NL7401859A - Werkwijze voor het vervaardigen van een patroon en of meer lagen op een ondergrond door selijk verwijderen van deze laag of lagen sputteretsen en voorwerpen, in het bijzon- alfgeleiderinrichtingen, vervaardigd met ssing van deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een patroon en of meer lagen op een ondergrond door selijk verwijderen van deze laag of lagen sputteretsen en voorwerpen, in het bijzon- alfgeleiderinrichtingen, vervaardigd met ssing van deze werkwijze.

Info

Publication number
NL7401859A
NL7401859A NL7401859A NL7401859A NL7401859A NL 7401859 A NL7401859 A NL 7401859A NL 7401859 A NL7401859 A NL 7401859A NL 7401859 A NL7401859 A NL 7401859A NL 7401859 A NL7401859 A NL 7401859A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
layers
alphconductive
manufactured
objects
pattern
Prior art date
Application number
NL7401859A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL7401859A priority Critical patent/NL7401859A/xx
Priority to DE19752504500 priority patent/DE2504500A1/de
Priority to US05/548,006 priority patent/US3984300A/en
Priority to GB5303/75A priority patent/GB1491746A/en
Priority to JP1678975A priority patent/JPS5530289B2/ja
Priority to FR7504327A priority patent/FR2260451B1/fr
Publication of NL7401859A publication Critical patent/NL7401859A/xx
Priority to US05/854,115 priority patent/USRE29947E/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
    • H10P50/262—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by physical means only
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
NL7401859A 1974-02-12 1974-02-12 Werkwijze voor het vervaardigen van een patroon en of meer lagen op een ondergrond door selijk verwijderen van deze laag of lagen sputteretsen en voorwerpen, in het bijzon- alfgeleiderinrichtingen, vervaardigd met ssing van deze werkwijze. NL7401859A (nl)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7401859A NL7401859A (nl) 1974-02-12 1974-02-12 Werkwijze voor het vervaardigen van een patroon en of meer lagen op een ondergrond door selijk verwijderen van deze laag of lagen sputteretsen en voorwerpen, in het bijzon- alfgeleiderinrichtingen, vervaardigd met ssing van deze werkwijze.
DE19752504500 DE2504500A1 (de) 1974-02-12 1975-02-04 Verfahren zur herstellung eines musters aus einer oder mehreren schichten auf einer unterlage durch oertliche entfernung dieser schicht oder schichten durch sputteraetzen und gegenstaende, insbesondere halbleiteranordnungen, die unter verwendung dieses verfahrens hergestellt sind
US05/548,006 US3984300A (en) 1974-02-12 1975-02-07 Semiconductor pattern delineation by sputter etching process
GB5303/75A GB1491746A (en) 1974-02-12 1975-02-07 Making patterns by sputter etching
JP1678975A JPS5530289B2 (cs) 1974-02-12 1975-02-08
FR7504327A FR2260451B1 (cs) 1974-02-12 1975-02-12
US05/854,115 USRE29947E (en) 1974-02-12 1977-11-23 Semiconductor pattern delineation by sputter etching process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7401859A NL7401859A (nl) 1974-02-12 1974-02-12 Werkwijze voor het vervaardigen van een patroon en of meer lagen op een ondergrond door selijk verwijderen van deze laag of lagen sputteretsen en voorwerpen, in het bijzon- alfgeleiderinrichtingen, vervaardigd met ssing van deze werkwijze.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7401859A true NL7401859A (nl) 1975-08-14

Family

ID=19820730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7401859A NL7401859A (nl) 1974-02-12 1974-02-12 Werkwijze voor het vervaardigen van een patroon en of meer lagen op een ondergrond door selijk verwijderen van deze laag of lagen sputteretsen en voorwerpen, in het bijzon- alfgeleiderinrichtingen, vervaardigd met ssing van deze werkwijze.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3984300A (cs)
JP (1) JPS5530289B2 (cs)
DE (1) DE2504500A1 (cs)
FR (1) FR2260451B1 (cs)
GB (1) GB1491746A (cs)
NL (1) NL7401859A (cs)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4057831A (en) * 1972-09-05 1977-11-08 U.S. Philips Corporation Video record disc manufactured by a process involving chemical or sputter etching
DE2536718C3 (de) * 1975-08-18 1978-04-27 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung geätzter Strukturen in Festkörperoberflächen durch Ionenätzung und Bestrahlungsmaske zur Verwendung in diesem Verfahren
US4057460A (en) * 1976-11-22 1977-11-08 Data General Corporation Plasma etching process
DE2754526C2 (de) * 1977-12-07 1985-09-26 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Herstellung des Kathodensystems eines Röntgen- oder Gammastrahlenkonverters
JPS5496775A (en) * 1978-01-17 1979-07-31 Hitachi Ltd Method of forming circuit
US4340276A (en) 1978-11-01 1982-07-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of producing a microstructured surface and the article produced thereby
JPS57157523A (en) * 1981-03-25 1982-09-29 Hitachi Ltd Forming method for pattern
US4375390A (en) * 1982-03-15 1983-03-01 Anderson Nathaniel C Thin film techniques for fabricating narrow track ferrite heads
GB2148769A (en) * 1983-10-22 1985-06-05 Standard Telephones Cables Ltd Topographic feature formation by ion beam milling of a substrate
DE3534418A1 (de) * 1985-09-27 1987-04-02 Telefunken Electronic Gmbh Verfahren zum herstellen von vertiefungen in einem halbleiterbauelemente enthaltenden halbleiterkoerper
US4767418A (en) * 1986-02-13 1988-08-30 California Institute Of Technology Luminal surface fabrication for cardiovascular prostheses
US5139974A (en) * 1991-01-25 1992-08-18 Micron Technology, Inc. Semiconductor manufacturing process for decreasing the optical refelctivity of a metal layer

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3400066A (en) * 1965-11-15 1968-09-03 Ibm Sputtering processes for depositing thin films of controlled thickness
US3436327A (en) * 1966-07-18 1969-04-01 Collins Radio Co Selective sputtering rate circuit forming process
US3649503A (en) * 1969-12-03 1972-03-14 Motorola Inc Sputter etch mask
US3676317A (en) * 1970-10-23 1972-07-11 Stromberg Datagraphix Inc Sputter etching process
US3791952A (en) * 1972-07-24 1974-02-12 Bell Telephone Labor Inc Method for neutralizing charge in semiconductor bodies and dielectric coatings induced by cathodic etching

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5530289B2 (cs) 1980-08-09
FR2260451A1 (cs) 1975-09-05
FR2260451B1 (cs) 1980-03-21
DE2504500A1 (de) 1975-08-14
JPS50110073A (cs) 1975-08-29
US3984300A (en) 1976-10-05
GB1491746A (en) 1977-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7710659A (nl) Werkwijze voor het vormen van een epitaxiale laag op het oppervlak van een substraat.
NL7602566A (nl) Werkwijze voor het vormen van een patroon in een laag.
NL187509C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging en afzetting op een substraat van een monomoleculaire laag van amfifiele moleculen.
NL189738B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een voorwerp, omvattende het door plasma-etsen vormen van geselecteerde gebieden in een oppervlak van een aluminiumrijk materiaal.
NL7608504A (nl) Werkwijze en inrichting voor het verwijderen of afstropen van een laag fotoresistmateriaal van- af een substraatoppervlak van een verschillend materiaal.
NL7401859A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een patroon en of meer lagen op een ondergrond door selijk verwijderen van deze laag of lagen sputteretsen en voorwerpen, in het bijzon- alfgeleiderinrichtingen, vervaardigd met ssing van deze werkwijze.
ATE43028T1 (de) Verfahren zum herstellen einer schichtstruktur.
NL165002C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting, waarbij oneffenheden van het oppervlak van een substraat worden verwijderd.
MX167928B (es) Metodo no fotografico para fabricar diseños en peliculas polimericas
NL7809490A (nl) Werkwijze voor het vormen van een metaallaag op een substraat, in het bijzonder voor het vervaardigen van een hybrideketen op een siliciumhoudend substraat.
NL185510C (nl) Werkwijze en apparaat voor het vormen van een metaal- of metaalverbindingsdeklaag op een vlak van een glassubstraat.
NL173542C (nl) Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van een compositielaag op elk van een aantal substraten.
NL163370C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting met een geleiderpatroon.
NL176642C (nl) Werkwijze voor het bedekken van een substraat met een laag polymeermateriaal.
NL7613893A (nl) Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting.
NL7511714A (nl) Werkwijze voor het op een oppervlak met verhoogde gebieden opbrengen van een fotoresist vormende laag.
CH558075A (de) Bauelement fuer elektronische schaltungen mit einem substrat und einer duennschicht.
NL7505154A (nl) Werkwijze voor het neerslaan van een metaal op een oppervlak van en isolerende substraat en artikel verkregen onder gebruik van deze werk- wijze.
NL175107C (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een laag van een positief werkende elektronenresist en werkwijze ter vervaardiging van een resistpatroon.
BE782076A (nl) Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van lagen, die onderling in samenstelling verschillen, op een substraat, voortbrengsels, bevattendedergelijke opeenvolgende lagen en electronische inrichtingen, in het bijzonder halfgeleiderinrichtingen, omvattende zulke voortbrengsels
NL162124C (nl) Werkwijze voor het door etsen selectief verwijderen van een anorganisch oxyde van een substraat.
NL7712708A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een diffusie- barriere op een halfgeleidersubstraat door mid- del van kathodesputteren.
ES373779A1 (es) Un metodo de fabricar dispositivos semiconductores.
NL166171C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van, uit meerdere lagen opgebouwde, gedrukte schakelingen en inrichting ter realisering van deze werkwijze.
NL168252C (nl) Werkwijze voor het uitvoeren van een oppervlaktebehandeling op een velvormig substraat.