Przedmiotem wynalazku jest generator impulsów nanosekundowych duzej mocy.W znanych rozwiazaniach generatorów impulsów nanosekundowych duzej mocy jako elementy prze¬ laczajace stosowane sa najczesciej lampy gazowa¬ ne lub szybkie tyrystory. Elementy przelaczajace w stanie wlaczenia umozliwiaja przeplyw pradu z ukladu akumulujacego energie poprzez obciaze¬ nie. Jako elementy akomulujace energie stosowane sa skupione elementy reaktancyjne lub linie dlu¬ gie.W rozwiazaniach tych koniecznym jest stosowa¬ nie poprzedzajacych stopien mocy stopni ksztalto¬ wania wytwarzanego impulsu. Ponadto charaktery¬ zuja sie one duzym poborem mocy ze zródel zasi¬ lania, miska sprawnoscia energetyczna, duzymi wy¬ miarami i znaczna waga, czasami przelaczania rze¬ du kilku nanosekuind ze wzgledu na brak sterowa¬ nych, wysokonapieciowych przyrzadów pólprzewod¬ nikowych o duzej szybkosci przelaczania.Istota wynalazku polega na zastosowaniu jako elementu przelaczajacego tranzystora z przebiciem skosnym bazy i dwu niezaleznych od siebie obwo¬ dów, przy czym jeden jest to obwód jalowy wy¬ muszajacy prad podtrzymujacy tranzystor w sta¬ nie bliskim zwarcia i okreslajacy jednoczesnie czas powtarzania impulsów, drugi zas jest to obwód ksztaltowania impulsów w czasie przebicia tran¬ zystora wytwarzajacy na obciazeniu impuls pradu duzej mocy zblizony do prostokatnego, przy czym 10 15 20 25 30 tranzystor stanowi jednoczesnie element przela¬ czajacy obwodu jalowego i element kluczujacy obwodu ksztaltowania impulsów.Zgodnie z wynalazkiem kolektor tranzystora po¬ laczony jest poprzez rezystor z kondensatorem, który z drugiej strony dolaczony jest do jego bazy zamykajac obwód jalowy, przy czym pomiedzy rezystor kolektorowy a ten kondensator doprowa¬ dzone jest poprzez rezystor napiecie zasilajace, a takze kolektor tranzystora polaczony jest z linia dluga zwarta do masy ukladu, która wraz z tran¬ zystorem i równolegle wlaczonymi pomiedzy jego baza a masa ukladu rezystorami zamyka obwód ksztaltowania impulsów, zas emiter tranzystora po¬ przez rezystor polaczony jest z jego baza.Zaleta rozwiazania jest wykorzystanie tego sa¬ mego elementu czynnego — tranzystora — jako klucza w obwodzie obciazenia i elementu przela¬ czajacego w obwodzie jalowym wyznaczajacym czas powtarzania. Czestotliwosc powtarzania jest zmieniana poprzez regulacje stalego napiecia zasi¬ lania, czemu nie towarzyszy pasozytnicza zmiana amplitudy generowanych impulsów. Uklad charak¬ teryzuje sie duza sprawnoscia energetyczna, bardzo mala waga — rzedu gramów — i bardzo malymi wymiarami — rzedu milimetrów.Ponadto w ukladzie nie wystepuja indukcyjnosoi co czyni go dogodnym dla realizacji w wersji sca¬ lonej. Uklad pozwala wygenerowac impulsy duzej mocy z czasem narastania mniejszym od 10"9 sek. 113 700113 700 3 4 Przedmiot wynalazku uwidoczniony jest w przy¬ kladzie wykonania na rysunku, którego ^fig. 1 przedstawia schemat ideowy ukladu, a fig... 2 — przebiegli czasowe napiec i pradu w wyszczególnio¬ nych punktach ukladu.Uklad zawiera tranzystor T z przebiciem skros- nym bazy B, którego kolektor C poprzez rezystor Re polaczony jest z kondensatorem Ct dolaczo¬ nym z drugiej strony do bazy B zamykajac ob¬ wód jalowy. Pomiedzy rezystor Rc a kondensa¬ tor Ct doprowadzone jest poprzez rezytor Rt na- pdejdie zaisiilaijajce U0. Do kolektora C dolaczona jelst linia dluga LO zwarta do masy ukladu, która wraz z tranzystorem T i wlaczonymi pomiedzy baza B a masa ukladu rezystorami Ri, Rb zamy¬ ka obwód uksztaltowania impusów. Emiter E tranzystora T polaczony jest poprzez rezystor Re z jegK baiza B. Od chwili wlaczania nalptiecia zasi¬ lania U0 napiecia oraz na kondensatorze Ct na¬ rasta wykladniczo od wartosci O V do wartosci Up to jest napiecia przebicia skrosnego bazy B.Jednoczesnie do napiecia Up zostaje naladowana linia dluga LO, poniewaz tranzystor T w czasie ladowania stanowi rozwarcie. W wyniku przebi¬ cia skrosnego bazy B tranzystora T napiecie na zaciskach baza-kolektor spada gwaltownie do ma¬ lej wartosci Ubc min, co powoduje ze w obwodzie zlozonym z pojemnosci Ct, rezystancji Rc i prze¬ bitego tranzystora T — obwód pradu jalowego — plynie prad podtrzymujacy tranzystor T w stanie bliskim zwarcia. Poprzez przebity tranzystor T plynie jednoczesnie prad w obwodzie obciazenia wymuszany przez rozladowujaca sie linie dluga LO. Obwód obciazenia tworza linia dluga LO, przebity tranzystor T i polaczone równolegle re¬ zystancje Rb i Ri. Impuls pradu w obwodzie ob¬ ciazenia plynie przez czas 2r, gdzie t jest czasem opóznienia wnoszonego przez linie dluga LO.Po rozladowaniu sie linii dlugiej LO do napie¬ cia Ubc min a nastepnie kondensatora Ct, przez tranzystor T nie plynie prad, co po usunieciu la¬ dunku z obszaru bazy B umozliwia jej samoczyn¬ ne odtworzenie. Po odtworzeniu sie obszaru bazy B tranzystor T stanowi rozwarcie co umozliwia ponowne ladowanie sie kondensatora Ct od na¬ piecia Ubc min do napiecia Up i powltórzende cyfchi.Zastrzezenia patentowe 1. Generator impulsów nanosekundowych zawie¬ rajacy jako element akumulujacy linie dluga lub skupione elementy rektancyjne, znamienny tym, ze zawiera tranzystor (T) z przebiciem skrosnym bazy i dwa niezalezne od siebie obwody, z któ¬ rych jeden jest to obwód jalowy wymuszajacy prad podtrzymujacy tranzystor (T) w stanie blis¬ kim zwarcia i okreslajacy jednoczesnie czas po¬ wtarzania impulsów, drugi zas jest to obwód ksztaltowania impulsów w czasie przebicia tran¬ zystora (T) wytwarzajacy na obciazeniu impuls pradu duzej mocy zblizony do prostokatnego, przy czym tranzystor (T) stanowi jednoczesnie element przelaczajacy obwodu jalowego i element kluczu¬ jacy obwodu ksztaltowania impulsów. 2. Generator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze kolektor (C) tranzystora (T) polaczony jest po¬ przez rezystor (Rc) z kondensatorem (Ct), który z drugiej strony dolaczony jest do jego bazy (B) zamykajac obwód jalowy, przy czym pomiedzy re¬ zystor kolektorowy (Rc) a ten kondensator (Ct) doprowadzone jest poprzez rezystor (Rt) napiecie zasilajace (U0), a takez kolektor (C) tranzystora (T) polaczony jest z linia dluga (LO) zwarta do masy ukladu, która wraz z tranzystorem (T) i rów¬ nolegle wlaczonymi pomiedzy jego baza (B) a ma¬ sa ukladu rezystorami (Ri, Rb) zamylka obwód ksztaltowania impulsów, zas emiter (E) tranzy¬ stora (T) polaczony jest poprzez rezystor (Re) z jego baza (B). 10 15 30 25 30113 700 h Uo Re DRt \}h T C DRc zS LO Figi Fig.2 t PL