NO170177B - System for fjernovervaakning av elevatoranlegg - Google Patents
System for fjernovervaakning av elevatoranlegg Download PDFInfo
- Publication number
- NO170177B NO170177B NO872792A NO872792A NO170177B NO 170177 B NO170177 B NO 170177B NO 872792 A NO872792 A NO 872792A NO 872792 A NO872792 A NO 872792A NO 170177 B NO170177 B NO 170177B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- semiconductor device
- shielding
- zone
- Prior art date
Links
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 58
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 24
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 24
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 229910000830 fernico Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B66—HOISTING; LIFTING; HAULING
- B66B—ELEVATORS; ESCALATORS OR MOVING WALKWAYS
- B66B5/00—Applications of checking, fault-correcting, or safety devices in elevators
- B66B5/0006—Monitoring devices or performance analysers
- B66B5/0018—Devices monitoring the operating condition of the elevator system
- B66B5/0025—Devices monitoring the operating condition of the elevator system for maintenance or repair
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B66—HOISTING; LIFTING; HAULING
- B66B—ELEVATORS; ESCALATORS OR MOVING WALKWAYS
- B66B5/00—Applications of checking, fault-correcting, or safety devices in elevators
- B66B5/0006—Monitoring devices or performance analysers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B66—HOISTING; LIFTING; HAULING
- B66B—ELEVATORS; ESCALATORS OR MOVING WALKWAYS
- B66B5/00—Applications of checking, fault-correcting, or safety devices in elevators
- B66B5/0006—Monitoring devices or performance analysers
- B66B5/0037—Performance analysers
Landscapes
- Indicating And Signalling Devices For Elevators (AREA)
- Selective Calling Equipment (AREA)
- Maintenance And Inspection Apparatuses For Elevators (AREA)
- Small-Scale Networks (AREA)
- Telephonic Communication Services (AREA)
- Alarm Systems (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Forklifts And Lifting Vehicles (AREA)
- Lift-Guide Devices, And Elevator Ropes And Cables (AREA)
- Control And Safety Of Cranes (AREA)
Description
Halvlederanordning med en felteffekttransistor med isolert portelektrode.
Oppfinnelsen angår en halvlederanordning med et i det minste delvis av et isolasjonssjikt dekket halvlederlegeme med en feltef fekttransistor av typen med isolert portelektrode, bestående av et område av én ledningsevne i et grunnlegeme,
i hvilket område befinner seg til overflaten grensende elektrodesoner av den mot-
satte ledningsevnetype og som tilhører tilførings- og bortføringselektrodene, hvor det på isolasjonssjiktet mellom elektrodesonene er anordnet en portelektrode, og hvor i det minste én av elektrodene er forbundet med ett i det minste delvis på isolasjonssjiktet utenfor elektrodesonene, liggende som kontaktsjikt tjenende metall-
sjikt som er forsynt med en tilslutningsledning.
Halvlederanordninger med en felteffekt-transistor av den nevnte art er kjent,
og kan f.eks. anvendes til forsterkning av elektriske signaler. I de da anvendte koplingsanordninger er tilførselselektroden som oftest felles for inngangs- og utgangskretsene. Det signal som skal forsterkes tilføres den isolerte portelektrode og
det forsterkede signal tas fra bortføringselektroden, mens området i grunnlegemet er elektrisk forbundet med tilføringselektroden.
Kontaktsjiktene som tjener til befestigelse av tilslutningsledningene til til-førings- og bortføringselektroden og til portelektroden, danner da sammen med det underliggende halvlederlegeme kapasiteter som ofte størrelsesmessig kan sammen-lignes med elektrodekapasitetene eller være større enn disse.
Det er allerede foreslått ved høyfrekvenstransistorer hvor det opptrer lignen-de kontaktsjiktkapasiteter som kan fremkalle tilbakekoplingen, å minske disse til— bakekoplingskapasiteter ved anbringelse av avskjermningssjikt under kontaktsjiktene.
En slik forholdsregel er hittil ikke anvendt for felteffekt-transistorer med isolert portelektrode. Dette kan sannsynligvis føres tilbake til at i den ovenfor beskrevne vanlige koplingsanordning opptrer kontaktsjiktkapasitetene i form av inngangs- og utgangskapasiteter som gjør seg lite gjeldende, fordi inngangs- og utgangskretsene uten større vanskeligheter kan avstemmes. Kontaktsjiktkapasitetene fremkaller altså ingen tilbakekopling, slik at en avskjermning ved felteffekt-transistorer med isolert portelektrode i alminnelighet synes overflødig.
Til grunn for oppfinnelsen ligger blant annet den erkjennelse at også i den nevnte vanlige koplingsanordning kan det ved anbringelse av avskjermnings- og kontaktsjikt oppnås vesentlige koplingstekniske fordeler.
Oppfinnelsen er videre basert på den erkjennelse at ved høye frekvenser kan andre koplingsanordninger foretrekkes, f.eks. koplingsanordninger ved hvilke den isolerte portelektrode for oppnåelse av gunstig støytilpasning er felles for inngangs-og utgangskretsene. I denne koplingsanordning kan kontaktsjiktkapasitetene imidlertid fremkalle tilbakekopling, slik at det er fordelaktig at disse kapasiteter ved hjelp av avskjermningssjikt forflyttes til andre punkter i koplingsanordningen.
Videre kan også området i grunnlegemet utformes som en andre portelektrode som på samme måte som den isolerte portelektrode kan tilføres et signal. I en slik koplingsanordning i hvilken tilføringselektroden er felles for inngangs- og utgangskretsene , kan kapasiteten mellom kontaktsjiktet for den isolerte portelektrode og området i grunnlegemet fremkalle en ugunstig kopling mellom de av de to portelektroder dannede inngangselektroder. Kapasiteten kan da med fordel erstattes av to inngangskapasiteter ved hjelp av et avskjermningssjikt som er forbundet med tilføringselek-troden.
Hensikten med oppfinnelsen er blant annet å tilveiebringe en ny utformning av en halvlederanordning av den innledningsvis nevnte art, hvor de elektriske egenskap-er kan forbedres vesentlig ved anvendelse av et antall koplingsanordninger.
Dette oppnås ifølge oppfinnelsen ved at den utenfor elektrodesonene liggende, av kontaktsjiktene dekkende del av isolasjonssjiktet i det minst delvis ligger på et ledende avskjermningssjikt som ved hjelp av et sperresjikt er skilt fra det underliggende område av halvlederlegemet og som er forsynt med en tilslutningsleder.
Med en tilslutningsledning skal her og i det følgende forståes en elektrisk ledning som kan forbindes med et valgt potential. En slik tilslutningsledning kan bestå av en metalltråd eller en metallstrimmel eller også f.eks. en i halvlederlegemet inndiffundert sone.
Et avskjermningssjikt kan bestå av et metallsjikt mens sperresjiktet kan dannes av et på halvlederlegemet anbragt isolasjonssjikt f.eks. av silisiumoksyd eller silisiumnitrid. Fortrinnsvis dannes et avskjermningssjikt ved hjelp av en overflatesone som sammen med det underliggende område av halvlederlegemet danner en som sperresjikt tjenende pn-overgang. Dette gir den fordel at avskjermningssjiktet samtidig med tilførings- og bortføringselektrodene kan dannes i én enkelt diffusjonsbehandling.
Som allerede nevnt er ved en ofte anvendt koplingsanordning tilføringselek-troden felles for inngangs- og utgangskretsen, idet det signal som skal forsterkes tilføres den isolerte portelektrode, mens det forsterkede signal tas fra bortførings-elektroden, og området i grunnlegemet er forbundet med tilføringselektroden. Hvis bortføringselektroden er forbundet med et kontaktsjikt, inneholder utgangsimpedansen mellom tilførings- og bortføringselektrodene parallelt med kapasiteten av pn-over-gangen mellom bortføringselektroden og det underliggende område, kapasiteten mellom bortføringselektroden, kontaktsjiktet og området i grunnlegemet i serie med motstanden som er betinget av selve området i grunnlegemet. Ved høye frekvenser vil utgangsimpedansen for felteffekttransistoren hovedsakelig være bestemt av den nevnte seriekopling av kontaktsjiktkapasiteten og motstanden i området i grunnlegemet, og denne utgangsimpedans øker dempningen av utgangskretsen. Hvis det videre under kontaktsjiktet er anordnet en elektrodesone med et avskjermningssjikt og denne elektrodesone anvendes som bortførings elektrode, kan avskjermningssjiktet være elektrisk forbundet med tilføringselektroden. Som utgangskapasitet blir da tilbake praktisk talt bare kapasiteten mellom borføringselektroden og kontaktsjiktet.
Denne fordel kan i alminnelighet oppnås ved alle koplingsanordninger hvor inngangs- og/eller utgangsimpedansen for en vesentlig del også dannes av en kontakt-sjiktkapasitet i serie med motstanden som dannes av halvlederlegemet. Ved disse koplingsanordninger er utformningen av oppfinnelsen fordelaktig når ingen koplings-eller tilbakekoplingskapasiteter forekommer som følge av kontaktsjiktene.
Et avskjermningssjikt under et kontaktsjikt som er forbundet med en elektrode-sone er videre meget viktig i en koplingsanordning hvor den isolerte portelektrode er felles for inngangs- og utgangskretsen og hvor det signal som skal forsterkes tilføres den med området i grunnlegemet forbundne tilføringselektrode, og det forsterkede signal tas fra bortføringselektroden. En slik koplingsanordning har den fordel at ved høye frekvenser blir støytilpasningen og inngangsimpedansen av samme størrelses-orden, hvilket koplingsteknisk er fordelaktig. Det kontaktsjikt som tilhører bortfør-ingselektroden danner hvis det forekommer, en tilbakekoplingskapasitet med det underliggende område. Hvis det under dette kontaktsjikt er anordnet et avskjermningssjikt , kan det sistnevnte være forbundet med den isolerte portelektrode, slik at den mellom tilførings- og bortføringselektroden dannede tilbakekoplingskapasitet kan omdannes til en inngangskapasitet mellom tilføringselektroden og portelektroden og til en utgangskapasitet mellom bortføringselektroden og portelektroden, hvilket i koplingsanordningen virker meget mindre forstyrrende.
Området i grunnlegemet kan også anvendes som en andre portelektrode og i det tilfelle tilføres f.eks. i en koplingsanordning hvor tilføringselektroden er felles for inngangs- og utgangskretsen, et signal såvel til den isolerte portelektrode som til det underliggende område, idet utgangssignalet tas fra bortføringselektroden. Hvis bortføringselektroden er forbundet med et kontaktsjikt, danner dette kontaktsjikt sammen med'det underliggende område av grunnlegemet en tilbakekoplingskapasitet. Hvis det under kontaktsjiktet er anordnet et avskjermningssjikt, kan dette forbindes med tilføringselektroden, idet den nevnte tilbakekoplingskapasitet omdannes til en inngangskapasitet og en utgangskapasitet.
En foretrukket utførelsesform av en halvlederanordning ifølge oppfinnelsen
er i denne forbindelse karakterisert ved at det under i det minste ett med en elektrodesone forbundet kontaktsjikt er anordnet et avskjermningssjikt.
Hvis ved denne sistnevnte anordning også den isolerte portelektrode er forbundet med et kontaktsjikt, så danner dette kontaktsjikt sammen med området i grunnlegemet en kapasitet som kopler de to inngangskretser med hverandre. Hvis det under dette kontaktsjikt er anbragt et avskjermningssjikt, så kan dette forbindes med tilføringselektroden, slik at den nevnte kopling elimineres ved de to inngangskapasiteter.
I eh ytterligere foretrukket utførelsesform ifølge oppfinnelsen er det under
et kontaktsjikt som er forbundet med den isolerte portelektrode, anordnet et avskjermningssjikt. Ved denne foretrukne utførelsesform av halvlederanordningen hvor grunnlegemet anvendes som portelektrode, og derfor er forsynt med en tilslutningsledning, er oppfinnelsen av særskilt interesse. Også når området i grunnlegemet ikke benyttes som inngang for det signal som skal forsterkes, men er forbundet med jord eller et annet fast referansepotensial, kan den ved oppfinnelsen fremkalte kapasitetsom-formning være vesentlig for koplingsanordningen, f. eks. når feltef f ekttransistoren ligger i en integrerende kopling hvor f.eks. ved kapasiteten mellom det nevnte kontaktsjikt og området i grunnlegemet eller ved den dermed i serie forbundne, av halvlederlegemet dannede motstand, kan påvirke andre koplingselementer eller selv be-virke en innvirkning.
Elektrodesonene som tilhører tilførings- eller bortføringselektroden, kan være anordnet i et område av et grunnlegeme som i og for seg er anordnet i en annen del av halvlederlegemet. Da kan et kontaktsjikt befinne seg over et avskjermningssjikt som er anordnet under området i grunnlegemet. Oppfinnelsen er imidlertid meget viktig ved utførelsesf ormer hvor et avskjermet kontaktsjikt ligger over området i grunnlegemet.
Ved anvendelse av f.eks. en diffundert overflatesone som avskjermningssjikt, kan en forstyrrende virkning opptre som følge av den parasitære felteffekttransistor-struktur som dannes av den avskjermende overflatesone, en tilgrensende overflatesone av samme ledningsevnetype, f.eks. en elektrodesone, det mellomliggende område av halvlederlegemet, det isolerende sjikt og det avskjermende kontaktsjikt som befinner seg på dette. Som følge derav kan det mellom den avskjermende overflatesone og den nevnte tilgrensende overflatesone dannes en uønsket strømkanal.
Det kan tilstrebes å unngå denne virkning mest mulig ved et hensiktsmessig valg av dimensjonene av kontaktsjiktet og de nevnte overflatesoner, slik at denne parasitære felteffekt-transistorvirkning er minst mulig. Ved en meget viktig, foretrukket utførelsesform ifølge oppfinnelsen blir det i halvlederlegemet mellom de av de avskjermende overflatesoner og en tilgrensende elektrodesone av samme ledningsevnetype , anbragt en til isolasjonssjiktet grensende og under det avskjermende kontaktsjikt liggende, sterkt dopet sone av samme ledningsevnetype som i området av grunnlegemet.
I mange tilfeller kan en elektrisk forbindelse av et avskjermningssjikt med
et punkt i koplingsanordningen i hvilken halvlederanordningen er anordnet være anbragt innenfor halvlederanordningens kappe på eUer i halvlederlegemet. Derved blir fremstillingen av en slik forbindelse overflødig ved monteringen av halvlederanordningen i en slik koplingsanordning. En foretrukket utførelsesform av oppfinnelsen er da karakterisert ved at i det minste ett med en elektrodesone forbundet kontaktsjikt er anordnet, og at dette ligger over et avskjermningssjikt som er forbundet med den isolerte portelektrode. Denne utførelsesform kan med fordel anvendes ved de ovenfor beskrevne koplingsanordninger, hvor den isolerte portelektrode er felles for inngangs- og utgangskretsen. En ytterligere foretrukket utførelsesform er karakterisert ved at i det minste ett med en elektrode forbundet kontaktsjikt ligger over et avskjermningssjikt som er elektrisk forbundet med den andre elektrodesone. Denne utførelsesform er særlig av betydning ved de ovenfor beskrevne koplingsanordninger hvor tilføringselektroden er felles for inngangs- og utgangskretsen.
Ved symmetrisk anordning av koplingsanordningen i en slik kopling hvor en elektrodesone avvekslende tjener som tilføring- og bortføringselektrode, er det hensiktsmessig at hver elektrode-sone er et kontaktsjikt som ligger over et avskjermningssjikt som er forbundet med den andre elektrodesone.
Videre er en foretrukket utførelsesform karakterisert ved at et med den isolerende portelektrode forbundet kontaktsjikt ligger over et avskjermningssjikt som er elektrisk forbundet med en av elektrodesonene. Denne utførelsesform er fordelaktig f.eks. i den ovenfor nevnte koplingsanordning, hvor tilføringselektroden er felles for inngangs- og utgangskretsene og hvor området i grunnlegemet benyttes som andre portelektroder. Kapasiteten mellom portelektroden, kontaktsjiktet og området i grunnlegemet som er koplet med begge innganger , erstattes da ved hjelp av to inngangskapasiteter.
Det er innlysende at ved bestemte anordninger kan ved kombinasjon av de
tre sistnevnte foretrukne utførelsesformer, de beskrevne fordeler kombineres.
F.eks. er en utførelsesform fordelaktig hvor såvel bortføringselektrodekontaktsjiktet som kontaktsjiktet for den isolerte portelektrode er forbundet med tilføringselektrod-en, i en anordning med en felles tilføringselektrode og.et område i grunnlegemet anvendt som portelektrode, fordi såvel tilbakekoplingskapasiteten som den kapasitive kopling mellom inngangene kan erstattes av inngangs- og utgangskapasiteter.
De i de ovenfor beskrevne utførelsesformer nevnte forbindelser mellom et avskjermningssjikt og en elektrode, kan tilveiebringes ved anordning av metallstrimler på isolasjonssjiktet. Videre kan disse forbindelser tilveiebringes ved en for-bindelsessone som er anbragt i halvlederlegemet, og som f.eks. ved diffusjon av dopingsmaterialer kan anbringes samtidig med tilførings- og bortføringssonene.
Noen utførelseseksempler på oppfinnelsen skal forklares nærmere under hen-visning til tegningene.
Fig. 1 viser et grunnriss av en halvlederanordning ifølge oppfinnelsen.
Fig. 2 viser et snitt langs linjen I-l på fig. 1.
Fig. 3 viser et snitt langs linjen II-II på fig. 1.
Fig. 4 viser et grunnriss av en annen halvlederanordning ifølge oppfinnelsen.
Fig. 5 viser et snitt langs linjen III-III på fig. 4.
Fig. 6-9 viser koplingsskjema for koplingsanordninger med en halvlederanordning ifølge oppfinnelsen.
På figurene har tilsvarende deler samme henvisningstall.
Et silisium-halvlederlegeme 1 er overtrukket med et isolasjonssjikt 2 av silisiumoksyd med en tykkelse på 0,15 mikron. Dette halvlederlegeme inneholder en felteffekttransistor av typen med isolert portelektrode som består av et område 3 i et grunnlegeme av p-type-silisium med en spesifikk motstand av 1 ohm. cm.
I området 3 i grunnlegemet 3 befinner det seg inndiffunderte elektrodesoner
4 og 5 av n-ledningsevnetype, som grenser til overflaten og som tilhører tilførings-og bortføringselektrodene og som har en innbyrdes avstand på 10 mikron og en bredde på 20 mikron, idet det på isolasjonssjiktet 2 mellom elektrodesonene 4 og 5 er anbragt en portelektrode 6 som dannes av et pådampet aluminiumsjikt med en bredde på ca. 10 mikron. Når spenningen mellom denne portelektrode og det underliggende område av grunnlegemet endres, kan en strømvei som grenser til isolasjonssjiktet 2 og som har foranderlig ledningsevne tilveiebringes mellom elektrodesonene 4 og
5 i halvledermaterialet.
De på overflaten av halvledermaterialet og på isolasjonssjiktet anbragte metallsjikt er på fig. 1 og 4 antydet med strekede linjer.
Elektrodene 4, 5 og 6 er forbundet med delvis på isolasjonssjiktet utenfor elektrodesonene 4 og 5 liggende aluminiumsjikt 7, 8 resp. 9 med dimensjoner på ca. 60 x 60 mikron og disse tjener som kontaktsjikt og er på forbindelsesstedene 10, 11 og 12 (fig. 1) forbundet med tilslutningsledninger. Kontaktsjiktene 7 og 8 er gjennom åpninger 13 og 14 i isolasjonssjiktet 2 elektrisk forbundet med en bredde på ca. 6 mikron med den underliggende elektrodesone 4 resp. 5.
De utenfor elektrodesonene 5 og 4 av kontaktsjiktene 8 og 9 dekkede deler av isolasjonssjiktet ligger da delvis på avskjermningssjiktene 15, 16 som ligger over området 3 i grunnlegemet og som består av inndiffunderte overflatesoner av n-ledningsevnetype med dimensjoner på ca. 80 x 80 mikron og som ved hjelp av sperresjikt 17 og 18 i form av pn-overganger mellom sonene 15 og 16 og det underliggende område 3 av grunnlegemet, adskilt fra det underliggende område av halvlederlegemet. Avskjermningssjiktene 15 og 16 er forsynt med tilslutningsledninger 19 og 20 som dannes av inndiffunderte overflatesoner av n-ledningsevnetype.
Alle de nevnte inndiffunderte overflatesoner av n-ledningsevnetype anbringes
i løpet av samme diffusjonsbehandling og har samme inntrengningsdybde. Mellom den avskjermende overflatesone 15 og elektrodesonen 5 er inndiffundert en overflatesone 21 av p-ledningsevnetype med dimensjoner på ca. 10 x 20 mikron, og som grenser til isolasjonssjiktet 2 og ligger under det avskjermende kontaktsjikt. Denne sone 21 er sterkt dopet i forhold til området 2 av grunnlegemet og tjener til å unngå uønsket felteffektvirkning som kan opptre som følge av den parasitære felteffekt-transistorstruktur som dannes av sonene 5 og 15, det mellomliggende område av grunnlegemet, isolasjonssjiktet 2 og den overliggende del av kontaktsjiktet 8. Det kan som følge derav i det nevnte mellomliggende område av grunnlegemet oppstå en uønsket strømbane som imidlertid er brutt av sonen 21 som er så sterkt dopet at det ikke kan dannes noen strømbane i denne sone. Området 3 av grunnlegemet er på undersiden av halvlederlegemet (fig. 2 og 3) festet på en bunnplate 22 f .eks. av en forgylt jern-nikkelkoboltlegering som er handelsvare (Fernico) og som tjener som tilslutningsledning.
Ved den beskrevne utførelsesform blir fortrinnsvis elektrodesonen 4 anvendt som tilføringselektrode og elektrodesonen 5 som bortføringselektrode. Såvel avskjermningssjiktene for portelektrode-kontaktsjiktet 9 som for bortførings-kontaktsjiktet 8 , er her elektrisk forbundet med tilføringselektrodesonen 4 ved hjelp av forbindelsessonen 19 og 20. Den ovenfor beskrevne anordning kan fremstilles på følgende måte: Man går ut f ra en silisiumplate av p-ledningsevnetype med en tykkelse på ca. 250 mikron, en diameter på ca. 25 mm og en spesifikk motstand på ca. 1 ohm cm, som er etset eller polert på den ene side.
På denne plate kan det eventuelt i kombinasjon med andre strukturer anbringes et stort antall feltef fekttransistor er. Dette skal beskrives for en enkelt felteffekt-transistor, da alle operasjoner allikevel utføres samtidig for alle felteffekt-transistorer som skal anbringes på platen, hvoretter denne f.eks. kan deles opp.
Halvlederplaten blir først oksydert i fuktig oksygen ved ca. 1200°C, for dan-nelsen av et oksydsjikt med en tykkelse på ca. 0 ,5 mikron. På den side hvorpå transistorene skal dannes, blir det i oksydsjiktet etset en åpning på størrelse med området 21, hvoretter det pådampes BgOg ved 970°C og deretter følger en diffusjon ved 1200°C slik at i løpet av noen minutter dannes en sterkt p-ledende overflatesone 21. Deretter blir hele platen dekket med et oksydsjikt. Deretter blir under anvendelse av fotografisk avmasking og ved etsing etset åpninger i oksydsjiktet og i disse åpninger blir det ved fosfordiffusjon ved 1100°C diffundert overflatesoner 4, 5, 15,16, 19 og 20 med en inntrengningsdybde på ca. 2 mikron.
Deretter blir oksydsjiktet fjernet ved etsing og ved oksydasjon i fuktig oksygen ved 1100°C erstattet med et tynnere oksydsjikt med en tykkelse på 0 ,15 mikron. I dette oksydsjikt etses deretter åpninger 13 og 14 og deretter blir hele overflaten pådampet et aluminiumsjikt med en tykkelse på 0 ,5 mikron. Av dette aluminiumsjikt blir det ved hjelp av fotografisk avmasking og etsing tilveiebragt sjikt 6 og 7, 8 og 9 som danner portelektroden og kontaktsjikt.
Den motsatte side av platen blir deretter etset til en samlet tykkelse på ca. 100 mikron og deretter kan platen deles opp. Delene blir deretter hver for seg fast-loddet på en forgylt Fernico grunnplate 22. På aluminium sjiktene blir sluttelig ved 10 , 11 og 12 f .eks. ved varmetrykkforbindelser anbragt tilslutningsledninger. Det hele blir deretter forsynt med en egnet kappe. Anordningen ifølge dette utførelses-eksempel kan anvendes f.eks. i forsterkerkoplingen på fig. 6. I fig. 6 til 9 betegner S tilslutningen til tilføringselektroden, tilslutningen til bortføringselektroden er betegnet med D, tilslutningen til den isolerte portelektrode betegnet med G 1 og tilslutningen til det underliggende område i grunnlegemet betegnet med G2. Avskjermningssjiktene og forbindelsene er antydet med strekede linjer. Ved koplingsanordningen på fig. 6 er tilføringselektrodesonen 4 fortrinnsvis forbundet med et konstant potensial, f.eks. med jord. Bortføringselektroden påtrykkes en i forhold til tilfør-ingselektroden positiv forspenning. Den isolerte portelektrode 6 og ved hjelp av bunnplaten 22 også området 3 i grunnlegemet tilføres de signaler som skal forsterkes, idet tilføringselektroden er felles for inngangs- og utgangskretsene. Det forsterkede signal kan tas fra kontaktsjiktet 8 for bortføringselektroden 5.
Den ved manglende avskjermningssjikt 15 og 16 opptredende tilbakekoplingskapasitet mellom bortføringskontaktsjiktet 8 og området 3 i grunnlegemet (fig. 6) er da erstattet av en utgangskapasitet mellom D og S og en inngangskapasitet mellom G2 og , idet den kapasitive kopling mellom inngangskretsene som følge av kapasiteten mellom portelektrodekontaksjiktet 9 og det underliggende område 3 av grunnlegemet , gir ved inngangskapasiteten mellom G2 og G^ i forhold til den felles til— føringselektrode fortrinnsvis en slik forspenning, at over de mellom avskjermningssjiktene og det underliggende område av grunnlegemet dannede pn-overganger praktisk talt ikke gir noen injeksjon av ladningsbærere.
Da området 3 av grunnlegemet i denne koplingsanordning er elektrisk forbundet med tilføringselektroden 4, oppstår den koplingsanordning som er vist på fig. 7. Ved manglende avskjermningssjikt under bortføringselektroden vil utgangsimpedansen for denne koplingsanordning hovedsakelig være dannet av seriekoplingen av kapasiteten mellom bortføringselektrodekontaktsjiktet 8 og det underliggende område 3 av grunnlegemet samt en motstand R som dannes av halvlederlegemet som ovenfor nevnt. Som av det med tilføringselektroden 4 forbundne avskjermningssjikt 15 blir ved denne utførelsesform bare utgangskapasiteten mellom kontaktsjiktet 8 og tilføringselek-troden 4 tilbake, slik at dempningen av utgangskretsen blir mindre.
Istedenfor de diffunderte overflatesoner 15 og 16 kan også metallsjikt, f.eks. pådampede aluminiumsjikt, benyttes som avskjermningssjikt, som er adskilt fra det underliggende halvlederlegeme ved hjelp av et isolasjonssjikt f.eks. av silisiumoksyd. Forbindelsessonene 19 og 20 blir da erstattet av metallstrimler anbragt på isolasjonssjiktet .
Fig. 4 og 5 viser en annen utførelsesform av en halvlederanordning med en-felteffekttransistor ifølge oppfinnelsen. Her går man også ut fra et halvlederlegeme 1 av silisium av p-ledningsevnetypen, med en spesifikk motstand på ca. 1 ohm. cm. I dette halvlederlegeme inndiffunderes tilførings- og bortføringselektrodesoner 34 og 35, av n-ledningsevnetype, i form av strimler med dimensjonene 200 x 20 mikron og en inntrengningsdybde på 2 mikron og en innbyrdes avstand på 10 mikron. Disse elektrqdesoher er forbundet med hverandre gjennom ca. 6 mikron brede åpninger i isolasjonssjiktet 2 med pådampede aluminiumkontaktsjikt 37 og 38. Portelektroden 36 dannes av et på isolasjonssjiktet pådampet aluminiumsjikt som er forbundet med et kontaktsjikt 39. Kontaktsjiktene 37 og 38 ligger over inndiffunderte avskjermningssjikt 45 og 46 av n-ledningsevnetype, som er forbundet med hverandre gjennom åpninger 51 og 52 i isolasjonssjiktet ved hjelp av metallstrimler 49 og 50 som er forbundet med kontaktsjiktet 39. Kontaktsjiktene 37, 38 og 39 er på tilslutningsstedene 40, 41 og 42 forbundet med tilslutningsledninger.
På samme måte som i foregående eksempel er det mellom avskjermningssjiktene 45 og 46 og de tilgrensende elektrodesoner 35 og 34 inndiffundert overflatesoner 53 og 54 av p-ledningsevnetype for å unngå uønsket felteffekttransistorvirkning mellom de nevnte elektrodesoner og avskjermningssjiktene under virkning av mellomliggende,
på isolasjonssjiktet 2 anbragte kontaktsjiktdeler.
Denne utførelsesform kan med fordel anvendes f.eks. i en anordning som vist på fig. 8. I den hensikt er portelektroden 36 som er felles for inngangs- og utgangskretsene fortrinnsvis forbundet med et konstant potensial, f.eks. jord. Bortførings-elektroden tilføres en i forhold til tilføringselektroden positiv forspenning. Tilfør-ingselektroden 36 og det underliggende område 3 av grunnlegemet kan gjennom kontaktsjiktet 37 og bunnplaten 22 tilføres det signal som skal forsterkes. Det forsterkede signal tas fra bortføringselektroden 35 gjennom kontaktsjiktet 38.
Den ved manglende avskjermningssjikt 45 og 46 opptredende tilbakekoplingskapasitet mellom tilføringselektrodekontaktsjiktet 38 og det under-liggende område 3 av grunnlegemet, er her erstattet av en utgangskapasitet mellom D og G 1 og en inngangskapasitet mellom G2 og G^^ (fig. 8) , mens den kapasitive kopling mellom inngangskretsene dannes av kapasiteten mellom tilføringselektrodekontatsjiktet 37 og det under-liggende område 3 av grunnlegemet, er erstattet av inngangskapasitetene G2 og Gj og mellom S og G1.
Også her påtrykkes fortrinnsvis S og G2 en slik forspenning i forhold til den felles portelektrode, at det over de mellom avskjermningssjiktene og området i grunnlegemet dannede pn-overganger praktisk talt ikke opptrer noen injeksjon av ladningsbærere.
Hvis i denne anordning det underliggende område 3 av grunnlegemet forbindes elektrisk med tilføringselektroden 34, oppstår den koplingsanordning som er vist på fig. 9, idet bare ett inngangs signal tilføres. Denne elektriske forbindelse kan også anbringes på selve halvlederlegemet, f. eks. i form av en metall strimmel. Ved anordningen på fig. 9 er avskjermningen av tilføringselektrodekontaktsjiktet mindre nødvendig, fordi dette bare medfører én inngangskapasitet. Avskjermningssjiktet 46 (fig. 4) kan derfor ved anordninger for anvendelse i en koplingsanordning ifølge fig. 9 i mange tilfeller sløyfes.
Det er innlysende at anvendelsen av oppfinnelsen ikke er begrenset til de beskrevne utførelseseksempler, og at det innenfor oppfinnelsens ramme er mulig mange modifikasjoner. Det kan f.eks. istedenfor de nevnte npn-strukturer også anvendes pnp- strukturer. Anvendelsen av oppfinnelsen kan videre som allerede nevnt være fordelaktig når området i grunnlegemet istedenfor et signal som skal forsterkes tilføres en spenning som er praktisk talt konstant i forhold til den felles elektrode. Videre kan det som avskjermningssjikt istedenfor diffunderte overflatesoner anvendes metallsjikt som er adskilt fra det underliggende halvlederlegeme ved hjelp av et isolasjonssjikt. Dette kan særlig være av betydning ved høye frekvenser hvor pn-overgangene kan ha uønskede elektriske karakteristikker.
Claims (13)
1. Halvlederanordning med et i det minste delvis av et isolasjonssjikt dekket halvlederlegeme med en felteffekttransistor av typen med isolert portelektrode, bestående av et område av én ledningsevne i et grunnlegeme, i hvilket område befinner seg til overflaten grensende elektrodesoner av den motsatte ledningsevnetype og som tilhører tilførings- og bortføringselektrodene, hvor det på isolasjonssjiktet mellom elektrodesonene er anordnet en portelektrode, og hvor i det minste én av' elektrodene er forbundet med et i det minste delvis på isolasjonssjiktet utenfor elektrodesonene liggende, som kontaktsjikt tjenende metallsjikt som er forsynt med en tilslutningsledning .karakterisert ved at den utenfor elektrodesonene (4,5) liggende, av kontaktsjiktene (8,9) dekkende del av isolasjonssjiktet (2) i det minste delvis ligger på et ledende avskjermningssjikt (15, 16) som ved hjelp av et sperresjikt (17, 18) er skilt fra det underliggende område av halvlederlegemet og som er forsynt med en tilslutningsledning (19, 20).
2. Halvlederanordning ifølge krav 1, karakterisert ved at avskjermningssjiktet (15,16) er et metallsjikt, og at sperresjiktet (17, 18) dannes av et på halvlederlegemet anbragt isolerende sjikt.
3. Halvlederanordning ifølge krav 1, karakterisert ved at avskjermningssjiktet (15, 16) består av en overflatesone som sammen med det underliggende område av halvlederlegemet danner en som sperresjikt tjenende pn-overgang.
4. Halvlederanordning ifølge et eller flere av de foregående krav, karakterisert ved at et avskjermet kontaktsjikt ligger over området i grunnlegemet.
5. Halvlederanordning ifølge krav 3og4, karakterisert ved at det i halvlederlegemet mellom en avskjermende overflatesone og en elektrodesone av samme ledningsevnetype, er anordnet en til isolasjonssiktet grensende og under det avskjermende kontaktsjikt liggende, sterkt dopet sone av samme ledningsevnetype som det underliggende område, for å unngå uønsket felteffekttransistorvirkning.
6. Halvlederanordning ifølge et eller flere av de foregående krav, karakterisert ved at det under et med den isolerte portelektrode forbundet kontaktsjikt er anordnet et avskjermningssjikt.
7. Halvlederanordning ifølge et eller flere av de foregående krav, karakterisert ved at under i det minste ett med en elektrodesone forbundet kontaktsjikt er anordnet et avskjermningssjikt.
8. Halvlederanordning ifølge et eller flere av de foregående krav, karakterisert ved at området i grunnlegemet er forsynt med en tilslutningsledning.
9. Halvlederanordning ifølge et eller flere av de foregående krav, karakterisert ved at i det minste ett av de med en elektrodesone forbundne kontaktsjikt ligger over et avskjermningssjikt som er elektrisk forbundet med den isolerte portelektrode .
10. Halvlederanordning ifølge et eller flere av de foregående krav, karakterisert ved at i det minste ett av de med en elektrodesone forbundne kontaktsjikt ligger over et avskjermningssjikt som er elektrisk forbundet med den andre elektrode-sone.
11. Halvlederanordning ifølge et eller flere av de foregående krav, karakterisert ved at et med den isolerte portelektrode forbundet kontaktsjikt ligger over et avskjermningssjikt som er elektrisk forbundet med en av elektrodesonene.
12. Halvlederanordning ifølge et eller flere av kravene 9 - 11, karakterisert ved at den nevnte elektriske forbindelse inneholder en på isolasjonssjiktet anordnet metallstrimmel.
13. Halvlederanordning ifølge et eller flere av kravene 9 - 11, karakterisert ved at den nevnte elektriske forbindelse inneholder en i halvlederlegemet anordnet, ledende overflatesone.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH273686 | 1986-07-07 |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO872792D0 NO872792D0 (no) | 1987-07-03 |
| NO872792L NO872792L (no) | 1988-01-08 |
| NO170177B true NO170177B (no) | 1992-06-09 |
| NO170177C NO170177C (no) | 1992-09-16 |
Family
ID=4240453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO872792A NO170177C (no) | 1986-07-07 | 1987-07-03 | System for fjernovervaakning av elevatoranlegg |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4771865A (no) |
| EP (1) | EP0252266B1 (no) |
| JP (2) | JPS6327382A (no) |
| CN (1) | CN1007342B (no) |
| AT (1) | ATE54650T1 (no) |
| AU (1) | AU591568B2 (no) |
| CA (1) | CA1269464A (no) |
| DE (1) | DE3763766D1 (no) |
| DK (1) | DK170435B1 (no) |
| ES (1) | ES2016822B3 (no) |
| FI (1) | FI84531C (no) |
| HK (1) | HK64191A (no) |
| NO (1) | NO170177C (no) |
| PT (1) | PT85261B (no) |
| ZA (1) | ZA874924B (no) |
Families Citing this family (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226678A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-11 | Hitachi Ltd | エレベーター制御装置 |
| US4898263A (en) * | 1988-09-12 | 1990-02-06 | Montgomery Elevator Company | Elevator self-diagnostic control system |
| JP2695867B2 (ja) * | 1988-10-12 | 1998-01-14 | 株式会社日立製作所 | エレベーター装置 |
| FI89580C (fi) * | 1988-10-25 | 1993-10-25 | Kone Oy | Foerfarande och anordning foer maetning och avstaemning av ett hissystem |
| JPH02138081A (ja) * | 1988-11-19 | 1990-05-28 | Hitachi Ltd | 昇降装置システム |
| DE3911391C5 (de) * | 1989-04-07 | 2010-04-29 | TÜV SÜD Industrie Service GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Überprüfen der Treibfähigkeit |
| DE8904375U1 (de) * | 1989-04-07 | 1989-07-27 | TÜV Bayern e.V., 8000 München | Vorrichtung zum Erfassen von physikalischen Kenngrößen eines Aufzugs |
| US5243382A (en) * | 1990-01-31 | 1993-09-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus capable of efficient maintenance work |
| JP2821227B2 (ja) * | 1990-03-19 | 1998-11-05 | 株式会社 宮豪 | ビルメンテナンス管理システム |
| US5345046A (en) * | 1991-07-23 | 1994-09-06 | Otis Elevator Company | Voice communication for elevator |
| SG66258A1 (en) * | 1991-07-23 | 1999-07-20 | Otis Elevator Co | Voice communications for elevator |
| US5714726A (en) * | 1992-12-22 | 1998-02-03 | Kone Oy | Method for performing an alarm call in an elevator system |
| US5736694A (en) * | 1992-12-22 | 1998-04-07 | Kone Oy | Method for providing a phone alarm call in an elevator system |
| FI111934B (fi) * | 1992-12-22 | 2003-10-15 | Kone Corp | Hissilaitteiden kauko-ohjausjärjestelmä |
| JP3202396B2 (ja) * | 1993-03-26 | 2001-08-27 | 株式会社日立ビルシステム | エレベータの異常解析データ収集装置 |
| US5398782A (en) * | 1993-11-12 | 1995-03-21 | Otis Elevator Company | Remote monitoring system with variable period communication check |
| US5671158A (en) * | 1995-09-18 | 1997-09-23 | Envirotest Systems Corp. | Apparatus and method for effecting wireless discourse between computer and technician in testing motor vehicle emission control systems |
| KR0167183B1 (ko) * | 1995-09-23 | 1998-12-01 | 이희종 | 엘리베이터의 내구성 평가장치 및 평가방법 |
| JP3378148B2 (ja) * | 1996-07-24 | 2003-02-17 | 三菱電機株式会社 | 遠隔地監視装置 |
| CA2199757C (en) * | 1997-03-12 | 2003-05-13 | Dean L. Lacheur | Information display system |
| US6215998B1 (en) * | 1997-12-11 | 2001-04-10 | Nortel Networks Limited | Local component-specific console |
| US5955710A (en) * | 1998-01-20 | 1999-09-21 | Captivate Network, Inc. | Information distribution system for use in an elevator |
| ATE271234T1 (de) * | 1998-04-21 | 2004-07-15 | Inventio Ag | System für den unterhalt von aufzugsanlagen, fahrtreppen oder fahrsteigen |
| SG97809A1 (en) | 1998-09-17 | 2003-08-20 | Inventio Ag | Remote control of lift installations |
| US6353853B1 (en) | 1998-10-26 | 2002-03-05 | Triatek, Inc. | System for management of building automation systems through an HTML client program |
| ATE269266T1 (de) * | 1999-05-03 | 2004-07-15 | Inventio Ag | Hilfesystem für aufzüge |
| JP2002003108A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | エレベータ群管理システム |
| ES2167244A1 (es) * | 2000-06-29 | 2002-05-01 | Univ Alcala Henares | Sistema de control de una red de ascensores por internet. |
| JP4406516B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2010-01-27 | 株式会社日立製作所 | 昇降機の管理装置並びに昇降機システム |
| US20020178243A1 (en) * | 2001-05-15 | 2002-11-28 | Kevin Collins | Apparatus and method for centrally managing network devices |
| US8838475B2 (en) * | 2001-08-28 | 2014-09-16 | Inventio Ag | Apparatus and method for using equipment remote monitoring to generate automated product sales offerings |
| US7539504B2 (en) * | 2001-12-05 | 2009-05-26 | Espre Solutions, Inc. | Wireless telepresence collaboration system |
| US6715586B1 (en) | 2002-04-22 | 2004-04-06 | William A. Shubin | Upgraded elevator control circuit and method dealing with fire danger |
| US7606314B2 (en) * | 2002-08-29 | 2009-10-20 | Raritan America, Inc. | Method and apparatus for caching, compressing and transmitting video signals |
| US7684483B2 (en) * | 2002-08-29 | 2010-03-23 | Raritan Americas, Inc. | Method and apparatus for digitizing and compressing remote video signals |
| US7818480B2 (en) * | 2002-08-29 | 2010-10-19 | Raritan Americas, Inc. | Wireless management of remote devices |
| US8558795B2 (en) * | 2004-03-12 | 2013-10-15 | Riip, Inc. | Switchless KVM network with wireless technology |
| US8068546B2 (en) * | 2002-08-29 | 2011-11-29 | Riip, Inc. | Method and apparatus for transmitting video signals |
| ZA200307740B (en) | 2002-10-29 | 2004-07-02 | Inventio Ag | Device and method for remote maintenance of a lift. |
| EP1464605B1 (de) | 2003-03-26 | 2014-01-08 | Inventio AG | Verfahren zum Management von Aufzugs- bzw.Fahrtreppenanlage |
| ES2446916T3 (es) * | 2003-03-26 | 2014-03-10 | Inventio Ag | Procedimiento para la gestión de una instalación de ascensor o de escalera mecánica |
| US7853663B2 (en) * | 2004-03-12 | 2010-12-14 | Riip, Inc. | Wireless management system for control of remote devices |
| US7350626B2 (en) * | 2004-10-20 | 2008-04-01 | Otis Elevator Company | Power-on-reset of elevator controllers |
| BRPI0518023A (pt) * | 2004-11-09 | 2008-10-28 | Inventio Ag | processo e dispositivo para manutenção de uma instalação de elevador ou escada rolante |
| US8478884B2 (en) | 2005-09-30 | 2013-07-02 | Riip, Inc. | Wireless remote device management utilizing mesh topology |
| ITMC20060042A1 (it) * | 2006-04-20 | 2007-10-21 | Esse Ti S R L | Impianto di allarme e di gestione per ascensori. |
| US7699142B1 (en) | 2006-05-12 | 2010-04-20 | Wurtec Elevator Products & Services | Diagnostic system having user defined sequence logic map for a transportation device |
| DE102006036251A1 (de) * | 2006-08-03 | 2008-02-07 | TÜV Rheinland Industrie Service GmbH | Seilrutsch / Treibfähigkeits-Indikator |
| US8688664B2 (en) * | 2007-06-08 | 2014-04-01 | Captivate, Llc | Updating floor-specific information |
| JP4863521B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2012-01-25 | 東芝エレベータ株式会社 | 昇降機の保守管理システム |
| CN102153002A (zh) * | 2011-03-07 | 2011-08-17 | 武汉东菱富士电梯制造有限公司 | 电梯监视系统 |
| EP2766290A4 (en) * | 2011-10-14 | 2015-06-24 | Otis Elevator Co | ELEVATOR SYSTEM HAVING MESSAGING FOR AUTOMATED MAINTENANCE |
| WO2014200464A1 (en) * | 2013-06-11 | 2014-12-18 | Otis Elevator Company | Cloud server based control |
| CN103274272B (zh) * | 2013-06-20 | 2015-06-10 | 李天彤 | 一种电梯综合管理系统及电梯综合管理方法 |
| CN105636892B (zh) * | 2013-10-08 | 2018-08-10 | 奥的斯电梯公司 | 电梯控制系统 |
| WO2015132447A1 (en) * | 2014-03-04 | 2015-09-11 | Kone Corporation | Adaptive remote monitoring reporting |
| US10106374B2 (en) * | 2014-04-14 | 2018-10-23 | Inventio Ag | Method for operating an elevator system and an elevator control device operating in accordance with the method |
| WO2016051011A1 (en) * | 2014-10-01 | 2016-04-07 | Kone Corporation | Elevator arrangement, method and computer program product |
| CN109071161B (zh) * | 2016-04-26 | 2020-05-22 | 三菱电机株式会社 | 电梯远程维护支持系统 |
| US10597254B2 (en) | 2017-03-30 | 2020-03-24 | Otis Elevator Company | Automated conveyance system maintenance |
| US10745244B2 (en) | 2017-04-03 | 2020-08-18 | Otis Elevator Company | Method of automated testing for an elevator safety brake system and elevator brake testing system |
| EP3415454B1 (en) * | 2017-06-14 | 2021-09-22 | KONE Corporation | Automatic fault clearing for elevators, escalators and automatic doors |
| CN112236384B (zh) * | 2018-06-14 | 2021-12-31 | 三菱电机株式会社 | 维护装置及电梯装置 |
| CN108910630B (zh) * | 2018-07-06 | 2020-09-29 | 永大电梯设备（中国）有限公司 | 基于多智能体竞争方式的电梯群控系统及方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3973648A (en) * | 1974-09-30 | 1976-08-10 | Westinghouse Electric Corporation | Monitoring system for elevator installation |
| JPS5511418A (en) * | 1978-07-07 | 1980-01-26 | Hitachi Ltd | Test operating apparatus of elevator |
| FR2460571A1 (fr) * | 1979-06-29 | 1981-01-23 | Chancrogne Bernard | Dispositif telephonique de securite pour ascenseur |
| US4418795A (en) * | 1981-07-20 | 1983-12-06 | Westinghouse Electric Corp. | Elevator servicing methods and apparatus |
| JPS58193873A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-11 | 三菱電機株式会社 | エレベ−タの異常通報装置 |
| US4561093A (en) * | 1983-02-22 | 1985-12-24 | Otis Elevator Company | Servicing a software-controlled elevator |
| JPS6023271A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-05 | 株式会社日立製作所 | エレベ−タ−保守装置 |
| US4568909A (en) * | 1983-12-19 | 1986-02-04 | United Technologies Corporation | Remote elevator monitoring system |
| US4512442A (en) * | 1984-03-30 | 1985-04-23 | Westinghouse Electric Corp. | Method and apparatus for improving the servicing of an elevator system |
| US4698780A (en) * | 1985-10-08 | 1987-10-06 | Westinghouse Electric Corp. | Method of monitoring an elevator system |
-
1987
- 1987-05-27 ES ES87107703T patent/ES2016822B3/es not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-27 DE DE8787107703T patent/DE3763766D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-05-27 AT AT87107703T patent/ATE54650T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-05-27 EP EP87107703A patent/EP0252266B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-22 FI FI872771A patent/FI84531C/fi not_active IP Right Cessation
- 1987-07-03 NO NO872792A patent/NO170177C/no not_active IP Right Cessation
- 1987-07-06 DK DK346187A patent/DK170435B1/da not_active IP Right Cessation
- 1987-07-06 AU AU75256/87A patent/AU591568B2/en not_active Expired
- 1987-07-06 CN CN87104634A patent/CN1007342B/zh not_active Expired
- 1987-07-06 PT PT85261A patent/PT85261B/pt not_active IP Right Cessation
- 1987-07-07 JP JP62169587A patent/JPS6327382A/ja active Pending
- 1987-07-07 ZA ZA874924A patent/ZA874924B/xx unknown
- 1987-07-07 CA CA000541490A patent/CA1269464A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-17 US US07/074,631 patent/US4771865A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-14 JP JP1991014914U patent/JPH0630776Y2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-15 HK HK641/91A patent/HK64191A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI872771A0 (fi) | 1987-06-22 |
| DK346187A (da) | 1988-01-08 |
| JPS6327382A (ja) | 1988-02-05 |
| AU591568B2 (en) | 1989-12-07 |
| DK346187D0 (da) | 1987-07-06 |
| CN87104634A (zh) | 1988-01-27 |
| NO872792L (no) | 1988-01-08 |
| DE3763766D1 (de) | 1990-08-23 |
| CN1007342B (zh) | 1990-03-28 |
| JPH0630776Y2 (ja) | 1994-08-17 |
| NO170177C (no) | 1992-09-16 |
| CA1269464A (en) | 1990-05-22 |
| DK170435B1 (da) | 1995-09-04 |
| PT85261A (pt) | 1988-07-29 |
| ES2016822B3 (es) | 1990-12-01 |
| PT85261B (pt) | 1993-07-30 |
| EP0252266B1 (de) | 1990-07-18 |
| FI84531C (fi) | 1991-12-10 |
| JPH0496474U (no) | 1992-08-20 |
| FI872771A7 (fi) | 1988-01-08 |
| AU7525687A (en) | 1988-01-14 |
| US4771865A (en) | 1988-09-20 |
| ATE54650T1 (de) | 1990-08-15 |
| EP0252266A1 (de) | 1988-01-13 |
| ZA874924B (en) | 1988-05-25 |
| NO872792D0 (no) | 1987-07-03 |
| HK64191A (en) | 1991-08-23 |
| FI84531B (fi) | 1991-08-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4053916A (en) | Silicon on sapphire MOS transistor | |
| US4314268A (en) | Integrated circuit with shielded lead patterns | |
| US4070690A (en) | VMOS transistor | |
| US5801418A (en) | High voltage power integrated circuit with level shift operation and without metal crossover | |
| US5952704A (en) | Inductor devices using substrate biasing technique | |
| US4276558A (en) | Hermetically sealed active microwave integrated circuit | |
| US3440500A (en) | High frequency field effect transistor | |
| US6051868A (en) | Semiconductor device | |
| US4969030A (en) | Integrated structure for a signal transfer network, in particular for a pilot circuit for MOS power transistors | |
| US4423433A (en) | High-breakdown-voltage resistance element for integrated circuit with a plurality of multilayer, overlapping electrodes | |
| US5434445A (en) | Junction-isolated high-voltage MOS integrated device | |
| US3749985A (en) | High frequency insulated gate field effect transistor for wide frequency band operation | |
| KR100221440B1 (ko) | 용량성 소자를 갖는 반도체 장치 | |
| US3374404A (en) | Surface-oriented semiconductor diode | |
| US3484865A (en) | Integrated semiconductor device including igfet with interdigitated structure | |
| US4649414A (en) | PNPN semiconductor switches | |
| NO120745B (no) | ||
| US3482152A (en) | Semiconductor devices having a field effect transistor structure | |
| US4546371A (en) | Semiconductor device having an improved dual-gate field effect transistor | |
| US4466013A (en) | Tapped integrated resistor | |
| GB1282616A (en) | Semiconductor devices | |
| US6265755B1 (en) | Semiconductor integrated circuit comprising MIS capacitors | |
| JPH05335487A (ja) | 伝送回路素子 | |
| JPS5889865A (ja) | 絶縁ゲ−ト型半導体装置及びその製造法 | |
| JP2536890B2 (ja) | バイポ―ラ―エピタキシヤル技術における高周波パワ―トランジスタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK1K | Patent expired |