NL7501520A - Werkwijze voor het aanbrengen van een epitaxi- ag uit galliumfosfide. - Google Patents
Werkwijze voor het aanbrengen van een epitaxi- ag uit galliumfosfide.Info
- Publication number
- NL7501520A NL7501520A NL7501520A NL7501520A NL7501520A NL 7501520 A NL7501520 A NL 7501520A NL 7501520 A NL7501520 A NL 7501520A NL 7501520 A NL7501520 A NL 7501520A NL 7501520 A NL7501520 A NL 7501520A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- epitaxiag
- applying
- gallium phosphide
- phosphide
- gallium
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/061—Tipping system, e.g. by rotation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/062—Vertical dipping system
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/068—Substrate holders
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/265—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2907—Materials being Group IIIA-VA materials
- H10P14/2909—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
- H10P14/3418—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3438—Doping during depositing
- H10P14/3441—Conductivity type
- H10P14/3444—P-type
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1572474A JPS50110570A (2) | 1974-02-07 | 1974-02-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL7501520A true NL7501520A (nl) | 1975-08-11 |
Family
ID=11896693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL7501520A NL7501520A (nl) | 1974-02-07 | 1975-02-07 | Werkwijze voor het aanbrengen van een epitaxi- ag uit galliumfosfide. |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3997377A (2) |
| JP (1) | JPS50110570A (2) |
| CA (1) | CA1054904A (2) |
| DE (1) | DE2504815A1 (2) |
| FR (1) | FR2272731B1 (2) |
| GB (1) | GB1477941A (2) |
| NL (1) | NL7501520A (2) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53148388A (en) * | 1977-05-31 | 1978-12-23 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd | Method of producing compound semiconductor crystal |
| US4123302A (en) * | 1978-02-21 | 1978-10-31 | Rca Corporation | Method for depositing epitaxial semiconductor from the liquid phase |
| DE2847091C3 (de) * | 1978-10-28 | 1982-03-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Ga↓1↓-↓x↓Al↓x↓ AS:Si-Epitaxieschichten |
| US4317689A (en) * | 1980-07-18 | 1982-03-02 | Honeywell Inc. | Mercury containment for liquid phase growth of mercury cadmium telluride from tellurium-rich solution |
| JPH04367587A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 液相成長方法及び装置 |
| IL101966A (en) * | 1992-05-22 | 1998-04-05 | Ramot Ramatsity Authority For | PROCESS FOR FABRICATING Gallium Arsenide p-i-n STRUCTURE |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3689330A (en) * | 1969-04-18 | 1972-09-05 | Sony Corp | Method of making a luminescent diode |
| US3759759A (en) * | 1970-01-29 | 1973-09-18 | Fairchild Camera Instr Co | Push pull method for solution epitaxial growth of iii v compounds |
| US3870575A (en) * | 1972-03-21 | 1975-03-11 | Sony Corp | Fabricating a gallium phosphide device |
| JPS5342230B2 (2) * | 1972-10-19 | 1978-11-09 | ||
| US3859148A (en) * | 1972-12-01 | 1975-01-07 | Bell Telephone Labor Inc | Epitaxial crystal growth of group iii-v compound semiconductors from solution |
| JPS56397B2 (2) * | 1973-03-20 | 1981-01-07 |
-
1974
- 1974-02-07 JP JP1572474A patent/JPS50110570A/ja active Pending
-
1975
- 1975-01-31 GB GB433975A patent/GB1477941A/en not_active Expired
- 1975-02-04 US US05/547,050 patent/US3997377A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-02-05 DE DE19752504815 patent/DE2504815A1/de not_active Withdrawn
- 1975-02-06 CA CA219,530A patent/CA1054904A/en not_active Expired
- 1975-02-07 FR FR7503962A patent/FR2272731B1/fr not_active Expired
- 1975-02-07 NL NL7501520A patent/NL7501520A/xx not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2272731A1 (2) | 1975-12-26 |
| CA1054904A (en) | 1979-05-22 |
| US3997377A (en) | 1976-12-14 |
| GB1477941A (en) | 1977-06-29 |
| FR2272731B1 (2) | 1979-09-28 |
| DE2504815A1 (de) | 1975-08-14 |
| JPS50110570A (2) | 1975-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL7412732A (nl) | Werkwijze voor het alkyleren van een isoalkaan. | |
| NL180767C (nl) | Werkwijze voor het verbinden van foelies. | |
| NL178862C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een aerogelachtig gestruktureerd kiezelzuur. | |
| NL7504698A (nl) | Werkwijze voor het polymeriseren van een (alpha)-ole- fine. | |
| NL172147B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van dialkyloxalaten. | |
| NL7614578A (nl) | Werkwijze voor het modificeren van polyvinylideen- fluoride. | |
| NL7410180A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het verpakken van eieren. | |
| NL7611121A (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een emulsie. | |
| NL7505886A (nl) | Werkwijze voor het behandelen van een onder- materiaal. | |
| NL7513620A (nl) | Werkwijze voor het hydroformyleren van alkenen. | |
| NL7510872A (nl) | Werkwijze voor het stabiliseren van polyalkenen. | |
| NL7506423A (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een onverzadigd carbonzuur uit het overeenkomstige aldehyde. | |
| NL184428C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een olie-in-water emulsie. | |
| NL7408819A (nl) | Werkwijze voor het bereiden van cycloolefines. | |
| NL175810C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een alkeenoligomeer. | |
| NL7510925A (nl) | Werkwijze voor het bereiden van toevoegsels. | |
| NL7506609A (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een middel tegen hypercholesterolemie. | |
| NL7505537A (nl) | Werkwijze voor het scheiden van fosforzuur-op- losmiddel-watermengsels. | |
| NL7502738A (nl) | Werkwijze voor het uitvoeren van elektrolyse alsmede inrichting voor het toepassen van deze werkwijze. | |
| NL7501520A (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een epitaxi- ag uit galliumfosfide. | |
| NL7415445A (nl) | Inrichting voor het vormen van een voorwerp. | |
| NL7502477A (nl) | Werkwijze voor het bereiden van cyclische ver- bindingen. | |
| NL7504034A (nl) | Werkwijze ter bereiding van voer en inrichting voor het uitvoeren van deze werkwijze. | |
| NL167595C (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een jodoforoplossing. | |
| NL171992C (nl) | Werkwijze voor het stabiliseren van chloorhoudende harsen. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BV | The patent application has lapsed |