NL170201C - Matrix van geheugenelementen, die op een isolerende laag op een gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam zijn aangebracht, waarbij ieder geheugenelement bestaat uit een eerste en een tweede elektrode en uit een tussen de elektroden neergeslagen laag van een halfgeleidermateriaal met twee stabiele geleidingstoestanden. - Google Patents

Matrix van geheugenelementen, die op een isolerende laag op een gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam zijn aangebracht, waarbij ieder geheugenelement bestaat uit een eerste en een tweede elektrode en uit een tussen de elektroden neergeslagen laag van een halfgeleidermateriaal met twee stabiele geleidingstoestanden.

Info

Publication number
NL170201C
NL170201C NLAANVRAGE7003605,A NL7003605A NL170201C NL 170201 C NL170201 C NL 170201C NL 7003605 A NL7003605 A NL 7003605A NL 170201 C NL170201 C NL 170201C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
memory elements
stage
monthly
stages
matrix
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7003605,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL170201B (nl
NL7003605A (fr
Original Assignee
Energy Conversion Devices Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Energy Conversion Devices Inc filed Critical Energy Conversion Devices Inc
Publication of NL7003605A publication Critical patent/NL7003605A/xx
Publication of NL170201B publication Critical patent/NL170201B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL170201C publication Critical patent/NL170201C/xx

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H10B63/32—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors of the bipolar type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/70—Resistive array aspects
    • G11C2213/72—Array wherein the access device being a diode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/841—Electrodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
NLAANVRAGE7003605,A 1969-03-13 1970-03-13 Matrix van geheugenelementen, die op een isolerende laag op een gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam zijn aangebracht, waarbij ieder geheugenelement bestaat uit een eerste en een tweede elektrode en uit een tussen de elektroden neergeslagen laag van een halfgeleidermateriaal met twee stabiele geleidingstoestanden. NL170201C (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US80699469A 1969-03-13 1969-03-13
US88707669A 1969-12-22 1969-12-22

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7003605A NL7003605A (fr) 1970-09-15
NL170201B NL170201B (nl) 1982-05-03
NL170201C true NL170201C (nl) 1982-10-01

Family

ID=27122944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7003605,A NL170201C (nl) 1969-03-13 1970-03-13 Matrix van geheugenelementen, die op een isolerende laag op een gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam zijn aangebracht, waarbij ieder geheugenelement bestaat uit een eerste en een tweede elektrode en uit een tussen de elektroden neergeslagen laag van een halfgeleidermateriaal met twee stabiele geleidingstoestanden.

Country Status (6)

Country Link
BE (1) BE747342A (fr)
CH (1) CH523573A (fr)
DE (1) DE2011851C3 (fr)
FR (1) FR2037195B1 (fr)
GB (1) GB1308711A (fr)
NL (1) NL170201C (fr)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004019860B4 (de) 2004-04-23 2006-03-02 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Programmierung von CBRAM-Speicherzellen
CN111123046B (zh) * 2019-12-03 2022-06-10 国网河南省电力公司鹤壁供电公司 一种快速测量电缆绝缘强度的装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR87264E (fr) * 1960-03-23 1966-10-17
NL294168A (fr) * 1963-06-17
DE1212155B (de) * 1964-02-05 1966-03-10 Danfoss As Elektrischer Speicher
US3383472A (en) * 1964-07-24 1968-05-14 Ericsson Telefon Ab L M Coordinate switch and telecommunication system comprising bilateral semiconductor switch means
SE313078B (fr) * 1964-08-07 1969-08-04 Ericsson Telefon Ab L M
US3493932A (en) * 1966-01-17 1970-02-03 Ibm Integrated switching matrix comprising field-effect devices
FR1533269A (fr) * 1966-05-19 1968-07-19 Philips Nv Mémoire matricielle de lecture en matériau semi-conducteur
FR1526736A (fr) * 1966-08-22 1968-05-24 Fairchild Camera Instr Co Mémoire permanente à programmation optique
US3629863A (en) * 1968-11-04 1971-12-21 Energy Conversion Devices Inc Film deposited circuits and devices therefor
US3573757A (en) * 1968-11-04 1971-04-06 Energy Conversion Devices Inc Memory matrix having serially connected threshold and memory switch devices at each cross-over point

Also Published As

Publication number Publication date
DE2011851B2 (de) 1976-03-25
DE2011851C3 (de) 1981-03-12
FR2037195B1 (fr) 1974-05-03
FR2037195A1 (fr) 1970-12-31
GB1308711A (en) 1973-03-07
NL170201B (nl) 1982-05-03
DE2011851A1 (fr) 1970-10-08
NL7003605A (fr) 1970-09-15
BE747342A (fr) 1970-08-17
CH523573A (de) 1972-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL175000C (nl) Monolithisch geheugen geconstrueerd uit gedeeltelijk defecte matrixeenheden, alsmede een werkwijze ter vervaardiging van een dergelijk monolithisch geheugen.
FR2116905A5 (fr) Nouveaux coordinats bidentes,leur fabrication et leurs applications
DE2061043B2 (de) Gesenkschmiedepresse mit selbsttaetigem werkstuecktransport
NL167057C (nl) Verbindingsorgaan met in geleider dringende tand.
CA933673A (en) Method of manufacturing a semiconductor device, semiconductor device and metal conductor grid for use in the manufacture of a semiconductor device
CH536666A (de) Schmiedepresse
AU465011B2 (en) Multistage pump and manufacturing method
CA953860A (en) Method for diffusion bonding utilizing superplastic material
NL172767C (nl) Elektrode met beschermende bekleding en elektrische cel die deze bevat.
CH543321A (de) Schmiedepresse
NL170201B (nl) Matrix van geheugenelementen, die op een isolerende laag op een gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam zijn aangebracht, waarbij ieder geheugenelement bestaat uit een eerste en een tweede elektrode en uit een tussen de elektroden neergeslagen laag van een halfgeleidermateriaal met twee stabiele geleidingstoestanden.
NL167228C (nl) Verbinding van twee in elkaar geschoven organen.
NL147884B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen met een vlak systeem van een of meer geleidende en isolerende lagen.
NL174947C (nl) Foelies en draden, vervaardigd met toepassing van polyurethanelastomeren.
ZA714523B (en) Semiconductor device,in particular integrated monolithic circuit and method of manufacturing same
AU466227B2 (en) Semiconductor device, in particular integrated monolithic circuit, and method of manufacturing same
NL163065C (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een samengestelde aansluitelektrodelaag, bestaande uit een eerste metaallaag, die wolfraam bevat en een tweede metaallaag van een metaal met een hoog geleidingsvermogen, die de eerste metaallaag bedekt.
ZA71559B (en) Thread-rolling method,thread-rolling dies,and method of manufacturing the dies
AU412547B2 (en) Ammoniacal etching solution and method utilizing same
DK126741B (da) Blyakkumulatorelektrode og fremgangsmåde til dennes fremstilling.
AU447623B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing said device
AU464564B2 (en) 3-amino-4,5-dehydro-carbenolides and process for their manufacture
AU449496B2 (en) Die and punch sets
AU448917B2 (en) Punch and die devices
AT306131B (de) Akkumulator, insbesondere mehrzelliger Bleiakkumulator

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee