PL103948B1 - Przerzutnik monostabilny do zalaczania duzych pradow - Google Patents

Przerzutnik monostabilny do zalaczania duzych pradow Download PDF

Info

Publication number
PL103948B1
PL103948B1 PL18321875A PL18321875A PL103948B1 PL 103948 B1 PL103948 B1 PL 103948B1 PL 18321875 A PL18321875 A PL 18321875A PL 18321875 A PL18321875 A PL 18321875A PL 103948 B1 PL103948 B1 PL 103948B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
resistor
collector
emitter
base
Prior art date
Application number
PL18321875A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL18321875A priority Critical patent/PL103948B1/pl
Publication of PL103948B1 publication Critical patent/PL103948B1/pl

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest przekaznik mono¬ stabilny do impulsowego zalaczania duzych pra¬ dów, przeznaczony do wspólpracy z odbiornikami energii, takimi jak cewki przekazników, zródla swiatla itp.
Znanych jest wiele rozwiazan ukladów prze- rzutników monositabiinych, jednakze najczesciej stosowanym jest przerzuitnak, zrealizowany na dwóch tranzystorach, z których baza jednego po¬ laczona jest poprzez kondensator z kolektorem drugiego tranzystora, do którego dolaczony jest wspólny zacisk równoleglego polaczenia rezystora i odbiornika. Drugi wspólny zacisk odbiornika . i rezystora polaczony jest ze zródlem zasilania oraz z koncówkami dwóch nastepnych rezystorów, z'których jeden polaczony jest druga koncówka z baza pierwszego tranzystora, a drugi z kole¬ ktorem tego tranzystora. Kolektor ten polaczony jest poprzez rezystor z baza drugiego tranzystora, polaczona poprzez rezystor z pomocniczym zródlem zasilania. Emitery obu tranzystorów sa dolaczone do miasy. W stanie statycznym pierwszy tranzystor, którego baza i emiter stanowia wejscie przerzutni- ka, znajduje sie w stanie przewodzenia, zas drugi tramzysttor nie przewodzi. Kondensator jest nalado¬ wany w przyblizeniu do napiecia zasilania w obwodzie szeregowego polaczenia kondensatora i odbiornika zbocznikowanego rezystorem oraz emitera i bazy pierwszego tranzystora. Z chwila wyzwolenia ukladu, zewnetrznym zatykajacym im- pulsem przylozonym na baze tranzystora pierw¬ szego, tranzystor ten zatyka sie, zas druga tran¬ zystor zaczyna przewodzic. Czas przewodzenia, a tym samym trwania impulsu wyjsciowego, uwarunkowany jest stala czasowa rozladowania kondensatora. Kondensator ten rozladowuje sie do momentu gdy pierwszy tranzystor ponownie zacz¬ nie przewodzic. W tym momencie wystepuje rege¬ nerujacy proces zmiany stanu, po którym naste¬ puje naladowanie sie kondensatora i powrót do stanu wyjsciowego. Aby zapewnic wysterowanie odbiornika mocy duzym pradem, wartosci elemen¬ tów obwodu powinny byc tak dobrane, aby w czasie trwania impulsu zapewnic wysterowanie drugiego tranzystora. Efektem tego jest przeplyw odpowiednio duzego pradu przez pierwszy tran¬ zystor, w stanie statycznym, co w decydujacy sposób wplywa na zmniejszenie sprawnosci ukladu, a tym samym podraza koszty eksploatacji, co sta¬ nowi o podstawowej niedogodnosci omówionego ' rozwiazania.
Celem wynalazku jest opracowanie ukladu prze- rzutnika monostabilnego, o duzej sprawnosci.
Wytyczony cel spelnia uklad, zawierajacy dwa tranzystory z których kolektor pierwszego pola¬ czony jest poprzez pierwszy rezystor ze zródlem napiecia stalego i baza drugiego z tych tranzysto¬ rów o mocy wiekszej od mocy pierwszego. Emiter drugiego tranzystora jest takze polaczony z tym zródlem napiecia, zas jego kolektor ze wspólnym 103 948103 948 zaciskiem drugiego rezystora i odbiornika, mocy.
Drugi wspólny zacisk tego rezystora i odbiornika polaczony jest ze wspólnym zaciskiem dwóch na¬ stepnych rezystorów, trzeciego i czwartego z któ¬ rych trzeci polaczony jest z emiterem pierwszego tranzystora, zas czwarty, którego zaciski stanowia wejscie impulsów wyzwalajacych, z baza tego tranzystora, do której dolaczone jest szeregowe polaczenie piatego rezystora i kondensatora, do¬ laczonego swoim drugnim biegmmern do kolektora drugiego tranzystora.
Przerziutnik monostabilny do zalaczania duzych pradów zostal blizej przedstawiony w schemacie ideowym na rysunku, na którym kolektor pierw¬ szego tranzystora Tl polaczony jest z baza drugie¬ go tranzystora T2 i poprzez pierwszy rezystor Rl ze zródlem napiecia stalego UKK, z którym pola¬ czony jest takze emiter drugiego tranzystora T2.
Kolektor tranzystora T2 polaczony jest ze wspól¬ nym zaciskiem drugiego rezystora R2 i odbiorni¬ ka mocy RO, których drugi wspólny zacisk pola¬ czony jest ze wspólnym zaciskiem dwóch rezysto¬ rów trzeciego R3 i czwartego R4. Rezystor R3 swoja druga koncówka polaczony jest z emiterem tranzystora Tl, zas rezystor R4 z baza tego tran¬ zystora. Zaciski rezystora R4 stanowia wejscie dla impulsów wyzwalajacych. Do bazy tranzystora Tl dolaczone jest szeregowo polaczenie piatego rezy¬ stora R5 i kondensatora C, dolaczonego swoim drugim biegunem do kolektora tranzystora T2.
Dzialanie opisanego ukladu jest nastepujace. W stanie statycznym obydwa tranzystory nie prze¬ wodza. W momencie przylozenia impulsu wy¬ zwalajacego na baze tranzystora Tl, wprowadzaja¬ cego ten tranzystor w stan przewodzenia, parze- wodizic zaczyna równiez tranzystor T2, wysterowa¬ ny pradem o wartosci uwarunkowanej wartoscia rezystancji rezystora R3. W tym momencie za- czyna. sie proces ladowania kondensatora C w obwodzie: zródlo zasilania UKK, kolektor-emiter tranzystora T2, kondensator C, rezystor R5 i rezy¬ stor R4, ze stala czasowa okreslona zaleznoscia C/R5 + R4/, która wyznacza czas trwania impulsu.
Prad ladowania powoduje spadek napiecia na rezystorach R4 i R5, podtrzymujac tym samym przewodzenie tranzystorów Tl i T2. Z chwila gdy prad ladowania zmaleje do wartosci nie wystar¬ czajacej do wysterowania tranzystora Tl w obu tranzystorach nastepuje zanik pradu, Zaleta rozwiazania wedlug wynalazku jest jego wysoka sprawnosc, wynikajaca z faktu, iz w stanie -statycznym obydwa tranzystory sa zatkane. Ko¬ rzystna jest równiez mozliwosc uziemienia jedne¬ go z biegunów odbiornika.

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Przerzutnik monostabiilny do zalaczania duzych pradów, zawierajacy dwa tranzystory, znamienny tym, ze kolektor pierwszego tranzystora (Tl) po¬ laczony jest poprzez pierwszy rezystor (Rl) ze zródlem napiecia stalego (UKK) i baza dlnugiego tranzystora (T2) o mocy wiekszej od mocy pierw¬ szego tranzystora, którego emiter jest takze pola¬ czony z tym zródlem, zas jego kolektor ze wspól¬ nym zaciskiem droiigiego rezystora (R2) i odbiorni¬ ka mocy (RO), których drugi wspólny zacisk po¬ laczony jest ze wspólnym zaciskiem dwóch na¬ stepnych rezystorów trzeciego (R3) i czwartego (R4), z których jeden jest polaczony z emiterem pierwszego tranzystora (Tl), zas drugi z nich, któ¬ rego zaciski, stanowia wejscie impulsów wyzwala¬ jacych, z baza tego tnanizystora^ do której dolaczo¬ ne jest szeregowo polaczenie tranzystora (R5) i kondensatora (C), dolaczonego swoim drugim biegunem do kolektora drugiego tranzystora (T2). PZGraf. Koszalin D-750 110 egz. A-4 Cena 45 zl
PL18321875A 1975-09-10 1975-09-10 Przerzutnik monostabilny do zalaczania duzych pradow PL103948B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18321875A PL103948B1 (pl) 1975-09-10 1975-09-10 Przerzutnik monostabilny do zalaczania duzych pradow

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18321875A PL103948B1 (pl) 1975-09-10 1975-09-10 Przerzutnik monostabilny do zalaczania duzych pradow

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL103948B1 true PL103948B1 (pl) 1979-07-31

Family

ID=19973498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL18321875A PL103948B1 (pl) 1975-09-10 1975-09-10 Przerzutnik monostabilny do zalaczania duzych pradow

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL103948B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3121802A (en) Multivibrator circuit employing transistors of complementary types
US3417266A (en) Pulse modulator providing fast rise and fall times
US4977477A (en) Short-circuit protected switched output circuit
US3214606A (en) Retentive memory bistable multivibrator circuit with preferred starting means
US3590281A (en) Electronic latching networks employing elements having positive temperature coefficients of resistance
US3596146A (en) High efficiency multivibrator
GB2136648A (en) Trigger circuit
JPS61230517A (ja) パワートランジスタのスイツチング制御回路
CN218568733U (zh) 继电器单元控制电路
SU1081778A1 (ru) Многофазный мультивибратор
US3145308A (en) Monostable multivibrator with early reset if desired
US3028510A (en) Diode gate utilizing charged capacitor to forward bias diode
JPS5763928A (en) Comparing circuit for ad converter
US3188497A (en) Single-transistor circuit producing pulse predetermined interval from trailing edge of final pulse in any pulse-train
SU1721806A1 (ru) Формирователь импульсов
SU1190471A1 (ru) Многофазный мультивибратор
JPH05315903A (ja) パワー制御回路内で使用するメモリ・デバイス
SU983987A1 (ru) Одновибратор
JPS6468118A (en) Voltage comparator
GB1132582A (en) Electronic switch
SU361516A1 (ru) Триггер со счетным входом
JPS5583463A (en) Power supply
JPH01311836A (ja) バックアップ電源回路
SU1069168A1 (ru) Коммутирующее устройство
JPS561769A (en) Constant current circuit