MA66576A1 - Amplificateur RF à Faible Bruit Multi-Bandes Basé sur des Résonateurs Méta-matériaux pour Combinés Mobiles - Google Patents

Amplificateur RF à Faible Bruit Multi-Bandes Basé sur des Résonateurs Méta-matériaux pour Combinés Mobiles

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MA66576A1
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MA
Morocco
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amplifier
resonators
noise
low noise
crlh
Prior art date
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MA66576A
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Inventor
Younes Achaoui
Mohammed Lahsaini
Hardouzi Faycal El
Original Assignee
Universite Moulay Ismail
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    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
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    • H—ELECTRICITY
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Abstract

La présente invention concerne un amplificateur faible bruit (LNA) tri-bande en technologie microruban, basé sur des résonateurs en ligne de transmission composite main droite/gauche CRLH-TL (Composite Right Left Handed Transmission Line). Cet amplificateur est conçu en respectant tous les critères de performance, tels qu'un gain satisfaisant, une stabilité inconditionnelle et un faible facteur de bruit.<br />Le transistor utilisé est polarisé en technologie microruban (selfs et capacités distribuées) et adapté par des filtres sous forme dune section de transformateurs λ/4. Lutilisation des résonateurs CRLH-TL à la sortie, nous a permet détablir le comportement multibande et une meilleure réjection des bandes.<br />Les résultats obtenus montrent dexcellentes caractéristiques à savoir une stabilité inconditionnelle de lamplificateur, des gains satisfaisants de lordre de 20 dB, 14,46 dB et 11,83 dB respectivement à trois fréquences spécifiques 900 MHz, 2,1 GHz et 3,5 GHz. Le facteur de bruit de lamplificateur modélisé ne dépasse pas 2 dB et sa taille est de 73×62 2.<br />Les normes de communications mobiles prises en charge par lamplificateur proposé sont GSM (2G), UMTS (3G) et NR (5G).
MA66576A 2024-06-28 2024-06-28 Amplificateur RF à Faible Bruit Multi-Bandes Basé sur des Résonateurs Méta-matériaux pour Combinés Mobiles MA66576A1 (fr)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0886384B1 (fr) * 1997-06-13 2007-02-21 Lucent Technologies Inc. Amplificateur à faible bruit et à deux bandes constitué d'un seul étage pour un récepteur sans fil d'un système de communication
US7391288B1 (en) * 2004-03-26 2008-06-24 The Regents Of The University Of California Zeroeth-order resonator
US20090295473A1 (en) * 2008-05-28 2009-12-03 Alexandre Dupuy Power Amplifier Architectures

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0886384B1 (fr) * 1997-06-13 2007-02-21 Lucent Technologies Inc. Amplificateur à faible bruit et à deux bandes constitué d'un seul étage pour un récepteur sans fil d'un système de communication
US7391288B1 (en) * 2004-03-26 2008-06-24 The Regents Of The University Of California Zeroeth-order resonator
US20090295473A1 (en) * 2008-05-28 2009-12-03 Alexandre Dupuy Power Amplifier Architectures

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