NL8201732A - Bestralingsinrichting met bundelsplitsing. - Google Patents
Bestralingsinrichting met bundelsplitsing. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8201732A NL8201732A NL8201732A NL8201732A NL8201732A NL 8201732 A NL8201732 A NL 8201732A NL 8201732 A NL8201732 A NL 8201732A NL 8201732 A NL8201732 A NL 8201732A NL 8201732 A NL8201732 A NL 8201732A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- mirror
- elementary
- beams
- matrix
- diaphragm
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 101000635799 Homo sapiens Run domain Beclin-1-interacting and cysteine-rich domain-containing protein Proteins 0.000 description 1
- 102100030852 Run domain Beclin-1-interacting and cysteine-rich domain-containing protein Human genes 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
t.
• U Λ * *- PHQ 82.006 ! B.J.G.M. Roelofs, Laan van Overvest 1C, 2613 DK Delft.
Bestralingsinrichting met burdelsplitsing.
De uitvinding heeft betrekking op een inrichting en een merkwijze voor het bestralen van een in een objectruimte te positioneren trefplaat net een bundel geladen deeltjes, welke inrichting is uitgerust met een stralenbron en een bundel ppdeel-modulatie inrichting voor het 5 vormen en besturen van een matrix van elementair bundels van geladen deeltjes.
Een dergelijke inrichting is bekend uit U.S. 3.491.236.De aldaar beschreven inrichting vormt deel van een elektronenbundel schrij f apparaat *
Mat behulp van een nabij een te bestralen trefplaat opgestelde bundel-10 opdeelinrichting kunnen op de trefplaat, zonder verplaatsing daarvan, meerdere deelgebieden worden bestraald. Dit komt de nauwkeurigheid van de onderlinge oriëntatie van de te schrijven patronen ten goede. Ook kan in het apparaat door gebruik te maken van een elektronenbundel met ter plaatse van bundelopdeelinrichting een grote dwarsdoorsnede, met meerdere 15 elementair bundels tegelijkertijd, op onderling identieke wijze worden gewerkt, hetgeen de snelheid van de bewerking bevordert.
Als in het beschreven apparaat met een enkelvoudige aftastende bundel wordt gewerkt, is de snelheid van de bewerking voor vele toepassingen beperkend. Wordt gewerkt met uit een waaierbundel gesneden elemen-2o tairbundels, dan worden daarmede onderling gelijke patronen geschreven, hetgeen voor vele toepassingen als beperkend wordt ervaren. De onderlinge homogeniteit van aldus gevormde elementairbundels, is voor het maken van onderling goed gelijke produkten vaak onvoldoende. Verbetering van de daarvoor nodige homogeniteit in de lokale stroomdichtheidsverdeling van 25 de waaierbundel, bijvoorbeeld door uit te gaan van een wijdere bundel, met een grotere totale stroom, resulteert in een levensduur beperkende verhoging van zowel de belasting van de bundelopdeelinrichting door daardoor ingevangen deeltjes uit de bundel als van de kathode belasting van de bron. Bovendien treedt in een dergelijke bundel een voor de nauwkeurigheid 30 van het apparaat uiterst nadelige verhoging van de energiespreiding van de deeltjes op.
De uitvinding beoogt een inrichting te verschaffen waarin de genoemde bezwaren zijn vermeden of althans sterk zijn gereduceerd. Een in 8201732 ' ¥' *-» PHQ 82.006 2 de aanhef genoemde bestralingsinrichting heeft daartoe volgens de uitvinding tot kenmerk, dat de bundel opdeel-modulatie inrichting een spiegelsysteem bevat waarvan een spiegelend oppervlak met een matrix van deelspiegels is uitgerust, welke deelspiegels elk voor zich als g geladen deeltjes optische elementen zijn uitgerust.
In een inrichting volgens de uitvinding fungeert een samengesteld spiegelsysteem voor de bundel geladen deeltjes als elementair-bundel vormend element, met welke spiegel daartoe een niet met een crossover van de boofdstralen van de elementairtundels samenvallende meer-10 voudige afbeelding van de bron wordt gevormd hetgeen voor een meerbundel-systeem uiterst gewenst is.
Opgemerkt wordt, dat een inrichting voor het maken van chips, uitgerust met een spiegel, op zich bekend is uit de Europese octrooiaanvrage EP 00 28 585. In een aldaar beschreven inrichting wordt een elek-15 tronenbundel aan een elektronenspiegel met een matrix van elektroden met behulp waarvan een invallende bundel elektronen lokaal kan worden beïnvloed op een te bestralen trefplaat geprojecteerd. Hierdoor kan een patroon in de dwarsdoorsnede van de bundel worden gevormd. Een dergelijk patroon wordt daartoe in de vorm. van een potentiaalverdeling vanuit een 20 besturingseenheid aan de elektroden toegevoegd. De spiegel is hierbij bij voorkeur vlak uitgevoerd en de invallende elektronenbundel is daar dwars op gericht. De dwarsdoorsnede van de invallende elektronenbundel wordt met behulp van diafragma's bepaald. Voor vele toepassingen is deze inrichting onvoldoende flexibel en wordt boverdien in te sterke mate 25 last ondervonden van in de spiegel ontstane strooistraling. Het daartegen opgenanen extra diafragma kan slechts buiten de bundelcmvang tredende strooistraling wegnemen, niet de strooistraling binnen de matrix van elementairbundels, waardoor starende over spraak tussen beeldelementen niet voldoende kan worden vermeden. Een beduidend bezwaar 30 van deze methode is ook, dat het spiegelend oppervlak als zodanig op een te bestralen trefplaat wordt af geheeld, waardoor ook alle optische oneffenheden van de spiegel als storende elementen op de trefplaat worden overgedragen.
In een voor keursuitvoering volgens de uitvinding is in een 35 stralingsmiddelpunt van de spiegel een elementairbundel dwarsdoorsnede bepalend diafragma opgenomen.De elementairspiegels vormen, als de hoofdspiegel homogeen vanuit het stralingsmiddelpunt wordt belicht, na reflectie, afbeeldingen van het stralingsmiddelpunt, dus van de bron, elk een 8201732 EHQ 82.006 3 •s ' ·> afbeelding, die nu niet meer samenvalt met het crossover van de hoofd-stralen, van de elementairfcundels, dat ongewijzigd in het stralingsmiddel-punt blijft. Hierdoor is de voor de manipulatie van de elementairbundels nodige scheiding tussen ixonafbeelding en crossover van de hoofdstralen 5 gerealiseerd en wordt de dwarsdoorsnede van elk van de elementairbundels door een enkel diafragma bepaald. Doordat dank zij het spiegelsysteem nagenoeg de gehele bundelsysteem effectief woedt gebruikt kan de bronbelasting beperkt worden. Doordat een enkelvoudig diafragma als elementairbundel-begrenzer fungeert ontstaan geen onoverkomelijke warmte- en verstuivings-10 problemen waardoor zowel met elektronenbundels als met ionenbundels kan worden gewerkt.
In een verdere uitvoeringsvorm heeft het diafragma de vorm van een karakterplaat waardoor alle eleirentairbundels een overigens willekeurig te kiezen onderling volkomen gelijke dwarsdoorsnede hebben. Hierdoor 15 kan uiterst snel, bijvoorbeeld een met het aantal elementairbundels overeenkomend aantal, patronen worden ingestraald, die bovendien automatisch onderling gelijk zijn.
Door gebruik te maken van bijvoorbeeld een verder spiegelsysteem, een te bekrachtigen gaasoptiek of een zogenaamd fly's eye optisch systeem 20 kunnen in een verdere uitvoeringsvorm de crossover van de hoofdstralen van de elementairbundels en de bronafbeelding weer warden samengevoegd. Hierdoor kan met elk van de elementairbundels een patroon worden geschreven welke patronen ook met elkaar kunnen worden verbonden tot een geheel patronenstelsel.
25 Ben inrichting volgens de uitvinding heeft, doordat althans voor de bundelopdeling van een spiegel gebruik wordt gemaakt, de praktische voordelen, dat eenvoudig voor sferische en chromatische aberratie kan worden gecorrigeerd, waardoor grote openingshoeken voor de gezamenlijke bundel kunnen worden toegelaten. Ook kunnen juist daardoor de elementair-30 bundels ook elk afzonderlijk gemakkelijk gemanipuleerd worden. Immers de gehele achterkant van de spiegel is vrij voor signaaltoevoerleidingen.
Cirdat van de spiegel optisch gezien aLleen het spiegelend oppervlak effectief is kan dit element uiterst robuust worden uitgevoerd hetgeen de stabiliteit van de inrichting ten goede kont. Doordat voor de bundelopde-35 ling geen gazen worden gebruikt worden geen problemen ondervonden door verstuiving hetgeen anders bij toepassing van ionenbundels, ernstige vormen kan aannemen. Doordat de reflectie van de spiegel hoog kan zijn, zelfs tot tegen 100%, is een zeer efficient bundelgebruik mogelijk, het- 8201732 ; * EHQ 82.006 4 geen de belasting, vooral de cathodebelasting, ten goede kamt.
De inrichting is optisch gezien ook uiterst eenvoudig, arrdat ook bij de uitvoering voor individuele ireerbundelmodulatie met diafragma in feite slechts drie geladen deeltjes optische elementen voor 5 de multiple spotvorming aanwezig zijn, te weten de opgedeelde spiegel, het in het krcratemiddelpunt geplaatste diafragma en het afbeeldingen samenvoegend systeem.
Het spiegelend systeem, als zeer wezenlijk onderdeel van de inrichting, heeft in een voorkeursuitvoering de vorm van een holle 10 spiegel, waarin de elementairspiegels zijn aangebracht, als kuilen met een, van de hoofdspiegel afwijkende kromtestraal. De elementairspiegels liggen bij voorkeur in een orthogonale matrix vrij dicht tegen elkaar aan. De elementairspiegels kunnen ook worden gevormd door bestuurbare elektroden die in of nabij het spiegelend oppervlak zijn aangetracht. Met 15 dergelijke elektroden kan dan indien gewenst ook aan-uit sturing en afbuiging van de elementairbundels worden gerealiseerd.
Een bestralingsinrichting volgens de uitvinding is in het bijzonder geschikt voor toepassing in een apparaat voor elektronen of ionen lithografie, als meervoudige bron voor televisiesystemen waarbij 20 bijvoorbeeld ook gedacht, kan warden aan een enkele rij elementairbundels, bijvoorbeeld dwars cp de lijnschrijfrichting van de beeldaftasting en voor bijvoorbeeld elektronen optische display systemen met snelle karakter schr ij ving.
Aan de hand van de tekening zullen in het navolgende enkele 25 voorkeursuitvoeringen volgens de uitvinding nader worden beschreven.
In de tekening toont :
Figuur 1 een schetsmatige weergave van een bestralingsinrichting volgens de uitvinding, figuur 2 verschillende uitvoeringsvormen van een spiegelsysteem 30 met een matrix van elementairspiegels voor een derge lijke inrichting, figuur 3 een schetsmatige weergave van een bestralingsinrichting volgens de uitvinding uitgerust met een hoogfrequent prisma als afbuigelement.
35 De in figuur 1 geschetste inrichting bevat een stralenbron 1 welke een elektronenbron of een ionenbron kan zijn. Voor de eenvoud van de beschrijving zal de inrichting hier verder worden beschreven als elektronen optische inrichting. De geschetste inrichting bevat verder een diafragma 8201732 , "N, ψ- * EBQ 82.006 5 2, een eerste lens 4, een bundelomlxiiginrichting 6, een tweede lens 8, een tweede diafragma 10, een elektronenqptische spiegel 12 met een, van een matrix van elementairspiegels 14 voorzien spiegelend oppervlak 15, een derde lens 16, een te bekrachtigen gaasoptiëk 18, een verkleinend 5 lenssysteem 20 en een in een objectruimte 22 geplaatste trefplaatdrager 24.
Van een uit de bron tredende elektronenbundel wordt een centraal gedeelte 25 in de bundelcmbuiginrichting 6 zodanig naar de spiegel getogen, dat een hoofdstraal 26 daarvan samenvalt met een as 28 van de 10 spiegel. De spiegel 12 wordt door de elektronenbundel in principe homogeen belicht vanuit een optisch krcmtemiddelpunt 30. Bij een enkelvoudige spiegel zou de gereflecteerde bundel veer in het optisch krcmtemiddelpunt 30 worden gefocusseerd. De spiegel bevat een matrix van deelspiegels 14 die elk als optisch element optreden. Hierdoor wordt 15 de opvallende homogene bundel 25 opgedeeld in een, door het aantal matrixelementen binnen de bundeldoorsnede gegeven aantal elementairbun-dels 31. Hoofdstralen 33 van de elementairbundels 31 snijden elkaar weer in het optische krcmtemiddelpunt 30, maar door de optische werking van de spiegelelementen 14 vormen de elementairbundels 31 elk voor zich 20 een crossover 32 en daarmede een afbeelding van de bron in een beeldvlak 35. In dit beeldvlak ontstaat nu dus een matrix van onderling gescheiden maar bij gebruik van onderling gelijke spiegelelementen en een homogene invallende bundel, onderling gelijke voorwerpspunten voor verdere afbeelding van de elementairbundels. Al de elementairbundels passeren het 25 in het vlak van de optische krcmtemiddelpunt aangebrachte diafragma 10.
Met dit diafragma kan ook per elementairbundel, maar dan wel voor allen gelijkerwijs, de bundeldoorsnede worden beïnvloed. Samen met het bundeldiafragma 2 kan dan door afbeelding met gedeeltelijke overlapping daarvan op diafragma 10 beamshaping worden toegepast voor elk van de 30 elementairbundels.
De gezamenlijk elementairbundels worden door de lens 8 gecolli-meerd aan de bundelcmbuiginrichting 6 toegevoerd en worden daar, mede dank zij de collimatie, zonder storende fouten naar de trefplaatdrager 24 toegebogen. Met de lens 16 en het verkleinend lenzenstelsel 20 kan met 35 elk van de elementairbundels het diafragma 10 afgebeeld worden op een, op de trefplaatdrager 24 aan te brengen tref plaat 38. Indien geen beamshaping wordt beoogd kan het diafragma 2 weggelaten worden. Met een te bekrachtigen gaasoptiek 18 wordt het crossover van de hoofdstralen van de pipmoryf-gj- 820 1 732 w PHQ 82.006 6 bundels, veer samengebracht met de tronafbeelding. Hierbij wordt automatisch een afbeelding van het diafragma 10 met elk van de elementair-bundels ruimtelijk gescheiden en valt voor het belichten van de trefplaat de crossover van de hoofdstr alen van elk van de elementair bundels weer 5 samen net een afbeelding van de bron. Voor dit veer samenvoegen kan in plaats van de. te bekrachtigen gaasoptiek 18 ook gebruik gemaakt worden van een tweede spiegel met een, aan die van de eerste aangepaste matrix van deelspiegels. De werking van de deelspiegels is hier ten opzichte van de werking van de spiegel als zodanig voor de elerrentair-10 bundels divergerend. Overigens kan dit aspect van de beide spiegels verwisseld worden waarbij de spiegel 12 divergerende deelspiegels heeft.
Een dergelijke spiegel kan ook bij niet toepassing van een tweede spiegel warden gebruikt. Daarbij kan gebruik gemaakt worden van een verdere bundslcmbuiginrichting, maar voor de ombuiging kan ook gebruik gemaakt 15 warden van de ombuiginrichting 6. De bundelombuiging kan ook worden gerealiseerd door de spiegel scheef ten opzichte van de invallende bundel te plaatsen. Een dergelijke scheve opstelling kan overigens ook voor de eerste spiegel gekozen worden. Indien daarbij een één op één afbeelding wordt gerealiseerd treedt als foutenbron alleen astigmatisms op, waar— 20 voor bij een spiegel op bekende wijze kan warden gecorrigeerd. Als bundelatibuiginrichting kan gebruik gemaakt worden van een, dwars op de afbuigrichting gericht, homogeen magnetisch veld of van een hoogfrequent elektrostatisch- prisma waarop aan de hand van figuur 3 nader wordt teruggekanen.
25 Voor het samenvoegen van de crossover van de hoofdstralen van de elementairbundels en de bronafbeelding kan ook gebruik gemaakt worden van de als fly's eye bekend staand elektronen optische inrichting zoals beschreven in US 3.491.236. Met de verkleinende lensoptiek 20 wordt elk van de elementairbundels, bijvoorbeeld een faktor 10 verkleind, af geteeld 30 op de trefplaat. Door ter plaatse van het diafragma 34 een karakterplaat te plaatsen kan aan elk van de elementairbundels een onderling volkomen gelijke, maar verder willekeurig te kiezen dwarsdoorsnede worden opgedrukt. Na afbuiging, samenvoeging en verkleining kan. net een matrix van aldus gevormde elementairbundels bijvoorbeeld direkt een patroon op 35 een trefplaat warden geschreven. Dit is vooral van belang waar een veelvoud van onderling gelijke patronen moet worden geschreven, hetgeen bij de produktie van microelektronische schakelelementen veel voorkomt.
Het grote voordeel van het gebruik van een spiegel als bundelop- 8201732
V
PHQ 82.006 7 deelinrichting is, dat de elementairbundels goed ruimtelijk kunnen worden gescheiden zonder dat storende optische fouten optreden. Daarbij is het uiterst gunstig, dat zoals in de figuur kan worden gezien een optische dode ruimte 39 achter de spiegel voor toevoerleidingen voor stuursignalen 5 beschikbaar is.
In figuur 2 zijn schematisch enkele voorkeursuitvoeringen van een spiegel volgens de uitvinding aangegeven.
Een eerste gedeelte A van. de figuur toont een spiegel waarvan een spiegelend oppervlak 40 overeenkomend met het oppervlak 15 in figuur 10 1, met bijvoorbeeld een kromtestraal van 100 mm voorzien is van een matrix van deelspiegels 42 met een kromtestraal van bijvoorbeeld 50 mm. De deelspiegels zijn. bijvoorbeeld aangebracht in een orthogonale matrix van 10 x 10 elementen, met een diameter van 5 mm op onderlinge afstand 44 van bijvoorbeeld ongeveer 6 irm. In het spiegelcppervlak gemeten, kunnen de 15 deelspiegels bijvoorbeeld vierkanten vormen. Voor het opheffen van rand-storingen kan het daarbij gunstig zijn de hoeken van de vierkanten enigermate af te ronden. In deze eenvoudigste vorm kan met de spiegel een matrix van ruimtelijk gescheiden elenentairbundels worden gerealiseerd. Voor eventuele manipuleren, schakelen en beamshaping moeten dan andere op zich 20 bekende middelen in de inrichting zijn opgencmen.
In een gedeelte B. van de figuur zijn in een verder geheel overeenkomstig de in deel A geschetste spiegel schakel- repectievelijk afbuig** elektroden 46 aangebracht. Deze elektroden hebben hier de vorm. van op toe-voerdraden 47 aangebrachte platen die elektrisch van de spiegel zijn 25 geïsoleerd en waarvan een buitenoppervlak samenvalt met het oppervlak van de spiegel volgens gedeelte A. ïfet elektroden met onderscheiden potentiaal kan ook de optische werking van de deelspiegels als zodanig worden gerealiseerd, de oorspronkelijke geometrische deelspiegels kunnen dan weggelaten worden. Hierbij zijn tussenvormen mogelijk waarin door aanpassen 30 van de geometrische vorm van de deelspiegels en het aantal, de vorm, de oriëntatie en de potentiaal van elektroden optimaal werkende deelspiegels kunnen warden gevormd. Noodzaak is dan wel,, dat per deelspiegel een relatief groot aantal elektroden aamezig is. Een uitvoeringsvorm daartoe is aangegeven in gedeelte C van figuur 2. De qua vorm enkelvoudige holle spie-35 gel is hier voorzien van een groot aantal, bijvoorbeeld 10 a 20 per deelspiegel, draadelektroden 50 die nu de eenvoudige vorm van elektrisch geleidende draden hebben waarvan een kopvlak samenvalt met het spiegelopper-vlak maar die van de spiegel als zodanig elektrisch zijn geïsoleerd. Ge- 8201732 PHQ 82.006 8 dacht kan hierbij ook. worden aan een vezelstruktuur van geleiders in een isolerend lichaam. Aan elk van de elektroden kan een eigen potentiaal gelegd worden maar het zal veelal gunstig zijn de elektroden groepsgewijs per deelspiegel en overeenkomstige voor de onderscheiden deelspiegels samen 5 te voegen voor de potentiaalaansluiting. Per deelspiegel kan hierbij gewerkt worden aan een met de geometrie van de deelspiegels corresponderende groepsopbouw.
In gedeelte D van f iguur 2 is een uitvoeringsvorm geschetst waarbij de deelspiegels worden cpvonrd door uit het spiegeloppervlak ste-10 kende bij voorbeeld rechthoekige cylinder elektroden 54. Binnen elk van deze cylinders kunnen dan weer modulatie- respectievelijk schakel-elektroden 56 zijn aangebracht. Het oppervlak van de deelspiegels kan hier dan vlak zijn, maar kan ook een extra kronning verboren. In gedeelte E is een uitvoeringsvorm weergegeven waarbij de spiegels worden 15 gevormd door roosterelektroden 58 die onderling geïsoleerd en geïsoleerd van de spiegel als zodanig zijn opgesteld en waaraan ook weer onderscheiden potentiaal toe voer baar zijn voor modulatie, schakelen, enz. Ook hier kunnen daarvoor weer aparte jstuurelektroden 60 zijn aangebracht* De elektroden 58 zijn hier aangegeven als met een. isolator 62 aan de spiegel 20 te zijn bevestigd. De op onderlinge gelijke afstand van het spiegeloppervlak gelegen elektroden kunnen evenwel ook door een masker worden gevormd dat enkel aan de rand van de spiegel isolerend wordt onderstuurd. De potentiaal is. in hoofdzaak aangepast aan de potentiaal die daar zonder de elektroden zou heersen* 25 In figuur 3 is een uitvoeringsvorm geschetst waarbij als bundel- ombuiginrichting een hoogfrequent elektrostatische prisma 70 is toegepast. Van de inrichting zijn verder alleen de bron 1, welke hier bijvoorbeeld f een He ionenbron kan zijn, het diafragma 18, de matrixspiegel 12 en de trefplaatdrager 24 aangegeven. Het voordeel van deze uitvoering is, dat 30 de afbeeldende respectievelijk schrijvende bundel 72 nu vanaf de oorsprong daarvan, dat is de spiegel, rechtdoorgaand is. Dit kan optische fouten reduceren en maakt het positioneren van de optische onderdelen eenvoudiger. Het prisma wordt in principe gepulst gestuurd waarbij gedurende een puls een inkomende bundel 71 naar de spiegel wordt gebogen 35 en tijdens afwezigheid van een puls de schrijvende bundel ongehinderd kan passeren. In principe kan de actieve puls ongeveer de helf van de herhalingsfrequentie bedragen en gedurende die tijd is geen actieve bundel aanwezig. Deze tijd kan besteed werden voor optische verplaatsing 8201732 PHQ 82.006 9 van de trefplaats op de trefplaat. Bij keuze van een geschikte bron kan deze met de puls meegestuurd warden waardoor de totale, stroom van de baron evenredig .kan worden gereduceerd. Met de pulsfrequentie voor bet prisma kan ook de in-uit schakeling van de elenentairbundels warden ge-5 stuurd. Voor Bfe+ ionen kan bij gebruikelijke afmetingen van de inrichting gewerkt worden met een berhalingsfrequentie van ongeveer 1 M Hz.
Hoewel de stralingsinrichting in het voorgaande voornamelijk is beschreven aan de hand van een apparaat voor lithografie met een bundel geladen deeltjes, is het toepassingsgebied, veel ruimer. Zo kan 1{J de inrichting, ook in de eenvoudigste vorm, worden gebruikt voor televisiesystemen waar met meerdere bundels tegelijk wordt, geschreven.
Dit kan vooral gunstig zijn indien de normale beeldfrequentie als te laag wordt ondervonden, als verschillende beeldgedeelten onderscheiden dienen te worden behandeld en bij hoge lokale momentane belasting van 15 het beeldscherm. Ben uiterst gunstig resultaat met de inrichting kan worden bereikt in meerbundel oscillograafbuizen en zoals reeds opgemerkt voor daartoe geeigende display inrichtingen.
Indien voor enige toepassing de bundel geladen deeltjes 26 de spiegel 12 onvoldoende homogeen belicht, hetgeen bijvoorbeeld bij een vier-20 kante matrix van te belichten deelspiegels qp zou kunnen treden, kan de homogeniteit worden verhoogd door de bundel aan de bronzijde te scannen in een aan de matrix aangepast patroon, bijvoorbeeld tussen vier posities bij genoemde vierkante matrix. Cm storing bij de afbeelding te voorkomen is het gunstig dit scannen uit te voeren als kantelen om het beeldpunt 30 in het diafragma 10.
25 30 35 8201732
Claims (15)
1. Inrichting voor het bestralen van een in een objectruimte (22) te positioneren trefplaat (28) met een bundel geladen deeltjes (26), welke inrichting is uitgerust met een stralenbron (1) en een bundel opdeel-modulatie inrichting voor het vormen en besturen van een matrix van 5 elementairbundels van geladen deeltjes, met het kenmerk, dat de bundel qpdeel-modulatie inrichting een spiegelsysteem (12) bevat waarvan een spiegelend oppervlak (13) van een matrix deelspiegels (14) is voorzien, welke deelspiegels elk voor zich als elementairbundel (31) selecterend geladen deeltjes optisch element is uitgerust..
2. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de deelspiegels (14) worden gevormd door een matrix van sferische verdiepingen (42) in het spiegeloppervlak (15) met een van de geometrische kromtestraal van het spiegelvlak afwijkende geometrische kromtestraal.
3. Inrichting volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat 15 de deelspiegels een stelsel van in de spiegel aangebrachte afzonderlijk dan wel groepsgewijs, te bekrachtigen elektroden (46-62) bevatten.
4. Inrichting volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat van de elektroden althans een gedeelte is uitgevoerd als deelspiegels ventende, uit het spiegeloppervlak stekende cylindervormige bussen (5-4).
5. Inrichting volgens conclusie 1, 2, 3 of 4, met het kenmerk, dat de deelspiegels een orthogonale matrix vormen.
6. Inrichting volgens conclusie 1, 2, 3, 4,of 5, met het kenmerk dat een dwarsdoorsnede van de deelspiegels in het spiegelend oppervlak gemeten substantieel een vierkant vormt.
6. Inrichting volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat cm een optisch kromtemiddelpunt (30) van de spiegel een ele-mèntairbundel dwarsdoorsnede bepalend diafragma (10) is opgenemen.
8. Inrichting volgens een der voorgaande conclusies, net het kenmerk, dat nabij de stralingsbron (11) een tweede diafragma (2) is 30 opgenemen dat met de stralenbundel afbeeldbaar is in het vlak van het eerste diafragma 10.
9. Inrichting volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de beeldafbuiginrichting (6) een hoogfrequent elektrostatisch prisma (70) bevat.
10. Inrichting volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat daaraan een inrichting voor optisch samenvoegen van door de spiegel (12) gescheiden bronafbeeldingen (32) door de elementairbundels enerzijds en de crossover van de hoofdstralen (33) van de elementair bun- 8201732 PHQ 82.006 11 dels anderzijds.
11. Inrichting volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat nabij de objectdrager 24 een verkleinend optisch stelsel is opgenanen.
12. Inrichting volgens conclusie 1, 2, 5, 6, 7, 8, 9, 10 of 11, met het kenmerk, dat een geladen deeltjessysteem is qpgencmen voor sturing en modulatie van elk van de elementairbundels.
13. Inrichting volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat die deel uitmaakt van een inrichting voor het produceren 10 van micro-elektronische elementen.
14. Inrichting volgens conclusie 13, met het kenmerk, dat die is uitgerust met een ionenhron en de optische elementen daaraan zijn aangepast.
15. Werkwijze voor het produceren van micro-elektronische 15 elementen onder gebruikmaking van een inrichting volgens een van de voorgaande conclusies. 20 25 30 35 8201732
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8201732A NL8201732A (nl) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | Bestralingsinrichting met bundelsplitsing. |
| DE8383200567T DE3379616D1 (en) | 1982-04-27 | 1983-04-19 | Charged-particle beam exposure device incorporating beam splitting |
| EP83200567A EP0092873B1 (en) | 1982-04-27 | 1983-04-19 | Charged-particle beam exposure device incorporating beam splitting |
| JP58071552A JPS58204460A (ja) | 1982-04-27 | 1983-04-25 | 帯電粒子ビ−ム露光装置及びそれを用いるマイクロエレクトロニクス部品の製造方法 |
| US06/740,308 US4568833A (en) | 1982-04-07 | 1985-06-03 | Charged-particle beam exposure device incorporating beam splitting |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8201732A NL8201732A (nl) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | Bestralingsinrichting met bundelsplitsing. |
| NL8201732 | 1982-04-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8201732A true NL8201732A (nl) | 1983-11-16 |
Family
ID=19839658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8201732A NL8201732A (nl) | 1982-04-07 | 1982-04-27 | Bestralingsinrichting met bundelsplitsing. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4568833A (nl) |
| EP (1) | EP0092873B1 (nl) |
| JP (1) | JPS58204460A (nl) |
| DE (1) | DE3379616D1 (nl) |
| NL (1) | NL8201732A (nl) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8502275A (nl) * | 1985-08-19 | 1987-03-16 | Philips Nv | In slanke deelbundels opgedeelde bundel geladen deeltjes. |
| NL8702570A (nl) * | 1987-10-29 | 1989-05-16 | Philips Nv | Geladen deeltjes bundel apparaat. |
| US4818868A (en) * | 1988-02-11 | 1989-04-04 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Trochoidal analysis of scattered electrons in a merged electron-ion beam geometry |
| US5017780A (en) * | 1989-09-20 | 1991-05-21 | Roland Kutscher | Ion reflector |
| US5045695A (en) * | 1990-06-04 | 1991-09-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Transition radiation interference spectrometer |
| JP2957669B2 (ja) * | 1990-09-28 | 1999-10-06 | 株式会社東芝 | 反射マスク及びこれを用いた荷電ビーム露光装置 |
| DE19523859C2 (de) * | 1995-06-30 | 2000-04-27 | Bruker Daltonik Gmbh | Vorrichtung für die Reflektion geladener Teilchen |
| US6157039A (en) * | 1998-05-07 | 2000-12-05 | Etec Systems, Inc. | Charged particle beam illumination of blanking aperture array |
| US6519018B1 (en) | 1998-11-03 | 2003-02-11 | International Business Machines Corporation | Vertically aligned liquid crystal displays and methods for their production |
| US6061115A (en) * | 1998-11-03 | 2000-05-09 | International Business Machines Incorporation | Method of producing a multi-domain alignment layer by bombarding ions of normal incidence |
| US6313896B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-11-06 | International Business Machines Corporation | Method for forming a multi-domain alignment layer for a liquid crystal display device |
| EP2870115A1 (de) * | 2012-07-07 | 2015-05-13 | LIMO Patentverwaltung GmbH & Co. KG | Vorrichtung zur erzeugung eines elektronenstrahls |
| US9336993B2 (en) * | 2014-02-26 | 2016-05-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Digital pattern generator (DPG) for E-beam lithography |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1100237A (en) * | 1977-03-23 | 1981-04-28 | Roger F.W. Pease | Multiple electron beam exposure system |
| FR2443085A1 (fr) * | 1978-07-24 | 1980-06-27 | Thomson Csf | Dispositif de microlithographie par bombardement electronique |
| US4472636A (en) * | 1979-11-01 | 1984-09-18 | Eberhard Hahn | Method of and device for corpuscular projection |
| NL8200559A (nl) * | 1982-02-15 | 1983-09-01 | Ir Jan Bart Le Poole Prof Dr | Bestralingsinrichting met bundelsplitsing. |
-
1982
- 1982-04-27 NL NL8201732A patent/NL8201732A/nl not_active Application Discontinuation
-
1983
- 1983-04-19 EP EP83200567A patent/EP0092873B1/en not_active Expired
- 1983-04-19 DE DE8383200567T patent/DE3379616D1/de not_active Expired
- 1983-04-25 JP JP58071552A patent/JPS58204460A/ja active Pending
-
1985
- 1985-06-03 US US06/740,308 patent/US4568833A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4568833A (en) | 1986-02-04 |
| EP0092873A2 (en) | 1983-11-02 |
| DE3379616D1 (en) | 1989-05-18 |
| EP0092873A3 (en) | 1985-08-28 |
| JPS58204460A (ja) | 1983-11-29 |
| EP0092873B1 (en) | 1989-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101068607B1 (ko) | 복수 개의 빔렛 발생 장치 | |
| NL8201732A (nl) | Bestralingsinrichting met bundelsplitsing. | |
| JP7319456B2 (ja) | 粒子ビームシステム及び個別粒子ビームの電流強度を柔軟に設定するためのその使用 | |
| JP4949843B2 (ja) | 荷電粒子ビームレット露光システム | |
| KR102872217B1 (ko) | 콘트라스트 보정 렌즈 시스템을 갖는 다중 입자 빔 시스템 | |
| NL8200559A (nl) | Bestralingsinrichting met bundelsplitsing. | |
| JP2810797B2 (ja) | 反射電子顕微鏡 | |
| JP2019521495A (ja) | 電子顕微鏡用の収差補正装置およびこのような装置を備えた電子顕微鏡 | |
| NL8000524A (nl) | Lithograferen door middel van een elektronenstraal. | |
| US7902504B2 (en) | Charged particle beam reflector device and electron microscope | |
| US4218621A (en) | Electron beam exposure apparatus | |
| NL8502275A (nl) | In slanke deelbundels opgedeelde bundel geladen deeltjes. | |
| NL8702570A (nl) | Geladen deeltjes bundel apparaat. | |
| EP4595089A1 (en) | A device for transforming between an azimuthal phase and a linear phase in a charged particle beam | |
| JPS59171445A (ja) | 立体走査型電子顕微鏡 | |
| US20110068675A1 (en) | Multiple Device Shaping Uniform Distribution of Current Density in Electro-Static Focusing Systems | |
| JPS59134531A (ja) | 加速及び走査拡大電子レンズ装置 | |
| JPH0234144B2 (nl) | ||
| NL2016853B1 (en) | Apparatus and method for irradiating a surface of a sample using charged particle beams | |
| SU693478A1 (ru) | Электронно-оптическа система | |
| JPS62268045A (ja) | 多ビ−ム陰極線管 | |
| SU928463A1 (ru) | Электронно-оптическа система | |
| JPH0352169B2 (nl) | ||
| JPS63131450A (ja) | 静電偏向装置 | |
| WO2021071357A1 (en) | Device for generating a plurality of charged particle beamlets, and an inspection imaging or processing apparatus and method for using the same. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
| BV | The patent application has lapsed |