MD957G2 - Способ и установка для получения многослойных эпитахиальных структур - Google Patents

Способ и установка для получения многослойных эпитахиальных структур

Info

Publication number
MD957G2
MD957G2 MD96-0299A MD960299A MD957G2 MD 957 G2 MD957 G2 MD 957G2 MD 960299 A MD960299 A MD 960299A MD 957 G2 MD957 G2 MD 957G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
obtaining
growing
epitaxial
installation
epitaxial structures
Prior art date
Application number
MD96-0299A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD957F1 (en
Inventor
Олег ГОРЯ
Victor Zelenin
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MD96-0299A priority Critical patent/MD957G2/ru
Publication of MD957F1 publication Critical patent/MD957F1/xx
Publication of MD957G2 publication Critical patent/MD957G2/ru

Links

Abstract

Изобретение относится к полупро-водниковой технологии и может быть использовано для получения мате-риалов полупроводниковой электро-ники.Способ получения многослойных эпитаксиальных структур включает последовательное выращивание эпи-таксиальных слоев, содержащих различные компоненты, в соответ-ствующем газовом потоке, после вы-ращивания каждого слоя его обво-лакивают потоком неактивного газа до выращивания следующего слоя.Установка для получения много-слойных эпитаксиальных структур включает реактор с камерами для выращивания эпитаксиальных слоев, соединенных штоком, узел крепления подложек, механизм приведения в действие камер для выращивания эпитаксиальных слоев. Узел для крепления подложек выполнен в виде полок, размещенных в трубках, рас-положенных одна над другой на расстоянии, не превышающем мини-мальную диффузионную длину мо-лекул используемого газа.Технический результат заключается в обеспечении возможности получения эпитаксиальных многослойных структур с резким профилем.Фиг.: 4
MD96-0299A 1996-09-12 1996-09-12 Способ и установка для получения многослойных эпитахиальных структур MD957G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD96-0299A MD957G2 (ru) 1996-09-12 1996-09-12 Способ и установка для получения многослойных эпитахиальных структур

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD96-0299A MD957G2 (ru) 1996-09-12 1996-09-12 Способ и установка для получения многослойных эпитахиальных структур

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD957F1 MD957F1 (en) 1998-04-30
MD957G2 true MD957G2 (ru) 1999-02-28

Family

ID=19738908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MD96-0299A MD957G2 (ru) 1996-09-12 1996-09-12 Способ и установка для получения многослойных эпитахиальных структур

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD957G2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD249Z (ru) * 2009-04-29 2011-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Crystal Properties and Preparation, v. 32-34, 1991, O. S. Gorea, V. V. Zelenin, A. V. Koval, A. V. Simashkevich, GaAs/ GaAsP superlattices grown by the chloride VPE using single flat temperature zone, p. 503-507. *
Revue Technique Tomson - CCSF, v. 13, nr. 2, 1981, I.F. Hittz et G. Reuchet, Deux metodes originales de croissence epitaxique en phase vapeur de composes GaInAs et GaInAsP. *
Зеленин, О. С. Горя, Ю. В. Жиляев, Выращивание многослойных периодических структур из газовой фазы на основе GaAs/GaAs1-xPx гетеропереходов, 1990 г., Молд. НИИНТИ, Кишинев, с. 11. *
Херман, Полупроводниковые сверхрешетки, 1989 г., Мир, М., с. 238. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD249Z (ru) * 2009-04-29 2011-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа

Also Published As

Publication number Publication date
MD957F1 (en) 1998-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0454843A4 (en) Method and apparatus for the rapid deposition by chemical vapor deposition with low vapor pressure reactants
ZA922837B (en) A method of producing articles by chemical vapor deposition and the support mandrels used therein
EP0491393A3 (en) Vertically oriented cvd apparatus including gas inlet tube having gas injection holes
HUP9903970A3 (en) Organic sol comprising at least one oxygenated rare-earth compound, process for producing this sol and use of said sol for catalysis
MY135877A (en) Tungsten doped crucible and method for preparing same
DE69418059D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung angeregter gase
TW350102B (en) Semiconductor device manufacturing method
DE3479053D1 (en) Gas sensor with ceramics substrate and method for producing the same
FR2671797B1 (fr) Procede de densification d'un substrat poreux par une matrice contenant du carbone.
EP0559986A3 (en) Method for producing semiconductor wafer and substrate used for producing the semiconductor
ATE121461T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur abscheidung einer schicht.
ZA931111B (en) Method for producing articles by chemical vapor deposition and the articles produced therefrom
MY122076A (en) Chemical process tower deentrainment assembly
TW200518221A (en) Method for forming film, method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and substrate treatment system
CA2317532A1 (en) Method and apparatus for aerating chemically-sterilized articles
MD957G2 (ru) Способ и установка для получения многослойных эпитахиальных структур
EP0672298A4 (en) SUBSTRATE FOR BREEDING 3-C SILICON CARBIDE.
MY131786A (en) Cvd diamond-phase carbon; method and product
ATE338937T1 (de) Oberflächengehärtetes präzisiongewicht und verfahren zu dessen herstellung
JPS5740940A (en) Semiconductor device
DE69117628D1 (de) Supraleitende Einrichtung mit einer reduzierten Dicke der supraleitenden Schicht und Methode zu deren Herstellung
JPS5398775A (en) Gas phase growth unit
JPS5481131A (en) Process for reducting hydrogen permeating quantity in metal surface
DE69206302D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Wasserstoffgas und Verfahren zum Bestimmen des Massenverhältnisses zwischen den Wasserstoffisotopen.
FR2545083B1 (fr) Composition liquide, contenant des diisocyanates a structure diphenylmethane, et son procede de fabrication

Legal Events

Date Code Title Description
FG3A Granted patent for invention
IF99 Valid patent on 19990615

Free format text: EXPIRES: 20160912