Przedmiotem wynalazku jest sposób i urzadzenie do zaokraglania krawedzi obrzezy plytek z ma¬ terialów pólprzewodnikowych, stosowanych w pro¬ dukcji przyrzadów pólprzewodnikowych takich jak tranzystory, uklady scalone itp.W dziedzinie wytwarzania przyrzadów pólprze¬ wodnikowych dwoma podstawowymi -skladnikami sa plytki pólprzewodnikowe i fotomaski. Plytki pólprzewodnikowe tworza podstawe, na która na¬ klada sie inne skladniki niezbedne do wytworze¬ nia przyrzadu pólprzewodnikowego.Plytki pólprzewodnikowe o srednicy od dwu do pieciu cali otrzymuje sie przez ciecie preta mo¬ nokrysztalu materialu pólprzewodnikowego w kie¬ runku prostopadlym do osi preta. Grubosci plytek zawieraja sie w granicach od 160 do 400 mikro¬ metrów. Sa one bardzo kruche i podatne na la¬ manie w toku licznych procesów niezbednych dla otrzymania przyrzadów pólprzewodnikowych.Szczególnie plytki podatne sa na pekniecia pod wplywem nacisku oraz na obwodowe wyszczer¬ bienia.Po obróbce mechaniczno-chemicznej plytki pod¬ dawane sa jednej z najistotniejszych w procesie produkcyjnym operacji, wzrostu epitaksjalnego.Stwierdzono, ze jezeli obrzeza plyttek nie sa faizo- wane, material epitaksjalny dazy do nawarstwie¬ nia wypuklosci na obwodzie plytki, utrudniajac tym prowadzenie dalszych procesów produkcyj¬ nych. Obwodowa wypuklosc tworzy po pierwsze 10 15 20 25 niezuzywalna produkcyjnie powierzchnie, po drugie przeszkadza masce optycznej w umieszczeniu jej w bezposrednim kontakcie z glówna czescia powle¬ czonej plytH, utrudniajac tym precyzyjne optyczne •ogniskowanie, uwazane za niezbedne w produkcji przyrzadów pólprzewodnikowych.Znane dotychczas sposoby fazowania i zaokrag¬ lania krawedzi obrzeza plytek pólprzewodniko¬ wych, to w przewazajacej wiekszosci sposoby obróbki mechanicznej, polegajace na róznorakich formach obióbki przez szlifowanie. Dodac nalezy, ze problem mechanicznego fazowania plytek jest utrudniony o tyle, iz obwód plytki w wiekszej co prawda czesci stanowi okrag kola lecz ma on równiez odcinek prostej krawedzi usytuowanej wzdluz jednego boku wiazacego sie z krystaliczna struktura monokrysztalu materialu pólprzewodni¬ kowego.Znany z opisu patentowego Stanów Zjednoczo¬ nych Ameryki nr 4 031667 sposób fazowania ply¬ tek polega na oszlifowaniu obrzeza przez wprowa¬ dzenie go w rowek o ksztalcie litery V, wykonany na obwodzie tarczy szlifierskiej. Tarcza i obra¬ biana plytka leza w jednej plaszczyznie i wprowa¬ dzane sa w ruch obrotowy z tym, ze tarcza ma przez (caly czas obróbki kontakt z plytka oparty na sterowaniu konturem plytki, przez co jest po¬ datna na zmiany tego konturu przy zachowaniu jednakowej sily docifclku.Inny sposób wykonywania fazki jest opisany w 109 9813 polskim opisie patentowym nr 76 212 dotyczacym urzadzenia do fazowania cienkich krazków krze¬ mowych. Na osi silnika elektrycznego umieszczo¬ na jest elastyczna tarcza z materialem sciernym, np. w postaci krazka papieru sciernego. Do tar¬ czy dotyka swym obrzezem plytka krysztalu, przy¬ mocowana przykladowo za prnoca przyssawki prózniowej, do uchwytu glowicy napedzanej sil¬ nikiem. Os glowicy i os tarczy tworza kat odpo¬ wiadajacy katowi ugiecia sie elastycznej tarczy sciernej. Krazek krzemowy i elastyczna tarcza sa wprowadzane w ruch obrotowy, a ponadto krazek krzemowy jest ustawiony w stosunku do elastycz¬ nej tarczy taik, aby ziarna scierniwa poruszaly sie wzdluz promienia krazka od jego krawedzi ku srodkowi.Jeszcze inny sposób fazowania plytek krzemo¬ wych jest opisany w patencie japonskim nr 50- -6303. Plytka mocowana jest poziomo i wprowa¬ dzana w ruch obrotowy, zas do krawedzi jej obrze¬ za jest przystawiana walcowa sciernica trzpienio¬ wa wprawiana równiez w ruch obrotowy. Fazowa¬ nie odzielnie kazdnej krawedzi odbywa sie przez szlifowanie walcowa sciernica trzpieniowa wpro¬ wadzana dodaitkowo w ruch postepowy po krzywej w stosunku do plaszczyzny plytki. Dzieki temu faza tworzy promieniowe przejscie miedzy pla¬ szczyzna a cylindrycznym obrzezem plytki.Faizowainie plytek z materialów pólprzewodniko¬ wych przez szlifowanie, jako najbardziej obecnie rozpowszechnione w przemysle elektronicznym, jest pondto przedmiotem patentów takich, jak pa¬ tenty japonskie nr nr 50-4544, 50-4545, 50-4546, 50-4647 czy patent Stanów Zjednoczonych Amery¬ ki nr 3 834 083. Fazowanie przez szlifowanie acz¬ kolwiek obecnie najbardziej rozpowszechnione ma jednak te niedogodnosc, ze cienkie i kruche plytki poddawane tej obróbce ulegaja czestemu wykru¬ szaniu lub wrecz lamie sie pod wplywem wprowa¬ dzanych ta obróbke .naprezen. Z tych wzgledów oraz z racji duzego stopnia skomplikowania kon¬ strukcji urzadzen ^szlifujacych, czynione sa poszu¬ kiwania innych sposobów fazowania plytek z ma¬ terialów pólprzewodnikowych.Okazalo sie, ze mozna uniknac uszkodzen mecha¬ nicznych, jezeli zaokraglanie krawedzi obrzeza plytek prowadzic sie bedzie metoda trawienia che¬ micznego. Trawienie, jak stwierdzono, jest ponadto korzystne o tyle, ze nie wprowadza naprezen do krysztalu co ma pozytywny wplyw na jakosc war¬ stwy epitaksjalnej.Znany jest z artykulu pt. „Silicon Wafer Tech¬ nology _ State of the Art 1976" zamieszczonego w czasopismie Solid State Technology, May 1976, str. 37—42, sposób chemicznego scieniania plytek krzemowych, którego dodatkowym efektem jest równoczesne zaokraglanie krawedzi ich obrzeza.Sposób polega na zanurzeniu pojedynczych plytek w kapieli trawiacej, na pewien okres czasu.Do stosowania sposobu przewidziany jest przy¬ rzad w postaci czterech pionowych pretów z wy¬ konanymi na nich poprzecznymi nacieciami. Poje¬ dyncze plytki krzemowe wprowadza sie luzno w naciecia poprzeczne pretowej klatki, po czym ca¬ losc zanurza sie w kapieli trawiacej i przetrzy- 981 4 muje w niej az do uzyskania zadanej grubosci plytki. W czasie trawienia kapiel jest mieszana przez obracanie pretowej klatki z plytkami. Efek¬ tem dodatkowym chemicznego scieniania luzno za- 5 wieszonych plytek jest równoczesne zaokraglanie krawedzi ich obrzeza, przy czym zaokraglanie to ma profil zblizony do wycinka elipsy.Opisane wyzej sposób i przyrzad do trawienia chemicznego plytek ma niewatpliwie korzystne 10 zastosowanie wszedzie tam, gdzie glównym celem trawienia jest zmniejszenie grubosci plytki. Zasto¬ sowanie wszakze tego sposobu tylko dla zaokrag¬ lania krawedzi obrzezy byloby zarówno z technicz¬ nego jak i z ekonomicznego punktu widzenia wy- 15. soce niewskazane, wymagaloby bowiem stosowania naddatków technologicznych na grubosci plytki, dochodzacych nawet do 50% grubosci ostatecznej.Celem wynalazku jest wiec opracowanie sposobu pozwalajacego na zastosowanie korzystnej techno- 20 logicznie metody trawienia chemicznego tylko do zaokraglania krawedzi obrzezy plytek z materia¬ lów pólprzewodnikowych.Zostalo to rozwiazane, wedlug wynalazku w ten sposób, ze plytki o jednakowej srednicy uklada 25 sie jedna na drugiej w stos, nastepnie stos ten unieruchamia sie wywierajac z obu stron stosu nacisk, którego sila jest rozlozona równomiernie na obwodzie jednakowego z obu stron stosu kola o srednicy mniejszej od srednicy plytek lecz kon- 30 cantrycznego z plytkami. Nastepnie tak unieru¬ chomiony stos plytek wklada sie do naczynia wy¬ pelnionego roztworem trawiacym i prowadzi pro¬ ces trawienia w ten sposób, ze wprowadza sie w ruch obrotowy "naczynie z roztworem trawiacym, 35 utrzymujac stos plytek w pozycji nieruchomej wzgledem naczynia.Urzadzenie wedlug wynalazku sklada sie z pary wymiennych krazków dociskowych zaopatrzonych jednostronnie w pierscieniowe wystepy o srednicy 40 zawsze mniejszej od srednicy zewnetrznej krazka, z których krazek dolny ma na przeciwnej w sto¬ sunku do pierscieniowego wystepu stronie wykona¬ ny ponadto centrycznie czop, oraz z jarzma, w którego plycie dolnej jest wykonane centrycznie 45 gniazdo o wymiarach czopa krazka dociskowego dolnego, zas w plycie górnej jarzma centrycznie jest osadzona przelotowo srutoa dociskowa. Pary wymiennych krazków dociskowych maja pierscie¬ niowe wystepy wykonane w odleglosciach róznych od obrzeza krazka, ale zawsze w odleglosciach jed¬ nakowych dla danej pary krazków.Rozwiazanie wedlug wynalazku pozwala na wy¬ tworzenie w jednym procesie trawienia obustron¬ nych faz wokól obrzeza plytki z jednoczesnym za¬ okragleniem krawedzi obrzeza, przy czym uzyski¬ wany kat i szerokosc fazy sa produkcyjnie powta¬ rzalne i regulowane wedlug potrzeby.Glównym czynnikiem umozliwiajacym w ogóle wykonanie faz i regulujacym ich wymiary jest ^ wedlug wynalazku obwodowy nacisk wywierany z obu stron na stos plytek. Nacisk ten jest wy¬ wierany w pewnej odleglosci od krawedzi obrze¬ za plytek i powoduje poprzez niewielkie ich od¬ ksztalcenie wytworzenie sie obwodowych mikro- 65 szczelin pomiedzy poszczególnymi plytkami, w któ-5 109 981 t przykladowo dla krzemu bedzie to mieszanina kwasów HF—HNOj—CH3COOH. Urzadzenie z plyt¬ kami mocuje sie do zewnetrznego, nieruchomego wieszaka, zas naczynie 11 z roztworem wprowadza 5 sie w ruch obrotowy. Roztwór trawiacy oplywajac wokól stosu plytek 10 przeplywa równiez mikro- s-zczelina-mi, trawiac na kazdej plytce obustronna faze i zaokraglajac równoczesnie ostre krawedzie obrzezy.L0 Pokazany na fig. 3 profil obrzeza plytki obro¬ bionej wedlug wynalazku jest wynikiem dzialania dwóch czynników regulacyjnych. Jednym z nich jest obwodowy nacisk rozlozony na kole o sredni¬ cy zawsze mniejszej od srednicy plytki. Zmieniajac L5 odleglosc miedzy obrzezem a miejscem przyloze¬ nia sily, zmienia sie glebokosc mikroszczelin i przez to szerokosc faz oznaczonych wielkoscia b. Drugim czynnikiem regulujacym jest intensywnosc trawie¬ nia, wplywajaca na uzyskany kat fazy oznaczony w wielkoscia a. Intensywnosc trawienia mozna zmie¬ niac skladem roztworu trawiacego, czasem trawie¬ nia, predkoscia przeplywu oraz temperatura roz¬ tworu. W procesie produkcyjnym dogodnie jest ustalic jeden z czynników, zwykle wymiar b. 25 Przykladowo, wedlug wynalazku obrabiano pa¬ kiety po 20 sztuk plytek monokrysztalu krzemu.Plytki mialy grubosc 300 mikrometrów, srednice 2" i orientacje (111). Ustalono staly wymiar fazy b = 0,5 do 0,7 milimetra. Do trawienia uzyto mie- w szaniny kwasów o skladzie HF—HNO3—CH3COOH w proporcji 1 : 5 :4, z dodatkiem J2. W 600 ml roz¬ tworu obrobiono piec partii plytek, wydluzajac czas trawienia w miare zuzywania sie roztworu.Uzyskane wielkosci a przedstawiono w ponizszej K tabeli.Tych to mikroszczelinach przeplywa w wymuszo¬ nym obiegu roztwór trawiacy.Sposób wedlug wynalazku nie wymaga stoso¬ wania nadatków technologicznych ani na grubo¬ sci ani tez na srednicy plytki. Wykonane zaokra¬ glenia obrzezy nie wprowadzaja zadnych naprezen do materialu pólprzewodnikowego.Wynalazek zostanie blizej objasniony z wyko¬ rzystaniem rysunku, na którym fig. 1 przedstawia w -przekroju podluznym -przykladowe urzadzenie wedlug wynalazku przygotowany do realiazacji sposobu, fig. 2 przedstawia w znacznym powiek¬ szeniu szcezgól „A" z fig. 1, zas fig. 3 przedstawia takze w znacznym powiekszeniu fragment plytki z profilem jej obrzeza wykonanym wedlug wy¬ nalazku.Urzadzenie wedlug wynalazku sklada sie z pary wymiennych krazków dociskowych stanowiacych okladziny stosu plytek z materialu pólprzewod¬ nikowego oraz z jarzma, w którym stos plytek wraz z krazkami dociskowymi jest mocowany.Kazda para wymiennych krazków dociskowych sklada sie z krazka górnego 1 i krazka dolnego 2.Oba krazki 1 i 2 maja na jednej stronie wyko¬ nane pierscieniowe wystepy 3 o jednakowej sred¬ nicy, zawsze mniejszej od srednicy zewnejtrznej krazka 1, 2, a takze zawsze mniejszej od srednicy plytek aktualnie poddawanych obróbce. Krazek dociskowy dolny 2 ma na przeciwnej w stosunku do pierscieniowego wystepu 3 stronie wykonany centrycznie czop 4. Jarzma urzadzenia sklada sie z plyty dolnej 5, plyty górnej 6 oraz z dwóch srub 7 ustalajacych zmiennie maksymalne rozwarcie plyt 5 i 6. W plycie dolnej 5, od jej wewnetrznej strony jest wykonane centrycznie gniazdo 8, dla osadzenia w nim czopa 4 krazka dolnego 2. W ply¬ cie górnej 6 jarzma, takze centrycznie jest osa¬ dzona przelotowo sruba dociskowa 9. Wszystkie elementy urzadzenia sa wykonane z materialu odpornego na dzialanie uzytego do obróbki ply¬ tek roztworu trawiacego.W celu zaokraglenia krawedzi obrzeza, plytki 10 0 jednakowej srednicy uklada sie w stos o wyso¬ kosci takiej, aby wraz z krazkami dociskowymi 1 i 2 mógl byc on luzno wprowadzony miedzy ply¬ ty 5 i 6 jarzma. Nastepnie, w zaleznosci od zada¬ nych wielkosci faz, dobiera sie krazki dociskowe 1 i 2 w których pierscieniowe wystepy 3 sa w od¬ powiedniej odleglosci od obrzeza plytek 10. Z kraz¬ ków 1 i 2 tworzy sie okladziny stosu plytek 10 i calosc wprowadza sie miedzy plyty 5 i 6 jarzma.Czop 4 krazka dolnego 2 osadza sie w gniezdzie 8 plyty dolnej 5, po czym stos sciska sie przez do¬ krecenie sruby dociskowej 9 momentem stosownym dla wielkosci stosu i grubosci obrabianych plytek 10. Pierscieniowe wystepy 3 wywieraja na plytki 10 obustronny nacisk, którego sila jest rozlozona na obwodzie kola o srednicy mniejszej od srednicy plytek 10, wskutek czego plytki 10 w stosie ule¬ gaja niewielkiemu obwodowemu odksztalceniu. Od¬ ksztalcenie to jest wystarczajace do powstania mie¬ dzy plytkami obwodowych mikroszczelin o odpo¬ wiedniej glebokosci.Tak przygotowany stos plytek 10 wklada sie do naczynia 11 wypelnionego roztworem trawiacym, Tabela Nr kolejnego trawienia w jednej porcji mieszanki - 1 2 3 4 5 Czas trawienia (s) 1 dla a=100— ^120p,m 60 60 70 70 80 dla a=70— —80 (mm 50 50 60 60 70 Zastrzezenia patentowe 1. Sposób zaokraglania krawedzi obrzezy ply¬ tek z materialów pólprzewodnikowych metoda trawienia chemicznego, polegajacy na zanurzeniu plytek w roztworze trawiacym i przetrzymywaniu w nim przez pewien okres czasu, znamienny tym, ze plytki o jednakowej srednicy uklada sie jedna na drugiej w stos, nastepnie stos ten unierucha¬ miania sie wywierajac z obu stron stosu nacisk, którego sila jest rozlozona równomiernie na od¬ wodzie jednakowego z obu stron stosu kola o srednicy mniejszej od srednicy plytek lecz kon¬ centrycznego z plytkami, po czym tak unierucho¬ miony stos plytek wklada sie do naczynia wy¬ pelnionego roztworem trawiacym i wprowadza sie 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60T 109 981 w ruch ofarorfeoiwy naczynie z roztworem trawia¬ cym utrzymujac równoczesnie istos plytek w pozy¬ cji nieruchomej wzgledem naczynia. 2. Urzadzenie do zaokraglania krawedzi obrzezy plytek z materialów pólprzewodnikowych, zna¬ mienny tym, ze Sklada sie z pary wymiennych kraików dociskowych (1, 2) zaopatrzonych jedno¬ stronnie w pierscieniowe wystepy (3) o srednicy zawsze mniejszej od srednicy zewnetrznej krazka, z których krazek dolny (2) ma na przeciwnej w stosunku do pierscieniowego wystepu (3) stronie wykonany ponadto centrycznie czop (4), oraz z 10 jarzma, w którego plycie dolnej (5) jest wykonane centrycznie gniazdo (8) o wymiarach czopa (4 krazka dociskowego dolnego (2), zas w plycie gór¬ nej (6) jarzma centrycznie jest osadzona przeloto- wo sruba dociskowa (9). 3. Urzadzenie wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze pary wymiennych krazków dociskowych (1, 2 maja pierscieniowe wystepy (3) wykonane w od¬ leglosciach róznych od obrzeza krazka, ale zawsze w odleglosciach jednakowych dla danej pary kraz¬ ków (1, 2).Szczegól „A" FIG.1 FIG. 3 PZGraf. KoszaiLiin D^3&44 125 egz. A-4 Cena 45 zl PLThe present invention relates to a method and device for rounding the edges of plates of semiconductor materials used in the production of semiconductor devices such as transistors, integrated circuits, etc. in the field of semiconductor device production, the two basic components are semiconductor plates and photoresists. The semiconductor wafers form the base upon which the other ingredients necessary to manufacture the semiconductor device are superimposed. Semiconductor wafers with a diameter of two to five inches are obtained by cutting a monocrystalline rod of a semiconductor material in a direction perpendicular to the rod axis. The thickness of the plates is in the range from 160 to 400 microns. They are very brittle and prone to smearing in the course of numerous processes necessary for the production of semiconductor devices. Especially the plates are prone to cracking under pressure and to circumferential nicks. After mechanical and chemical treatment, the plates are treated with one of the most important the production process of the operation, epitaxial growth. It has been found that if the periphery of the plaques are not phased, the epitaxial material tends to build up the protuberances around the perimeter of the plaque, thus hindering further production processes. The circumferential convexity forms, firstly, a non-wearable surface for production, and secondly, it prevents the optical mask from being placed in direct contact with the main part of the coated plate, thus hindering the precise optical focusing, considered indispensable in the production of semiconductor devices. chamfering and rounding the edges of the periphery of semiconductor wafers are, in the overwhelming majority, methods of mechanical processing, consisting in various forms of processing by grinding. It should be added that the problem of mechanical chamfering of the plates is more difficult because the perimeter of the plate in its larger part is a circle, but it also has a section of a straight edge located along one side connected with the crystalline structure of the single crystal of the semiconductor material. No. 4,031,667 the method of chamfering the tiles consists in grinding the periphery by inserting it into a V-shaped groove made around the perimeter of the grinding wheel. The disc and the machined insert lie in one plane and are made to rotate, with the disc being in contact with the insert for the entire machining time based on the control of the insert contour, which makes it suitable for changing this contour while maintaining A different method of making a chamfer is described in Polish Patent No. 109 9813 No. 76 212 concerning a device for chamfering thin silicon discs. On the axis of the electric motor there is an elastic disc with abrasive material, e.g. in the form of a disc of sandpaper. A plate of crystal touches the disk with its rim, attached, for example, to the handle of a motorized suction cup, The axis of the head and the axis of the disk form an angle corresponding to the angle of deflection of a flexible abrasive disk. Silicon disk and flexible disk. are made to rotate, and moreover, the silicon disc is positioned relative to the flexible disc so that the abrasive grains move along the radius of the disc from its edge towards the center. Yet another method of chamfering silicon wafers is described in Japanese Patent No. 50-6303. The plate is mounted horizontally and put into rotation, and a cylindrical grinding wheel is attached to the edge of its periphery, also made to rotate. The chamfering of each edge separately is carried out by grinding, a cylindrical grinding wheel, which is additionally introduced into a progressive motion along a curve in relation to the plate plane. Due to this, the chamfer creates a radial transition between the plane and the cylindrical rim of the plate. The faceting of plates of semiconductor materials by grinding, as currently most common in the electronics industry, is also the subject of patents such as Japanese Patents No. 50-4544, 50-4545, 50-4546, 50-4647 or US Pat. No. 3,834,083. Bevelling by grinding, although the most common nowadays, has the disadvantage that the thin and brittle tiles that are treated in this way often crumble. or even breaks down under the influence of the stresses introduced by this treatment. For these reasons, and because of the complexity of the structure of grinding devices, searches for other methods of chamfering semiconductor plates are being made. It has turned out that mechanical damage can be avoided if the edges of the perimeter of the plates are rounded along a method of chemical etching. Etching, as stated, is also beneficial in that it does not introduce any stresses into the crystal, which has a positive effect on the quality of the epitaxial layer. It is known from the article entitled "Silicon Wafer Technology _ State of the Art 1976" published in the journal Solid State Technology, May 1976, pp. 37-42, a method of chemical thinning of silicon wafers, the additional effect of which is the simultaneous rounding of the edges of their periphery. plates in an etching bath, for a certain period of time. For the application of the method, a device in the form of four vertical bars with transverse incisions made on them is provided. Single silicon plates are loosely inserted into the transverse incisions of the cage, and then the whole The etching bath is immersed in the etching bath and kept there until the desired plate thickness is obtained. During etching, the bath is mixed by turning the rod cage with the plates. The additional effect of the chemical thinning of the loosely hanging plates is the simultaneous rounding of the edges. their edges, the rounding having a profile similar to a segment of an ellipse. The chemical bonding of the plaques is undoubtedly of advantageous application where the main purpose of etching is to reduce the thickness of the plaque. However, the application of this method only for rounding the edge of the rim would be highly inadvisable both from a technical and economic point of view, as it would require the use of technological allowances on the thickness of the tile, reaching even 50% of the final thickness. is therefore the development of a method that allows the use of the technologically advantageous method of chemical etching only for rounding the edges of the periphery of the plates of semiconductor materials. It has been solved, according to the invention, in that plates of the same diameter are stacked on top of each other in a stack , the stack is then immobilized by applying pressure on both sides of the stack, the force of which is distributed evenly on the circumference of a wheel of equal size on both sides of the stack, with a diameter smaller than the diameter of the plates but concentric with the plates. The plate stack thus immobilized is then placed in a vessel filled with the etching solution, and the etching process is carried out in such a way that the vessel with the digestion solution is rotated, keeping the stack of plates stationary with respect to the vessel. The invention consists of a pair of interchangeable pressure discs provided on one side with annular protrusions of a diameter 40 always smaller than the outer diameter of the disc, the bottom disc of which has, on the side opposite to the annular protrusion, a spigot, moreover centered, and a yoke in the bottom plate has a centrally made seat with the dimensions of the pin of the lower pressure pulley, and in the upper plate of the yoke there is a centrally mounted pressure nipple. The pairs of interchangeable pressure disks have ring protrusions at distances different from the edge of the pulley, but always at distances of one. for a given pair of disks. Solution according to The invention allows for the production of double-sided bevels around the periphery of the plate in one etching process, with the simultaneous rounding of the perimeter of the perimeter, with the resulting angle and width of the phase being productively reproducible and regulated as needed. The main factor enabling the overall execution according to the invention, the circumferential pressure exerted on both sides on the stack of plates is used to regulate their dimensions. This pressure is exerted at a distance from the edge of the periphery of the plates and causes, through their slight deformation, the formation of circumferential micro-gaps between the individual plates, in which, for example, for silicon it will be a mixture of HF acids. HNOj — CH3COOH. The plate device is attached to an external, stationary hanger and the solution vessel 11 is made to rotate. The etching solution flowing around the stack of plates 10 also flows in micro-gaps, etching on each plate with a double-sided chamfer and simultaneously rounding the sharp edges of the periphery. L0 The peripheral profile of a rimmed plate shown in Fig. 3 is the result of the action of two regulatory factors. . One of them is the circumferential pressure distributed over a wheel with a diameter always smaller than the diameter of the plate. By changing the distance L5 between the rim and the point where the force is applied, the depth of the microcracks and thus the width of the phases denoted by the value b change. The second regulating factor is the etching intensity, affecting the obtained phase angle, denoted by the value a. The etching intensity can be changed by the composition of the pickling solution, the pickling time, the flow rate and the temperature of the solution. In the production process it is convenient to determine one factor, usually the b dimension. For example, according to the invention, packets of 20 pieces of single silicon crystal plates were processed. The plates were 300 micrometers thick, 2 "diameters and orientations (111). A fixed dimension b was established. = 0.5 to 0.7 millimeters A mixture of acids of the composition HF — HNO3 — CH3COOH in the proportion 1: 5: 4 with the addition of J2 was used for the etching. Five batches of plates were processed in 600 ml of solution, extending the time The etching solution is forced to circulate as the solution is consumed. The values obtained are shown in the table below. These micro-cracks are forced to circulate the etching solution. The method according to the invention does not require the use of technological additives either in the thickness or in the diameter of the plate. the curved edges do not introduce any stress to the semiconductor material. The invention will be explained in more detail using the drawing, in which Fig. 1 shows in a longitudinal section - an example device in In the course of the invention prepared for the implementation of the method, Fig. 2 shows a large enlargement of the section "A" from Fig. 1, while Fig. 3 also shows a significantly enlarged fragment of the plate with the profile of its periphery made according to the invention. The device according to the invention consists of consists of a pair of interchangeable pressure disks constituting the cladding of a stack of plates made of a semiconductor material and a yoke in which the stack of plates with the pressure disks is fixed. Each pair of interchangeable pressure disks consists of an upper pulley 1 and a lower pulley 2, both pulleys 1 and On one side, on one side, ring-shaped projections 3 of the same diameter are made, always smaller than the outer diameter of the disc 1, 2, and always smaller than the diameter of the tiles currently being processed. The lower pressure pulley 2 has, on the side opposite to the annular protrusion 3, a spigot 4. The device yoke consists of a bottom plate 5, a top plate 6 and two screws 7 adjusting the maximum width of the plates 5 and 6. In the bottom plate 5, on its inner side a seat 8 is made centrally, for the mounting of the pin 4 of the lower pulley 2. In the upper plate 6 of the yoke, a clamping screw 9 is also centrally seated through the clamping screw 9. All elements of the device are made of a material resistant to the action of the used for the treatment of the plates of the etching solution. In order to round the edges of the periphery, the plates of the same diameter are stacked so that they can be loosely inserted between the plates 5 and 6 of the yoke together with the pressure discs 1 and 2. . Then, depending on the desired size of the phases, the pressure rollers 1 and 2 are selected in which the ring protrusions 3 are at the appropriate distance from the periphery of the tiles 10. The cladding of the tile stack 10 is formed from the wheels 1 and 2 and the whole is inserted between the plates 5 and 6 of the yoke. The spigot 4 of the lower pulley 2 is seated in the seat 8 of the bottom plate 5, then the stack is squeezed by tightening the clamping screw 9 with a torque appropriate for the size of the pile and the thickness of the tiles to be processed 10. The annular protrusions 3 exert on the plates 10 are double-sided pressure, the force of which is distributed over the circumference of a circle with a diameter smaller than that of the plates 10, as a result of which the plates 10 in the stack are subject to a slight circumferential deformation. This deformation is sufficient to create micro-cracks between the peripheral plates of a suitable depth. The stack of plates 10 prepared in this way is put into a vessel 11 filled with the etching solution. Table No. of consecutive etching in one portion of the mixture - 1 2 3 4 5 (s) 1 for a = 100— ^ 120 [mu] m 60 60 70 70 80 for a = 70—80 (mm 50 50 60 60 70) Patent claims 1. Method of rounding the edges of plates of semiconductor materials by chemical etching, consisting in immersing the plates in an etching solution and keeping them there for a certain period of time, characterized in that plates of the same diameter are stacked one on top of the other, and then the pile is immobilized by exerting pressure on both sides of the pile, the force of which is distributed evenly on the water, the same on both sides of the pile of wheels with a diameter smaller than the diameter of the plates, but concentric with the plates, and then the immobilized pile of plates is put into the vessel. Of the digestion solution, and the vessel with the digestion solution is moved into motion while the plate is held stationary with respect to the vessel. 2. Device for rounding the periphery of plates of semiconductor materials, characterized by the fact that it consists of a pair of interchangeable pressure plates (1, 2) provided on one side with annular protrusions (3) with a diameter always smaller than the outer diameter of the disc, with on the side opposite to the annular protrusion (3) of which a pin (4) is also made centrally, and a yoke, in the bottom plate (5) of which a seat (8) is centered with the dimensions of the pin (4) The lower pressure pulley (2), and in the upper plate (6) of the yoke, the clamping screw (9) is centrally mounted through the throttle. 3. Device according to claim 2, characterized in that a pair of interchangeable pressure disks (May 1, 2, ring protrusions (3) made at distances different from the rim of the disc, but always at the same distances for a given pair of discs (1, 2). Particularly "A" FIG. 1 FIG. 3 Fig. KoszaiLiin D ^ 3 & 44 125 copies A-4 Price PLN 45 PL