MA66494A1 - Amplificateur RF large bande à faible bruit avec circuit multifonction pour adaptation et suppression des fréquences indésirables - Google Patents

Amplificateur RF large bande à faible bruit avec circuit multifonction pour adaptation et suppression des fréquences indésirables

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MA66494A1
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MA
Morocco
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ghz
transistor
frequency
lna
amplifier
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Application number
MA66494A
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Inventor
Younes Achaoui
Mohammed Lahsaini
Hardouzi Faycal El
Original Assignee
Universite Moulay Ismail
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    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
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    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
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Abstract

La présente invention concerne un amplificateur à faible bruit (LNA - Low Noise Amplifier) utilisant une ligne de transmission composite à main droite/gauche (CRLH-TL - Composite Right/Left Handed Transmission Line). Cette ligne composite est constituée d'une ligne microruban simple et d'un résonateur à anneau fondu (RAF) situés à l'entrée et à la sortie du transistor. Cette conception permet une adaptation dimpédance optimale sur une large plage de fréquences, tout en supprimant une bande de fréquences indésirables.<br />Le circuit est conçu pour fonctionner à une fréquence centrale de 2,4 GHz et par la même occasion éliminer la bande de fréquence autour de 4,8 GHz. Il respecte les critères de performance déterminants tels qu'un gain amélioré, une meilleure stabilité et une réduction significative du bruit. Pour atteindre ces objectifs, le transistor est soumis à une polarisation précise, assurée par un bloc d'alimentation en courant continu. Dans ce processus, un condensateur spécifiquement sélectionné est relié avec un transformateur λ/4. Ce dernier quant à lui est connecté en série à une section de ligne radiale.<br />La méthode proposée a été validée à travers une conception optimale d'un LNA utilisant le transistor radiofréquence (RF) ATF-34143 et un transistor Pseudomorphique-HEMT. Les résultats obtenus montrent que le LNA atteint un gain qui sélève à 15,04 dB, une perte de réflexion à lentrée "S11" de -14,29 dB, une perte de réflexion à la sortie "S22" de -19,26 dB, et un isolement inverse S12 et S21 de -23 dB à la fréquence de 2,4 GHz. De plus, un pic de résonance à 4,8 GHz permet d'éliminer la bande de fréquence environnante avec une atténuation de 77 dB à cette fréquence. Le facteur de bruit est maintenu en dessous de 2 dB, avec une stabilité inconditionnelle sur la bande de fréquence désirée. Les dimensions de l'amplificateur proposé sont de 70 × 34 mm².
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0886384B1 (fr) * 1997-06-13 2007-02-21 Lucent Technologies Inc. Amplificateur à faible bruit et à deux bandes constitué d'un seul étage pour un récepteur sans fil d'un système de communication
US7391288B1 (en) * 2004-03-26 2008-06-24 The Regents Of The University Of California Zeroeth-order resonator
US20090295473A1 (en) * 2008-05-28 2009-12-03 Alexandre Dupuy Power Amplifier Architectures

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