Przedmiotem wynalazku jest mikrofalowy sy¬ metryzator, zwlaszcza dla mieszaczy i modulato¬ rów na prowadnicach fal TEM w realizacji mikro- lmiowej.Symetryzator jest to uklad elektryczny przeno¬ szacy moc sygnalu mikrofalowego z niesymetrycz¬ nego wejscia na symetryczne wyjscie z minimal¬ nymi stratami, przy czym pozadane jest najszersze pasmo przenoszenia oraz szeroki zakres mozliwych do osiagniecia transformacji impedancji. Symetry¬ zator moze byc stosowany nie tylko dla obciazenia symetrycznego lecz dla symetrycznej pary nie¬ symetrycznych wyjsc, na których sygnaly maja amplitudy równe a fazy przeciwne.Symetryzator jest podzespolem stanowiacym in¬ tegralna czesc mikrofalowych ukladów zrównowa¬ zonych takich jak mieszacze, modulatory, tlumiki, przelaczniki i inne, albo podzespolem samodziel¬ nym dostarczajacym moc sygnalu mikrofalowego do symetrycznych obciazen lub wejsc czy wyjsc ukladów symetrycznych. Wymienione typy ukla¬ dów sa bardzo czesto wytwarzane przy uzyciu pro¬ wadnic mikroliniowych, które pozwalaja na ich in¬ tegracje w postaci scalonych ukladów hybrydo¬ wych badz monolitycznych. Jest to konsekwencja tej cechy prowadnicy mikroliniowej, która polega na skupianiu pola fali elektromagentycznej pod powierzchnia paska przy znacznym skróceniu dlu¬ gosci fali w podlozu dielektrycznym i zachowaniu planarnosci struktury z latwym dostepem do 10 19 20 26 30 "wierzchniej strony ukladu dla hybrydowego do¬ laczania elementów, podczas gdy strona spodnia jest przytwierdzona w calosci do masy. Dlatego pozadane jest mozliwe najscislejsze spelnianie po¬ stulatu mikroliniowego charakteru uzytych pro¬ wadnic falowych.Sposród stosowanych dotad symetryzatorów na¬ lezy wyróznic dwa, z których jeden jest ogólnie znanym symetryzatorem Marchanda, a drugi syme- tryzatorem Mauwa wg opisu patentowego Stan.Zjedn. Am. 3818385.Symetryzator Marchanda sklada sie z dwóch sek¬ cji. Kazda sekcje stanowia dwie linie wspólosiowe, z których jedna umieszczona jest wspólosiowo W drugiej. Obie sekcje polaczone sa ze soba przewod¬ nikami zewnetrznymi linii zewnetrznych. Linie we¬ wnetrzne stanowia dwa cwiercfalowe odcinki li¬ nii wspólosiowych, przy czym ich przewody we¬ wnetrzne polaczone ze soba w srodku symetryza- tora, lacza sie jednym z kranców wejsciowa linia wspólosiowa, podczas gdy drugi kraniec pozostaje rozwarty. Wewnetrzne krance przewodników ze¬ wnetrznych tych linii dolaczone sa do symetrycznej linii wyjsciowej prowadzacej do symetrycznego obciazenia na zewnatrz ukladu, przy czym ich krance zewnetrzne sa zwarte do masy. Symetryza¬ tor Marchanda doskonale spelnia wymogi funkcjo¬ nalne zarówno co do szerokopasmowosci jak i' transformacji impedancji.Jego pasmo przenoszenia mo?e przekraczac nawet 141094141094 i trzy oktawy przy obciazeniach wybranych z za¬ kresu od 50 do 200 Q. Jest to jeden z najstarszych ukladów mikrofalowych tego typu stosowany dotad i stale udoskonalany. Stosuje sie go szeroko do pobudzania szerokopasmowych anten symetrycz- 5 nych. Nie znajduje on jednak zastosowania w ukla¬ dach zrównowazonych wymienionych uprzednio ze wzgledu na swa wspólosiowa strukture i znaczne rozmiary, zwlaszcza dla przekroju poprzecznego. Je¬ go stosowanie zmusza do przyjecia wspólosiowych prowadnic dla realizacji ukladów bezposrednio z nim wspólpracujacych, co nie zawsze jest mozliwe, a z pewnoscia sprzeczne z wymogiem integracji sy¬ stemów.Symetryzator Mouwa udoskonalony przez HalL- forda, a opisany w artykule „A Designer's Guide to Planar Mixer Baluns" zamieszczonym w Micro- waves, Defc. 1979, na str. 52—57, jest konstrukcja stosunkowo niedawna. Sklada sie on z trzech pro¬ wadnic paskowych, z których jedna wejsciowa, wy¬ tworzona jest na wierzchniej stronie podloza die¬ lektrycznego, a dwie pozostalej wyjsciowe umiesz¬ czone pod nia wytworzone sa na spodniej stronie podloza. Krance zewnetrzne prowadnic wyjsciowych zwarte sa do masy, która stanowi spójny obszar metalizacji spodniej strony podloza. Symetryzator Mouwa znajduje szersze niz symetryzator Mar¬ chanda zastosowanie w ukladach zrównowazonych.Czesciowo spelnia on tez wymóg planarnosci przez co jest bliski zastosowaniom mikroliniowym. Jego wlasnosci szerokopasmowe i transformacyjne nie dorównuja wprawdzie wlasnosciom symetryzatora Marchanda lecz sa wystarczajace dla potrzeb kon¬ struowania ukladów o pasmie przekraczajacym jed¬ na oktawe. Wada jego jorst jednak koniecznosc wytwarzania prowadnic falowych po obu stronach podloza dielektrycznego przez co uklad nie moze byc jednostronnie przytwierdzony do masy. Ponie¬ waz symetryzator Mouwa ma ograniczona mozli¬ wosci doboru wymiarów przekroju poprzecznego, a co za tym idzie i osiagania pozadanych parametrów, to znajduje on zastosowanie tylko dla niewielu wybranych typów ukladów zrównowazonych.Posród innych nfe wymienionych powyzej przy¬ kladów jest tez sprzegacz pierscieniowy zwany hybrydem 180°, który spelnia postulat zarówno mikroliniowosci jak i .równego podzialu mocy sy¬ gnalu na dwa wyjscia w fazach przeciwnych lecz jego szerokopasmowosc siega zaledwie 20—30&/o czestotliwosci srodkowej pasma, mozliwosci sze¬ rokiego dopasowywania sie do impedancji obciaze¬ nia sa niewielkie. Ponadto ma on wade niekorzyst¬ nego usytuowania wyjsc, która utrudnia wykorzy¬ stanie go dla obciazenia symetrycznego, a zastoso^ wania zasadniczo ograniczaja sie do symetrycznej pary niesymetrycznych wyjsc.Omówione przyklady nie wyczerpuja istnieja¬ cych typów realizacji symetryzatorów, lecz wyka¬ zuja ujawniona juz. tendencje do znacznego róz- 4nicowania uzytych prowadnic od typu mikrolinio- wego. np. nie tylko przez stosowanie linii wspól¬ osiowych lecz i prowadnic koplanarnych, badz za¬ wieszonych, badz szczelinowych, badz typu finline.Realizacje ukladów symetrycznych w tych techni¬ kach sa liczne lecz wymagaja wytwarzania ukladu badz po obydwu stronach podloza, badz tez pó jednej, ale zawsze charakteryzuja sie niemozli¬ woscia jednostronnego przytwierdzenia ukladu da masy, bowiem obszar poza podlozem dielektrycz¬ nym, po obu jego stronach a ograniczony obudowa, stanowi integralna czesc prowadnicy falowej.Uklady takie maja duze znaczenie praktyczne dla konstrukcji laczonych z technika falowodowa, lecz nie nadaja sie do integracji.Symetryzator mikrofalowy wedlug wynalazku ' sklada sie z dwóch reaktancyjnych sekcji drugiego rzedu o dlugosciach elektrycznych równych okolo cwierc dlugosci fali sygnalu wielkiej czestotliwos¬ ci. Kazda sekcja zawiera dwie mikroliniowo-po- dobne prowadnice falowe o strukturze niesyme¬ trycznych linii paskowych, umieszczone w taki sposób nad elektryczna masa stanowiaca spodnia metalizacje warstwowego podloza dolnego, ze jedna z prowadnic znajduje sie na wierzchniej stronie "podloza dolnego, a druga prowadnica umieszczona nad nia, jest oddzielona od niej materialem war¬ stwowego podloza górnego i znajduje sie na wierzchniej stronie podloza górnego.Para prowadnic, po jednej dowolnej z kazdej sekcji, stanowiaca pare prowadnic \ wejsciowych jest ze soba polaczona dwoma krancami, a jeden z jej dwóch pozostalych kranców jest dolaczony do wejscia, podczas gdy drugi jest dla sygnalu wiel¬ kiej czestotliwosci badz rozwarty, badz zwarty do masy, badz obciazony arbitralnym obciazeniem.Druga para pozostalych prowadnic stanowiaca pare prowadnic wyjsciowych, tworzy swoimi dwo¬ ma dowolnymi krancami, po jednej z kazdej sekcji, pare zacisków wyjsciowych, podczas gdy kazdy z pozostalych kranców pary prowadnic wyjsciowych jest dla sygnalu wielkiej czestotliwosci badz roz¬ warty, badz zwarty do masy, badz obciazony ar¬ bitralnym obciazeniem. Konfiguracja wszystkich wzajemnych polaczen kranców wszystkich pro¬ wadnic, jak tez ich rozwarc, zwarc do masy dla sygnalu wielkiej czestotliwosci i arbitralnych ob¬ ciazen, zalezna jest od obranej konfiguracji zacis¬ ków wyjsciowych oraz od obranego typu amplitu- dowo-fazowej funkcji transmisyjno-odbiciowej sy- metryzacji, stosownie do wymagan konstrukcyj¬ nych ukladu mieiszacza lub modulatora, w którym uzyto symetryzator.Wymiary przekroju poprzecznego w ogólnosci rózne dla kazdej sekcji i rózne dla poszczegól¬ nych odcinków w kazdej sekcji oraz stale materia¬ lowe uzytych materialów maja wartosci zalezne od wymaganej szerokopasmowosci parametrów trans- misyjno-odbiciowych symetryzatora i wymaganych impedancji wejsciowej i wyjsciowej.Zaciski symetrycznego wyjscia w symetryzatorze obciazone sa symetrycznym obciazeniem dolaczo¬ nym badz bezposrednio, badz za posrednictwem li¬ nii symetrycznej, korzystnie najkrótszej. Ewen¬ tualnie zaciski symetrycznego wyjscia obciazone sa para obciazen niesymetrycznych dolaczonych badz bezposrednio, badz za posrednictwem prowad¬ nic falowych niesymetrycznych, korzystnie naj¬ krótszych.W jeszcze innym rozwiazaniu zaciski symetrycz¬ nego wyjscia obciazone sa elementami badz zespo- 15 20 25 30 35 40 45 90 55 60141094 lami elementów sterowanych elektronicznie, do¬ laczonymi badz bezposrednio, badz za posred¬ nictwem prowadnic falowych, korzystnie najkrót¬ szych. Natomiast w monolitycznej realizacji tego rozwiazania co najmniej czesc odcinka dowolnych * z prowadnic w symetryzatorze ma postac badz skupionych, badz liniowo rozlozonych zlacz pól¬ przewodnikowych.Arbitralne obciazenia w symetryzatorze wedlug wynalazku sa badz elementami sterowanymi elek- !0 tronicznie, badz niesymetrycznymi wyjsciami lub wejsciami dodatkowymi dolaczonymi bezposrednio lub za posrednictwem prowadnic falowych.Zaciski symetrycznego wyjscia symetryzatora ewentualnie obciazone sa symetrycznym wyjsciem is innego symetryzatora. Obciazenie to jest dolaczone bezposrednio, badz za posrednictwem elementów sterowanych elektronicznie i/lub za posrednictwem prowadnic falowych, korzystnie najkrótszych, two¬ rzac w ten sposób uklady o strukturze szeregowefj, 20 krzyzowej lub pierscieniowej.Symetryzator wedlug wynalazku wykazuje sze¬ reg zalet. Mianowicie, spelnia scisle postulat pla¬ narnej struktury mikroliniowej. Spelnia wymaga¬ nia szerokopasmowej transmisji az do trzech ok- 25 taw wlacznie, przy szerokim zakresie transfor¬ macji impedancji. Ponadto ma on topologicznie korzystnej usytuowanie zacisków wyjsciowych, *przez co umozliwia proste zastosowania zarówno dla skupionego obciazenia symetrycznego jak tez 30 dla symetrycznej pary niesymetrycznych wyjsc.Umozliwia tez realizacje alternatywna przez za¬ miane punktów zwartych do masy na rozwarte, a rozwartych na zwarte, co ma znaczenie dla wspól¬ pracy z róznymi ukladami aplikacyjnymi. Ma 35 zwarta budowe geometryczna, przez co minimali¬ zuje wartosci reaktancyjnych elementów pasozyt¬ niczych.Konstrukcja symetryzatora jest szczególnie do¬ godna dla wytwarzania zarówno przy uzyciu tech- 40 nologii cienkowarstwowej jak i monolitycznej, a ponadto ma relatywnie niewielkie rozmiary i zaj¬ muje mala powierzchnie, przez co stwarza nowe perspektywy dla integracji zlozonych symetrycz¬ nych ukladów mikrofalowych, zwlaszcza mieszaczy 45 i modulatorów.Przedmiot wynalazku w przykladzie wykonania jest uwidoczniony na rysunku, którego fig. 1 przedstawia budowe symetryzatora, a fig. 2, 3, 4, 5, 6 i 7 przedstawiaja jego wykonania alternatyw- 50 ne, przy czym uwidoczniono jedynie prowadnice stosujac oznaczenie L dla prowadnic na podlozu dolnym, a oznaczenie U dla prowadnic na podlozu górnym.Symeryzator sklada sie z dwóch reaktancyjnych M sekcji drugiego rzedu I i n o dlugosciach. elek- rycznych równych okolo cwierc dlugosci fali syg¬ nalu wielkiej czestotliwosci. Kazda sekcja I, II za¬ wiera dwie mikroliniowo-podobne prowadnice falo¬ we dolna Li górna U, z których jedna dolna L w umieszczona jest w wierzchniej stronie metalizo¬ wanego od spodu warstwowego podloza dolnego P. Druga prowadnica falowa górna U, umieszczona nad pierwsza oddzielana jest od niej materialem warstwowego podloza górnego N. Para prowadnic « po jednej dowolnej z kazdej sekcji, stanowi pare wejsciowa.Przykladowo jest to para prowadnic dolnych Ll, LII umieszczonych na wierzchniej stronie podloza - dolnego* P. Prowadnice stanowiace pare wejsciowa polaczone sa ze soba bezposrednio naprzeciwleg¬ lymi krancami wewnetrznymi. Kraniec zewnetrzny jednej z tych prowadnic iX dolaczony jest do wejs¬ cia WE za posrednictwem prowadnicy E o impe¬ dancji charakterystycznej Z0, podczas gdy drugi kraniec Y jest rozwarty. Para pozostalych prowad¬ nic Ul, Uli stanowiaca pare wyjsciowa, tworzy swoimi naprzeciwleglymi krancami wewnetrznymi zaciski symetrycznego wyjscia WY.Symetryzator jest wykonywany alternatywnie w zaleznosci od wybranego sposobu zamkniecia kran¬ ców S, S pary prowadnic wyjsciowych i kranca Y pary prowadnic wejsciowych, przy czym sa to na ogól zamkniecia fazowo przeciwne jak np. zwar¬ cie i rozwarcie. Przykladowo jak na fig. 1 ze¬ wnetrzne krance S, S pary prowadnic wyjsciowych sa zarówno dla pradu stalego jak i dla sygnalu wielkiej czestotliwosci bezposrednio zwarte do ma¬ sy podczas gdy kraniec Y pary prowadnic wejs¬ ciowych przeciwlegly do wejscia WE jest rozwarty.W innym przykladzie jak na fig. 2 zewnetrzne krance S, S pary prowadnic wyjsciowych sa zwar¬ te do masy tylko dla sygnalu wielkiej czestotliwos¬ ci za posrednictwem cwiercfalowych odcinków pro¬ wadnic rozwartych na koncu w punktach O, O.W jeszcze innym przykladzie jak na fig. 3 ze¬ wnetrzne krance S, S pary prowadnic wyjsciowych sa zwarte do masy dla sygnalu wielkiej czestotli¬ wosci za posrednictwem wystarczajaco duzych po¬ jemnosci C, C. W omówionych wyzej przykladach kraniec Y pary prowadnic wejsciowych, przeciw¬ legly do kranca X polaczonego z wejsciem WE, jest dla sygnalu wielkiej czestotliwosci rozwarty.Przyklad wykonania symetryzatora na fig. 4 przedstawia uklad z para prowadnic wejsciowych zwarta do masy w punkcie Y i rozwartymi kranca¬ mi zewnetrznymi S, S pary prowadnic wyjscio¬ wych. We wszystkich przykladach symetryzator jest obciazony obciazeniem o impedancji RL badz w postaci skupionego obciazenia symetrycznego, 'badz w postaci pary obciazen niesymetrycznych o impedancjach Rl/2.Przyklad wykorzystania symetryzatora do budo¬ wy mieszacza podwójnie zrównowazonego przed¬ stawia fig. 5. Mieszacz ten sklada sie z dwóch symetryzatorów polaczonych ze soba parami zacis¬ ków symetrycznych wyjsc TT, TT i T, T za po¬ srednictwem pierscienia czterech diod mieszajacych D w taki sposób, ze kazdy z symetryzatorów Jest dolaczony do innej z dwóch przekatnych pierscie¬ nia diod. Jeden z symetryzatorów sluzy do dostar¬ czania mocy sygnalu z niesymetrycznego wejscia WES do diod w pierscieniu, a drugi do dostarcza¬ nia mocy heterodyny z niesymetrycznego wejscia WEH. Krance par prowadnic wejsciowych YY i Y symetryzatorów, przeciwlegle do wejsc, sa wzgle¬ dem masy rozwarte.Krance zewnetrzne par prowadnic wyjsciowych "obu symetryzatorów sa natomiast dla sygnalu wiel¬ kiej czestotliwosci zwarte do masy, przy czym dla141094 8 jednego z nich krance SS, SS sa zwarte galwanicz¬ nie, a dla drugiego krance S, S sa zwarte za po¬ srednictwem badz dostatecznie duzych pojemnosci ,C, C, badz cwiercfalowych odcinków prowadnic falowych rozwartych na krancach O, O, a to ce- 5 lem odprowadzenia wytworzonego w diodach pro- , duktu przemiany do symetrycznego wyjscia cze¬ stotliwosci posredniej IF, IF. Wyjscie czestotliwosci posredniej dolaczone jest do zacisków T, T syme^ tryzatora sygnalowego za posrednictwem indukcyj- 10 nosci szeregowych, które razem z pojemnosciami C, C lub cwiercfalowymi odcinkami rozwartych prowadnic stanowia fjjtry dolnoprzepustowe LP, LP. Filtry te decyduja o mozliwym do osiagniecia pasmie czestotliwosci posredniej. 15 Ograniczenie to jest znacznie slabsze dla przy¬ kladu mieszacza na fig. 6. Mieszacz ten rózni sie tym od poprzedniego, ze w symetryzatorze syg¬ nalowym wszystkie zwarcia zastapiono rozwarcia¬ mi i tak kraniec Y pary prowadnic wejsciowych 20 przeciwlegly do wejscia WES jest galwanicznie zwarty do masy, a krance S, S pary prowadnic wyjsciowych sa wzgledem masy rozwarte Uzyty w tym mieszaczu filtr dolnoprzepustowy LP moze miec pasmo szersze niz w mieszaczu poprzednim. 25 Ponadto mieszacz ten czyni zadosc stawianemu nie¬ kiedy wymaganiu by ewentualne sygnaly zaklóca¬ jace w pasmie sygnalu czestotliwosci posredniej byly na sygnalowym wejsciu mieszacza zwierane domasy. 90 Przedstawione przyklady nie wyczerpuja korzy¬ stnych mozliwosci tworzenia innych ukladów mie- szaczy przy uzyciu symetryzatofa wedlug wynalaz¬ ku lecz uwidaczniaja jego elastycznosc aplikacyjna wynikajaca zarówno z jego cech topologicznych jak 35 i wykonan wzajemnie komplementarnych. Dziala¬ nie symetryzatora polega na dostarczaniu pelnej mocy sygnalu wielkiej czestotliwosci przenoszonej i niesymetrycznego wejscia o impedancji wejsciowej Z0 na symetryczne wyjscie o impedancji wyjscio- 40 wej bliskiej RL lub na pare niesymetrycznych wyjsc o impedancjach wyjsciowych i bliskich Rl/2 z równymi amplitudami a przeciwnymi faza¬ mi, przy mozliwie szerokim pasmie przenoszenia i mozliwie najlepszym dopasowaniu wrót wejscio- 45 wych i wyjsciowych.Przykladowo symetryzator wytwarzany jest przy uzyciu technologii cienkowarstwowej wlasciwej dla mikrofalowych ukladów scalonych na podlozu P z ceramiki A1203 o grubosci od 0.50 do 1.50 mm. w Dielektryczna warstwa podloza N rozdzielajaca prowadnice wykonana jest z materialu dielektrycz¬ nego o przenikalnosci dielektrycznej zblizonej do przenikalnosci podloza P i grubosci równej okolo 1/5 grubosci podloza P. Grubosc podloza N zalez- w na jest od wymaganego stopnia kompensacji wlas¬ nosci dyspersyjnych prowadnic.W innym rozwiazaniu symetryzator wytwarzany jest przy uzyciu technologii monolitycznej wlasci¬ wej monolitycznym ukladom scalonym na podlozu «• P z pólizolacyjnego arsenku galu GaAs o grubosci mniejszej od 0,50 mm. Dielektryczna warstwa pod¬ loza N rozdzielajaca prowadnice wykonana jest z azotku krzemu SisN4 o grubosci równej okolo 1/5 grubosci podloza P. Taka realizacja symetryzatora w jest szczególnie dogodna dla pasm mikrofalowych powyzej 8 GHz.Wymiary przekroju poprzecznego, w ogólnosci rózne dla kazdej sekcji prowadnic i rózne dla po¬ szczególnych odcinków w kazdej sekcji, a zalezne od przyjetych do realizacji impedancji pobudzania parzystego i nieparzystego rodzaju fal, wlasciwych dla kompletu wymaganych parametrów transmi- syjno-odbiciowych, wykazuja pelna realizowahaosc konstrukcji symetryzatora i jej znaczna tolerancyj- nosc na niedokladnosc wytwarzania. Na podkres¬ lenie zasluguje fakt, ze realizowalnosc symetryza¬ tora nie znajduje ograniczen w doborze wymiarów przekroju poprzecznego sekcji jakie wystepowaly w innycl} konstrukcjach symetryzatorów, przy czym istnieje pewien stopien swobody w doborze zarówno materialu jak i grubosci podloza górnego umozliwiajacy osiaganie pozadanego stopnia dys¬ persji dla parzyscie i nieparzyscie pobudzanych fal az do calkowitego wyrównania wlasciwych im predkosci fazowych wlacznie. W konsekwencji kon¬ strukcja symetryzatora, wedlug wynalazku, zysku¬ je na technologicznosci, a to przez eliminacje za¬ biegów korygujacych dyspersje rodzajów.Symetryzator wedlug wynalazku znajduje zasto¬ sowanie zwlaszcza jako dzielnik mocy 180°, a we wspólpracy z drugim symetryzatorem i kwartetem diod pólprzewodnikowych jako podwójnie zrówno¬ wazony mieszacz lub modulator. Powyzsze zastoso¬ wania nie wyczerpuja wszystkich mozliwosci stwa¬ rzanych przez symetryzator wedlug wynalazku. Ma. ja one bardzo korzystna ceche w postaci szeroko- pasmowosci ukladów, która moze przekraczac na¬ wet trzy oktawy.Ponadto nalezy wskazac na korzystna warstwo¬ wa budowe symetryzatora z zachowaniem nie na¬ ruszonej spodniej metalizacji masy, ^przystosowana do technologii wytwarzania cienkowarstwowych mi¬ krofalowych ukladów scalonych technika hybry¬ dowa na podlozach z ceramiki Al2Og, jak tez do technologii monolitycznej realizacji ukladów sca¬ lonych wykorzystujacej pólizolacyjny arsenek ga¬ lu GaAs i warstwy Si3N4. Realizacja monolityczna stwarza ponadto mozliwosc wytwarzania droga selektywnej epitaksji zlacz pólprzewodnikowych bezposrednio w materiale podlozowym symetryza¬ tora uzytego np. do ukladu mieszacza.Symetryzator wedlug wynalazku przeznaczony jest do wykorzystywania w zakresie czestotliwosci 1—18 GHz tzn„ w zakresie wlasciwym szerokim zastosowaniom prowadnic mikroliniowych. W za¬ kresie czestotliwosci nizszych od pasma S ustepuje on symetryzatorom skupionym wykorzystujacym transformatory z rdzeniami ferrytowymi, nato¬ miast dla czestotliwosci powyzej 18 GHz symetry- zatorom na liniach fin-line i szczelinowych prze»- wyzszajacym go latwoscia laczenia z technika fa¬ lowodowa.Zastrzezenia patentowe 1. Mikrofalowy symetryzator, zwlaszcza dla mie- szaczy i modulatorów na prowadnicach fal TEM z niesymetrycznym wejsciem i symetrycznym wyjs¬ ciem, skladajacy sie z dwóch reaktancyjnych sekcji V9 141094 10 drugiego rzedu o dlugosciach elektrycznych równych okolo cwierc dlugosci fali sygnalu wiel¬ kiej czestotliwosci, znamienny tym, ze kazda sek¬ cja (I, II) zawiera dwie mikroliniowo-podóbne pro¬ wadnice falowe o strukturze niesymetrycznych linii 5 paskowych, umieszczone w taki sposób nad elek¬ tryczna masa stanowiaca spodnia metalizacje (M) ^warstwowego podloza dolnego (P), ze jedna z prowadnic (L) znajduje sie na wierzchniej stronie podloza dolnego, a druga prowadnica (U), umiesz¬ czona nad nia jest oddzielona od niej materialem warstwowego podloza górnego (N) i znajduje sie na wierzchniej stronie podloza górnego, przy czym para prowadnic, po jednej dowolnej z kazdej sek¬ cji, stanowiaca pare prowadnic wejsciowych (LI, LII) jest ze soba polaczona dwoma krancami (Q, • R), podczas gdy jeden z jej dwóch pozostalych kranców (X) jest dolaczony do wejscia (WE), a drugi (Y) jest dla sygnalu wielkiej czestotliwosci badz rozwarty, badz zwarty do masy, badz ob¬ ciazony arbitralnym obciazeniem, natomiast druga para pozostalych prowadnic (Ul, Uli) stanowiaca pare prowadnic wyjsciowych, tworzy swoimi dwo¬ ma dowolnymi krancami (T, T) po jednym z kaz¬ dej sekcji, pare zacisków wyjsciowych, podczas gdy kazdy z pozostalych kranców (S,~ S) pary pro¬ wadnic wyjsciowych jest dla sygnalu wielkiej cze¬ stotliwosci badz, rozwarty, badz zwarty .do masy,. badz obciazony arbitralnym obciazeniem, przy czym konfiguracja wszystkich wzajemnych pola¬ czen kranców wszys^tkiiioh prowadzanie, jak tez ich rozwarc, zwarc do masy dla sygnalu wielkiej cze¬ stotliwosci i arbitralnych obciazen zalezna jest od obranej konfiguracji zacisków wyjsciowych oraz od obranego typu amplitudowo-fazowej funkcji transmisyjno-odbiciowej symetryzacji, a 'wymiary przekroju poprzecznego w ogólnosci róz¬ ne dla kazdej sekcji prowadnic i rózne dla po¬ szczególnych odcinków kazdej sekcji oraz stale materialowe uzytych materialów maja wartosci zalezne od wymaganej szerokopasmowosci wlasci¬ wej dla kompletu parametrów transmisyjno-od- biciowych symetryzatora i wymaganych impedancji wejsciowej i wyjsciowej. 2. Mikrofalowy symetryzator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zaciski symetrycznego wyjscia (T, T) obciazone sa dolaczonym bezposrednio ob¬ ciazeniem symetrycznym (RL). 3. Mikrofalowy symetryzator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zaciski symetrycznego wyjs¬ cia (T, T) obciazone sa obciazeniem symetrycznym dolaczonym za posrednictwem linii symetrycznej (F), korzystnie najkrótszej. 4. Mikrofalowy symetryzator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zaciski symetrycznego wyjscia (T, T) obciazone sa para obciazen niesymetrycz¬ nych dolaczonych bezposrednio. 5. Mikrofalowy symetryzator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zaciski symetrycznego wyjscia (T, T) obciazone sa para obciazen niesymetrycznych dolaczonych za posrednictwem prowadnic falo¬ wych niesymetrycznych, korzystnie najkrótszych. 6 Mikrofalowy symetryzator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zaciski symetrycznego wyjscia (T, T) obciazone sa elementami badz zespolami elementów sterowanych elektronicznie dolaczonymi bezposrednio. 7. Mikrofalowy symetryzator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zaciski symetrycznego wyjscia (T, T) obciazone sa elementami, badz zespolami elementów sterowanych elektronicznie dolaczonymi za posrednictwem prowadnic falowych, korzystnie najkrótszych. 8. Mikrofalowy symetryzator wedlug zastrz 1, znamienny tym, ze zaciski symetrycznego wyjscia (T, T) obciazone sa zlaczami pólprzewodnikowy¬ mi wytworzonymi bezposrednio w warstwowym materiale podloza dolnego (P) i/lub górnego (N); 7. Mikrofalowy symetryzator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze co najmniej czesc odcinka do¬ wolnych z prowadnic symetryzatora zawiera roz¬ lozone zlacze pólprzewodnikowe wytworzone bez¬ posrednio w warstwowym materiale podloza dol¬ nego (P) i/lub górnego (N). 10. Mikrofalowy symetryzator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze arbitralne obciazenie stanowi element sterowany elektronicznie dolaczony bezpo¬ srednio. 11. Mikrofalowy symetcyzator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze arbitralne obciazenie stanowi element sterowany elektronicznie dolaczony za po¬ srednictwem prowadnicy falowej. 12. Mikrofalowy symetryzator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze arbitralne obciazenie stanowi dodatkowe wejscie lub wyjscie dolaczone za po¬ srednictwem prowadnicy falowej. i3. Mikrofalowy symetryzator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zaciski symetrycznego wyjscia *(T, T) obciazone sa bezposrednio symetrycznym wyjsciem innego symetryzatora. 14. Mikrofalowy symetryzator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zaciski symetrycznego wyjscia '(T, T) obciazone sa symetrycznym wyjsciem inne¬ go symetryzatora dolaczonym za posrednictwem prowadnic falowych, korzystnie najkrótszych. 15. Mikrofalowy symetryzator wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zaciski symetrycznego wyjscia (T, T) obciazone sa symetrycznym wyjsciem inne¬ go symetryzatora dolaczonym za posrednictwem elementów lub zespolów elementów sterowanych elektronicznie. u 20 25 30 35 40 45 50141094 FIG.1 M WE FIG. 2141094 FIG. 3 FIGA141094 FtG.S fig. S DN-3, zam. 399/87 Cena 130 zl PL