NO20023051L - Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmåte ved dens fremstilling - Google Patents
Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmåte ved dens fremstillingInfo
- Publication number
- NO20023051L NO20023051L NO20023051A NO20023051A NO20023051L NO 20023051 L NO20023051 L NO 20023051L NO 20023051 A NO20023051 A NO 20023051A NO 20023051 A NO20023051 A NO 20023051A NO 20023051 L NO20023051 L NO 20023051L
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- contact layer
- ferroelectric memory
- ferroelectric
- conductive polymer
- electrodes
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 abstract 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
En ferroelektrisk minnekrets (C) omfatter en ferroelektrisk minnecelle i form av en ferroelektrisk polymertynnfilm (F) og henholdsvis første og andre elektroder (E;E) som kontakterer den ferroelektriske minnecelle (F) ved motsatte overflater derav, hvorved en polarisasjonstilstand i cellen (F) kan innstilles, svitsjes eller detekteres ved å påtrykke passende spenninger til elektrodene (E;E). Minst én av elektrodene (E;E) omfatter minst ett kontaktsjikt (P;P) idet minst ett kontaktsjikt (P;P) omfatter en ledende polymer som kontakterer minnecellen (C), og etter valg et annet sjikt (M;M) av en metallfilm som kontakterer den ledende polymer (P;P), hvorved minst én av elektrodene (E;E) enten omfatter bare ett ledende polymerkontaktsjikt (P;P) eller en kombinasjon av et ledende polymerkontaktsjikt (P,;P) og et metallfilmsjikt (M;M). - En fremgangsmåte i fremstillingen av en ferroelektrisk minnekrets av denne art omfatter suksessive trinn for å avsette et første kontaktsjikt av ledende polymertynnfilm på substratet, og å avsette en ferroelektrisk polymertynnfilm på det første kontaktsjikt, og å avsette et annet kontaktsjikt på toppen av den ferroelektriske polymertynnfilm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20023051A NO319548B1 (no) | 2000-11-27 | 2002-06-24 | Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmate ved dens fremstilling |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NO20005980A NO20005980L (no) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmåte ved dens fremstilling |
| PCT/NO2001/000473 WO2002043071A1 (en) | 2000-11-27 | 2001-11-27 | A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication |
| NO20023051A NO319548B1 (no) | 2000-11-27 | 2002-06-24 | Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmate ved dens fremstilling |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO20023051D0 NO20023051D0 (no) | 2002-06-24 |
| NO20023051L true NO20023051L (no) | 2002-06-24 |
| NO319548B1 NO319548B1 (no) | 2005-08-29 |
Family
ID=26649284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO20023051A NO319548B1 (no) | 2000-11-27 | 2002-06-24 | Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmate ved dens fremstilling |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| NO (1) | NO319548B1 (no) |
-
2002
- 2002-06-24 NO NO20023051A patent/NO319548B1/no unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NO20023051D0 (no) | 2002-06-24 |
| NO319548B1 (no) | 2005-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NO20005980L (no) | Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmåte ved dens fremstilling | |
| KR102007391B1 (ko) | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 | |
| TW200701453A (en) | Manufacturing methods for thin film fuse phase change ram | |
| WO2005015635A3 (en) | Spin on polymers for organic memory devices | |
| US6614048B2 (en) | Memory element with molecular or polymeric layers, memory cell, memory array, and smart card | |
| CN109155140A (zh) | 存储器单元板之间的电荷共享 | |
| KR960006012A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 소자 및 그의 제조방법 | |
| CN109686795A (zh) | 一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法以及显示装置 | |
| EP3226271A1 (en) | Electrochemical device | |
| KR980006303A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| CN101023493A (zh) | 有机铁电体或永电体存储电路及其制造方法 | |
| KR20050022593A (ko) | 반도체소자의 게이트 산화막 형성방법 | |
| CN109192739A (zh) | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | |
| KR102652757B1 (ko) | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 | |
| WO2005106890A8 (en) | An organic electronic circuit with functional interlayer and method for making the same | |
| Kim et al. | Concept of rewritable organic ferroelectric random access memory in two lateral transistors-in-one cell architecture | |
| US6433377B1 (en) | Chain RAM and method for fabricating the same | |
| Niese et al. | Tuning the performance of switchable electrochemical capacitors: The role of gate electrode size in G-Cap functionality | |
| WO2022197706A3 (en) | Semiconducting ferroelectric device | |
| US20170170212A1 (en) | Thin film transistor array substrate and method of fabricating the same | |
| US20210226064A1 (en) | Thin film transistor and manufacturing method thereof, and display apparatus | |
| KR20080066474A (ko) | 저항성 메모리 소자 및 그 제조방법 | |
| US20080099756A1 (en) | Semiconductor Memory with Organic Selection Transistor | |
| KR102474130B1 (ko) | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 | |
| KR20200083841A (ko) | 변동 저저항 영역 기반 메모리 소자 및 이의 제어 방법 |