MD3320G2 - Способ получения наноструктур оксида цинка - Google Patents

Способ получения наноструктур оксида цинка Download PDF

Info

Publication number
MD3320G2
MD3320G2 MDA20060100A MD20060100A MD3320G2 MD 3320 G2 MD3320 G2 MD 3320G2 MD A20060100 A MDA20060100 A MD A20060100A MD 20060100 A MD20060100 A MD 20060100A MD 3320 G2 MD3320 G2 MD 3320G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
obtaining
source
zinc oxide
oxide nanostructures
mixture
Prior art date
Application number
MDA20060100A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD3320F1 (en
Inventor
Эмиль РУСУ
Вячеслав УРСАКИ
Георге СТРАТАН
Александру БУРЛАКУ
Ион ТИГИНЯНУ
Леонид КУЛЮК
Original Assignee
Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы filed Critical Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы
Priority to MDA20060100A priority Critical patent/MD3320G2/ru
Publication of MD3320F1 publication Critical patent/MD3320F1/xx
Publication of MD3320G2 publication Critical patent/MD3320G2/ru

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии получения оксидных материалов, в частности, к способам получения наноструктур ZnO с различными морфологическими формами (нанонити, нанотубусы, наноиглы, наностержни, и др.).Сущность изобретения заключается в получении наноструктур ZnO на подложках из кремния или сапфира путем осуществления испарения источника состоящего из смеси порошков ZnO и углерода. Новизна изобретения состоит в осуществлении испарения смеси в окружающей среде, причем температура источника поддерживается в интервале 900…1450°С, а градиент температуры между источником и подложкой составляет 10…120 °С.
MDA20060100A 2006-03-24 2006-03-24 Способ получения наноструктур оксида цинка MD3320G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20060100A MD3320G2 (ru) 2006-03-24 2006-03-24 Способ получения наноструктур оксида цинка

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20060100A MD3320G2 (ru) 2006-03-24 2006-03-24 Способ получения наноструктур оксида цинка

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD3320F1 MD3320F1 (en) 2007-05-31
MD3320G2 true MD3320G2 (ru) 2007-12-31

Family

ID=38164628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20060100A MD3320G2 (ru) 2006-03-24 2006-03-24 Способ получения наноструктур оксида цинка

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD3320G2 (ru)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD241Z (ru) * 2009-12-29 2011-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения наночастиц PbS стабилизированных желатином
MD242Z (ru) * 2010-01-26 2011-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения гидрофильных нанокристаллов PbS
MD4455C1 (ru) * 2015-11-27 2017-07-31 Государственный Университет Молд0 Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки
MD4500C1 (ru) * 2015-07-23 2018-02-28 Государственный Университет Молд0 Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы
MD4517C1 (ru) * 2016-10-11 2018-04-30 Государственный Университет Молд0 Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6918959B2 (en) * 2001-01-12 2005-07-19 Georgia Tech Research Corp Semiconducting oxide nanostructures

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6918959B2 (en) * 2001-01-12 2005-07-19 Georgia Tech Research Corp Semiconducting oxide nanostructures

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Liu D.F., Xiang Y.J., Zhang Z.X., Wang J.X., Gao Y., Song L., Growth of ZnO hexagonal nanoprisms, Nanotechonology 16, 2665, 2005. *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD241Z (ru) * 2009-12-29 2011-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения наночастиц PbS стабилизированных желатином
MD242Z (ru) * 2010-01-26 2011-03-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения гидрофильных нанокристаллов PbS
MD4500C1 (ru) * 2015-07-23 2018-02-28 Государственный Университет Молд0 Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы
MD4455C1 (ru) * 2015-11-27 2017-07-31 Государственный Университет Молд0 Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки
MD4517C1 (ru) * 2016-10-11 2018-04-30 Государственный Университет Молд0 Способ получения монокристаллов ZnO из паровой фазы без затравки

Also Published As

Publication number Publication date
MD3320F1 (en) 2007-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009029218A3 (en) Nanostructure-reinforced composite articles and methods
TW200732251A (en) Thermally exfoliated graphite oxide
WO2008054541A3 (en) Nanostructure-reinforced composite articles and methods
NZ620507A (en) Devices incorporating a liquid - impregnated surface
WO2008051552A3 (en) Organic semiconductor materials and methods of preparing and use thereof
DE602006016001D1 (de) Verbundwerkstoffe aus metallischem massivglas und graphit
PH12012501954A1 (en) Smoking article, method of manufacturing such a smoking article and corresponding apparatus
TW200731543A (en) Semiconductor film, method for manufacturing the same, and thin film transistor
EP1904670A4 (en) PROCESS FOR BREEDING AND REMOVING CARBON NANOTUBES
WO2007118125A3 (en) Location based reminders
WO2009017856A3 (en) Semiconductor nanowire thermoelectric materials and devices, and processes for producing same
TW200746431A (en) A transistor having a channel with tensile strain and oriented along a crystallographic orientation with increased charge carrier mobility
MY166453A (en) Gas-barrier plastic molded product and manufacturing process therefor
MD3320G2 (ru) Способ получения наноструктур оксида цинка
WO2007107885A3 (en) Device for contact by adhesion to a glass or semiconductor plate (wafer) surface of the like, and system for gripping such a plate comprising such a device
EP2366813A3 (en) Layered Article
SG155149A1 (en) Sprayed si- or si:al-target with low iron content
WO2012030591A3 (en) Slidable, rotatable, platter support apparatus and method of use thereof
UA86052C2 (ru) устройство для сдвигания металлического изделия
TW200701386A (en) A semiconductor substrate processing apparatus with a passive substrate gripper
EP2374777A3 (en) Composite article having a solid solution protective layer
EP2530062A3 (en) Article having vitreous monocoating
SG144777A1 (en) Direct molding system and process
ZA200900790B (en) A method for the commercial production of Iron
EP1892313A4 (en) SILICON OXIDE VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Legal Events

Date Code Title Description
FG4A Patent for invention issued
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees