NL140363B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.Info
- Publication number
- NL140363B NL140363B NL666607399A NL6607399A NL140363B NL 140363 B NL140363 B NL 140363B NL 666607399 A NL666607399 A NL 666607399A NL 6607399 A NL6607399 A NL 6607399A NL 140363 B NL140363 B NL 140363B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- procedure
- semi
- manufacturing
- application
- conductive channel
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6302—Non-deposition formation processes
- H10P14/6304—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H10P14/6306—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials
- H10P14/6308—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials of Group IV semiconductors
- H10P14/6309—Formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor materials of Group IV semiconductors of silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6302—Non-deposition formation processes
- H10P14/6322—Formation by thermal treatments
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07554—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/92—Controlling diffusion profile by oxidation
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US459709A US3411199A (en) | 1965-05-28 | 1965-05-28 | Semiconductor device fabrication |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL6607399A NL6607399A (nl) | 1966-11-29 |
| NL140363B true NL140363B (nl) | 1973-11-15 |
Family
ID=23825857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL666607399A NL140363B (nl) | 1965-05-28 | 1966-05-27 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3411199A (nl) |
| DE (1) | DE1564528A1 (nl) |
| ES (1) | ES327183A1 (nl) |
| GB (1) | GB1145879A (nl) |
| NL (1) | NL140363B (nl) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3534235A (en) * | 1967-04-17 | 1970-10-13 | Hughes Aircraft Co | Igfet with offset gate and biconductivity channel region |
| US3590477A (en) * | 1968-12-19 | 1971-07-06 | Ibm | Method for fabricating insulated-gate field effect transistors having controlled operating characeristics |
| US3636617A (en) * | 1970-03-23 | 1972-01-25 | Monsanto Co | Method for fabricating monolithic light-emitting semiconductor diodes and arrays thereof |
| FR2123179B1 (nl) * | 1971-01-28 | 1974-02-15 | Commissariat Energie Atomique | |
| US3807039A (en) * | 1971-04-05 | 1974-04-30 | Rca Corp | Method for making a radio frequency transistor structure |
| US4575746A (en) * | 1983-11-28 | 1986-03-11 | Rca Corporation | Crossunders for high density SOS integrated circuits |
| GB8400336D0 (en) * | 1984-01-06 | 1984-02-08 | Texas Instruments Ltd | Field effect transistors |
| US7750654B2 (en) * | 2002-09-02 | 2010-07-06 | Octec Inc. | Probe method, prober, and electrode reducing/plasma-etching processing mechanism |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL265382A (nl) * | 1960-03-08 | |||
| US3183129A (en) * | 1960-10-14 | 1965-05-11 | Fairchild Camera Instr Co | Method of forming a semiconductor |
| US3193418A (en) * | 1960-10-27 | 1965-07-06 | Fairchild Camera Instr Co | Semiconductor device fabrication |
| US3203840A (en) * | 1961-12-14 | 1965-08-31 | Texas Insutruments Inc | Diffusion method |
| BE636317A (nl) * | 1962-08-23 | 1900-01-01 |
-
1965
- 1965-05-28 US US459709A patent/US3411199A/en not_active Expired - Lifetime
-
1966
- 1966-05-16 GB GB21727/66A patent/GB1145879A/en not_active Expired
- 1966-05-26 DE DE19661564528 patent/DE1564528A1/de active Pending
- 1966-05-26 ES ES0327183A patent/ES327183A1/es not_active Expired
- 1966-05-27 NL NL666607399A patent/NL140363B/nl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1564528A1 (de) | 1970-01-22 |
| NL6607399A (nl) | 1966-11-29 |
| GB1145879A (en) | 1969-03-19 |
| ES327183A1 (es) | 1967-03-16 |
| US3411199A (en) | 1968-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL152114B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
| NL160680C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. | |
| NL159533B (nl) | Werkwijze voor het met een tussenruimte scheiden van door verdeling van een halfgeleiderschijf gevormde halfgeleiderplaatjes, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. | |
| NL154870B (nl) | Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting. | |
| NL153947B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze. | |
| NL161616C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
| NL154627B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderelement en magneetveld afhankelijk weerstandselement verkregen door toepassing van deze werkwijze. | |
| NL152117B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinrichting voorzien van luchtspleten, alsmede de aldus vervaardigde inrichting. | |
| NL161617B (nl) | Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
| NL142526B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen. | |
| NL148654B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
| NL144091B (nl) | Halfgeleiderveldeffectinrichting van het type met een geisoleerde poortelektrode. | |
| NL152116B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL140656B (nl) | Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderlichaam van silicium met een dun gebied met bepaald geleidingsvermogen aan het oppervlak van het lichaam en inrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van silicium, vervaardigd door toepassing van de werkwijze. | |
| NL143072B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL162511C (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
| NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
| NL154062B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze. | |
| NL157749C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL168654C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van een eerste geleidingstype met een door diffusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede geleidingstype. | |
| NL140363B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. | |
| NL140101B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL149638B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL144778B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting. | |
| NL142278B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een bodem van een voor een halfgeleidende inrichting bestemde omhulling en bodem, vervaardigd volgens deze werkwijze. |