MD20000111A - Устройство для скалывания в вакууме полупроводниковых эпитаксиальных структур - Google Patents

Устройство для скалывания в вакууме полупроводниковых эпитаксиальных структур Download PDF

Info

Publication number
MD20000111A
MD20000111A MDA20000111A MD20000111A MD20000111A MD 20000111 A MD20000111 A MD 20000111A MD A20000111 A MDA20000111 A MD A20000111A MD 20000111 A MD20000111 A MD 20000111A MD 20000111 A MD20000111 A MD 20000111A
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
cleaving
base plate
semiconductor structures
epitaxial semiconductor
vacuum
Prior art date
Application number
MDA20000111A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Inventor
Станислав ВИЕРУ
Владимир ЯКОВЛЕВ
Алексей СЫРБУ
Андрей КАЛИМАН
Григоре СУРУЧАНУ
Александру МЕРЕУЦЭ
Original Assignee
Vieru Stanislav
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vieru Stanislav filed Critical Vieru Stanislav
Priority to MDA20000111A priority Critical patent/MD20000111A/ru
Publication of MD20000111A publication Critical patent/MD20000111A/ru

Links

Landscapes

  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к устройствам для приготовления и обработки полупроводников, в частности к устройству для скалывания эпитаксиальных полупроводниковых структур в вакууме, которое осуществляет и нанесение на свежесколотые грани защитных диэлектрических слоев.Устройство содержит столик состоящий из двух частей, одна из которых выполнена подвижной с возможностью поворота. В исходном состоянии на столике устанавливается полупроводниковая подложка. С помощью системы рычагов, управляемая снаружи вакуумной камеры, подвижная часть столика вращается, скалывая тем самым подложку. После вращения поворотная часть столика, и соответственно сколы полупроводниковой подложки располагаются под углом 45° относительно направления потока испаряемого защитного вещества. Точность и качество скола обеспечиваются предварительной установкой подложки в вакуумной камере под микроскопом.
MDA20000111A 2000-06-27 2000-06-27 Устройство для скалывания в вакууме полупроводниковых эпитаксиальных структур MD20000111A (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20000111A MD20000111A (ru) 2000-06-27 2000-06-27 Устройство для скалывания в вакууме полупроводниковых эпитаксиальных структур

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20000111A MD20000111A (ru) 2000-06-27 2000-06-27 Устройство для скалывания в вакууме полупроводниковых эпитаксиальных структур

Publications (1)

Publication Number Publication Date
MD20000111A true MD20000111A (ru) 2002-07-31

Family

ID=62142906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20000111A MD20000111A (ru) 2000-06-27 2000-06-27 Устройство для скалывания в вакууме полупроводниковых эпитаксиальных структур

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD20000111A (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD249Z (ru) * 2009-04-29 2011-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD249Z (ru) * 2009-04-29 2011-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007078802A3 (en) Epitaxial deposition of doped semiconductor materials
TW200606169A (en) Composition and method for low temperature chemical vapor deposition of silicon-containing films including silicon carbonitride and silicon oxycarbonitride films
KR20220047244A (ko) 목표 조성 및 막 특성들을 갖는 ＳｉＣ 부류의 막들을 획득하는 방법
KR102259262B1 (ko) 유동성 실리콘-함유 막들의 증착
EP1340247A4 (en) METHOD FOR THE FORMATION OF DIELECTRIC FILMS
TWI571932B (zh) 採用ＳｉＯＣ類薄膜之基於遠程電漿的沉積
KR101841206B1 (ko) Pecvd 미정질 실리콘 게르마늄(sige)
KR102503734B1 (ko) 플라즈마 cvd 막들에서의 오버레이의 가스 유동 프로파일 조절식 제어
US9864270B2 (en) Pellicle and method for manufacturing the same
GB2354762A (en) Tantalum amide precursors for deposition of tantalum nitride on a substrate
AU2001257118A1 (en) Method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on semiconductor wafer
WO2004044958A3 (en) Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films
EP1063686A3 (en) Method of silicide formation in a semiconductor device
CN115053325A (zh) 用于局部应力调节的uv固化
KR20130085900A (ko) 무-염소 등각 질화 규소 필름 증착 방법
WO2001080287A3 (en) Process for fabricating thin film transistors
WO2003010086A3 (en) Microelectromechanical system devices integrated with semiconductor structures
ATE540137T1 (de) Ablagerungssystem mit hohem durchsatz für oxiddünnfilm-wachstum durch reaktive koevaporation
KR102892711B1 (ko) SIO2:SINx 에칭 선택도를 향상시키기 위한 선택적 부착
WO2006083769A3 (en) N2-based plasma treatment for porous low-k dielectric films
US20150371867A1 (en) Protective trench layer and gate spacer in finfet devices
EP1708255A3 (en) Diamond substrate and manufacturing method thereof
TW200614560A (en) Method for producing a layer of a doped semiconductor material, and apparatus
MD20000111A (ru) Устройство для скалывания в вакууме полупроводниковых эпитаксиальных структур
WO2003015138A3 (en) Optimized buried-channel fets based on sige heterostructures