NL144777B - Werkwijze voor het gelijktijdig vervaardigen van een aantal in een halfgeleiderlichaam opgenomen halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderlichaam vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het gelijktijdig vervaardigen van een aantal in een halfgeleiderlichaam opgenomen halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderlichaam vervaardigd volgens deze werkwijze.

Info

Publication number
NL144777B
NL144777B NL646414096A NL6414096A NL144777B NL 144777 B NL144777 B NL 144777B NL 646414096 A NL646414096 A NL 646414096A NL 6414096 A NL6414096 A NL 6414096A NL 144777 B NL144777 B NL 144777B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor
simultaneous production
bodies included
semiconductor devices
semiconductor bodies
Prior art date
Application number
NL646414096A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL6414096A (de
Original Assignee
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibm filed Critical Ibm
Publication of NL6414096A publication Critical patent/NL6414096A/xx
Publication of NL144777B publication Critical patent/NL144777B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
    • H10D86/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
    • H10W10/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W15/00—Highly-doped buried regions of integrated devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W15/00—Highly-doped buried regions of integrated devices
    • H10W15/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/20—Interconnections within wafers or substrates, e.g. through-silicon vias [TSV]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/05—Etch and refill
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/085—Isolated-integrated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/142—Semiconductor-metal-semiconductor
NL646414096A 1963-12-09 1964-12-04 Werkwijze voor het gelijktijdig vervaardigen van een aantal in een halfgeleiderlichaam opgenomen halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderlichaam vervaardigd volgens deze werkwijze. NL144777B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US329079A US3386864A (en) 1963-12-09 1963-12-09 Semiconductor-metal-semiconductor structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6414096A NL6414096A (de) 1965-06-10
NL144777B true NL144777B (nl) 1975-01-15

Family

ID=23283758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL646414096A NL144777B (nl) 1963-12-09 1964-12-04 Werkwijze voor het gelijktijdig vervaardigen van een aantal in een halfgeleiderlichaam opgenomen halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderlichaam vervaardigd volgens deze werkwijze.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3386864A (de)
AT (1) AT251040B (de)
DE (1) DE1280416B (de)
GB (1) GB1046840A (de)
NL (1) NL144777B (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3508980A (en) * 1967-07-26 1970-04-28 Motorola Inc Method of fabricating an integrated circuit structure with dielectric isolation
US3737739A (en) * 1971-02-22 1973-06-05 Ibm Single crystal regions in dielectric substrate
BE791930A (fr) * 1971-12-02 1973-03-16 Western Electric Co Dispositif electroluminescent et procede pour sa fabrication
US4378629A (en) * 1979-08-10 1983-04-05 Massachusetts Institute Of Technology Semiconductor embedded layer technology including permeable base transistor, fabrication method
US5298787A (en) * 1979-08-10 1994-03-29 Massachusetts Institute Of Technology Semiconductor embedded layer technology including permeable base transistor
US5032538A (en) * 1979-08-10 1991-07-16 Massachusetts Institute Of Technology Semiconductor embedded layer technology utilizing selective epitaxial growth methods
US4671851A (en) * 1985-10-28 1987-06-09 International Business Machines Corporation Method for removing protuberances at the surface of a semiconductor wafer using a chem-mech polishing technique
US4944836A (en) * 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
US4735679A (en) * 1987-03-30 1988-04-05 International Business Machines Corporation Method of improving silicon-on-insulator uniformity
SE0002179D0 (sv) * 2000-06-13 2000-06-13 Abb Research Ltd A method for producing a pn-junction

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2882377A (en) * 1951-10-24 1959-04-14 Pittsburgh Plate Glass Co Electrical resistor metal coatings on refractory materials
US2984589A (en) * 1952-08-06 1961-05-16 Centre Nat Rech Scient Electrical resistors
US2842463A (en) * 1953-09-04 1958-07-08 Bell Telephone Labor Inc Vapor deposited metal films
BE549320A (de) * 1955-09-02
US3039896A (en) * 1959-02-24 1962-06-19 Union Carbide Corp Transparent electrically conductive film and method of making the same
US3083441A (en) * 1959-04-13 1963-04-02 Texas Instruments Inc Method for fabricating transistors
US3094650A (en) * 1960-04-22 1963-06-18 Servomechanisms Inc Method of making multiple layer condensers by vapor deposition and product thereof
BE603293A (de) * 1960-05-02
FR1338169A (fr) * 1961-11-27 1963-09-20 Western Electric Co Dispositifs semiconducteurs et leur procédé de fabrication
US3234058A (en) * 1962-06-27 1966-02-08 Ibm Method of forming an integral masking fixture by epitaxial growth
BE635672A (de) * 1962-07-31

Also Published As

Publication number Publication date
GB1046840A (en) 1966-10-26
NL6414096A (de) 1965-06-10
DE1280416B (de) 1968-10-17
AT251040B (de) 1966-12-12
US3386864A (en) 1968-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL159124B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een hydrofiel polysiloxan.
NL154868B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderinrichtingen volgens deze werkwijze verkregen.
NL143072B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL153025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting in een huis en een volgens deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting in een huis.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL143734B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderveldeffectinrichting en halfgeleiderveldeffectinrichting verkregen volgens deze werkwijze.
NL155663B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL163560C (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van zeep- staven.
NL155131B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL143627B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde inrichtingen.
NL142210B (nl) Werkwijze voor het vervaardiging van een gebonden vezelvlies.
BE750088A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting
NL142138B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een keramisch ferriet en geheugenelement vervaardigd volgens die werkwijze.
NL151558B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149642B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektroluminescerende inrichting en aldus vervaardigde inrichting.
NL141709B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL280224A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderbouwsteen en volgens de werkwijze vervaardigde halfgeleiderbouwsteen
NL150619B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en een halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL140906B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van gelaagde panelen.
NL139254B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van voorwerpen van gasbeton en voorwerpen volgens deze werkwijze vervaardigd.
NL164337C (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een vliestricot.