PL184963B1 - Układ prostownika - Google Patents
Układ prostownikaInfo
- Publication number
- PL184963B1 PL184963B1 PL97332824A PL33282497A PL184963B1 PL 184963 B1 PL184963 B1 PL 184963B1 PL 97332824 A PL97332824 A PL 97332824A PL 33282497 A PL33282497 A PL 33282497A PL 184963 B1 PL184963 B1 PL 184963B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- transformer
- winding
- transistor
- control
- output voltage
- Prior art date
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 73
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/22—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
- H02M3/24—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/28—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC
- H02M3/325—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/33569—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements
- H02M3/33576—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements having at least one active switching element at the secondary side of an isolation transformer
- H02M3/33592—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements having at least one active switching element at the secondary side of an isolation transformer having a synchronous rectifier circuit or a synchronous freewheeling circuit at the secondary side of an isolation transformer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Control Of Eletrric Generators (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
1 U klad prostow nika, stanow iacy zródlo napiecia zasilajacego, zaw ierajacy transfo- rm ator sieciow y, który m a dw a uzw ojenia w tórne, pierw sze i drugie, a ponadto jest zaopa- trzony w dw a tranzystory kom utacyjne do prostow ania pradu uzw ojen w tórnych, zn a m ie n n y tym , ze zródla tranzystorów kom utacyjnych (M 1, M 2) sa dolaczone do stalego potencjalu, pierw szy koniec pierw szego uzw ojenia w tórnego (T 1N2) transform a- tora sieciow ego jest polaczony z pierw szym zaciskiem napiecia w yjsciow ego (V out). zródlo pierw szego tranzystora kom utacyjnego (M 1) je st dolaczone do drugiego zacisku napiecia w yjsciow ego (V o u t), a pom iedzy drugim koncem pierw szego uzw ojenia w tó r- nego (T 1N 2) transform atora sieciow ego 1 drenem pierw szego tranzystora kom utacyjnego (M 1) wlaczony jest przynajm niej przew ód, przy czym pierw szy koniec drugiego uzw oje- nia w tórnego (T 1N3) transform atora sieciow ego jest dolaczony do pierw szego zacisku na- piecia w yjsciow ego (V out), zródlo drugiego tranzystora kom utacyjnego (M 2) jest dolaczone do drugiego zacisku napiecia w yjsciow ego (V out), a pom iedzy drugim kon- cem drugiego uzw ojenia wtórnego (T 1N 3) transform atora sieciow ego i drenem drugiego tranzystora kom utacyjnego (M 2) w laczony je st przynajm niej przew ód, ponadto uklad pro- stow nika zaw iera pierw szy obw ód sterujacy (1) dolaczony do bram ki pierw szego tranzy- stora kom utacyjnego (M l) o ra z drugi obw ód sterujacy (2) dolaczony do bramki drugiego tranzystora kom utacyjnego (M 2), a ponadto uklad prostow nika zaw iera dwa transformatory sterujace, przy czym pierw sze uzw ojenie (T 3N 1) pierw szego transform atora sterujacego jest w laczone m iedzy dren pierw szego tranzystora kom utacyjnego (M 1) i drugi koniec pierw szego uzw ojenia w tórnego (T 1N 2) transform atora sieciow ego, pierw sze uzw ojenie (T 4N 2) drugiego transform atora sterujacego jest w laczone m iedzy dren drugiego tranzy- stora kom utacyjnego (M 2) i drugi koniec drugiego uzw ojenia w tórnego (T 1N 3) transfor- m atora sieciow ego, drugie uzw ojenie (T 3N 3) pierw szego transform atora sterujacego jest w laczone w pierw szy obw ód sterow ania (1) pierw szego tranzystora kom utacyjnego (M 1), a drugie uzw ojenie (T4N 3) drugiego transform atora sterujacego jest w laczone w drugi ob- w ód sterow ania (2) drugiego tranzystora kom utacyjnego (M 2), przy czym trzecie uzw oje- nie (T 3N 2) pierw szego transform atora sterujacego jest w laczone m iedzy drugim koncem drugiego uzw ojenia w tórnego (T 1N 3) transform atora sieciow ego i drenem drugiego tran- zystora kom utacyjnego (M 2), a trzecie uzw ojenie (T 4N 1) drugiego transform atora ste- rujacego jest w laczone m iedzy drugim ko ncem pierw szego uzw ojenia w tórnego ( T 1N2) transform atora sieciow ego i drenem pierw szego tranzystora kom utacyjn eg o (M 1) Fig. 1 PL
Description
Przedmiotem wynalazku jest układ prostownika, który stanowi źródło napięcia zasilającego.
Znany ze stanu techniki układ prostownika synchronicznego jest przedstawiony na pos. I rysunku. Napięcie do prostowania jest wytwarzane w uzwojeniach wtórnych T1N2, i T1N3
184 963 transformatora sieciowego T1, a w pomocniczych uzwojeniach T1N4 i T1N5 tego transformatora są wytwarzane napięcia sterujące dla bramek tranzystorów typu MOSFET M1 i M2. Kiedy napięcie pomocniczego uzwojenia T1N4 oddzialywuje na bramkę tranzystora M1, napięcie pierwszego uzwojenia wtórnego T1N2 staje się dodatnie, tranzystor Ml zaczyna przewodzić. Prąd płynie najpierw przez diodę wewnętrzną tranzystora Ml aż do wzrostu napięcia powyżej napięcia progowego bramki, po czym zaczyna przewodzić kanał tranzystora. Spadek napięcia powstający na diodzie podczas tego okresu powoduje straty mocy, a w wyniku tego, nagrzewanie się tranzystora. Wspomniany okres jest stosunkowo długi, ponieważ częstotliwość napięcia sieciowego jest mała, a zatem prędkość narastania napięcia na bramkach tranzystora komutacyjnego jest niewielka. Układ z pos. I działa w obszarach małej mocy, lecz przy źródłach zasilających o mocy powyżej 200 W, tranzystory MOSFET stosowane w takich układach nadmiernie się rozgrzewają.
Straty w tranzystorach MOSFET można zmniejszyć zwiększając szybkość sterowania, to znaczy zwiększając szybkość napięcia bramki. Wzrost liczby zwojów pomocniczych uzwojeń T1N4 i T1N5, to znaczy zwiększenie napięcia przemiennego generowanego w uzwojeniach, spowodowałby zwiększenie szybkości narastania napięcia, lecz zastosowanie tego sposobu jest ograniczone ze względu na silne ograniczenie maksymalnej wartości napięcia między bramką tranzystora mocy MOSFET a jego źródłem. Zwykle maksymalna wartość napięcia między bramką a źródłem dla tranzystorów mocy MOSFET jest rzędu 20 V.
Najkorzystniejszym kształtem sygnału sterującego byłby przebieg prostokątny, generowany na przykład przez generator cyfrowy. Przy sterowaniu tego typu, utrzymują się bardzo małe straty tranzystora MOSFET, ponieważ wtedy napięcie bramki wzrasta na tyle szybko powyżej napięcia progowego bramki, że nie ma czasu na powstawanie strat mocy. W znanym układzie według pos. I, taki oddzielny układ sterujący jest bardzo kłopotliwy w realizacji, ponieważ źródła tranzystorów są na potencjale przemiennym, a to prostokątne napięcie sterujące musi występować dokładnie między źródłem a bramką.
Układ prostownika, stanowiący źródło napięcia zasilającego, zawierający transformator sieciowy, który ma dwa uzwojenia wtórne, pierwsze i drugie, a ponadto jest zaopatrzony w dwa tranzystory komutacyjne do prostowania prądu uzwojeń wtórnych, według wynalazku charakteryzuje się tym, że źródła tranzystorów komutacyjnych są dołączone do stałego potencjału, a pierwszy koniec pierwszego uzwojenia wtórnego transformatora sieciowego jest połączony z pierwszym zaciskiem napięcia wyjściowego. Źródło pierwszego tranzystora komutacyjnego jest dołączone do drugiego zacisku napięcia wyjściowego, a pomiędzy drugim końcem pierwszego uzwojenia wtórnego transformatora sieciowego i drenem pierwszego tranzystora komutacyjnego włączony jest przynajmniej przewód. Pierwszy koniec drugiego uzwojenia wtórnego transformatora sieciowego jest dołączony do pierwszego zacisku napięcia wyjściowego. Źródło drugiego tranzystora komutacyjnego jest dołączone do drugiego zacisku napięcia wyjściowego, a pomiędzy drugim końcem drugiego uzwojenia wtórnego transformatora sieciowego i drenem drugiego tranzystora komutacyjnego, włączony jest przynajmniej przewód. Ponadto układ prostownika zawiera pierwszy obwód sterujący dołączony do bramki pierwszego tranzystora komutacyjnego oraz drugi obwód sterujący dołączony do bramki drugiego tranzystora komutacyjnego. Ponadto układ prostownika zawiera dwa transformatory sterujące, przy czym pierwsze uzwojenie pierwszego transformatora sterującego jest włączone między dren pierwszego tranzystora komutacyjnego i drugi koniec pierwszego uzwojenia wtórnego transformatora sieciowego. Pierwsze uzwojenie drugiego transformatora sterującego jest włączone między dren drugiego tranzystora komutacyjnego i drugi koniec drugiego uzwojenia wtórnego transformatora sieciowego. Drugie uzwojenie pierwszego transformatora sterującego jest włączone w pierwszy obwód sterowania pierwszego tranzystora komutacyjnego, a drugie uzwojenie drugiego transformatora sterującego jest włączone w drugi obwód sterowania drugiego tranzystora komutacyjnego. Trzecie uzwojenie pierwszego transformatora sterującego jest włączone między drugim końcem drugiego uzwojenia wtórnego transformatora sieciowego i drenem drugiego tranzystora komutacyjnego.
184 963
Trzecie uzwojenie drugiego transformatora sterującego jest włączone między drugim końcem pierwszego uzwojenia wtórnego transformatora sieciowego i drenem pierwszego tranzystora komutacyjnego.
Korzystnym jest, że pierwszy zacisk napięcia wyjściowego jest zaciskiem dodatnim, a drugi zacisk napięcia wyjściowego jest na potencjale ziemi, przy czym tranzystory komutacyjne są tranzystorami komutacyjnymi typu n.
Korzystnym jest, że pierwszy zacisk napięcia wyjściowego jest zaciskiem ujemnym, a drugi zacisk napięcia wyjściowego jest na potencjale ziemi, przy czym tranzystory komutacyjne są tranzystorami komutacyjnymi typu p.
Korzystnym jest, że tranzystory komutacyjne są tranzystorami typu MOSFET.
Zgodnie z wynalazkiem opracowany został małostratny układ prostowniczy, znacznie mniej nagrzewający się, niż układy znane. Dzięki rozwiązaniu według wynalazku możliwa jest realizacja prostego układu prostowniczego MOSFET i osiągnięcie szybkiego sterowania tranzystorów komutacyjnych. Takie rezultaty osiągnięto przez zmianę połączenia uzwojeń wtórnych tranzystorów komutacyjnych. Zatem źródło tranzystora MOSFET nie znajduje się już na potencjale pływającym, a w konsekwencji sterowanie bramki może się odbywać bez uzwojeń pomocniczych T1N4 i T1N5 znajdujących się po stronie wtórnej transformatora sieciowego.
Przedmiot wynalazku objaśniony jest w przykładach wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia pierwszy przykład układu prostownika według wynalazku, fig. 2 - drugi przykład układu prostownika według wynalazku, fig. 3 - obwód sterowania bramki tranzystora MOSFET, dostosowany konstrukcyjnie do układu z fig. 2, a fig. 4 przedstawia trzeci korzystny przykład układu prostownika według wynalazku.
Podobne elementy składowe układów na figurach rysunku oznaczono tymi samymi odnośnikami liczbowymi.
Zastosowany na rysunku symbol Tx oznacza kolejne transformatory, przy czym x oznacza numer danego transformatora, symbol TxNy oznacza uzwojenie o numerze y na transformatorze o numerze x, przy czym x i y są niewielkimi liczbami całkowitymi.
Na figurze 1 przedstawiono korzystny przykład wykonania według wynalazku. W tym przykładzie wykonania źródła obu tranzystorów komutacyjnych M1, M2, korzystnie tranzystorów typu MOSFET, są połączone z potencjałem ziemi, tak że możliwe jest zrealizowanie prostego obwodu sterowania bramki, dając w wyniku szybkie sterowanie.
Działanie korzystnego przykładu układu według wynalazku jest oparte na fakcie, że za pomocą dwóch niewielkich transformatorów sterujących mających uzwojenia T3N1, T3N2, T3N3 oraz T4N1, T4N2, T4T3, kształtowany jest sterujący sygnał prądowy generowany przez transformator sieciowy, za pomocą obwodów sterujących 1 i 2, do sterowania bramek tranzystorów komutacyjnych. Kiedy koniec pierwszego uzwojenia wtórnego T1N2 transformatora sieciowego, który znajduje się po stronie zacisku napięcia wyjściowego Vout układu, jest bardziej dodatni niż drugi koniec tego uzwojenia, prąd przepływający przez pierwsze uzwojenie wtórne T1N2 wprowadza pierwszy tranzystor MOSFET M1 w stan przewodzenia, za pomocą uzwojeń T3N1 i T3N3 pierwszego transformatora sterującego, a równocześnie drugi tranzystor MOSFET M2 wprowadza w stan nieprzewodzenia za pomocą uzwojeń T4N1 i T4N3 drugiego transformatora sterującego.
Kiedy koniec drugiego uzwojenia wtórnego T1N3 transformatora sieciowego, który znajduje się po stronie zacisku napięcia wyjściowego Vout, staje się bardziej dodatni niż drugi koniec tego uzwojenia, prąd przepływający przez drugie uzwojenie wtórne T1N3 transformatora sieciowego wprowadza drugi tranzystor MOSFET M2 w stan przewodzenia za pomocą uzwojeń T4N2 i T4N3 drugiego transformatora sterującego, a pierwszy tranzystor MOSFET M1 w stan nieprzewodzenia za pomocą uzwojeń T3N2 i T3N3 pierwszego transformatora sterującego.
184 963
Zastosowane dwa transformatory sterujące stanowią korzystnie niewielki toroid, przez który przechodzi przewód wychodzący z wtórnego uzwojenia transformatora sieciowego, tak że w pierwotnym uzwojeniu transformatorów sterujących występuje tylko jeden zwój.
Według innego korzystnego przykładu wykonania wynalazku sygnał sterujący otrzymuje się nie za pomocą osobnych transformatorów sterujących, jak to przedstawiono na fig. 2, lecz z pomocniczych uzwojeń wtórnych transformatora sieciowego. W tym rozwiązaniu pomocnicze uzwojenia T1N4 i T1N5 transformatora sieciowego T1 (pos. I) są połączone z obwodami sterującymi 1 i 2 bramek tranzystorów MOSFET M1, M2.
Na figurze 3 przedstawiono korzystny przykład wykonania obwodów sterujących 1, 2 bramki tranzystorów komutacyjnych. Tego typu obwód sterujący może z powodzeniem być stosowany wraz z korzystnym przykładem wykonania przedstawionym na fig. 1 rysunku. Obwód sterujący zrealizowano z dwoma komplementarnymi tranzystorami V1 i V2, które są zestawione w postaci wtórników emiterowych. Kiedy oznaczony kropką koniec uzwojenia T3N3/T4N3 jest bardziej dodatni niż punkt połączenia emiterów tranzystorów V1 i V2, tranzystor V1 jest wprowadzany w stan przewodzenia, tak że do zacisku wyjściowego obwodu sterującego 1, 2 i do bramki tranzystora MOSFET M1, M2 zaczyna płynąć prąd, po czym tranzystor MOSFET M1, M2 zostaje przełączony w tryb przewodzenia. Kiedy punkt połączenia emiterów tranzystorów V1 i V2 oraz drugiego uzwojenia T3N3/T4N3 transformatora sterującego jest bardziej dodatni, tranzystor V2 pozostaje w trybie przewodzenia, a w tym przypadku zaczyna się rozładowywać bramka tranzystora MOSFET M1, M2. W tym samym momencie zostaje wyzwolone sprzężenie tyrystorowe utworzone przez tranzystory V3 i V4 przechodząc w stan przewodzenia, znacznie przyspieszając rozładowanie bramki tranzystora MOSFET i jego przełączenie w stan nieprzewodzenia.
Diody D1 - D7 służąjako diody zapobiegające nasycaniu tranzystorów V1 i V2. Kiedy tranzystor V1 jest przełączony w stan przewodzenia, jego kolektor jest na potencjale wyższym - o wielkość maksymalną napięcia progowego dwóch diod - niż baza, kiedy tranzystor V1 nie jest nasycony. Kiedy napięcie efektywne w odniesieniu do tranzystora V1 zmienia biegunowość, następuje gwałtowne wprowadzenie tranzystora V1 w stan nieprzewodzenia. Diody zapobiegające nasycaniu zmniejszają czas zapamiętywania tranzystora, który stanowi największe opóźnienie przy komutacji tranzystora ze stanu przewodzenia do stanu nieprzewodzenia.
Na fig. 4 przedstawiono trzeci korzystny przykład układu prostownika według wynalazku. Przez zastosowanie struktury według wynalazku możliwa jest realizacja źródła napięciowego o podwójnej biegunowości, którego ujemne napięcie wyjściowe można otrzymać za pomocą układu przedstawionego na fig. 1. Jednak biegunowość napięć jest odwrotna do przedstawionej na fig. 1, a zamiast tranzystorów MOSFET typu n, stosuje się tranzystory MOSFET typu p.
W opisie przedstawiono dla przykładu różne korzystne odmiany wykonania wynalazku z tranzystorami MOSFET. Oczywiście w układzie prostownika według wynalazku można stosować również inne typy znanych tranzystorów komutacyjnych. Zastosowane terminy źródło, dren i bramka oznaczają funkcjonalnie analogiczne elementy tranzystora komutacyjnego w każdym poszczególnym przypadku.
Dzięki zastosowaniu sterowanego prądowo układu prostownika według wynalazku, osiąga się wyjątkowo niewielkie straty mocy nawet przy dużych wartościach mocy wyjściowej, ponieważ przy zastosowaniu obwodu sterowania przedstawionego na fig. 3, odprowadzenie ładunku bramki odbywa się bardzo szybko, a w wyniku tego wartości czasu komutacji i odcięcia tranzystorów MOSFET otrzymuje się bardzo krótkie. Na straty układowe mają wpływ głównie straty rezystancyjne w kanale zastosowanego tranzystora MOSFET.'.
184 963
Τ1Ν5
Τ1Ν4
Fig.2
184 963
Fig. 3
184 963
-χ
-Ο \ζ* out +ν
BRAMKA +ν
BRAMkA
BRAMKA
-ν
-Κ
BRAMKA
-ν out
Fig. 4
184 963
Tj
Pos. I
184 963
Fig. 1
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 50 egz.
Cena 2,00 zł.
Claims (4)
- Zastrzeżenia patentowe1. Układ prostownika, stanowiący źródło napięcia zasilającego, zawierający transformator sieciowy, który ma dwa uzwojenia wtórne, pierwsze i drugie, a ponadto jest zaopatrzony w dwa tranzystory komutacyjne do prostowania prądu uzwojeń wtórnych, znamienny tym, że źródła tranzystorów komutacyjnych (M1, M2) są dołączone do stałego potencjału, pierwszy koniec pierwszego uzwojenia wtórnego (T1N2) transformatora sieciowego jest połączony z pierwszym zaciskiem napięcia wyjściowego (Vout), źródło pierwszego tranzystora komutacyjnego (M1) jest dołączone do drugiego zacisku napięcia wyjściowego (Vout), a pomiędzy drugim końcem pierwszego uzwojenia wtórnego (T1N2) transformatora sieciowego i drenem pierwszego tranzystora komutacyjnego (Ml) włączony jest przynajmniej przewód, przy czym pierwszy koniec drugiego uzwojenia wtórnego (T1N3) transformatora sieciowego jest dołączony do pierwszego zacisku napięcia wyjściowego (Vout), źródło drugiego tranzystora komutacyjnego (M2) jest dołączone do drugiego zacisku napięcia wyjściowego (Vout), a pomiędzy drugim końcem drugiego uzwojenia wtórnego (T1N3) transformatora sieciowego i drenem drugiego tranzystora komutacyjnego (M2) włączony jest przynajmniej przewód, ponadto układ prostownika zawiera pierwszy obwód sterujący (1) dołączony do bramki pierwszego tranzystora komutacyjnego (Ml) oraz drugi obwód sterujący (2) dołączony do bramki drugiego tranzystora komutacyjnego (M2), a ponadto układ prostownika zawiera dwa transformatory sterujące, przy czym pierwsze uzwojenie (T3N1) pierwszego transformatora sterującego jest włączone między dren pierwszego tranzystora komutacyjnego (M1) i drugi koniec pierwszego uzwojenia wtórnego (T1N2) transformatora sieciowego, pierwsze uzwojenie (T4N2) drugiego transformatora sterującego jest włączone między dren drugiego tranzystora komutacyjnego (M2) i drugi koniec drugiego uzwojenia wtórnego (T1N3) transformatora sieciowego, drugie uzwojenie (T3N3) pierwszego transformatora sterującego jest włączone w pierwszy obwód sterowania (1) pierwszego tranzystora komutacyjnego (M1), a drugie uzwojenie (T4N3) drugiego transformatora sterującego jest włączone w drugi obwód sterowania (2) drugiego tranzystora komutacyjnego (M2), przy czym trzecie uzwojenie (T3N2) pierwszego transformatora sterującego jest włączone między drugim końcem drugiego uzwojenia wtórnego (T1N3) transformatora sieciowego i drenem drugiego tranzystora komutacyjnego (M2), a trzecie uzwojenie (T4N1) drugiego transformatora sterującego jest włączone między drugim końcem pierwszego uzwojenia wtórnego (T1N2) transformatora sieciowego i drenem pierwszego tranzystora komutacyjnego (M1).
- 2. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że pierwszy zacisk napięcia wyjściowego (Vout) jest zaciskiem dodatnim, a drugi zacisk napięcia wyjściowego (Vout) jest na potencjale ziemi, przy czym tranzystory komutacyjne (M1, M2) są tranzystorami komutacyjnymi typu n.
- 3. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że pierwszy zacisk napięcia wyjściowego (Vout) jest zaciskiem ujemnym, a drugi zacisk napięcia wyjściowego jest na potencjale ziemi, przy czym tranzystory komutacyjne (M1, M2) są tranzystorami komutacyjnymi typu p.
- 4. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że tranzystory komutacyjne (M1, M2) są tranzystorami typu MOSFET.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI964184A FI114056B (fi) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | Teholähde |
| PCT/FI1997/000632 WO1998018198A1 (en) | 1996-10-18 | 1997-10-17 | Active rectifier circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL332824A1 PL332824A1 (en) | 1999-10-11 |
| PL184963B1 true PL184963B1 (pl) | 2003-01-31 |
Family
ID=8546900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL97332824A PL184963B1 (pl) | 1996-10-18 | 1997-10-17 | Układ prostownika |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0932929B1 (pl) |
| AT (1) | ATE222424T1 (pl) |
| DE (1) | DE69714753T2 (pl) |
| DK (1) | DK0932929T3 (pl) |
| ES (1) | ES2181032T3 (pl) |
| FI (1) | FI114056B (pl) |
| NO (1) | NO316852B1 (pl) |
| PL (1) | PL184963B1 (pl) |
| RU (1) | RU2190293C2 (pl) |
| WO (1) | WO1998018198A1 (pl) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7269034B2 (en) | 1997-01-24 | 2007-09-11 | Synqor, Inc. | High efficiency power converter |
| EP0954899A2 (en) | 1997-01-24 | 1999-11-10 | Fische, LLC | High efficiency power converter |
| WO2001055142A1 (en) * | 2000-01-28 | 2001-08-02 | Syngenta Limited | Isothiazole derivatives and their use as pesticides |
| GB2370431A (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | Brian Victor Olliver | A dc-ac-dc power converter |
| US10199950B1 (en) | 2013-07-02 | 2019-02-05 | Vlt, Inc. | Power distribution architecture with series-connected bus converter |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3422777A1 (de) * | 1984-06-20 | 1986-01-02 | ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Mit einer induktivitaet beschaltetes gesteuertes gleichrichterelement, sowie dessen verwendung |
| US5179512A (en) * | 1991-09-18 | 1993-01-12 | General Electric Company | Gate drive for synchronous rectifiers in resonant converters |
-
1996
- 1996-10-18 FI FI964184A patent/FI114056B/fi active
-
1997
- 1997-10-17 AT AT97944921T patent/ATE222424T1/de not_active IP Right Cessation
- 1997-10-17 EP EP97944921A patent/EP0932929B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-17 DK DK97944921T patent/DK0932929T3/da active
- 1997-10-17 WO PCT/FI1997/000632 patent/WO1998018198A1/en not_active Ceased
- 1997-10-17 DE DE69714753T patent/DE69714753T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-17 RU RU99109589/09A patent/RU2190293C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1997-10-17 ES ES97944921T patent/ES2181032T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-17 PL PL97332824A patent/PL184963B1/pl not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-04-16 NO NO19991848A patent/NO316852B1/no not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE222424T1 (de) | 2002-08-15 |
| DK0932929T3 (da) | 2002-12-16 |
| NO991848L (no) | 1999-04-16 |
| ES2181032T3 (es) | 2003-02-16 |
| EP0932929A1 (en) | 1999-08-04 |
| RU2190293C2 (ru) | 2002-09-27 |
| DE69714753D1 (de) | 2002-09-19 |
| NO991848D0 (no) | 1999-04-16 |
| EP0932929B1 (en) | 2002-08-14 |
| PL332824A1 (en) | 1999-10-11 |
| FI964184A0 (fi) | 1996-10-18 |
| DE69714753T2 (de) | 2003-04-30 |
| NO316852B1 (no) | 1999-04-16 |
| WO1998018198A1 (en) | 1998-04-30 |
| FI114056B (fi) | 2004-07-30 |
| FI964184L (fi) | 1998-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6831847B2 (en) | Synchronous rectifier drive circuit and power supply including same | |
| JP4158054B2 (ja) | スイッチング電源装置 | |
| CA2032942C (en) | High efficiency power converter employing a synchronized switching system | |
| KR100420608B1 (ko) | 저가형고전압플라이백전원장치 | |
| KR20180095503A (ko) | Igbt 단락 검출 및 보호 회로 및 igbt-기반 제어 가능한 정류 회로 | |
| KR20000068693A (ko) | 동기식 정류를 이용하는 전원 공급 장치 | |
| KR102449387B1 (ko) | 스위칭 전원 | |
| EP0603550A2 (en) | A zero current switching reverse recovery circuit | |
| PL184963B1 (pl) | Układ prostownika | |
| JPH08289538A (ja) | Ｄｃ−ｄｃコンバータ | |
| US6370051B1 (en) | Forward converter circuit having reduced switching losses | |
| US4680687A (en) | Switch-mode power supply having a free-running forward converter | |
| EP0079654A1 (en) | Circuit for converting an input d.c. voltage into an output d.c. voltage | |
| JP2011151788A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3602011B2 (ja) | 制御回路 | |
| EP1069683A2 (en) | Gate driving circuit for power semiconductor switch | |
| US6650558B1 (en) | Asymmetrical drive circuit for full-wave bridge | |
| CN224006621U (zh) | 用于切换负载的设备和电路 | |
| JPH10146054A (ja) | 直流コンバータ装置 | |
| RU2826844C1 (ru) | Стабилизатор напряжения постоянного тока | |
| RU2807298C1 (ru) | Стабилизатор напряжения постоянного тока | |
| JP3707909B2 (ja) | 一体構造化トランス、及びそのトランスを用いた電源 | |
| PL117033B1 (en) | Self-adjustable horizontal deflection system with diode controlodnym upravleniem | |
| JPS59149421A (ja) | 絶縁スイツチ装置 | |
| JPH11103572A (ja) | 同期整流回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20101017 |