PL150910B2 - Magnetronowe urządzenie rozpylające - Google Patents

Magnetronowe urządzenie rozpylające

Info

Publication number
PL150910B2
PL150910B2 PL27028088A PL27028088A PL150910B2 PL 150910 B2 PL150910 B2 PL 150910B2 PL 27028088 A PL27028088 A PL 27028088A PL 27028088 A PL27028088 A PL 27028088A PL 150910 B2 PL150910 B2 PL 150910B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
magnetron
target
sputtering
cathode
housing
Prior art date
Application number
PL27028088A
Other languages
English (en)
Other versions
PL270280A2 (en
Inventor
Krzysztof Miernik
Zdzislaw Celinski
Original Assignee
Miedzyresortowe Ct Naukowe Eks
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Miedzyresortowe Ct Naukowe Eks filed Critical Miedzyresortowe Ct Naukowe Eks
Priority to PL27028088A priority Critical patent/PL150910B2/pl
Publication of PL270280A2 publication Critical patent/PL270280A2/xx
Publication of PL150910B2 publication Critical patent/PL150910B2/pl

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

RZECZPOSPOLITA . OPIS PATENTOWY POLSKA PATENTU TYMCZASOWEGO
150 910
URZĄD
PATENTOWY
RP
C Z YΊ t L ft i A
Li -ędu Po i •n'ovvf*<jr)
Patent tymczasowy dodatkowy j q 5 £23C 14/56 do patentu nr--Zgłoszono: 88 01 23 (P. 270280)
Pierwszeństwo-Zgłoszenie ogłoszono: 88 11 24
Opis patentowy opublikowano: 1990 12 31
Twórcy wynalazku: Krzysztof Miernik, Zdzisław Celiński
Uprawniony z patentu tymczasowego: Międzyresortowe Centrum Naukowe Eksploatacji Majątku Trwałego, Radom (Polska)
Magnetronowe urządzenie rozpylające
Wynalazek dotyczy magnetronowego urządzenia rozpylającego, w którym zjawisko rozpylania jonowego jest wykorzystane do nakładania cienkiej warstwy metalu na powierzchnię obrabianego detalu.
Rozpylanie jonowe polega na wytworzeniu wyładowania jarzeniowego między anodą a katodą, która połączona jest z tarczą wykonaną z materiału rozpylanego. Elektrody te są umieszczone w zbiorniku próżniowym wypełnionym gazem obojętnym. Pod wpływem pola elektrycznego wytworzonego między elektrodami następuje jonizacja gazu. W reakcji na bombardowanie tarczy przez jony gazu następuje wybijanie z niej atomów metalu, a więc rozpylanie materiału tarczy. Rozproszone atomy metalu osadzają się na podłożu, czyli na powierzchni obrabianego detalu, umieszczonym w pobliżu anody.
W urządzeniach magnetronowych celem zwiększenia efektywności rozpylania materiału tarczy wytwarza się silne pole magnetyczne w pobliżu katody, które powoduje zagęszczenie plazmy w tych miejscach nad tarczą, gdzie to pole jest największe.
Warunki dla efektywnego prowadzenia procesu rozpylania jonowego są ustalane eksperymentalnie w zależności od rodzaju i stanu gazu oraz materiału tarczy. Proces ten jest prowadzony przy dość niskim ciśnieniu rzędu 14-5· 10-2 Pa, utrzymywanym w ustalonej wartości.
Znane jest, z radzieckiego czasopisma p.t. „Zarubieżnaja Elektronnaja Technika Nr 10 z 1982 r., magnetronowe urządzenie rozpylające, w którym tarcza i anoda są umieszczone współosiowo w zbiorniku próżniowym, natomiast pierścieniowy układ magnetyczny znajduje się na zewnątrz zbiornika. Linie pola magnetycznego wytwarzanego przez ten układ magnetyczny są prostopadłe do linii pola elektrycznego wytworzonego w przestrzeni elektrodowej przez podanie potencjału elektrycznego między elektrody. Pod wpływem pola elektrycznego następuje jonizacja gazu wypełniającego zbiornik próżniowy. Powstała plazma gazowa zostaje przez pole magnetyczne zlokalizowana w pobliżu tego miejsca tarczy, gdzie to pole jest największe. Tarcza, w postaci pręta, jest rozpylana w wyniku uderzeń o jej powierzchnię zjonizowanego gazu, przy czym intensywnie wybijany jest materiał tarczy, zwłaszcza z miejsc położonych w obszarze zagęszczonej plazmy.
150 910
Rozpylanie tarczy jest więc nierównomierne, co prowadzi do nierównomiernej jej erozji, a także powoduje niejednolitą grubość warstwy metalowej tworzonej na obrabianych detalach.
Znane są też, z monografii B. C. Danilina i W. K. Syryczyna p.t. „Magnetronowe układy rozpylające Moskwa 1981, konstrukcje magnetronów cylindrycznych, w których tarcza w postaci cylindra jest umieszczona wewnątrz układu megnetycznego składającego się ze stosu magnesów pierścieniowych. Pozwala to na pokrycie polem magnetycznym całej powierzchni katody (będącej tarczą) dzięki czemu plazma jest utrzymywana praktycznie na całej tarczy.
W magnetronach tych rozpylanie materiału tarczy jest bardziej równomierne i otrzymywana warstwa metalowa na powierzchni obrabianego detalu jest jednolita.
Rozwiązanie według wynalazku jest odmienne. W magnetronowym urządzeniu rozpylającym pierścieniowy układ magnetyczny jest przemieszczany wzdłuż osi cylindrycznej tarczy. Urządzenie to pozwala na znaczne zmniejszenie mocy zasilacza wysokonapięciowego, która jest proporcjonalna do powierzchni znajdującej się w obszarze plazmy, przy jednoczesnym utrzymaniu wymaganych własności osadzanej warstwy.
Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykładzie wykonania na rysunku, który przedstawia przekrój części magnetronowego urządzenia rozpylającego.
Urządzenie składa się z obudowy 1 magnetronu, połączonej z układem próżniowym, w której znajduje się katoda 1 i w niewielkiej od niej odległości anoda 3. Elektrody są odizolowane od siebie i od obudowy 1. Katoda 2 jest połączona z cylindryczną tarczą 4 umieszczoną współosiowo z obudową 1 magnetronu. Anoda 3 ma postać pierścienia usytuowanego pod cylindrem tarczy 4. Wewnątrz tarczy 4, umieszczony wzdłuż jej osi, znajduje się obrabiany detal 5 np. wiertło. Na zewnętrzną część obudowy 1 magnetronu nasadzony jest pierścieniowy trwały magnes 6, który jest przemieszczany wzdłuż osi tarczy 4.
Działanie urządzenia jest następujące. Po podaniu potencjału elektrycznego między katodę i anodę wytwarza się pole elektryczne w przestrzeni elektrodowej i następuje jonizacja gazu wewnątrz obudowy 1 magnetronu oraz znane zjawisko rozpylania materiału tarczy 4 i osadzenie jego atomów na powierzchni obrabianego detalu 5. Zjawisko rozpylania jest potęgowane przez pole magnetyczne trwałego magnesu 6, które powoduje zagęszczenie plazmy 7 w miejscu, gdzie to pole ma największe natężenie, a więc wewnątrz tarczy 4 w bezpośrednim sąsiedztwie trwałego magnesu
6. W czasie trwania procesu rozpylania magnes 6 jest przesuwany wzdłuż osi tarczy 4, dzięki czemu uzyskuje się równomierne rozpylanie materiału tarczy 4 oraz jednakową grubość warstwy metalowej na obrabianym detalu 5.

Claims (1)

  1. Zastrzeżenie patentowe
    Magnetronowe urządzenie rozpylające składające się z obudowy magnetronu połączonej z układem próżniowym, układu magnetycznego umieszczonego na zewnątrz tarczy oraz odizolowanych od obudowy i od siebie anody i katody, przy czym katoda jest połączona z rozpylaną, cylindryczną tarczą, znamienne tym, że pierścieniowy układ magnetyczny (6) jest przemieszczany wzdłuż osi cylindrycznej tarczy (4).
    150 910
    1 5 do układu próżniowego
PL27028088A 1988-01-23 1988-01-23 Magnetronowe urządzenie rozpylające PL150910B2 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL27028088A PL150910B2 (pl) 1988-01-23 1988-01-23 Magnetronowe urządzenie rozpylające

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL27028088A PL150910B2 (pl) 1988-01-23 1988-01-23 Magnetronowe urządzenie rozpylające

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL270280A2 PL270280A2 (en) 1988-11-24
PL150910B2 true PL150910B2 (pl) 1990-07-31

Family

ID=20040287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL27028088A PL150910B2 (pl) 1988-01-23 1988-01-23 Magnetronowe urządzenie rozpylające

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL150910B2 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL270280A2 (en) 1988-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0225680B1 (en) Improved electric arc vapor deposition method
KR890004880B1 (ko) 스퍼터링 방법 및 장치
US20090200158A1 (en) High power impulse magnetron sputtering vapour deposition
KR20020005512A (ko) 마그네트론 스퍼터링 반응기의 바이어스 차폐판
US20100270144A1 (en) High Power Pulse Magnetron Sputtering For High Aspect-Ratio Features, Vias, and Trenches
US5306408A (en) Method and apparatus for direct ARC plasma deposition of ceramic coatings
US6620299B1 (en) Process and device for the coating of substrates by means of bipolar pulsed magnetron sputtering and the use thereof
US20050034981A1 (en) Cathodic sputtering apparatus
US6352627B2 (en) Method and device for PVD coating
EP0905272A2 (en) Cathodic arc vapor deposition apparatus (annular cathode)
JP2006083408A (ja) 真空成膜装置
CN111088472B (zh) 涂布系统
TW201225149A (en) Sputter target feed system
US3839182A (en) Triode device for sputtering material by means of a low voltage discharge
KR19980070492A (ko) 균일하고 소량의 입자 증착물을 형성하기 위한 이온화된 pvd소오스
US3616402A (en) Sputtering method and apparatus
US6761804B2 (en) Inverted magnetron
KR100273326B1 (ko) 고주파 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막형성방법
KR100480357B1 (ko) 동기화된 이온 빔 소스와 듀얼 마그네트론 스퍼터를가지는 박막 형성 장치
RU2450083C2 (ru) Установка для вакуумной ионно-плазменной обработки длинномерных изделий
Sanders et al. Magnetic enhancement of cathodic arc deposition
JP2006083459A (ja) スパッタリング装置及びスパッタリング方法
JP2000129439A (ja) スパッタリング装置および方法
Golan et al. Ring etching zones on magnetron sputtering targets
JPS63307272A (ja) イオンビ−ムスパツタ装置