PL184978B1 - Sposób otrzymywania powłok - Google Patents

Sposób otrzymywania powłok

Info

Publication number
PL184978B1
PL184978B1 PL98324250A PL32425098A PL184978B1 PL 184978 B1 PL184978 B1 PL 184978B1 PL 98324250 A PL98324250 A PL 98324250A PL 32425098 A PL32425098 A PL 32425098A PL 184978 B1 PL184978 B1 PL 184978B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
anode
cathode
arc
coatings
evaporation
Prior art date
Application number
PL98324250A
Other languages
English (en)
Other versions
PL324250A1 (en
Inventor
MiernikKrzysztof
Original Assignee
Inst Tech Eksploatacji
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Tech Eksploatacji filed Critical Inst Tech Eksploatacji
Priority to PL98324250A priority Critical patent/PL184978B1/pl
Publication of PL324250A1 publication Critical patent/PL324250A1/xx
Publication of PL184978B1 publication Critical patent/PL184978B1/pl

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Sposób otrzymywania powłok, zwłaszcza materiałów twardych w próriii przy vy/korzystaniu środowiska plazmowego, polegający na odparowaniu materiału katody oraz anody za pomocą wyładowania łukowego, znamienny tym, że po wywołaniu w obszarze międzyelektrodowym wyładowania łukowego rozdziela się prąd wyładowania między odparowywaną anodę oraz anodę dodatkową.

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania powłok, zwłaszcza materiałów twardych w próżni przy wykorzystaniu środowiska plazmowego, mający zastosowanie głównie w przemyśle elektronicznym, optycznym i maszynowym.
Znane są z monografii N. A. G. Ahmeda pt. Ion Plating Technology, J. Wiley & Sons, Chichester 1987, sposoby otrzymywania powłok materiałów trudnotopliwych przy zastosowaniu plazmy wyładowania łukowego w próżni. Sposoby te wykorzystują proces odparowania materiału z chłodzonej katody urządzenia stanowiącej źródło plazmy. Przy odparowaniu materiału z relatywnie zimnej katody, źródłem par są niewielkie, maksymalnie o średnicy do 100 pm obszary tzw. plamek katodowych, w których skupiony jest cały prąd wyładowania. Z powodu wydzielania się w nich bardzo dużych gęstości mocy, w ich obszarze panuje temperatura wielokrotnie przewyższająca temperaturę wrzenia materiału katody. W rezultacie następuje intensywne odparowanie i jonizacja materiału katody. Szybkość parowania, a tym samym szybkość wzrostu powłoki zależy od wielkości prądu łuku próżniowego. W przypadku, gdy łuk jarzy się w rozrzedzonym gazie reaktywnym, jakim jest na przykład tlen czy azot, materiał katody reaguje z jego atomami tworząc na przylegających do obszaru łuku powierzchniach elementów trudnotopliwe twarde związki (tlenki, azotki). W opisywanej metodzie źródła par jakimi są katody można umieszczać w dowolnym miejscu komory próżniowej, a także można odparowywać jednocześnie kilka katod, co pozwala osadzać powłoki wieloskładnikowe lub/i wielowarstwowe na elementach o złożonej powierzchni z zachowaniem dużej jednorodności grubości powłoki. Wadą sposobu odparowania łukiem elektrycznym z zimną katodą jest występowanie w materiale powłoki mikrokropli roztopionego materiału katody, powodujące pogorszenie jej właściwości fizyko-mechanicznych. Wielkość frakcji mikrokropelkowej zwiększa się przy obniżaniu temperatury topnienia materiału katody, w rezultacie czego osadzenie powłok aluminium lub jego związków o zadowalającej jakości jest praktycznie niemożliwe.
Znane są też z monografii R. A. Haefera pt. Oberflachen- und Dunnschicht-Technologie, Springer, Berlin, 1897 oraz R. F. Bunshaha pt. Deposition Technologies for Films and Coatings, Noyes, N. J. 1982 sposoby odparowania łukowego z gorącą elektrodą, w charakterze której można używać zarówno katodę jak i anodę. Sposoby te wykorzystują proces nagrzewania materiału i jego odparowania przy użyciu wiązki elektronowej. W praktyce najczęściej stosowana w charakterze źródła par jest rozgrzana do wysokiej temperatury anoda. Pary materiału anody sąjonizowane w strefie wiązki elektronowej w celu uzyskania plazmy. Do wytworzenia wiązki elektronowej, używa się wyrzutni elektronowych rozmaitej konstrukcji, generujących wiązkę zwykle o natężeniu do 1 A przy zastosowaniu napięcia przyśpieszającego do 10kV. Stabilizacja prądu i napięcia wiązki musi być bardzo wysoka, ze względu na konieczność podtrzymania stabilnej mocy grzania anody, co jest spowodowane wykładniczą zależnością szybkości parowania od temperatury źródła par. Z tego powodu trudno uzyskać stabilne warunki procesu osadzania powłok, co stanowi jego istotną wadę. Drugą wadą jest konieczność osadzania powłok na detalach umieszczonych w górnej części komory próżniowej, ze
184 978 względu na fakt, że źródło par stanowi ciekły metal. Jest to niekorzystne w szeregu zastosowań sposobu, gdyż znacznie ogranicza asortyment pokrywanych elementów i detali.
Znany jest też z opisu patentowego PL 152210 sposób osadzania materiałów trudnotopliwych przy pomocy urządzenia impulsowo-plazmowego wspomaganego wyładowaniem jarzeniowym. W odróżnieniu od wcześniej opisanych, źródłem par metali wchodzących w reakcję z atomami gazu reaktywnego jest zarówno rozpylany w czasie wyładowania jarzeniowego materiał katody, jak i materiał anody urządzenia, przy której powierzchni następuje powstawanie ogniska plazmowego, tak zwanego pinczu plazmowego, o bardzo wysokiej temperaturze i gęstości. Sposób ten umożliwia uzyskania powłok złożonych, na przykład aluminoazotku tytanu TiAlN. Ponieważ jednak sposób ten wykorzystuje zjawisko rozpylania jonowego, charakteryzującego się znacznie mniejszymi szybkościami osadzania w odróżnieniu od omawianego wcześniej zjawiska odparowania łukiem elektrycznym, jego obszar praktycznego zastosowania jest znacznie ograniczony.
Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania powłok, zwłaszcza materiałów twardych w próżni przy wykorzystaniu środowiska plazmowego, polegający na odparowaniu materiału katody oraz anody za pomocą wyładowania łukowego, przy czym po wywołaniu w obszarze międzyelektrodowym wyładowania łukowego rozdziela się prąd wyładowania między odparowywaną anodę oraz anodę dodatkową.
Zaletą wynalazku jest zwiększenie współczynnika efektywności wykorzystania materiału obu elektrod oraz możliwość osadzania powłok wieloskładnikowych, których materiały wyjściowe znacznie się różnią temperaturami topnienia.
Sposób osadzania według wynalazku zostanie bliżej wyjaśniony na przykładzie realizacji procesu osadzania powłoki aluminoazotku tytanu TiAlN.
W odpompowywanej komorze próżniowej umieszcza się ochłodzoną wodą katodę tytanową oraz anodę aluminiową umieszczoną w ceramicznej obudowie usytuowanej na doprowadzającym prąd chłodzonym przepuście próżniowym. Komorę odpompowuje się wstępnie do ciśnienia o wartości 10’3 Pa a następnie wprowadza się do niej gaz reaktywny, w omawianym przypadku azot, w takiej ilości aby utrzymać w niej ciśnienie rzędu 10'1- 1 Pa. Po osiągnięciu wymaganego ciśnienia, do katody i anody doprowadza się poprzez układ rozdzielacza prądu wyładowania niskie napięcie rzędu 20-30 V z wysokoprądowego zasilacza i inicjuje się, za pomocą układu zapalającego łuk elektryczny o prądzie wyładowania około 100 A. Powstały w obszarze międzyelektrodowym łuk elektryczny ogrzewa katodę prądem jonowym, zaś anodę prądem elektronowym. Różnice wielkości między oboma wymienionymi prądami kompensowane są zarówno wielkościami spadku napięcia w obszarze anodowym i katodowym, co powoduje w miarę jednakowe wielkości mocy wydzielanej na obu elektrodach. Po zapaleniu łuku, steruje się precyzyjnie wielkością prądu elektronowego łuku, a tym samym mocą wydzielaną na odparowywanej anodzie w ten sposób, że po osiągnięciu wymaganej temperatury odparowywanego materiału anody utrzymuje się jego wielkość na zadanym poziomie. Nadwyżkę prądu elektronowego kieruje się za pomocą rozdzielacza na anodę dodatkową którą w opisywanym przykładzie stanowią ściany komory próżniowej. Odparowany z katody tytan i aluminium z anody wraz ze zjonizowanymi atomami azotu dociera do umieszczonego na przeciwko wylotu urządzenia podłoża, na którego powierzchni tworzy się powłoka odpornego na zużycie, twardego aluminoazotku tytanu TiAlN.
184 978
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 50 egz
Cena 2,00 zł.

Claims (1)

  1. Zastrzeżenie patentowe
    Sposób otrzymywania powłok, zwłaszcza materiałów twardych w próżni przy wykorzystaniu środowiska plazmowego, polegający na odparowaniu materiału katody oraz anody za pomocą wyładowania łukowego, znamienny tym, że po wywołaniu w obszarze międzyelektrodowym wyładowania łukowego rozdziela się prąd wyładowania między odparowywaną anodę oraz anodę dodatkową.
PL98324250A 1998-01-09 1998-01-09 Sposób otrzymywania powłok PL184978B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL98324250A PL184978B1 (pl) 1998-01-09 1998-01-09 Sposób otrzymywania powłok

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL98324250A PL184978B1 (pl) 1998-01-09 1998-01-09 Sposób otrzymywania powłok

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL324250A1 PL324250A1 (en) 1999-07-19
PL184978B1 true PL184978B1 (pl) 2003-01-31

Family

ID=20071344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL98324250A PL184978B1 (pl) 1998-01-09 1998-01-09 Sposób otrzymywania powłok

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL184978B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL324250A1 (en) 1999-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2205576C (en) An apparatus for generation of a linear arc discharge for plasma processing
US4951604A (en) System and method for vacuum deposition of thin films
JPH02285072A (ja) 加工物表面のコーティング方法及びその加工物
US6110540A (en) Plasma apparatus and method
JPS62180069A (ja) 管内面の被覆方法
Spalvins Survey of ion plating sources
US20050064110A1 (en) Method and device for coating a substrate
US5662741A (en) Process for the ionization of thermally generated material vapors and a device for conducting the process
Wan et al. Investigation of Hot-Filament and Hollow-Cathode Electron-Beam Techniques for Ion Plating
JPH0372067A (ja) 複数の蒸発ルツボを備えたアーク放電型蒸発器
Beilis et al. Thin-film deposition with refractory materials using a vacuum arc
US20030234176A1 (en) Production of carbon and carbon-based materials
PL184978B1 (pl) Sposób otrzymywania powłok
RU2053312C1 (ru) Способ нанесения покрытий в вакууме и устройство для нанесения покрытий в вакууме
US6302056B1 (en) Device for coating substrates with a material vapor in negative pressure or vacuum
PL184982B1 (pl) Urządzenie do otrzymywania twardych powłok
RU2118206C1 (ru) Способ получения легированных алмазоподобных покрытий
GB1574677A (en) Method of coating electrically conductive components
JPH0417669A (ja) プラズマを用いた成膜方法およびrfイオンプレーティング装置
Beilis et al. Chromium and titanium film deposition using a hot refractory anode vacuum arc plasma source
KR100193365B1 (ko) 금속표면에 질화티탄막을 형성하는 방법
RU2676720C1 (ru) Способ вакуумного ионно-плазменного низкотемпературного осаждения нанокристаллического покрытия из оксида алюминия
SU1710596A1 (ru) Способ получени пленок на основе углерода
JP3418795B2 (ja) 溶融蒸発用金属組成物および金属の溶融蒸発方法
JP2504426B2 (ja) cBN薄膜の形成方法及び形成装置