PL101295B1 - Urzadzenie do prowadzenia beztyglowego topienia strefowego krystalizujacych pretow,zwlaszcza pretow polprzewodnikowych - Google Patents
Urzadzenie do prowadzenia beztyglowego topienia strefowego krystalizujacych pretow,zwlaszcza pretow polprzewodnikowych Download PDFInfo
- Publication number
- PL101295B1 PL101295B1 PL1975180244A PL18024475A PL101295B1 PL 101295 B1 PL101295 B1 PL 101295B1 PL 1975180244 A PL1975180244 A PL 1975180244A PL 18024475 A PL18024475 A PL 18024475A PL 101295 B1 PL101295 B1 PL 101295B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- frequency
- melting
- cooling
- resonant
- heating circuit
- Prior art date
Links
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 title claims description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 title description 18
- 230000008018 melting Effects 0.000 title description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 14
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910000994 Tombac Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010062745 Chloride Channels Proteins 0.000 description 1
- 102000011045 Chloride Channels Human genes 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical group FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B7/00—Insulated conductors or cables characterised by their form
- H01B7/17—Protection against damage caused by external factors, e.g. sheaths or armouring
- H01B7/29—Protection against damage caused by extremes of temperature or by flame
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B11/00—Communication cables or conductors
- H01B11/18—Coaxial cables; Analogous cables having more than one inner conductor within a common outer conductor
- H01B11/1882—Special measures in order to improve the refrigeration
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/22—Furnaces without an endless core
- H05B6/30—Arrangements for remelting or zone melting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/36—Coil arrangements
- H05B6/42—Cooling of coils
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
- Y10T117/1084—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone having details of a stabilizing feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
- Y10T117/1088—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone including heating or cooling details
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Induction Heating (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Description
OPIS PATENTOWY Pitcnt dodatkowy do patentu A , Zglotzono: 07.05.75 (P. 180244) Pierwszenstwo: 27,05.74 Republika Federalna Niemiec Zgloszenie ogloszono: 11.09.76 Opia patentowy opublikowano: 31.03.19792 JI01 295 okreslonego materialu krystalicznego, np. krzemu. Wystarcza to do osiagania celu przy beztyglowym topieniu strefowym pretów homogenicznych. Gdy jednak stósujesie"beztyglowe"topienie strefowe do obróbki pretów o niehomogenicznej srednicy i/lub z materialu o jakosci niehomogenicznej, to nie pozostaje nic innego wedlug obecnie znanego stanu techniki, jak zmiana nastawy czestotliwosci, generatora na wyjsciu i/lub stopnia sprzezenia podczas prowadzenia topienia strefowego. Nie jest to jednak korzystne ze wzgledu na chwiejny stan mechaniczny strefy topienia, gdyz moze to doprowadzic bardzo latwo do niepozadanych zmian strefy topienia ' lub nawet do jej sciekania kroplami. Przy topieniu strefowym pretów krzemowych przede wszystkim takich, / których srednica jest wieksza od 50 mm, zakres obciazenia, który nalezy przekroczyc od przylepienia (koniecz¬ nego dla monokiystalicznego wzrostu krzemu wykrystalizowujacego sie ze stopionej strefy) monokrystalicznego zarodka do znacznie wiekszej srednicy preta, poprzez szyjke butelkowa i polaczony z nia stozek z czescia preta laczaca sie z zarodkiem o wiekszej srednicy preta, jest bardzo duzy.Tuwlasnie wystepuje zadanie znalezienia dla szeregu faz przejsciowych obszaru topienia odpowiednich nastaw czestotliwosci generatora i/lub sprzezenia ilastosowania_b_ez_uszkodze_nia, bardzo w tyrn stame wrazliwego^obszaru topienia. Znane jest z niemieckiego opisu patentowego RFN nr 1076623 urzadzenie do beztyglowego topienia strefowego pólprzewodnikowych pretów za pomoca grzejnego wzbudnika indukcyjnego, znajdujacego sie w komorze strefowego topienia, gdzie umieszczony zostaje pret pólprzewodnikowy trzymany za oba konce i przesuwany wzdluz osi wzbudnika, który wytwarza w precie lokalna strefe topienia. Doprowadzenie energii elektrycznej nastepuje tu przez dwa lub wiecej koncentrycznie wzgledem siebie polozone przewody rurowe izolowane wzgledem siebie, które do komory strefowego topienia wprowadzane sa gazoszczelnie przezjej scianki.Przestrzen miedzy zewnetrzna a srodkowa rura, jak równiez kanal w wewnetrznej rurze, moga byc wykorzystane do doprowadzania i odprowadzania cieklego czynnika chlodzacego. Wada tego rozwiazania jest umieszczenie kondensatora w komorze strefowego topienia, co powoduje, ze jest on dodatkowym zródlem zanieczyszczen dla obwodu drgajacego.Znany jest równiez z niemieckiego opisu wylozeniowego RFN nr 2308136 sposób wykonywania koncen¬ trycznych doprowadzen pradowych przy urzadzeniach do strefowego topienia za pomoca grzejnych wzbudników w procesie beztyglowego topienia strefowego. Przestrzen przewodu trójrurowego miedzy mra zewnetrzna a srodkowa, oraz wewnatrz rury wewnetrznej moze byc wykorzystana na doprowadzenie i odprowadzenie czynnika chlodzacego, który jednoczesnie przeplywa przez wzbudnik grzejny.Polozono tutaj nacisk na to, ze przewodem chlodzonym jest polaczenie do wzbudnika, a nie polaczenie miedzy generatorem wysokiej czestotliwosci i obwodem drgajacym, zawierajacym wzbudnik. W znanym sposobie bezposredniego polaczenia z grzejnym wzbudnikiem wystepuja znaczne straty termiczne.Celem wynalazku jest przezwyciezenie tych problemów i konstrukcja urzadzenia, które wyeliminuje dotychczasowe wady znanych urzadzen.Zadanie to zostalo rozwiazane przez to, ze elementy lacz znajdujace sie miedzy wyjsciem z generatora wysokiej czestotliwosci i wzbudnikiem grzejnym zawierajacym rezonansowy obwód grzejny sa wyposazone co najmniej w przewód wysokiej czestotliwosci wykonany w postaci kabla wspólosiowego posiadajacy kanal do przeprowadzania czynnika chlodzacego.Przewód wewnetrzny przewodu wysokiej czestotliwosci jest naciagniety jako plecionka metalowa, zwlaszcza plecionka miedziana o ksztalcie ponczochy, na kanal chlodzacy wykonany w postaci rury falistej z materialu nieferromagnetyczr ?go, np. tombaku.Co najmniej jeden element sprzezenia sluzacy do sprzezenia przewodu wielkiej czestotliwosci i/lub rezonansowego obwodu grzejnego wlaczonego do wzbudnika grzejnego na kanal chlodzacy lub jest umieszczony w kanale chlodzacym. .Kanaly chlodzace kabla wysokiej czetotliwosci i co najmniej jednego elementu sprzegajacego sa polaczone szeregowo w stosunku do strumienia chlodzacego.Przedmiot wynalazku jess uwidoczniony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat elektryczny urzadzenia wedlug wynalazku, fig i - szczególnie korzystne uksztaltowanie przewodu wysokiego napiecia, a fig. 3 korzystne rozwiazanie chlodzeni elementów sprzezenia znajdujacych sie miedzy wyjsciem generatora i grzejnym obwodem rezonansowym. Nalezy przy tym zauwazyc, ze elementy grzejnego obwodu rezonansowego i/lub obwodu wyjsciowego generatora wysokiej czestotliwosci moga byc równiez chlodzone.Zgodnie z fig. 1 wyjsciowy obwód rezonansowy 2 generatora wysokiej czestotliwosci 1 znanego typu jest wykonany jako obwód rezonansowy z regulowana nastawa czestotliwosci wyjsciowej. W przedstawianym przykladzie zastosowano tak zwane polaczenie Hartley'a, w którym prad anodowy Ja moze byc odczytywany na przyrzadzie umieszczonym miedzy anoda i katoda lamp elektrycznych generatora. Czestotliwosc wyjsciowa101 295 3 nastawia sie za pomoca wyposazonego w regulowana pojemnosc kondensatora 2a wyjsciowego obwodu rezonansowego 2. Sprzezenie grzejnego obwodu rezonansowego skladajacego sie ze wzbudnika 7 i polaczonego z nim równolegle kondensatora 6 nastepuje poprzez kabel wielkiej czestotliwosci "57 "element sprzegaja^ indukcyjny lub pojemnosciowy, który przepuszcza szerokie pasmo czestotliwosci, jak równiez przez cewke rozsprzegajaca 3, która twofzy ze wzbudnikiem 2b wyjsciowego obwodu rezonansowego 2 generatora wysokiej czestotliwosci 1 translator lub transformator z regulowanym stopniem sprzezenia. Pret pólprzewodnikowy 8 topiacy sie strefowo, zwlaszcza pret krzemowy jest otoczony wzbudnikiem 7, w sposób pierscieniowy, zwlaszcza wspólosiowy i jest utrzymywany w znany sposób, we wnetrzu naczynia do topienia strefowego na swoich koncach w pozycji pionowej.Przy rozpoczynaniu beztyglowego topienia strefowego w celu wytwarzania monokrystalicznych pretów krzemowych wolnych od przemieszczen sieci wytwarza sie pierwsza strefe topienia, na granicy miedzy monokiys- talicznym zarodkiem i pretem krzemowym, który ma byc przeprowadzony w monokrysztal."Srednica zarodka krysztalu jest zwykle wielokrotnie mniejsza niz srednica preta podlegajacego przetopieniu. Dlatego tez przewiduje sie stopniowe przejscie srednicy strefy topienia od zarodka krysztalu do preta, który ma byc przetopiony, nadajac mu w celu ulatwienia tego, stozkowe zwezenie na koncu, zwlaszcza na dolnym koncu, przeznaczonym do przetapiania. Poniewaz srednica wzbudnika 7 pozostaje niezmieniona, nastepuje znaczna zmiana indukcji wzajemnej w precie krzemowym przeznaczonym do topienia miedzy wzbudnikiem 7 i pretem krzemowym podczas przesuwania strefy topienia od granicy do zarodka krysztalu. ( Jak to latwo stwierdzic, . indukcja wzajemna i sprzezenie preta 8 ze wzbudnikiem 7 zwieksza sie ze wzrostem srednicy preta 8). Wywoluje to znaczne zmiany pr^jiu 1 wytwarzanego w strefie topienia,jak to wynika z nastepujacej przyblizonej zaleznosci: l_ -iwM « U -w2M2 +(Rt +iLi)(Ra + iL, -_L) wC2 która obowiazuje dla przypadku dwóch czesto indukcyjnie sprzezonych obwodów pradowych, przez które przeplywa prad przemienny, przy czym pojemnosc jednego z obwodów pradowych moze byc pominieta. (W zaleznosci tej M oznacza indukcyjnosc wzajemna miedzy pretem, a wiec strefa topienia i wzbudnikiem, Ri - opór omowy strefy topienia, Li - samoindukcje strefy topienia, R3 - calkowity opór omowy istniejacy miedzy elementem wytwarzajacym sile elektromotoryczna, to jest miedzy generatorem wysokiej czestotliwosci 1 a elementami przenoszacymi, na pret 8, L* - calkowita samoindukcje, Ca- calkowita pojemnosc tych elemen¬ tów, U = Uceiwt napiecie wysokiej czestotliwosci wytwarzane w generatorze 1, w — czestotliwosc drgan* wlasnych obwodu, i —jednostke urojona, e — liczbe Eulera). Podobna, ale skomplikowana zaleznosc obowiazuje równiez dla przetwarzanej w strefie topienia mocy czynnej.Od wartosci M, Li iRi zalezy nie tylko prad w strefie topienia, ale równiez prad w elementach przenoszacych oraz tam przetwarzana moc. Równiez i tu zaleznosc jest nieco bardziej skomplikowana od zaleznosci wyzej przytoczonej w zwiazku z czym zrezygnowano zjej przytaczania. Nalezy przy tym stwierdzic, ze straty w elementach przenoszenia, a wiec przede wszystkim w kablu wysokiej czestotliwosci 5 beda rosly z malejaca wartosciaM. x W celu przeciwdzialania mozna za pomoca ciaglej regulacji sprzezenia grzejnego obwodu rezonansowego starac sie o to, aby zapewnic optymalny punkt roboczy, zwlaszcza na stronie pojemnosciowej grzejnego obwodu rezonansowego w kazdym momencie procesu w ten sposób, ze zostanie zahamowane nadmierne wytwarzanie sie ciepla w elementach przenoszenia, przede wszystkim w kablu wysokiej czestotliwosci 5. Okazalo sie jednak z drugiej strony, ze tego rodzaju regulacja sprzezenia jest klopotliwa i równiez bezpieczna dla mechanicznej stabilnosci stopionej strefy.Dlatego proponuje sie wedlug wynalazku, aby przy danym zakresie czestotliwosci generatora 1 regulacja elementów sprzezenia 3 i 4 byla tak obliczona, zeby przenoszenie optymalne przy minimalnym wytwarzaniu ciepla w elementach przenoszacych 3, 4 i 5 wystepowalo wtedy, gdy strefa topienia przesuwa sie w miejscach r preta krzemowego, które maja swoja normalna srednice. Ta nastawa winna byc utrzymana równiez wtedy,gdy strefa topienia jest wytwarzana w miejscach o srednicy rózniacej sie, zwlaszcza na przejsciu miedzy zarodkiem krysztalu i pretem normalnym. W celu unieszkodliwienia wytwarzajacego sie ciepla w szczególnej ilosci w elementach lacz 5 i ewentualnie 4 i 3 w ukladzie wedlug wynalazku, chlodzi sie skutecznie te elementy lacz, które sluza do przenoszenia energii.Nadajacy sie do stosowania w urzadzeniu do przeprowadzania beztyglowego topienia strefowego kabel wysokiej czestotliwosci jest nizej opisany i w oparciu 6 fig. 2. Jego dlugosc jest znacznie krótsza niz jedna czwarta dlugosci fal, które naleza do drgan elektrycznych wytwarzanych z generatora 1.4 101 295 Rdzen kabla 5 typu koncentrycznego jest wykonany w postaci rury falistej tworzacej przewód chlodzacy 10 ze sprezystego metalu nieferromagnetycznego, np. ze stopu miedzianego, jak tombak. Pofalowanie przewodu 10, jego srednice i grubosc sciany dobiera sie tak, aby byla zapewniona wystarczajaca gietkosc. Przykladowo grubosc sciany wynosi 0,1 do 0,2 mm, odstep sasiednich wierzcholków fal lub zaglebien fal wynosi 0,5 cm a srednica 1,2 cm. Ma ten przewód chlodzacy 10 jest nawinieta w sposób scisly plecionka w rodzaju ponczochy wykonana z cienkich drutów miedzianych (które sa ewentualnie posrebrzone) tak, ze plecionka 11 tworzaca wewnetrzny przewód kabla 5 jest utrzymywana na wierzcholku rury falistej 10 w bezposrednim styku z rura falista 10, przez która przeplywa czynnik chlodzacy 15. Znajdujacy sie miedzy przewodem wewnetrznym 11 i koncentrycznie do niego zlozonym przewodem zewnetrznym 12, wykonanym z cienkiej plecionki miedzianej, zas warstwy izolacyjne 13 i 14 pokrywajace przewód zewnetrzny 12 sa wykonane na przyklad z poliestrofluoro- etylenu lub polietylenu albo z polistyrenu wzglednie z tworzywa sztucznego. Moze ona byc nalozona w postaci .nawinietej tasmy. Wymiary przewodów i warstw izolacyjnych kabla 5 musza zapewniac niezbedna gietkosc.Dlatego nadaje sie warstwom izolacyjnym 13 i 14 grubosc sciany rzedu 03 do 0,6 cm. Na stronie zewnetrznej kabel 5 ma uziemiajacy ekran 9 w postaci plecionki metalowej lub metalizowanej.Podczas eksploatacji przez rure falista 10 przeplywa plynny lub gazowy czynnik chlodzacy 15. Moze go stanowic np. woda chlodzaca doprowadzana z wodociagu lub z pompy. Moze ewentualnie okazac sie korzystne stosowanie gazu chlodzacego dostarczanego z chlodziarki.Gdy glówna czesc wytworzonego ciepla straconego powstaje równiez w kablu wysokiej czestotliwosci 5, to nalezy sie liczyc z tym, ze równiez w cewce wyjsciowej i w elemencie sprzegajacym 4 nastapi znaczne wytworzenie ciepla przy odchyleniu sie srednicy strefy topienia od jej normalnej wartosci. Przewidziano chlodzenie równiez i tych elementów, chociaz niejest ono tak krytyczne, jak przy kablu 5. Proponuje sie w tym przypadku zastosowanie wspólnego dla wszystkich elementów kanalu chlodzacego w rodzaju pokazanego na fig.3. ' , Element sprzegajacy 4 sklada sie z wzbudnika Lk, jesli stan eksploatacji ma odpowiadac ukladowi punktu roboczego „w" na stronie indukcyjnej krzywej rezonansowej, i z pojemnosci, jesli stan eksploatacji ma odpowiadac ukladowi punktu roboczego „w" na stronie pojemnosciowej krzywej rezonansowej. Poniewaz drugi przypadek jest stosowany przede wszystkim, na fig. 3. przedstawiono element sprzegajacy 4 w postaci kondensatora Ck. Jest to np. wytrzymaly na przebicie ceramiczny kondensator wspólosiowy.Przewód wewnetrzny 16 kondensatora sprzegajacego Ck tworzy równoczesnie sciane zbiornika, przez który przeplywa czynnik chlodzacy 15 i jest oddzielony od przewodu zewnetrznego 18 kondensatora cienka warstwa 17 z dielektrycznego, zwlaszcza ceramicznego materialu. I tu jest korzystny dielektryk o malych stratach. Czynnik chlodzacy 15 jest doprowadzany do zbiornika chlodzacego kondensatora Ck przez rure 20, a odprowadzany przez rure 19.Cewka rozsprzegajaca 3 jest ze wzgledu na strumien czynnika chlodzacego 15 oraz ze wzgledów elektrycznych, polaczona szeregowo poprzez rure 20 wykonana z materialu przewodzacego. Drugi przewód 18 kondensatora Ck dochodzi do jednego z przewodów, w uwidocznionym przykladzie dochodzi do przewodu zewnetrznego 12 kabla wysokiej czestotliwosci 5. Cewka rozsprzegajaca 3 skladajaca sie ze zwijanej rury miedzianej jest ze wzgledów elektrycznych jak i ze wzgledu na strumien czynnika chlodzacego polaczona szeregowo z przewodem wewnetrznym kabla 5, utworzonym z rury falistej 10 i plecionki metalowej 11. Dlatego tez rury przeprowadzajace czynnik chlodzacy sa wykonane z dobrze przewodzacego materialu np. Cu.Rura falista 10 kabla 5 oLzymuje doplyw swiezego czynnika chlodzacego na koncu skierowanym do cewki rozsprzegajacej 3. Moze on ewentualnie byc doprowadzany przez kondensator 6 grzejnego ukladu rezonanso¬ wego, który wtedy jest uksztaltowany tak, jak kondensator Ck oraz jest polaczony przez dodatkowa rure z koncem rury falistej 10 zwróconym do cewki rozsprzegajacej 3. Gdy zamiast kondensatora sprzegajacego dla elementu sprzezenia stosuje sie indukcyjnosc sprzegajaca Lk, to moze ona byc uksztaltowana podobnie jak cewka rozsprzegajaca 3, w postaci zwinietej rury, przez która przeplywa czynnik chlodzacy 15. Jednak odwrotnie niz cewka rozsprzegajaca 3 nie jest ona sprzezona z cewka t wodu rezonansowego 2b generatora 1.Cewka rozsprzegajaca 3 jest na przyklad umieszczona wspólsrodkowo do cewki obwodu rezonansowego 2b na wyjsciu generatora 1 i moze byc przesuwana osiowo. W wyniku tego sprzezenia miedzy cewka rozsprzegajaca 3 i cewka obwodu rezonansowego 2b, a w zwiazku z tym sprzezenie grzejnego obwodu rezonansowego zawierajacego wzbudnik 7 z generatorem wysokiej czestotliwosci 1 ulega regulacji w okreslony sposób.Zakres czestotliwosci wyjsciowej generatora 1 i pozycje cewki rozsprzegajacej 3 ustawia sie korzystnie tak, aby prad staly na anodzie Ja, lampy wyjsciowej w generatorze 1 mial wartosc okolo 10 do 20% nizsza od101 295 5 wartosci maksymalnej, jesli stopiona strefa w precie krzemowym 8 zostala calkowicie utworzona w czesci preta o normalnej srednicy. Takie nastawienie wymaga doswiadczenia, co mozna osiagnac po kilku próbach a nastepnie przeniesc na analogiczne warunki pracy. Gdy strefa topienia odbiega od normalnych warunków, to zmiana rozsprzegania przy stosowaniu urzadzenia wedlug wynalazku nie jest konieczna, gdyz nagrzewajace sie silnie w eksploatacji czesci skladowe sa skutecznie zabezpieczone przed przegrzaniem. ~ ~ PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Urzadzenie do prowadzenia beztyglowego topienia strefowego krystalizujacych sie pretów, zwlaszcza pretów pólprzewodnikowych, w którym wytwarza sie stopiona strefe na obrabianym precie za pomoca elektromagnetycznego wzbudnika grzejnego wykonanego w postaci preta zwinietego pierscieniowo z okreslonym odstepem umocowanego na swoich koncach, przy czym wzbudnik grzejny zostal uzupelniony przez równolegle podlaczony kondensator do elektrycznego rezonansowego obwodu grzejnego, a rezonansowy Obwód grzejny jest zasilany poprzez przewód wielkiej czestotliwosci i co najmniej jeden nastawny element sprzegajacy z generatora wysokiej czestotliwosci wytwarzajacego napiecie zmienne o regulowanej czestotliwosci, znamienne tym, ze elementy lacz znajdujace sie miedzy wyjsciem generatora wysokiej czestotliwosci (1) i wzbudnikiem grzejnym zawierajacym elektryczny rezonansowy obwód grzejny sa wyposazone co najmniej w przewód wysokiej czestotliwosci, wykonany w postaci kabla wspólosiowego, majacy kanal przeprowadzajacy strumien czynnika chlodzacego (15), przy czym przewód wewnetrzny przewodu wysokiej czestotliwosci jest naciagniety jako plecionka metalowa, zwlaszcza plecionka miedziana o ksztalcie ponczochy, na kanal chlodzacy wykonany w postaci rury falistej z materialu nieferromagnetycznego, np. tombaku, a ponadto co najmniej jeden element sprzezenia sluzacy do sprzezenia przewodu wysokiej czestotliwosci i/lub rezonansowego obwodu grzejnego wlaczonego do wzbudnika grzejnego ma kanal chlodzacy lub jest umieszczony w kanale chlodzacym, a kanaly chlodzace kabla wysokiej czestotliwosci (5) i co najmniej jednego elementu sprzezenia sa polaczone szeregowo w stosunku do strumienia chlodzacego.101 295 Figi c^. If^p- iSt' Rg.2 -10 ii-^f^ / 7 t / l /^r t^^w „--''' ' ' ' ', ' -^^12 9 5 Fig.3 I. ^4F Sn \ ,19 ii t--_-_-Jjfl5 ^^^AXliJLAtf -16 -17 ~1B Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 45 zl PL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2425468A DE2425468C3 (de) | 1974-05-27 | 1974-05-27 | Vorrichtung zum tiegellosen Zonenschmelzen eines kristallisierbaren Stabes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL101295B1 true PL101295B1 (pl) | 1978-12-30 |
Family
ID=5916524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1975180244A PL101295B1 (pl) | 1974-05-27 | 1975-05-07 | Urzadzenie do prowadzenia beztyglowego topienia strefowego krystalizujacych pretow,zwlaszcza pretow polprzewodnikowych |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3985947A (pl) |
| JP (1) | JPS512605A (pl) |
| BE (1) | BE823002A (pl) |
| DE (1) | DE2425468C3 (pl) |
| GB (1) | GB1497566A (pl) |
| IT (1) | IT1038229B (pl) |
| PL (1) | PL101295B1 (pl) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4220626A (en) * | 1978-04-13 | 1980-09-02 | Monsanto Company | RF Induction heating circuits for float zone refining of semiconductor rods |
| DE2922215C2 (de) * | 1979-05-31 | 1987-01-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum Beheizen einer aus dielektrischem Material bestehenden Reaktorwand |
| DE2938348A1 (de) * | 1979-09-21 | 1981-04-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von silicium durch tiegelfreies zonenschmelzen |
| DE3229461A1 (de) * | 1982-08-06 | 1984-02-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines, insbesondere aus silicium bestehenden halbleiterstabes |
| GB2146186A (en) * | 1983-08-25 | 1985-04-11 | Electroheating Int | Apparatus for electrically heating a metallic workpiece |
| US4900887A (en) * | 1986-05-16 | 1990-02-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Floating zone drawing circuitry for semiconductor rods |
| GB8714216D0 (en) * | 1987-06-17 | 1987-07-22 | Hiden Analytical Ltd | Power supply circuits |
| JP3398172B2 (ja) * | 1993-04-09 | 2003-04-21 | 電気興業株式会社 | 高周波誘導加熱における加熱温度制御方法及び高周波誘導加熱温度制御装置 |
| US5863326A (en) * | 1996-07-03 | 1999-01-26 | Cermet, Inc. | Pressurized skull crucible for crystal growth using the Czochralski technique |
| US5900060A (en) * | 1996-07-03 | 1999-05-04 | Cermet, Inc. | Pressurized skull crucible apparatus for crystal growth and related system and methods |
| US6211498B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-04-03 | Powell Power Electronics, Inc. | Induction heating apparatus and transformer |
| US20170122476A1 (en) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | General Electric Company | Microwave-based fluid conduit heating system and method of operating the same |
| US20170280511A1 (en) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | Thomas E. Fiducci | Faraday Effect Circulating Heat System and Method |
| CN121556125A (zh) * | 2026-01-22 | 2026-02-24 | 森一量子科技(厦门)有限公司 | 一种直拉法晶体生长控制方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE21938C (de) * | J. H. MC. LEAN, Dr. med., in St. Louis, Missouri, V. St. A | Neuerung an Gewehrpatronen | ||
| GB977591A (pl) * | 1960-01-20 | |||
| CH434392A (de) * | 1965-12-24 | 1967-04-30 | Patelhold Patentverwertung | Hochfrequenzgenerator |
| DE2141188C3 (de) * | 1971-08-17 | 1979-09-13 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung für das tiegellose Zonenschmelzen |
| JPS4882504A (pl) * | 1972-02-09 | 1973-11-05 |
-
1974
- 1974-05-27 DE DE2425468A patent/DE2425468C3/de not_active Expired
- 1974-12-05 BE BE151200A patent/BE823002A/xx not_active IP Right Cessation
-
1975
- 1975-03-07 GB GB9493/75A patent/GB1497566A/en not_active Expired
- 1975-04-30 US US05/572,966 patent/US3985947A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-05-07 PL PL1975180244A patent/PL101295B1/pl unknown
- 1975-05-19 IT IT23457/75A patent/IT1038229B/it active
- 1975-05-26 JP JP50062841A patent/JPS512605A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2425468C3 (de) | 1979-01-04 |
| JPS512605A (en) | 1976-01-10 |
| US3985947A (en) | 1976-10-12 |
| GB1497566A (en) | 1978-01-12 |
| DE2425468B2 (de) | 1978-05-03 |
| IT1038229B (it) | 1979-11-20 |
| BE823002A (fr) | 1975-04-01 |
| DE2425468A1 (de) | 1975-12-11 |
| JPS5635634B2 (pl) | 1981-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL101295B1 (pl) | Urzadzenie do prowadzenia beztyglowego topienia strefowego krystalizujacych pretow,zwlaszcza pretow polprzewodnikowych | |
| US4761528A (en) | High frequency induction melting furnace | |
| US6690710B2 (en) | High efficiency induction heating and melting systems | |
| CA2772608A1 (en) | Portable induction heating tool for soldering pipes | |
| CN101447280B (zh) | 电子装置的扼流圈 | |
| GB2226221A (en) | Inductively heated apparatus | |
| JPH0517473B2 (pl) | ||
| JP4651260B2 (ja) | 静止誘導機及びそのためのケーブル | |
| JP2003123951A (ja) | 孔内周面加熱用誘導子 | |
| US2908739A (en) | Water cooled crucible for high frequency heating | |
| JP2009160652A (ja) | 高周波誘導加熱装置及び高周波誘導コイルと磁性体による加熱方法 | |
| US2404404A (en) | High-frequency apparatus | |
| JPS5921596A (ja) | 無るつぼ帯域溶融用の偏平誘導コイル | |
| KR100512532B1 (ko) | 유도가열방식을 이용한 용접와이어의 가열 및 송급장치 | |
| US3518394A (en) | Output transformer and work inductor for induction generators | |
| US3769484A (en) | Apparatus and method for floating-zone melting of a semiconductor rod | |
| US3671703A (en) | Device for crucible-free, floating zone melting a crystalline | |
| JPS5882491A (ja) | るつぼ無し帯域溶融用の平形誘導コイル | |
| US8673072B2 (en) | Crystal grower with integrated litz coil | |
| US7632350B2 (en) | Crystal grower with integrated Litz coil | |
| JPH06119827A (ja) | リッツ線 | |
| SU791260A3 (ru) | Устройство дл бестигельной зонной плавки стержней из полупроводникового материала | |
| US3862348A (en) | Apparatus for crucible-free zone melting | |
| US3441706A (en) | Induction heating apparatus | |
| US1827274A (en) | Electric induction furnace |