PL111552B1 - Process for preparing thin coatings of metal carbides on sintered carbides - Google Patents

Process for preparing thin coatings of metal carbides on sintered carbides Download PDF

Info

Publication number
PL111552B1
PL111552B1 PL20295077A PL20295077A PL111552B1 PL 111552 B1 PL111552 B1 PL 111552B1 PL 20295077 A PL20295077 A PL 20295077A PL 20295077 A PL20295077 A PL 20295077A PL 111552 B1 PL111552 B1 PL 111552B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
hydrogen
mol
carbides
metal halide
sintered
Prior art date
Application number
PL20295077A
Other languages
English (en)
Other versions
PL202950A1 (pl
Inventor
Roman Pampuch
Andrzej Kwatera
Maria Buras
Tadeusz Gibas
Original Assignee
Akad Gorniczo Hutnicza
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Akad Gorniczo Hutnicza filed Critical Akad Gorniczo Hutnicza
Priority to PL20295077A priority Critical patent/PL111552B1/pl
Publication of PL202950A1 publication Critical patent/PL202950A1/pl
Publication of PL111552B1 publication Critical patent/PL111552B1/pl

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest spos&b wytwarzania powlok z weglików metali na weglikach spieka¬ nych, znajdujacych zastosowanie jako elementy skrawajace do narzedzi, czesci maszyn itp.Znany, z polskiego opisu patentowego nr 67 499, sposób wytwarzania cienkich warstw z weglików metali na weglikach spiekanych polega na tyim, ze wegliki pokrywa sie mieszanina, skladajaca sie z wodoru, weglowodoru i chlorku metalu przez wygrzewanie ich w reaktorze, w temperaturze* po¬ wyzej 950°C. Stosowana mieszanine gazowa przed skierowaniem jej do reaktora poddaje sie wstep¬ nemu ogrzewaniu do tempera/tury 600°C. Niedo¬ godnoscia tego sposobu jest mala wydajnosc pro¬ wadzonego procesu pokrywania, w zwiazku z czym musi byc on dluzej prowadzony. W wyniku wy¬ dluzenia czasu reakcji wystepuje zjawisko rekry¬ stalizacji, wywolujace niekorzystne zmiany, zarów¬ no w pokrywanym wyrobie, jak i w materiale powlokowym, co z kolei wplywa na pogorszenie wlasnosci uzytkowych wyrobów, takich jak wy¬ trzymalosc i odpornosc na scieranie.Celem wynalazku jest usuniecie wymienionych niedogodnosci. Cel ten osiaga sie za pomoca spo¬ sobu, wedlug wynalazku, który polega na tym, ze wprowadzone w ruch obrotowy wyroby z weglika spiekanego, ogrzewa sie indukcyjnie, w temperatu¬ rze 1000—»1350°C. Nastepnie do reaktora wprowa¬ dza sie mieszanine gazowa, o temperaturze otocze¬ nia, skladajaca sie z wodoru, par halogenku me- 2 talu oraz weglowodoru lub chlorku wegla. W sto¬ sowanej mieszaninie gazowej natezenie przeplywu wodoru wynosi 0,1—0,5 mol/min, halogenku metalu 2,5-HM—7,5* 10"4 mol/min, weglowodoru 5,5-lO-5— 5 1,5 'l©-3 mol/min, a chlorku wegla mniej niz 2*10~s mol/min. Proces krystalizacji prowadzi sie przez 5—10 minut.Sposób, wedlug wynalazku, dzieki temu, ze do nanoszenia powloki stosuje sie niepodgrzewany io wczesniej strumien mieszaniny gazowej, powoduje, ze reakcja syntezy zachodzi tylko w poblizu pokry¬ wanych wyrobów, zapewniajac wysoka wydajnosc prowadzonego procesu oraz dobra jakosc powlok.Wytworzone powloki sa gladkie, dobrze przylegaja w do powierzchni wyrobu, odznaczaja sie wysoka trwaloscia i dobrymi wlasnosciami uzytkowymi.Przyklad. Plytki, przeznaczone na ostrze skra¬ wajace, wykonane z weglików tytanu i wolframu oraz z dodatkiem kobaltu, po oczyszczeniu ich za 20 pomoca ultradzwieków umieszcza sie w tulei gra¬ fitowej, ogrzewanej indukcyjnie w reaktorze kwar¬ cowym.Tuleje wprawia sie w ruch obrotowy z szybkoscia 5 obrotów/minute. Z kolei przez reaktor przepusz- 25 cza sie przez okolo 3 minuty azot wolny od tlenu i pary wodnej, a nastepnie wodór wolny od pary wodnej, tlenu, tlenku i dwutlenku wegla, po czym wlacza sie generator indukcyjny. Po ogrzaniu ply¬ tek do temperatury 1170°C do reaktora wprowadza so sie mieszanine gazowa o temperaturze otoczenia, 111 552111 552 skladajaca sie z czystego wodoru, par czterochlorku tytanu i benzenu. W mieszaninie tej natezenie przeplywu wodoru wynosi 0,25 mol/min, cztero¬ chlorku tytanu 2,25*10^* mol/min i benzenu 5,5 '10-5 mol/min.Proces pokrywania prowadzi sie przez okolo 6 minut, po czym do reaktora wprowadza sie czysty wodór, wylacza generator i szybko schladza uklad do temperatury otoczenia.Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania cienkich powlok z weglików metali na weglikach spiekanych, polegajacy na wy- 10 grzewaniu w atmosferze gazowej, zawierajacej wo¬ dór, weglowodór i pary halogenku metalu, zna¬ mienny tym, ze wprowadzone w ruch obrotowy wyroby ogrzewa sie indukcyjnie w temperaturze 1000—1350°C, po czym do reaktora wprowadza sie mieszanine gazowa, o temperaturze otoczenia, skla¬ dajaca sie z wodoru, par halogenku metalu oraz weglowodoru lub chlorku wegla, w której nateze¬ nie przeplywu wodoru wynosi 0,1—0,5 mol/min, halogenku metalu 2,5 -10^*—7,5* 10~4 mol/min, we¬ glowodoru 5,5-10"5—l,5«li0-3 mol/min, a chlorku wegla mniej niz 2-10"3 mol/min, przy czyim proces krystalizacji prowadzi przez 5—10 minut.Drukarnia Narodowa Z-6, zam. 348/81 Cena 45 zl PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania cienkich powlok z weglików metali na weglikach spiekanych, polegajacy na wy- 10 grzewaniu w atmosferze gazowej, zawierajacej wo¬ dór, weglowodór i pary halogenku metalu, zna¬ mienny tym, ze wprowadzone w ruch obrotowy wyroby ogrzewa sie indukcyjnie w temperaturze 1000—1350°C, po czym do reaktora wprowadza sie mieszanine gazowa, o temperaturze otoczenia, skla¬ dajaca sie z wodoru, par halogenku metalu oraz weglowodoru lub chlorku wegla, w której nateze¬ nie przeplywu wodoru wynosi 0,1—0,5 mol/min, halogenku metalu 2,5 -10^*—7,5* 10~4 mol/min, we¬ glowodoru 5,5-10"5—l,5«li0-3 mol/min, a chlorku wegla mniej niz 2-10"3 mol/min, przy czyim proces krystalizacji prowadzi przez 5—10 minut. Drukarnia Narodowa Z-6, zam. 348/81 Cena 45 zl PL
PL20295077A 1977-12-13 1977-12-13 Process for preparing thin coatings of metal carbides on sintered carbides PL111552B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20295077A PL111552B1 (en) 1977-12-13 1977-12-13 Process for preparing thin coatings of metal carbides on sintered carbides

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL20295077A PL111552B1 (en) 1977-12-13 1977-12-13 Process for preparing thin coatings of metal carbides on sintered carbides

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL202950A1 PL202950A1 (pl) 1979-07-02
PL111552B1 true PL111552B1 (en) 1980-09-30

Family

ID=19986185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL20295077A PL111552B1 (en) 1977-12-13 1977-12-13 Process for preparing thin coatings of metal carbides on sintered carbides

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL111552B1 (pl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL226326B1 (pl) 2015-01-22 2017-07-31 Zetkama R&D Spółka Akcyjna Zawór zasuwowy klinowy

Also Published As

Publication number Publication date
PL202950A1 (pl) 1979-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4035541A (en) Sintered cemented carbide body coated with three layers
US4239819A (en) Deposition method and products
JPH0424320B2 (pl)
JP6945622B2 (ja) 被覆プロセスおよび被覆された材料
US2718473A (en) Method for flame spraying polyethylene
US10702920B2 (en) Coating of particulate substrates
WO1996041679A1 (en) Treatment of chromium oxide and catalytic manufacture of vinyl fluoride
Schmidt et al. Low temperature diamond growth using fluorinated hydrocarbons
US4376851A (en) Solid polymers of olefins and production of such polymers
PL111552B1 (en) Process for preparing thin coatings of metal carbides on sintered carbides
US3783007A (en) Metal carbonitrile coatings
JPS62146264A (ja) 被覆された成形体の製造法
JPH01230417A (ja) タングステンカーバイトの製造方法
US3658577A (en) Vapor phase deposition of silicide refractory coatings
US5783335A (en) Fluidized bed deposition of diamond
JPS60231494A (ja) ダイヤモンド超微粉の製造法
JPH04507394A (ja) Cvdにより成長した転移金属のカーバイドと窒化物のホイスカー
JP2003112050A (ja) 炭化水素の分解による接触的カーボンナノファイバーの製造方法及びその触媒
JPS5824501B2 (ja) タングステンカ−バイド被膜層の製造方法
DE69012488T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Diamant-Einkristallen durch chemische Dampfabscheidung.
JPH04254585A (ja) タングステンカーバイト膜の形成方法
SU414052A1 (ru) Способ получения металлизированныхалмазов
JPS6121310B2 (pl)
Kwatera et al. Thin Coatings of Titanium Nitride on Multiblade Tips from Cemented Carbides by Means of Chemical Crystallization from Gas Phase
KR100881878B1 (ko) 원료 분무식 고효율 카본 나노 구조물 제조 방법 및 장치