the same and mattress including the same |
| KR100774048B1 (ko) * | 2000-08-15 | 2007-11-06 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 포토마스크의 제조방법, 포토마스크 블랭크의 제조방법 및포토마스크의 재생방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970007173B1 (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
| KR100253580B1 (ko) | 스티칭 노광 공정에 사용되는 마스크 | |
| US5650250A (en) | Light exposure mask for semiconductor devices | |
| JP2002323746A (ja) | 位相シフトマスク及び、それを用いたホールパターン形成方法 | |
| KR970018110A (ko) | 반도체장치의 패턴 형성방법 | |
| KR20030056499A (ko) | 미세 패턴 형성용 마스크 | |
| US5851734A (en) | Process for defining resist patterns | |
| US20030039892A1 (en) | Method of optical proximity correction | |
| US4581316A (en) | Method of forming resist patterns in negative photoresist layer using false pattern | |
| KR0126878B1 (ko) | 크롬마스크를 이용한 하프-톤 마스크 제작방법 | |
| US5928814A (en) | Photomask controlling transmissivity by using an impurity-containing film formed on a transparent substrate | |
| US5759723A (en) | Light exposure mask for semiconductor devices and method for forming the same | |
| KR0151228B1 (ko) | 고립된 다수의 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 | |
| JPS62245251A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| KR100422956B1 (ko) | 미세패턴형성방법 | |
| KR19980048210A (ko) | 반도체 장치의 미세 패턴 형성 방법 | |
| JP2000082650A (ja) | 投影露光方法 | |
| KR100728947B1 (ko) | 반도체소자용 레티클을 이용한 노광방법 | |
| KR0123241B1 (ko) | 포토마스크 및 그 제조방법 | |
| KR0131263B1 (ko) | 포토 마스크 제작 방법 | |
| KR960001367Y1 (ko) | 패턴 마스크 구조 | |
| KR0137610B1 (ko) | 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법 | |
| KR19980077753A (ko) | 포토리소그래피 공정에 의한 반도체장치의 패턴형성방법 | |
| KR950015577A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR20020091990A (ko) | 리소그래피 공정에서의 근접효과 제거 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19960729 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |