Przedmiotem wynalazku jest uklad sterujacy czuly na temperature, którego dzialanie jest oparte o zmiany wraz z temperatura charakterystyk roboczych zawartych w nim przyrzadów pólprzewodnikowych i który ma zwykle postac monolitycznego ukladu scalonego.Znany jest z opisu patentowego Stanów Zjednoczonych nr 3 809929 uklad sterujacy czuly na tempera¬ ture, w którym potencjal emiter-baza pierwszego tranzystora przystosowanego do dzialania przy okreslonym poziomie pradu kolektora jest dzielony i doprowadzany do drugiego tranzystora, a ich wynikowe prady kolektorów sa nastepnie porównywane w sposób róznicowy przy uzyciu symetrycznego wzmacniacza pradowego, w celu uzyskania pradu wyjsciowego, który wywoluje zmiane polaryzacji przy wyznaczonej temperaturze.Znany jest z opisu patentowego Stanów Zjednoczonych nr 3823 778 uklad sterujacy czuly na tempera¬ ture, w którym potencjal przesuniecia wystepujacy na pierwszym szeregowym polaczeniu n spolaryzowanych w kierunku przewodzenia diod, przystosowanych do dzialania przy okreslonym poziomie pradu, jest doprowadzany do drugiego szeregowego polaczenia zlacza baza-emiter tranzystora i n dalszych, spolaryzo¬ wanych w kierunku przewodzenia diod, przy czym prad kolektora tranzystora jest porównywany w sposób róznicowy z pradem równym lub proporcjonalnym do pradu plynacego przezpierwsze szeregowe polaczenie.Toporównanie jest przeprowadzane przy zuzyciu symetrycznego wzmacniacza pradowego w celu uzyskania pradu wyjsciowego, który zmienia polaryzacje przy wyznaczonej temperaturze.W znanym ukladzie sterujacym czulym na temperature, przedstawionym w opisie patentowym Stanów Zjednoczonych nr 4021 722, czesc potencjalu emiter-baza napiecia odniesienia tranzystora jest doprowa¬ dzana pomiedzy bazy dwóch tranzystorów w konfiguracji pary z dlugimi wyprowadzeniami, przy czym prady kolektorów pary tranzystorów z dlugimi wyprowadzeniami sa porównywane róznicowo przy uzyciu symetrycznego wzmacniacza pradowego, w celu uzyskaniu pradu wyjsciowego, który zmienia polaryzacje przy wyznaczonej temperaturze.W znanych ukladach sterujacych czulych na temperature wystepuje problem polegajacy na tym, ze tranzystor, dostarczajacy prad kolektora jako jeden z porównywanych pradów kolektorów, pracuje przy stosunkowo zmniejszonym pradzie kolektora, co wymaga zastosowania symetrycznego wzmacniacza prado¬ wego, stosowanego do przeprowadzenia porównania, który ma wzmocnienie pradowe równe malej czesci lub duzej wielokrotnosci minus jednosci. Taki symetryczny wzmacniacz pradowy ma sklonnosc do tworzenia nadmiernego obszaru stozkowego w konstrukcji monolitycznego ukladu scalonego. Ponadto równiez przy¬ rostowa zmiana zmniejszonego pradu kolektora wraz z temperatura jest mniejsza niz pozadana i w wyniku tego uklad sterujacy musi pracowacna obciazenie o raczej duzej impendacji w celu zachowania duzej czulosci na zmiany temperatury.2 118194 Uklad wedlug wynalazku zawiera uklad polaryzacji zawierajacy obwód dzielacy potencjal, korzystnie zawierajacy dwa rezystory dolaczone do emitera tranzystora. Punkt polaczenia rezystorówjest dolaczony do bazy pierwszego tranzystora, a punkt polaczenia pierwszego rezystora i emitera tranzystorajest dolaczony do bazy drugiego tranzystora.Uklad polaryzacji zawiera ponadto drugie zródlo pradowe, stanowiace korzystnie generator pradu stalego czy tranzystory czy rezystor, dolaczone do kolektora drugiego tranzystora.W jednym wykonaniu uklad polaryzacji zawiera bezposrednie polaczenie kolektora i emitera drugiego tranzystora ze zródlem o stalym potencjale (+VCC, ziemia), przy czym polaczenie termiczne z pierwszym tranzystorem tworzy obwód ujemnego sprzezenia zwrotnego.W innym wykonaniu uklad polaryzacji zawiera dzielnik potencjalu dolaczony, poprzez tranzystor, do obwodu kolektor-emiter pierwszego tranzystora, którego wyjscia sa dolaczone do zlacza baza-emiter pier¬ wszego tranzystora i do zlacza baza-emiter drugiego tranzystora.Wrednym z wykonan uklad polaryzacji zawiera wzmacniacz symetryczny, którego wejscie jest dola¬ czone przez impedancje, korzystnie rezystor do kolektora pierwszego tranzystora i wyjscie jest dolaczone do kolektora drugiego tranzystora.Zaleta wynalazku jest zapewnienie ukladu sterujacego czulego na temperature o lepszych wlasnosciach dzieki zastosowaniu ukladu polaryzacji do podzialu potencjalu emiter-baza pierwszego tranzystora w stalej proporcji w celu uzyskania potencjalu emiter-baza drugiego tranzystora.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przykladach wykonania na rysunku, na którym fig. I przedstawia zespól charakterystyk tranzystora w funkcji temperatury, ilustrujacy róznice dzialania ukladu sterujacego czulego na temperature wedlug wynalazku i znanego, fig. 2 i 3 — schematy ukladów sterujacych czulych na temperature wedlug wynalazku i dzialajacych w oparciu o porównanie pradu kolektora drugiego tranzystorai pradu stalego zródla dla zapewnienia pradu sterujacego dla kolejnego tranzystora, fig. 4i 5 — schematy ukladów sterujacych czulych na temperature wedlug wynalazku i dzialajacych w oparciu o porównanie napiec dla dostarczania pradu sterujacego do kolejnego ukladu oraz fig. 6 — schemat ukladu sterujacego czulego na temperature wedlug wynalazku, zapewniajacego stabilizacje temperaturowa ukladu.Figura 1 przedstawia zespól liniowych charakterystyk napiecia w funkcji temperatury (niekonieczne w skali)jako krzywe 1,2,3,4,5, dla napiec baza-emiter, czyli Vbe, tranzystorówdzialajacych przy odpowiednio wzrastajacych wartosciach wzmocnienia Ic/K. Tekrzywe sa okreslone przez nastepujace równanie okresla¬ jace dzialanie tranzystora.Ic = KTrexp[-g/ktO^-Ybe)] (1) gdzie: Ic jest pradem kolektora tranzystora, K jest stala zalezna od temperatury, której wartosc zalezy od wspólczynników geometrycznych i ód ustalonych stalych fizycznych, T jest temperatura bezwzgledna, r jest wspólczynnikiem okreslonym przez zaleznosc temperaturowa stalej dyfuzji nosników mniejszosciowych w obszarze bazy tranzystora (równej 1,5 dla tranzystora krzemowego npn i 1,3 dla tranzystorów krzemowych pnp), q jest ladunkiem elektronowym, k jest stala Boltzmanna, VrtoJest ekstrapolowanym napieciem przerwy pasma przy T=0 (które jest równe 1,205 V dla krzemu) i Vbe jest napieciem baza-emiter tranzystora.Równanie (1) jest zapisane dla warunku napiecia Vbe wedlug równania (2) i nastepnie rózniczkowane wedlug równania 3 w celu uzyskania wyrazen opisujacych nachylenia krzywych 1, 2, 3, 4, 5.Vbe + V„o+(kT/q) (lnic — InK —rlnT) (2) «VBE/«T+ (k/q) (lnic — InK — r —rlnT) (3) Wjednym ze znanych rozwiazan ukladu sterujacego czulego na temperature mozna przyjac, ze napiecie Ybe pierwszego tranzystora, uwarunkowane przez bezposrednio dolaczony uklad sprzezenia zwrotnego baza-kolektor, dzialajacy przy stalym pradzie kolektora, Ic moze byc okreslone przez krzywa 4i jest dzielone proporcjonalnie w celu uzyskania potencjalu okreslonego przez krzywa 6, przedstawiona jako przerywana linia. Topodzielone napiecie jest nastepnie doprowadzane jako napiecie V/fo do drugiego tranzystora. Jezeli temperatura T pierwszego tranzystora i drugiego tranzystora wzrasta kolejno do temperatury Ti, Tthri T4, prad Ic drugiego tranzystora kolejno przyjmuje wartosci zwiazane z ich przecieciami z krzywymi 1,2i 3. Prad Ic drugiego tranzystora jest porównywany róznicowo z poziomem pradu, który okresla krzywa 2 w celu dostarczenia pradu sterujacego, który zmienia polaryzacje przy temperaturze progowej Tthr- Wartosc pradu sterujacego jest ograniczona przez stosunkowo mala wartosc wzmocnienia Ic/K okreslona przez krzywa 2118194 3 i dazy do malej wartosci. Ponadto zmiana procentowa amplitudy tego pradu sterujacego porównwsana z pradem kolektora drugiego tranzystora dazy do,malej wartosci, jezeli nachylenia krzywych 2 i 6 nie sa zbyt ostre. Ponadto w znanym ukladzie pierwszy tranzystor jest przeznaczony do dzialania przy pradzie K, który jest dosc duzy, tak ze wzmocnienia Ic/K drugiego tranzystora maleje do zakresu, w którym moga byc uzyskane wlasciwe wartosci pradu sterujacego przy uzyciu tranzystorów, które maja powierzchnie u\star- czajaco mala do scalenia ich w praktyce.Niniejszy wynalazek przezwyciezyl te problemy dzieki sterowaniu pierwszego tranzystora przy stalym pradzie Ic okreslonym przez krzywa 2, dazacym do mniejszej wartosci w praktycznym zakresie dla sterowa¬ nia tranzystora scalonego, nastepnie proporcjonalnemu podzialowi napiecia Vbe pierwszego tranzystora i doprowadzeniu podzielonego napiecia jako napiecie W drugiego tranzystora. Topodzielone napiecie jest pokazane jako odmiennie kreskowana i kropkowana krzywa 7. Wówczas gdy temperatura T tranzystorów wzrasta, prad Ic drugiego tranzystora ukladu wedlug wynalazku przejmuje kolejno wartosci zwiazane zjego przecieciami z krzywymi 5,4i 3odpowiednió przy temperaturach T2, Tthr i Ta. Róznicowe porównanie pradu Ic drugiego tranzystora z poziomem pradu okreslonego przez krzywa 4 zapewnia prad sterujacy, który powoduje zmiane polaryzacji przy temperaturze progowej Tthr.Wartosc tego pradu sterujacego jest ograniczona przez stosunkowo duza wartosc wzmocnienia Ic/K okreslona przez krzywa 4. Ponadto nachylenia krzywych 4 i 7 sa stosunkowo ostre w porównaniu z nachyleniami krzywych 2 i 6. Takwiec procentowa zmiana amplitudy tego pradu w porównaniu z pradem kolektora drugiego tranzystora jest stosunkowo duza w ukladzie wedlug wynalazku.W ukladzie sterujacym czulym na temperature wedlug wynalazku przewodzenie drugiego tranzystora zostaje zmniejszone wraz ze wzrostem temperatury, odmiennie niz w znanym ukladzie. Ma to praktyczne znaczenie w ukladach do regulacji temperatury Ukladu scalonego, na którym jest umieszczony uklad sterujacy czuly na temperature, poniewaz zapobiega to prawdopodobienstwu wystapienia obiegu z rezygna¬ cja ciepla zgodnie z dodatnim cieplnym sprzezeniem zwrotnym spowodowanym przez ogrzanie sie samego drugiego tranzystora.Na figurze 2 pierwszy tranzystor Qi i drugi tranzystor O2 z uziemionymi emiterami sa polaczone termicznie ze soba i tak, by odbierac cieplo z ich otoczenia. Polaczenia termiczne sa oznaczone przez dwustronne, falowane strzalki. Tranzystory Qi i O2 maja prady kolektorów zwiazane stosunkiem n do jednego dla podobnych napiec baza-emiter, co oznaczono przez n i 1 w poblizu odpowiadajacych im emiterów. Stan tranzystora Qi jest okreslony przez bezposrednio dolaczony uklad sprzezenia zwrotnego baza-kolektor w celu przewodzenia w zasadzie calego pradu Ii doprowadzanego do jego kolektora przez generator Si pradu stalego. Uklad sprzezenia zwrotnego zawiera tranzystor Q* w ukladzie wtórnika emitero- wego, w którym kolektor tranzystora Qi jest dolaczony do bazy tranzystora Qa i do zródla V,* potencjalu roboczego, dzieki czemu tranzystor O3 jest wprowadzany w stan normalnej pracy. Uklad sprzezenia zwrotnego zawiera ponadto rezystancyjny dzielnik potencjalu zawierajacy rezystory Ri i R2 o wartosci rezystancji okreslajacej wartosci rezystorów Si i R2 który dzieli potencjal emitera tranzystora Qi w celu uzyskania potencjalu bazy tranzystora Qi, który jest m/m+1 razy wiekszy. Bezposrednio dolaczony uklad sprzezenia zwrotnego baza-kolektor tranzystora Qiumozliwia regulacjejego potencjalu baza-emiter VBEodo wartosci zwiazanej z pradem kolektora w zasadzie równym Ii.W celu uzyskania wartosci potencjalu Vbeq* zwiazanej z pradem Lcq' tranzystora Q1 równym w zasadzie Ii, z rezystancyjnego dzielnika potencjalu zawierajacego rezystory Ri i R2, potencjal emitera tranzystora Qs, który jest dzielony, powinien miec wartosc m+ l/m razy Vmq*. Tenpotencjal (m+1) VtEQi/m jest doprowa¬ dzany do tranzystora O2 jako jego potencjal Vbeq2 baza-emiter.Na figurze 2 generator S2 pradu stalego dostarcza prad I2do wezla Ni z którego wyplywa prad kolektora tranzystora temperaturach wyzszych niz wyznaczona temperatura progowa Tthr przekraczalprad kolektora tranzystora Q2, co zapewnia przeplyw pradu z generatora S2 przez zacisk wyjsciowy Wdo kolejnego obwodu. (Wartosc ri, okreslona w wiekszosci przypadków przez stosunek skutecznej powierzchni zlacza emiter-baza tranzystora Qi do skutecznej powierzchni zlacza emiter-baza tranzystora Qj, które sa zwiazane z pionowa struktura tranzystorów npn, jest korzystnie dobrana jako wieksza niz 1 w celu zmniejszenia do minimum stosunku pradów kolektorów tranzystorów Q\ i Qi). Obwód kolejny wzgledem zacisku wyjsciowego W moze byc na przyklad, jak pokazano, tranzystorem Q4 o przewodnictwie typu podobnego do typu przewodnictwa tranzystorów Qi i O2. Tranzystor Qa jest wlaczony w uklad wzmacniacza o wspólnym emiterze, przy czym jego baza jest dolaczona do zacisku wyjsciowego ukladu sterujacego czulego na temperature ijest spolaryzo¬ wany w celu przewodzenia pradu I2 dostarczanego z generatora S2 pradu stalego, przekraczajacego wyma¬ gany prad kolektora tranzystora Q2. Przy temperaturach nizszych od temperatury Tthr wymagany prad kolektora tranzystora Q2 przekroczy I2, w wyniku czego do tranzystora Q4 nie doplywa zaden prad i nastepuje polaryzacja tranzystora Qa w kierunku zaporowym oraz wprowadzenie tranzystora O2 w stan nasycenia, jezeli nie zapobiegnie sie temu.4 118194 Nasycenie tranzystora Q2Jest korzystne w pewnych zastosowaniach,jezeli jego wymagany prad nie musi byc wyrównany przez prad dostarczany ze zródla az do chwili osiagniecia stanu progowego. W tym czasie zostanie on wyprowadzony z nasycenia, co powoduje wystapienie zjawiska podzialu napiec baza-emiter tranzystorów Qi i Q2 w sposób bardziej przewidywany i umozliwiajacy dokladne obliczenia dla powierzchni roboczej, co ma podstawowe znaczenie. Nasyceniu tranzystora Qi w sposób bardziej przewidywany i umozliwiajacy dokladne obliczenia dla powierzchni roboczej, co ma podstawowej znaczenie. Nasyceniu tranzystora wiadomo, zapobiec przez uklad obcinajacy,jezeli jest to wymagane. Przykladowy uklad obcinajacy zawiera zlacze pólprzewodnikowe, którego katoda jest dolaczona do wezla Ni i anoda jest dolaczona do potencjalu okolo 3Vac/2 bardziej dodatniego niz potencjal masy odniesienia, gdzie VAcjest napieciem anoda-katoda zlacza pólprzwodnikowego spolaryzowanego w kierunku przewodzenia.Figura 3 przedstawia uklad, w którym mozna uzyskac prady Ii i I2. Symetryczny wzmacniacz pradowy CMA zawiera tranzystory Q* i Q? i ma wzmocnienie pradowe -p pomiedzy jego zaciskiem wejsciowym Ti i zaciskiem wyjsciowym T2. Wzmacniacz CMA jest symetrycznym wzmacniaczem pradowym takiego typu, który ma obwód wejsciowy pomiedzy wspólnym zaciskiem dolaczonym do +Vcc i zaciskiem wejsciowym Ti, który to obwód wejsciowy utrzymuje w zasadzie staly potencjal przesuniecia w zakresie pradów wejsciowych.W okreslonym typie wzmacniacza CMA, który jest pokazany, ten potencjal przesuniecia jest potencjalem przesuniecia V»EQfc baza-emiter spolaryzowanego tranzystora Q« dolaczonego do zlacza baza-emiter tranzy¬ stora Q?, którego baza, emiteri kolektorsa dolaczone do zacisków wzmacniacza CMA, odpowiednio zacisku wejsciowego, wspólnego i wyjsciowego.Uklad sprzezenia zwrotnego baza-kolektor tranzystora Q\ utrzymuje potencjal (m+1) VBEQVm na emiterze tranzystora Q* i ten uklad sprzezenia zwrotnego utrzymuje równiez potencjal bazy tranzystora Q3 jako bardziej dodatni niz potencjal j^go emitera o potencjal przesuniecia Vbeq3 baza-emiter tranzystora Qs.Napiecie na rezystorze R3 jest równe: (+Vcc — Vblq6 — Vbeq3 — [(m+1) VBEQi/m]j (4) i prad Ii w rezystorze R3 moze byc obliczony bezposrednio z prawa Ohma. Prad 12bedzie p razy wiekszy od pradu Ii skutkiem tego, ze wzmacniacz CMA ma wzmocnienie pradowe -p. W prostym ukladzie symetry¬ cznego wzmacniacza pradowego CMA, pokazanego na fig., 2, wzmocnienie pradowe jest bliskie takiemu, poniewaz charakterystyki pradu kolektora w funkcji napiecia emiter-baza tranzystorów Q? i Qó sa w stosunku p do jednego. Stosunek ten jest osiagany w konstrukcji monolitycznej przy zastosowaniu zlacz spolaryzowanych w kierunku zaporowym w celu izolacji elementów w wyniku podzialu obszarów kolektoro¬ wych tranzystorów Q? i Qó w stosunku p do jednego dla oddzialywania na ich poszczególne skutecznosci gromadzenia, poniewaz tranzystory Qi i Q* typu pnp sa zwykle skonstruowane przy uzyciu poprzecznych struktur.Figura 3 przedstawia odwrócenie pradu z zacisku wyjsciowego W, wyczuwanego przez tranzystor pnp Q5 zamiast przez tranzystor npn Q+ Jest to korzystne do przeprowadzenia w pewnych zastosowaniach, poniewaz zlacze emiter-baza tranzystora Qs, spolaryzowane w kierunku przewodzenia, obcina napiecia na zacisku wyjsciowym do wartosci napiecia +VCc przesuniecia zlacza, zapobiegajacego nasyceniu tranzystora Q2 tak, ze zjawisko podzialu potencjalu emiter-baza taranzystorów Qi i Q2moze byc przewidziane w sposób bardziej pewny. Nasycenie tranzystora Qi gdy prad kolektora tranzystora Qi, nie stanowi zadnego majacego znaczenie problemu podczas pracy. Urzadzenie jest dogodne równiez wtedy, gdy nastepny stopien (zawierajacy tranzystor Qs) musi przewodzic znaczne prady i w zwiazku z tym przyczynia sie do ogrzania sie samego ukladu scalonego, jezeli polaczenie termiczne jest tego rodzaju, który zapobiega problemom zwiazanym z cykliczna praca termiczna. Tranzystor Q$ moze byc w wielu praktycznych wykonaniach ukladów zastapiony przez kaskadowe polaczenie tranzystorów Darlingtona.Figura 4 przedstawia, jak uklad z fig. 2 moze byc zmodyfikowany w celu wykorzystania techniki wyczuwania napiecia dla okreslania, kiedy prad kolektora tranzystora Q2jest wiekszy niz prad tranzystora Qi o dany wspólczynnik. Rezystor R4jest wlaczony pomiedzy +VCc i baze tranzystora O3, przy czym na tej bazie wystepuje potencjal {VBEq3+ [(m+1) V4iiEQl/m]}. Prad 11 w rezystorze R4 moze byc obliczony z prawa Ohma w wyniku podzielenia potencjalu {+Vcc — Vbeq3 — [(m+1 )VBEQVm]} na rezystorze R4przez rezystan¬ cje R4. Rezystor R5 majacy rezystancje mniejsza niz rezystancja R4 przez wspólczynnik p, laczy kolektor tranzystora O2 z + VCc i wówczas, gdy prad kolektora tranzystora kolektora tranzystora Qi, spadek potencjalu na rezystorze Rj przekroczy spadek potencjalu na rezystorze R4.Potencjal wystepujacy na zacisku wyjsciowym W jest doprowadzany do bazy tranzystora Qt wtórnika emiterowego, przy czym jest on zmniejszony opotencjal przesuniecia Vuqszlacza, który kompensuje spadek potencjalu Vbeq3 pomiedzy baza i emiterem tranzystora Qs. Zmniejszony potencjal wyjsciowy jest nastepnie118194 5 dzielony przez m w rezystancyjnym dzielniku potencjalu, zawierajacym rezystory R6i R?w celu dostarczania potencjalu baza-emiter Vbeq9 do tranzystora Q*. Przy temperaturach wyzszych niz Tthr, gdy spadek potencjalu na rezystorze Rsjest mniejszy niz spadek potencjalu na rezystorze R4, tranzystor Q*jest spolaryzo¬ wany w kierunku przewodzenia w celu wymuszenia pradu kolektora. Przy temperaturach nizszych niz Tmit, tranzystor Qc nie przewodzi i nie wymusza pradu kolektora.W innym przypadkuJak pokazano na fig. 5, wzgledne wartosci spadku napiecia na rezystorach R4i Rs moga byc porównane przy uzyciu wzmacniacza DIA o róznicowym wejsciu. Wzmacniacz DIAjest pokazany jako zawierajacy tranzystory pnp Qio i Qu polaczone w ukladzie pary z dlugimi wyprowadzeniami z generatorem S3 pradu stalego, dostarczajacym prad do wzajemnego polaczenia ich emiterów.Na figurze 6 zalozono, ze wszystkie elementy sa umieszczone w tej samej strukturze monolitycznego ukladu scalonego i reaguja na temperature innych elementów, które sa umieszczone w strukturze monolity¬ cznego ukladu scalonego dla dostarczania regulowanej ilosci ciepla w celu zmniejszenia zmian temperatury tych innych elementów. Obwód emiter-kolektor tranzystora Qi jest dolaczony do zródla +VCc w celu zapewnienia podstawowych srodków dla dostarczania ciepla do innych elementów.Jest to oznaczone na fig. 6 za pomoca falowanych strzalek reprezentujacych polaczenia termiczne tranzystora O2 z tymi innymi elementami.Na figurze 6 tranzystor Qi2 wtórnika emiterowego zabezpiecza emiter tranzystora Qj przed znacznym pradem bazy, który moze byc oczekiwany z tranzystora Qj. Potencjal przesuniecia VBEqu baza-emiter tranzystora Q12jest kompensowany przez spolaryzowany tranzystor Quzwiekszajacypotencjal, z którym sa zwiazane potencjaly emiterów tranzystorów Qi i Q* TranzystorQujest glównym tranzystorem w ukladzie symetrycznego wzmacniacza pradowego wraz z dodatkowym tranzystorem Qi* którego charakterystyki pradu kolektora w funkcji napiecia baza-emiter sa podobniejak dla tranzystora Q12 w stosunku l/Twzgledem charakterystyk tranzystora Q1j. Stosunek S/fjest dobranyjako dosc duzy tak, ze prad kolektora wymuszany przez tranzystor Qu jest kilka razy wiekszy nil prad bazy wymuszany przez tranzystor Qj. Prad kolektora wymuszany przez tranzystor Qi jest kilka razy wiekszy niz prad bazy wymuszany przez tranzystor Q* Prad kolektora wymuszany przez tranzystor Qujest doprowadzany przez polaczenie kolektora tranzystora Quz emiterem tranzystora Qi* w wyniku czego nastepuje polaryzacja w kierunku przewodzenia zlacza baza- emiter tranzstora Ondo wartosci VBeqi3 w zasadzie równej potencjalowi baza-emiter ViE Kazdy fachowiec w dziedzinie projektowania ukladów elektronicznych bedzie w stanie na podstawie powyzszego ujawnienia zaprojektowac uklady w wielu odmianach (np. zastapienie prostych tranzystorów przez przyrzady o zlozonej strukturze) i zakres nastepujacych zastrzezen jest zredagowany zgodnie z powyzszym.Zastrzezenia patentowe 1. Uklad sterujacy czuly na temperature, zawierajacy pierwszy i drugi, polaczone termicznie tranzystory bipolarne, przy czym kolektor pierwszego tranzystora jest dolaczony do wyjscia' pierwszego generatora pradu i uklad polaryzacji czuly na potencjal kolektora pierwszego tranzystora dla dostarczania potencjalów róznicowych do zlacz baza-emiter pierwszego i drugiego tranzystora, znamienny tym, ze uklad polaryzacji zawiera obwód dzielacy potencjal, korzystnie zawierajacy rezystory (Ri, R2) jest dolaczony do bazy pier¬ wszego tranzystora (Ql) a punkt polaczenia rezystora (Ri) i emitera tranzystora (Q3)jest dolaczony do bazy drugiego tranzystora (Q2). 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze uklad polaryzacji zawiera ponadto drugie zródlo pradowe stanowiace korzystnie generator (S2) pradu stalego, czy tranzystory (Qi, Q7)czy rezystor (Rs), dolaczone do kolektora drugiego tranzystora (Qi). 3. Uklad wedlug zastrz. 1, wicwny tym, ze uklad polaryzacji zawiera bezposrednie polaczenie kolektora i emitera drugiego tranzystora (Q2) ze zródlem ostalym potencjale przy czym polaczenie termiczne z pierwszym tranzystorem (Ql) tworzy obwód ujemnego sprzezenia zwrotnego. 4. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze uklad polaryzacji zawiera dzielnik potencjalu (Ri, R2) dolaczony, poprzez tranzystor (Q3), do obwodu kolektor-emiter tranzystora (Ql), którego wyjscia sa dolaczone do zlacza baza-emiter pierwszego tranzystora (Ql) i do zlacza baza-emiter drugiego tranzystora (Q2). 5. Uklad wedlug zastrz. 2, znamienny tym, ze uklad polaryzacji zawiera wzmacniacz symetryczny (CMA), którego wejscie jest dolaczone przez impedancje, korzystnie rezystor (R3), do kolektora pierwszego tranzystora (Ql) i wyjscie jest dolaczone do kolektora drugiego tranzystora (Q2).118 194 V Fig. I $ S241t T UDU /70. tV, 'CC ., I . CMA 1 iJ 1 ^\Tr p Fig. 3 t l V P1! +IW % /7?.4118 194 40 ¦ ~v T S Fig.6 Pracownia Poligraficzna UP PRL. Naklad 120 cgz.Cena 10G zl PL PL PL PL PL PL PL