PL111552B1 - Process for preparing thin coatings of metal carbides on sintered carbides - Google Patents
Process for preparing thin coatings of metal carbides on sintered carbides Download PDFInfo
- Publication number
- PL111552B1 PL111552B1 PL20295077A PL20295077A PL111552B1 PL 111552 B1 PL111552 B1 PL 111552B1 PL 20295077 A PL20295077 A PL 20295077A PL 20295077 A PL20295077 A PL 20295077A PL 111552 B1 PL111552 B1 PL 111552B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- hydrogen
- mol
- carbides
- metal halide
- sintered
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 5
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 title 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 19
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims description 8
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- -1 hydrogen hydrocarbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest spos&b wytwarzania powlok z weglików metali na weglikach spieka¬ nych, znajdujacych zastosowanie jako elementy skrawajace do narzedzi, czesci maszyn itp.Znany, z polskiego opisu patentowego nr 67 499, sposób wytwarzania cienkich warstw z weglików metali na weglikach spiekanych polega na tyim, ze wegliki pokrywa sie mieszanina, skladajaca sie z wodoru, weglowodoru i chlorku metalu przez wygrzewanie ich w reaktorze, w temperaturze* po¬ wyzej 950°C. Stosowana mieszanine gazowa przed skierowaniem jej do reaktora poddaje sie wstep¬ nemu ogrzewaniu do tempera/tury 600°C. Niedo¬ godnoscia tego sposobu jest mala wydajnosc pro¬ wadzonego procesu pokrywania, w zwiazku z czym musi byc on dluzej prowadzony. W wyniku wy¬ dluzenia czasu reakcji wystepuje zjawisko rekry¬ stalizacji, wywolujace niekorzystne zmiany, zarów¬ no w pokrywanym wyrobie, jak i w materiale powlokowym, co z kolei wplywa na pogorszenie wlasnosci uzytkowych wyrobów, takich jak wy¬ trzymalosc i odpornosc na scieranie.Celem wynalazku jest usuniecie wymienionych niedogodnosci. Cel ten osiaga sie za pomoca spo¬ sobu, wedlug wynalazku, który polega na tym, ze wprowadzone w ruch obrotowy wyroby z weglika spiekanego, ogrzewa sie indukcyjnie, w temperatu¬ rze 1000—»1350°C. Nastepnie do reaktora wprowa¬ dza sie mieszanine gazowa, o temperaturze otocze¬ nia, skladajaca sie z wodoru, par halogenku me- 2 talu oraz weglowodoru lub chlorku wegla. W sto¬ sowanej mieszaninie gazowej natezenie przeplywu wodoru wynosi 0,1—0,5 mol/min, halogenku metalu 2,5-HM—7,5* 10"4 mol/min, weglowodoru 5,5-lO-5— 5 1,5 'l©-3 mol/min, a chlorku wegla mniej niz 2*10~s mol/min. Proces krystalizacji prowadzi sie przez 5—10 minut.Sposób, wedlug wynalazku, dzieki temu, ze do nanoszenia powloki stosuje sie niepodgrzewany io wczesniej strumien mieszaniny gazowej, powoduje, ze reakcja syntezy zachodzi tylko w poblizu pokry¬ wanych wyrobów, zapewniajac wysoka wydajnosc prowadzonego procesu oraz dobra jakosc powlok.Wytworzone powloki sa gladkie, dobrze przylegaja w do powierzchni wyrobu, odznaczaja sie wysoka trwaloscia i dobrymi wlasnosciami uzytkowymi.Przyklad. Plytki, przeznaczone na ostrze skra¬ wajace, wykonane z weglików tytanu i wolframu oraz z dodatkiem kobaltu, po oczyszczeniu ich za 20 pomoca ultradzwieków umieszcza sie w tulei gra¬ fitowej, ogrzewanej indukcyjnie w reaktorze kwar¬ cowym.Tuleje wprawia sie w ruch obrotowy z szybkoscia 5 obrotów/minute. Z kolei przez reaktor przepusz- 25 cza sie przez okolo 3 minuty azot wolny od tlenu i pary wodnej, a nastepnie wodór wolny od pary wodnej, tlenu, tlenku i dwutlenku wegla, po czym wlacza sie generator indukcyjny. Po ogrzaniu ply¬ tek do temperatury 1170°C do reaktora wprowadza so sie mieszanine gazowa o temperaturze otoczenia, 111 552111 552 skladajaca sie z czystego wodoru, par czterochlorku tytanu i benzenu. W mieszaninie tej natezenie przeplywu wodoru wynosi 0,25 mol/min, cztero¬ chlorku tytanu 2,25*10^* mol/min i benzenu 5,5 '10-5 mol/min.Proces pokrywania prowadzi sie przez okolo 6 minut, po czym do reaktora wprowadza sie czysty wodór, wylacza generator i szybko schladza uklad do temperatury otoczenia.Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania cienkich powlok z weglików metali na weglikach spiekanych, polegajacy na wy- 10 grzewaniu w atmosferze gazowej, zawierajacej wo¬ dór, weglowodór i pary halogenku metalu, zna¬ mienny tym, ze wprowadzone w ruch obrotowy wyroby ogrzewa sie indukcyjnie w temperaturze 1000—1350°C, po czym do reaktora wprowadza sie mieszanine gazowa, o temperaturze otoczenia, skla¬ dajaca sie z wodoru, par halogenku metalu oraz weglowodoru lub chlorku wegla, w której nateze¬ nie przeplywu wodoru wynosi 0,1—0,5 mol/min, halogenku metalu 2,5 -10^*—7,5* 10~4 mol/min, we¬ glowodoru 5,5-10"5—l,5«li0-3 mol/min, a chlorku wegla mniej niz 2-10"3 mol/min, przy czyim proces krystalizacji prowadzi przez 5—10 minut.Drukarnia Narodowa Z-6, zam. 348/81 Cena 45 zl PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania cienkich powlok z weglików metali na weglikach spiekanych, polegajacy na wy- 10 grzewaniu w atmosferze gazowej, zawierajacej wo¬ dór, weglowodór i pary halogenku metalu, zna¬ mienny tym, ze wprowadzone w ruch obrotowy wyroby ogrzewa sie indukcyjnie w temperaturze 1000—1350°C, po czym do reaktora wprowadza sie mieszanine gazowa, o temperaturze otoczenia, skla¬ dajaca sie z wodoru, par halogenku metalu oraz weglowodoru lub chlorku wegla, w której nateze¬ nie przeplywu wodoru wynosi 0,1—0,5 mol/min, halogenku metalu 2,5 -10^*—7,5* 10~4 mol/min, we¬ glowodoru 5,5-10"5—l,5«li0-3 mol/min, a chlorku wegla mniej niz 2-10"3 mol/min, przy czyim proces krystalizacji prowadzi przez 5—10 minut. Drukarnia Narodowa Z-6, zam. 348/81 Cena 45 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL20295077A PL111552B1 (en) | 1977-12-13 | 1977-12-13 | Process for preparing thin coatings of metal carbides on sintered carbides |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL20295077A PL111552B1 (en) | 1977-12-13 | 1977-12-13 | Process for preparing thin coatings of metal carbides on sintered carbides |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL202950A1 PL202950A1 (pl) | 1979-07-02 |
| PL111552B1 true PL111552B1 (en) | 1980-09-30 |
Family
ID=19986185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL20295077A PL111552B1 (en) | 1977-12-13 | 1977-12-13 | Process for preparing thin coatings of metal carbides on sintered carbides |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL111552B1 (pl) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL226326B1 (pl) | 2015-01-22 | 2017-07-31 | Zetkama R&D Spółka Akcyjna | Zawór zasuwowy klinowy |
-
1977
- 1977-12-13 PL PL20295077A patent/PL111552B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL202950A1 (pl) | 1979-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4035541A (en) | Sintered cemented carbide body coated with three layers | |
| US4239819A (en) | Deposition method and products | |
| JPH0424320B2 (pl) | ||
| JP6945622B2 (ja) | 被覆プロセスおよび被覆された材料 | |
| US2718473A (en) | Method for flame spraying polyethylene | |
| US10702920B2 (en) | Coating of particulate substrates | |
| WO1996041679A1 (en) | Treatment of chromium oxide and catalytic manufacture of vinyl fluoride | |
| Schmidt et al. | Low temperature diamond growth using fluorinated hydrocarbons | |
| US4376851A (en) | Solid polymers of olefins and production of such polymers | |
| PL111552B1 (en) | Process for preparing thin coatings of metal carbides on sintered carbides | |
| US3783007A (en) | Metal carbonitrile coatings | |
| JPS62146264A (ja) | 被覆された成形体の製造法 | |
| JPH01230417A (ja) | タングステンカーバイトの製造方法 | |
| US3658577A (en) | Vapor phase deposition of silicide refractory coatings | |
| US5783335A (en) | Fluidized bed deposition of diamond | |
| JPS60231494A (ja) | ダイヤモンド超微粉の製造法 | |
| JPH04507394A (ja) | Cvdにより成長した転移金属のカーバイドと窒化物のホイスカー | |
| JP2003112050A (ja) | 炭化水素の分解による接触的カーボンナノファイバーの製造方法及びその触媒 | |
| JPS5824501B2 (ja) | タングステンカ−バイド被膜層の製造方法 | |
| DE69012488T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Diamant-Einkristallen durch chemische Dampfabscheidung. | |
| JPH04254585A (ja) | タングステンカーバイト膜の形成方法 | |
| SU414052A1 (ru) | Способ получения металлизированныхалмазов | |
| JPS6121310B2 (pl) | ||
| Kwatera et al. | Thin Coatings of Titanium Nitride on Multiblade Tips from Cemented Carbides by Means of Chemical Crystallization from Gas Phase | |
| KR100881878B1 (ko) | 원료 분무식 고효율 카본 나노 구조물 제조 방법 및 장치 |