PL191071B1 - Podłoże przezroczyste typu podłoża szklanego, pokryte co najmniej jedną cienką warstwą opartą na azotku lub tlenoazotku krzemu, sposób jego wytwarzania oraz zastosowanie tego podłoża - Google Patents
Podłoże przezroczyste typu podłoża szklanego, pokryte co najmniej jedną cienką warstwą opartą na azotku lub tlenoazotku krzemu, sposób jego wytwarzania oraz zastosowanie tego podłożaInfo
- Publication number
- PL191071B1 PL191071B1 PL324615A PL32461598A PL191071B1 PL 191071 B1 PL191071 B1 PL 191071B1 PL 324615 A PL324615 A PL 324615A PL 32461598 A PL32461598 A PL 32461598A PL 191071 B1 PL191071 B1 PL 191071B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- thin
- silicon
- tin
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 39
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 27
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 11
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 237
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 25
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 24
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 17
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000037072 sun protection Effects 0.000 claims description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000005329 float glass Substances 0.000 claims description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 5
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims description 5
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims description 5
- -1 mixed oxide Cd2SnO4 Chemical compound 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 claims description 4
- 229910020667 PBr3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 108091007643 Phosphate carriers Proteins 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OBCUTHMOOONNBS-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentafluoride Chemical compound FP(F)(F)(F)F OBCUTHMOOONNBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IPNPIHIZVLFAFP-UHFFFAOYSA-N phosphorus tribromide Chemical compound BrP(Br)Br IPNPIHIZVLFAFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N triethyl phosphite Chemical compound CCOP(OCC)OCC BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N trimethyl borate Chemical compound COB(OC)OC WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphite Chemical compound COP(OC)OC CYTQBVOFDCPGCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 2
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 claims 1
- FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N phosphorus trichloride Chemical compound ClP(Cl)Cl FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 22
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 11
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 11
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NCXOIRPOXSUZHL-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ca].[Na] Chemical compound [Si].[Ca].[Na] NCXOIRPOXSUZHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000005501 phase interface Effects 0.000 description 1
- UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentachloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)(Cl)Cl UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 125000006308 propyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000005477 standard model Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3626—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer one layer at least containing a nitride, oxynitride, boronitride or carbonitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/225—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
- C03C17/3435—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising a nitride, oxynitride, boronitride or carbonitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3429—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating
- C03C17/3441—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials at least one of the coatings being a non-oxide coating comprising carbon, a carbide or oxycarbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3618—Coatings of type glass/inorganic compound/other inorganic layers, at least one layer being metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3636—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer one layer at least containing silicon, hydrogenated silicon or a silicide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3649—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer made of metals other than silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3657—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having optical properties
- C03C17/366—Low-emissivity or solar control coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/308—Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
- C03C2217/281—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/78—Coatings specially designed to be durable, e.g. scratch-resistant
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
- Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
- Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
1. Podloze przezroczyste typu podloza szklane- go, pokryte co najmniej jedna cienka warstwa oparta na azotku lub tlenoazotku krzemu, znamienne tym, ze cienka warstwa (2) osadzona w temperaturze pomiedzy 550°C i 760°C, korzystnie pomiedzy 660°C i 760°C ma geometryczna grubosc miedzy 5 nanometrów i 5 mikrometrów, ……. 14. Sposób wytwarzania podloza przezroczyste- go typu podloza szklanego, pokrytego co najmniej jedna cienka warstwa oparta na azotku lub tleno- azotku krzemu za pomoca techniki pirolizy w fazie gazowej z uzyciem co najmniej dwóch prekursorów, wlaczajac co najmniej jeden prekursor krzemu i co najmniej jeden prekursor azotu, znamienny tym, ze stosuje sie co najmniej jeden prekursor …… 21. Zastosowanie podloza okreslonego w zastrz. 1 do wytwarzania zespolów okiennych zaopatrzonych w cienkie warstwy do zabezpieczenia przeciwslo- necznego typu filtrujacego lub o niskiej emisyjnosci, i/lub odpornych na zarysowania, i/lub majacych funkcje zwierciadla lub przeciwodblaskowa, i/lub majacych funkcje odpornosci na zabrudzenie, na „przednich i tylnych” powierzchniach ekranów emi- syjnych typu plaskiego ekranu, takich jak ekrany plazmowe. PL PL PL
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest podłoże przezroczyste typu podłoża szklanego pokryte co najmniej jedną cienką warstwą opartą na azotku lub tlenoazotku krzemu, sposób wytwarzania podłoża przezroczystego typu podłoża szklanego pokrytego co najmniej jedną cienką warstwą opartą na azotku lub tlenazotku krzemu oraz zastosowanie tego podłoża.
Głównym zastosowaniem wynalazku jest wytwarzanie tak zwanych funkcjonalnych zespołów okiennych stosowanych w budynkach lub pojazdach, lub jako plazmowy ekran telewizyjny. Innym zastosowaniem jest obróbka powierzchni pojemników w rodzaju szklanych butelek.
W kontekście niniejszego wynalazku termin funkcyjne zespoły okienne powinien być rozumiany jako oznaczający zespół okienny, w którym co najmniej jedno ze składowych podłoży przezroczystych jest pokryte stosem cienkich warstw, w celu nadania mu szczególnych właściwości, zwłaszcza termicznych, optycznych, elektrycznych lub właściwości mechanicznych takich jak odporność na zarysowanie.
Istnieją tak zwane cienkie warstwy o niskiej emisyjności, w szczególności złożone z domieszkowanych tlenków metali, na przykład z domieszkowanego fluorem tlenku cyny (F:SnO2) lub z domieszkowanego cyną tlenku indu (ITO), które mogą być osadzone na szkle przy zastosowaniu techniki pirolizy. Podłoże zamontowane w zespole okiennym, w szczególności w budynku, kiedy już zostało powleczone warstwą o niskiej emisyjności, czyni możliwym zmniejszenie emisji dalekiej podczerwieni na zewnątrz pokoju lub z wnętrza pojazdu przez ten zespół okienny. Tak więc, przez zmniejszenie strat energii spowodowanych częściowo przez tę ucieczkę promieniowania, znacząco poprawiony jest komfort cieplny w szczególności zimą.
Podłoże pokryte w ten sposób może być wmontowane w dwuszybowy zespół okienny z warstwą o niskiej emisyjności zwróconą w kierunku wypełnionej gazem przestrzeni oddzielającej dwa podłoża, na przykład umieszczoną jako trzecia powierzchnia (powierzchnie w wieloszybowych zespołach okiennych są umownie numerowane zaczynając od płaszczyzny najbardziej zewnętrznej w odniesieniu do wnętrza pokoju lub pojazdu). Dlatego też utworzony w ten sposób dwuszybowy zespół okienny ma poprawioną izolację termiczną o niskim współczynnik wymiany ciepła K, przy zachowaniu korzyści z dopływu energii słonecznej przy wysokim czynniku słonecznym (to jest stosunku całkowitej energii wnikającej do pokoju do padającej energii słonecznej). Tego tematu dotyczą w szczególności zgłoszenia patentowe EP-0 544 577, FR-2 704 543 i EP-0 500 445.
Warstwy o niskiej emisyjności są zazwyczaj wykonywane z dobrych przewodników elektrycznych. Daje to możliwość wyposażania pojazdów silnikowych w zespoły okienne, które uczyniono grzewczymi/przeciwoblodzeniowymi zespołami okiennymi przez zaopatrzenie ich w odpowiednie przewody prądowe, i których zastosowanie jest opisane na przykład w opisie patentowym EP-0 353 140.
Istnieją również cienkie warstwy filtrujące, zwane warstwami selektywnymi lub przeciwsłonecznymi, które osadzone na podłożach wbudowanych w zespoły okienne umożliwiają zmniejszenie dopływu ciepła promieniowania słonecznego przez zespół okienny do wnętrza pokoju lub pojazdu przez absorpcję/odbicie. Mogą one, na przykład, być warstwami azotku tytanu TiN (lub tlenoazotku tytanu), takimi jak te otrzymywane z wykorzystaniem techniki pirolizy fazy gazowej i opisanymi w europejskich zgłoszeniach patentowych EP-0 638 527 i EP-0 650 938. Może to być również cienka (mniejsza lub równa 30 nanometrów) odblaskowa warstwa glinu, zwłaszcza otrzymana przez kondensację par metalu, z zastosowaniem chemicznego osadzania par (CVD) lub techniki osadzania opisanej w międzynarodowym zgłoszeniu patentowym WO 9732822.
Wynalazek dotyczy również technik osadzania tych różnych warstw, a zwłaszcza technik obejmujących reakcję pirolizy. Techniki te polegają na rozpyleniu „prekursorów”, na przykład metaloorganicznych, które są albo w postaci gazu, albo w postaci proszku, albo same są cieczami lub też w postaci roztworu ciekłego, na powierzchni podłoża, które jest ogrzewane do wysokiej temperatury. Wchodząc w kontakt z podłożem prekursory rozkładają się na nim pozostawiając na przykład warstwę metalu, tlenku, tlenoazotku lub azotku. Przewaga pirolizy tkwi w tym, że pozwala ona na bezpośrednie osadzanie warstw na szklanej wstędze w sposób ciągły w linii produkcyjnej szkła płaskiego typu float, jak również w tym, że pirolizowane warstwy mają (w ogólności) bardzo dobrą przyczepność do podłoża.
Warstwy o niskiej emisyjności lub warstwy filtrujące wspomniane powyżej często tworzą część stosu warstw i są, co najmniej na jednej z ich stron, w kontakcie z inną warstwą, zazwyczaj z materiału dielektrycznego spełniającego rolę optyczną i/lub zabezpieczającą.
PL 191 071 B1
Zatem, we wspomnianych wcześniej zgłoszeniach patentowych EP-0 544 577 i FR-2 704 543 warstwa o niskiej emisyjności, na przykład wykonana z F:SnO2, jest otoczona przez dwie warstwy dielektryka z SiO2, SiOC lub typu tlenku metalu, które to warstwy mają współczynnik załamania światła i grubość dobrane tak, żeby zmodyfikować optyczny wygląd podłoża, na przykład jego kolor, zwłaszcza przy odbiciu światła.
W zgłoszeniu patentowym EP-0 500 445, także wspomnianym poprzednio, warstwa o niskiej emisyjności z ITO leży pod warstwą tlenku glinu, żeby zabezpieczyć ją przed utlenianiem i również, żeby w pewnych warunkach uniknąć konieczności poddawania jej operacji redukującego odprężania, i/lub żeby umożliwić wyginanie lub utwardzanie powleczonego już podłoża bez niekorzystnego wpływu na jego właściwości.
Warstwa TiO2 lub podwójna warstwa TiO2/SiOC, która pokrywa filtrującą warstwę TiN zgodnie ze wspomnianym wcześniej zgłoszeniem patentowym EP-0 650 938, ma również funkcję zabezpieczającą TiN przed utlenianiem i zazwyczaj poprawiającą jej trwałość.
Jednakże ważne jest, żeby móc upewnić się o spójności stosu cienkich warstw. Zatem niezbędne jest, żeby warstwy wykazywały:
- odporność na działanie czynników chemicznych.
Jest to potrzebne ponieważ często zdarza się, że powleczone już warstwami przezroczyste podłoże jest przechowywane przez dość długi okres zanim zostanie wmontowane w zespół okienny. Jeżeli podłoże nie jest starannie szczelnie zapakowane, co jest kosztowne, warstwy, którymi jest ono pokryte mogą być bezpośrednio wystawione na działanie zanieczyszczonej atmosfery lub mogą być poddane czyszczeniu detergentami, które nie są dobrze dostosowane do usuwania z nich kurzu, nawet jeżeli podłoża są później łączone razem w podwójne zespoły okienne lub w laminowane zespoły okienne z osadzonymi cienkimi warstwami jako drugą lub trzecią powierzchnią, i tym samym zabezpieczone. Co więcej, oprócz tych problemów z przechowywaniem, stosy podatne na chemiczną korozję nie dają motywacji do użycia podłoży jako „monolitycznych zespołów okiennych lub do takiego układu warstw, że w przypadku wieloszybowych zespołów okiennych stanowią one pierwszą lub czwartą powierzchnię, to jest do konfiguracji, w której warstwy są przez cały rok wystawione na działanie atmosfery otoczenia;
- odporność na uszkodzenia mechaniczne.
Przykładowo, powleczone już warstwami przezroczyste podłoże może być użyte w konfiguracji, w której jest ono z łatwością narażone na uszkodzenia typu zarysować. W rezultacie, po pierwsze, podłoże nie ma już „prawidłowego” estetycznego wyglądu ponieważ jest częściowo porysowane i, po drugie, trwałość zarówno stosu jak i podłoża jest wielce ograniczona ze względu na możliwe wprowadzenie miejsc mechanicznie osłabionych, zależnie od przypadku.
Dlatego też istnieje ciągłe poszukiwanie stosu warstw o podwyższonej chemicznej i/lub mechanicznej trwałości. Jednakże nie mogą to być ulepszenia ze szkodą dla właściwości optycznych zespołu utworzonego przez podłoże i stos cienkich warstw.
Jak wspomniano poprzednio, istnieją już nakładane warstwy materiału dielektrycznego, które zapewniają pewien stopień zabezpieczenia warstw znajdujących się w stosie pod nimi. W celu zachowania spójności wystawionych na silną lub długotrwałą korozję i/lub całkowitego zabezpieczenia możliwie „słabszych” niższych warstw w europejskim zgłoszeniu patentowym EP-0 712 815 opisano cienką warstwę opartą na tlenku zawierającym krzem i trzeci pierwiastek, na przykład w postaci chlorowca typu fluoru F, który ułatwia utworzenie mieszanej struktury krzem/glin.
Ta warstwa jest szczególnie odpowiednia do zastosowania jako ostatnia warstwa w stosie, w którym warstwę funkcyjną w zespole okiennym stanowi warstwa filtrująca lub o niskiej emisyjności, ponieważ może ona wypełnić funkcję optyczną, w szczególności funkcję optymalnego wyglądu przy odbiciu światła i może gwarantować pewien stopień stałości wyglądu zespołów okiennych w czasie.
Jednakże, niekoniecznie jest ona zdolna do opierania się uszkodzeniom mechanicznym, takim jak zarysowania, ponieważ nie ma ona skrajnie wysokiej twardości.
Jest znane, że jednego rodzaju twardą cienką warstwą zaprojektowaną zwłaszcza po to, aby była trwała i stabilna przy mechanicznym ścieraniu i/lub działaniu chemicznym, stanowi cienka warstwa oparta na azotku krzemu, który może, zależnie od okoliczności, zawierać pewną ilość zanieczyszczeń takich jak tlen i węgiel.
Zatem znany jest jeden rodzaj cienkiej warstwy opartej na azotku krzemu, osadzanej na podłożu techniką pirolizy w fazie gazowej z użyciem dwóch prekursorów, zawierającego krzem prekursora,
PL 191 071 B1 jakim jest silan i zawierającego azot prekursora, albo nieorganicznego w rodzaju amoniaku, albo organicznego w rodzaju hydrazyny, w szczególności hydrazyny podstawionej metylem.
Kiedy osadzanie jest przeprowadzane z użyciem zawierającego azot prekursora w rodzaju amoniaku, temperatury są zbyt wysokie (wyższe niż 700°C), aby były odpowiednie dla, na przykład, ciągłego osadzania na wstędze szkła krzemianowo-sodowo-wapniowego w komorze z kąpielą do pławienia, ponieważ w tych temperaturach te standardowe szkła nie osiągnęły jeszcze stałych wymiarów.
Co do zawierających azot prekursorów w rodzaju hydrazyny, mają one taki stopień toksyczności, że czyni to ich przemysłowe zastosowanie problematycznym.
Jest również znane, osadzanie cienkiej warstwy opartej na azotku krzemu tą samą techniką jak wspomniana powyżej, w szczególności z użyciem nie dwóch prekursorów, ale tylko jednego zawierającego zarówno krzem jak i azot w rodzaju Si(NMe2)4-nHn. Szybkości osadzania jakie mogą być osiągnięte są zbyt niskie, aby pozwoliły wykorzystywać ten proces osadzania na skalę przemysłową. Ponadto, synteza tego produktu jest stosunkowo złożona i dlatego też kosztowna, a odpowiednie proporcje zawierającego krzem i zawierającego azot prekursora lub prekursorów już nie mogą być zmieniane.
Dodatkowo, znane cienkie warstwy oparte na azotku krzemu mają pewne wady:
- z jednej strony nie są one, jak to jest niezbędne, dostatecznie twarde i są mniej trwałe, zwłaszcza kiedy są osadzane w próżni w celu nadania podłożu, zaopatrzonemu w taką pojedynczą warstwę lub w stos cienkich warstw zawierających tę warstwę, funkcji odporności na zarysowanie; i
- z drugiej strony, zwłaszcza kiedy są osadzane przez pirolizę, absorbują długości fali z zakresu światła widzialnego, co jest szkodliwe z punktu widzenia optyki.
Zadaniem niniejszego wynalazku jest zatem uniknięcie wspomnianych wcześniej wad, a zatem opracowanie nowej cienkiej warstwy opartej na azotku lub tlenoazotku krzemu, mającej większą twardość, będącej równocześnie dużo mniej absorbującą, mogącej stanowić część stosu cienkich warstw, w szczególności tak, żeby wypełnić funkcję zabezpieczającą stos cienkich warstw, w który jest włączona, przed działaniem chemicznym.
Zadaniem niniejszego wynalazku jest też zapewnienie sposobu wytwarzania podłoża przezroczystego pokrytego co najmniej jedną cienką warstwą opartą na azotku lub tlenoazotku krzemu, w szczególności z wykorzystaniem techniki pirolizy w fazie gazowej, która jest odpowiednia dla ciągłego osadzania na wstędze szkła w komorze z kąpielą do pławienia, i która pozwala na osiągnięcie większej szybkości osadzania.
Podłoże przezroczyste typu podłoża szklanego, pokryte co najmniej jedną cienką warstwą opartą na azotku lub tlenoazotku krzemu, odznacza się według wynalazku tym, że cienka warstwa osadzona w temperaturze pomiędzy 550°C i 760°C, korzystnie pomiędzy 660°C i 760°C ma geometryczną grubość między 5 nanometrów i 5 mikrometrów, w szczególności między 20 i 1000 nanometrów i zawiera pierwiastki Si, O, N, C w następujących ilościach w procentach atomowych:
- Si: od 30 do 60%, w szczególności od 40 do 50%,
- N: od 10 do 56%, w szczególności od 20 do 56%,
- O: od 1 do 40%, w szczególności od 5 do 30%,
- C: od 1 do 40%, w szczególności od 5 do 30%.
Korzystnie cienka warstwa zawiera co najmniej jedną domieszkę, w szczególności w postaci chlorowca, korzystnie fluoru F i/lub w postaci fosforu P, lub boru B, korzystnie w ilości w procentach atomowych między 0,1 i 5%.
Korzystnie cienka warstwa jest jednorodna lub ma gradient składu w kierunku jej grubości.
Korzystnie cienka warstwa ma współczynnik absorpcji światła AL mniejszy niż 2% przy geometrycznej grubości 100 nanometrów.
Korzystnie cienka warstwa ma współczynnik załamania światła większy niż 1,6, w szczególności między 1,8 i 2,0, korzystnie 1,85.
Korzystnie cienka warstwa stanowi część stosu cienkich warstw, z których co najmniej jedna warstwa jest warstwą funkcyjną posiadającą właściwości termiczne, w szczególności filtrujące, przeciwsłoneczne lub niską emisyjność, i/lub właściwości fotokatalityczne, takie jak warstwa posiadająca funkcję zwierciadła, składająca się z domieszkowanego tlenku metalu, z azotku/tlenoazotku metalu lub metalu w rodzaju glinu lub krzemu, lub stanowi część stosu warstw przeciwodblaskowych.
Korzystnie cienka warstwa znajduje się pod warstwą funkcyjną, w szczególności jako warstwa przeszkadzająca dyfuzji jonów, zwłaszcza metali alkalicznych i tlenu z podłoża, typu podłoża szklanego, lub jako warstwa zaporowa dla migracji jonów z warstwy funkcyjnej do podłoża, typu podłoża
PL 191 071 B1 szklanego, mającego posłużyć do produkcji ekranu plazmowego, lub jako warstwa zarodkowa, lub mająca rolę optyczną.
Korzystnie cienka warstwa jest na warstwie funkcyjnej, w szczególności jako warstwa zabezpieczająca warstwę funkcyjną przed wysokotemperaturowym utlenianiem lub przed korozją chemiczną, warstwa zabezpieczająca mechanicznie w rodzaju warstwy odpornej na zarysowanie, warstwa spełniająca rolę optyczną, lub warstwa polepszająca przyczepność górnej warstwy.
Korzystnie warstwa funkcyjna jest wykonana z domieszkowanego fluorem tlenku cyny F:SnO2, domieszkowanego cyną tlenku indu ITO, domieszkowanego indem tlenku cynku In:ZnO, domieszkowanego fluorem tlenku cynku F:ZnO, domieszkowanego glinem tlenku cynku Al:ZnO lub domieszkowanego cyną tlenku cynku Sn:ZnO, mieszanego tlenku Cd2SnO4, azotku tytanu TiN lub tlenoazotku tytanu, lub azotku cyrkonu ZrN.
Korzystnie cienka warstwa jest jedyną warstwą pokrywającą podłoże lub jest związana z warstwą przeciwopalescencyjną jako warstwa funkcyjna odporna na zarysowania.
Korzystnie cienka warstwa ma geometryczną grubość co najmniej 250 nanometrów.
Korzystnie cienka warstwa stanowi część stosu w rodzaju szkło/TiN i/lub ZrN/cienka warstwa SiOC i/lub SiO2 i stanowi mocną powierzchnię rozdziału między TiN i/lub ZrN i SiOC i/lub SiO2, oraz warstwę zabezpieczającą przed utlenianiem po osadzeniu nałożonej górnej warstwy z SiOC i/lub SiO2 na linii produkcyjnej i/lub poza nią.
Korzystnie warstwa TiN ma geometryczną grubość między 10 i 50 nanometrów, cienka warstwa ma geometryczną grubość między 5 i 20 nanometrów, nałożona górna warstwa SiOC i/lub SiO2 ma geometryczną grubość między 30 i 100 nanometrów oraz stos ma selektywność co najmniej 7%.
Sposób wytwarzania podłoża przezroczystego typu podłoża szklanego, pokrytego co najmniej jedną cienką warstwą opartą na azotku lub tlenoazotku krzemu, za pomocą techniki pirolizy w fazie gazowej z użyciem co najmniej dwóch prekursorów, włączając co najmniej jeden prekursor krzemu i co najmniej jeden prekursor azotu, charakteryzuje się według wynalazku tym, że stosuje się co najmniej jeden prekursor azotu w postaci aminy oraz cienką warstwę osadza się w temperaturze pomiędzy 550°C i 760°C, korzystnie pomiędzy 660°C i 760°C.
Korzystnie jako prekursor krzemu stosuje się silan, taki jak wodorek krzemu i/lub alkilokrzem, lub silazan.
Korzystnie jako aminę stosuje się aminę pierwszorzędową, drugorzędową lub trzeciorzędową, w szczególności taką z rodnikami alkilowymi posiadającymi od 1 do 6 atomów węgla każdy.
Korzystnie jako aminę stosuje się etyloaminę C2H5NH2, metyloaminę CH3NH2, dwumetyloaminę (CH3)2NH, butyloaminę C4H9NH2 lub propyloaminę C3H7NH2.
Korzystnie stosunek ilości prekursora względnie prekursorów azotu do ilości prekursora względnie prekursorów krzemu, wyrażonych jako liczby moli, zawiera się między 5 i 30, a korzystnie 10.
Korzystnie stosuje się prekursor domieszki niezależny od prekursorów krzemu i prekursorów azotu, i jest nim, w szczególności, fluorowany gaz w rodzaju CF4, kiedy domieszką jest fluor F, i gaz organiczny stanowiący nośnik fosforanu taki jak PO(OCH3)3, lub gaz w rodzaju trójetylofosforynu, trójmetylofosforynu, trójmetyloboranu, PCh lub PF5, PBr3 lub PCb, kiedy domieszką jest fosfor P lub bor B.
Korzystnie osadza się cienką warstwę w zasadniczo obojętnej lub zawierającej wodór, a nie zawierającej tlenu atmosferze, w sposób ciągły na wstędze szkła float w komorze do pławienia i/lub w skrzyni do kontrolowania obojętnej lub redukującej atmosfery.
Przedmiotem wynalazku jest również zastosowanie podłoża opisanego powyżej do wytwarzania zespołów okiennych zaopatrzonych w cienkie warstwy do zabezpieczenia przeciwsłonecznego typu filtrującego lub o niskiej emisyjności, i/lub odpornych na zarysowania, i/lub mających funkcję zwierciadła lub przeciwodblaskową, i/lub mających funkcję odporności na zabrudzenie, na „przednich i tylnych” powierzchniach ekranów emisyjnych typu płaskiego ekranu, takich jak ekrany plazmowe.
Korzystnie podłoże stosuje się do wytwarzania zespołów okiennych zaopatrzonych w utwardzalne/wyginalne i/lub wysoce trwałe cienkie warstwy.
Korzystnie podłoże stosuje się do monolitycznych, laminowanych lub wieloszybowych zespołów okiennych, w których podłoże względnie podłoża są przezroczyste lub jednolicie zabarwione.
Wynalazek obejmuje również zastosowanie podłoża opisanego powyżej do obróbki wewnętrznej i/lub zewnętrznej powierzchni pojemników, typu szklane butelki, lub kolb.
Nieoczekiwanie ta cienka warstwa okazała się być zarówno twarda, w porównaniu do innych znanych cienkich warstw opartych na azotku krzemu, jak i bardzo przezroczysta i dlatego mająca niską lub zerową absorbancję przy długościach fal z zakresu światła widzialnego: wysoka zawartość
PL 191 071 B1
Si i N pokazuje, że stanowi ją materiał złożony głównie z azotku krzemu. Poprzez zmianę proporcji między składnikami pozostającymi w mniejszości, typu C i O właściwości warstwy mogą być precyzyjnie modyfikowane. Zatem, przez zmianę względnych proporcji węgla i tlenu możliwe jest zarówno, na przykład, „precyzyjne dostrojenie” gęstości i współczynnika załamania światła cienkiej warstwy, tak, aby nadać jej mechaniczną twardość i właściwości optyczne, które są użyteczne i pożądane. Możliwa zmiana wspomnianych wcześniej względnych proporcji może być zrealizowana, na przykład ze względu na optykę, z użyciem delikatnego czynnika utleniającego typu CO2. Jest tak, ponieważ węgiel i azot mają tendencję do podwyższania współczynnika załamania światła, a tlen wywołuje efekt przeciwny.
Przykładowo, współczynnik załamania światła warstwy jest większy niż 1,6, w szczególności wynosi od 1,8 do 2,0, korzystnie 1,85.
Warstwa może zawierać inne pierwiastki w postaci domieszek takich jak fluor, fosfor lub bor, korzystnie w ilości w procentach atomowych między 0,1 i 5%. Warstwa może również być jednorodna lub mieć gradient składu w kierunku jej grubości.
Korzystnie, cienka warstwa ma współczynnik absorpcji światła AL mniejszy niż 2% przy geometrycznej grubości 100 nanometrów, a jej optyczna jakość została szczególnie wykazana, kiedy omawiana warstwa jest osadzana z wykorzystaniem techniki pirolizy w fazie gazowej, jak wyjaśniono niżej.
Cienka warstwa, korzystnie, stanowi część stosu cienkich warstw, którego co najmniej jedna warstwa jest warstwą funkcyjną posiadającą właściwości termiczne, w szczególności filtrujące, przeciwsłoneczne lub niską emisyjność i/lub właściwości elektryczne, i/lub właściwości optyczne, i/lub właściwości fotokatalityczne, takie jak warstwa posiadająca funkcję zwierciadła, składająca się z domieszkowanego tlenku metalu, azotku/tlenoazotku metalu lub metalu w rodzaju glinu, lub krzemu. Może ona również stanowić część stosu warstw przeciwodblaskowych, działając jako warstwa o wysokim współczynniku lub o „pośrednim” współczynniku.
Możliwe jest, żeby jako domieszkowany tlenek metalu lub azotek/tlenoazotek metalu wybrać domieszkowany fluorem tlenek cyny F:SnO2, domieszkowany cyną tlenek indu ITO, domieszkowany indem tlenek cynku In:ZnO, domieszkowany fluorem tlenek cynku F:ZnO, domieszkowany glinem tlenek cynku Al:ZnO, domieszkowany cyną tlenek cynku Sn:ZnO, mieszany tlenek Cd2SnO4, azotek tytanu TiN lub azotek cyrkonu ZrN.
Warstwa taka może znajdować się pod warstwą funkcyjną. Może wtedy spełniać, w szczególności, rolę warstwy zaporowej dla dyfuzji jonów, zwłaszcza metali alkalicznych i tlenu z podłoża w rodzaju szkła, lub jeszcze rolę warstwy zarodkowej, i/lub mieć rolę optyczną (modyfikacja barwy, działanie przeciwopalescencyjne, działanie przeciwodblaskowe). W pewnych zastosowaniach w rodzaju ekranu plazmowego może ona również spełniać rolę warstwy zaporowej dla migracji jonów Ag+ z opartych na srebrze warstw funkcyjnych do podłoża w rodzaju szkła.
Zgodnie z innym wariantem wynalazku warstwa może być umieszczona na warstwie funkcyjnej. Może zatem służyć, w szczególności, jako warstwa zabezpieczająca warstwę funkcyjną przed wysokotemperaturowym utlenianiem lub przed chemiczną korozją, jako warstwa zabezpieczająca mechanicznie w rodzaju warstwy odpornej na zarysowanie, warstwa spełniająca rolę optyczną lub warstwa polepszająca przyczepność górnej warstwy.
Zgodnie z jeszcze innym wariantem, cienka warstwa jest jedyną warstwą pokrywającą podłoże i korzystnie spełnia funkcję zapewnienia odporności na zarysowanie. Geometryczna grubość warstwy może być bardzo swobodnie modyfikowana w bardzo szerokim zakresie od 5 nanometrów do 5 mikrometrów, w szczególności, między 20 i 1000 nanometrów. Dość znaczna grubość, na przykład co najmniej 250 nanometrów, jest korzystna dla zaakcentowania działania uodporniającego na zarysowania podłoża zaopatrzonego w co najmniej jedną omawianą warstwę, a warstwa posiadająca mniejszą grubość jest pożądana w ogólności dla innych funkcji (zarodkowanie, przyczepność, i tak dalej).
Przedmiotem niniejszego wynalazku jest również sposób otrzymywania wyżej zdefiniowanego podłoża, który to sposób polega na osadzeniu cienkiej warstwy opartej na azotku krzemu za pomocą techniki pirolizy w fazie gazowej (zwanej również CVD) stosując co najmniej dwa prekursory, włączając w to co najmniej jeden prekursor krzemu i co najmniej jeden prekursor azotu. Zgodnie ze sposobem według niniejszego wynalazku co najmniej jednym prekursorem azotu jest amina.
Wybór takiego prekursora zawierającego azot jest szczególnie korzystny: ma on reaktywność dostateczną do tego, aby możliwe było przeprowadzenie osadzania w temperaturach, w których podłoże szklane ze standardowego szkła krzemianowo-sodowo-wapniowego całkowicie osiągnęło swoje stałe wymiary, w szczególności w kontekście linii produkcyjnej szkła typu float.
PL 191 071 B1
Dodatkowo, osiągane szybkości osadzania są dostatecznie wysokie, aby pozwolić na osadzenie znacznych grubości w komorze do pławienia.
Wybranym prekursorem zawierającym krzem może być, korzystnie, silan w rodzaju wodorku krzemu i/lub alkilokrzemu, lub silazan.
Amina może być wybrana spośród pierwszorzędowych, drugorzędowych lub trzeciorzędowych amin, w szczególności tych z rodnikami alkilowymi posiadającymi od 1 do 6 atomów węgla każdy.
Zatem może to być etyloamina C2H5NH2, metyloamina CH3NH2, dwumetyloamina (CH3)2NH, butyloamina C4H9NH2 lub propyloamina C3H7NH2.
Wybór odpowiedniej aminy dla uzyskania warstwy posiadającej daną geometryczną grubość i/lub dany współczynnik załamania światła wynika z kompromisu jaki trzeba znaleźć pośród pewnej liczby parametrów takich jak przeszkoda steryczna, reaktywność, i tym podobne.
Korzystnie, stosunek ilości prekursora azotu do ilości prekursora zawierającego krzem, wyrażonych jako liczby moli, zawiera się między 5 i 30, a korzystnie wynosi 10.
W rzeczywistości ważne jest kontrolowanie takiego stosunku w celu uniknięcia, z jednej strony, niedostatecznej zawartości azotu i, z drugiej strony, ryzyka zarodkowania w fazie gazowej i w wyniku ryzyka utworzenia proszku. Ryzyko zatkania urządzenia i zmniejszenia wydajności produkcji jest tym sposobem ograniczone.
Wówczas, gdy pożądane jest wbudowanie domieszki wybierany jest prekursor domieszki niezależnie od prekursora zawierającego krzem i prekursora aminowego. Może to być, na przykład, fluorowany gaz w rodzaju CF4, kiedy pożądaną domieszką jest fluor F, lub gaz nośny w postaci organicznego fosforanu w rodzaju PO(OCH3)3, lub gaz w rodzaju trójetylofosforynu, trójmetylofosforynu, trójmetyloboranu, PF5, PCh, PBr3 lub PCl5, kiedy pożądaną domieszką jest fosfor P lub bor B. Korzystnie, domieszki te zazwyczaj pozwalają na podwyższenie szybkości osadzania.
Temperatura osadzania jest odpowiednia do wyboru prekursorów, w szczególności aminy. Korzystnie, zawiera się ona między 550 i 760°C. Korzystnie może być ona zawarta między 600 i 700°C, to jest między temperaturą, w której szkło, w szczególności szkło krzemowo-sodowo-wapniowe, jest ustabilizowane wymiarowo i temperaturą jaką ma ono na wyjściu z komory do pławienia.
Korzystnie, w wariancie, w którym mieszanka szkła podłoża jest odpowiednia do zastosowań elektronicznych, temperatura zawiera się między 660 i 760°C.
Według tego wariantu, korzystną mieszanką może być ta opisana w zgłoszeniu patentowym WO 96/11887. Ta mieszanka wyrażona w procentach wagowych ma skład:
| SiO2 | 45 | - 60% |
| AI2O3 | 0 | - 20% |
| ZrO2 | 0 | - 20% |
| B2O3 | 0 | - 20% |
| Na2O | 2 | - 12% |
| K2O | 3,5 | - 9% |
| CaO | 1 | - 13% |
| MgO | 0 | - 8% |
z warunkami:
· SiO2 + Al2O3 + ZrO2 < 70% · AI2O3 + ZrO2 > 2% · Na2O + K2O > 8% i opcjonaInie BaO i/Iub SrO w następujących proporcjach:
11% < MgO + CaO + BaO + SrO < 30% z dolną temperaturą odprężania wynoszącą co najmniej 530°C i z współczynnikiem α 80 do 95 x 107 (°C).
PL 191 071 B1
Inną korzystną mieszanką wziętą ze zgłoszenia patentowego FR 97/00498 jest mieszanka o składzie, nadal w procentach wagowych:
| SiO2 | 55 | - 60%, korzystnie 55 - 60% |
| Al2O3 | 0 | - 5% |
| ZrO2 | 5 | - 10% |
| B2O3 | 0 | - 3% |
| Na2O | 2 | - 6% |
| K2O | 5 | - 9% |
| MgO | 0 | - 6%, korzystnie 1 - 6% |
| CaO | 3 | - 11%, korzystnie 7 - 11% |
| SrO | 4 | - 12% |
| BaO | 0 | - 2% |
z warunkami:
· Na2O + K2O > 10% · MgO + CaO + SrO + BaO > 11%, korzystnie > 15% i z dolną temperaturą odprężania wynoszącą co najmniej 600°C. (Inny wariant polega na wyborze zawartości A^O3 od 5 do 10% i zawartości ZrO2 od 0 do 5%, utrzymując niezmienione proporcje pozostałych składników).
Należy przypomnieć, że tak zwana dolna temperatura odprężania (temperatura zanikania naprężen) jest temperaturą, w której szkło osiąga lepkość η równą 10 Pa-s.
Zatem, korzystne jest osadzanie warstwy w zasadniczo obojętnej lub redukującej atmosferze, na przykład w mieszaninie N2/H2 nie zawierającej lub prawie nie zawierającej tlenu, w sposób ciągły na wstędze szkła float w komorze do pławienia i/lub w skrzyni do utrzymywania obojętnej, wolnej od tlenu atmosfery w celu osadzania warstwy w dalszej części linii produkcyjnej szkła float, możliwie w trochę niższych temperaturach.
Wynalazek pozwala zatem wytwarzać filtrujące, kontrolujące energię słoneczną zespoły okienne ze stosami typu:
- szkło/TiN i/lub ZrN/warstwa zgodna z niniejszym wynalazkiem/SiOC i/lub SiO2, przy czym cienka warstwa zgodna z niniejszym wynalazkiem umożliwia uzyskanie dużo mocniejszej powierzchni rozdziału faz między, z jednej strony, warstwą TiN i/lub warstwą ZrN i, z drugiej strony, warstwą SiOC i/lub warstwą SiO2. Warstwa czyni również możliwym zapewnienie dowolnej skutecznej ochrony TiN i/lub ZrN przed ryzykiem utlenienia powierzchni, albo na linii produkcyjnej po osadzeniu warstwy SiOC i/lub SiO2, albo poza linią produkcyjną, na przykład kiedy podłoże zaopatrzone w stos warstw zostało już pocięte i przechodzi obróbkę cieplną w rodzaju wyginania/utwardzania lub odprężania. Korzystnie, warstwa ma geometryczną grubość między 5 i 20 nanometrów, i nałożona warstwa SiOC i/lub SiO2 ma geometryczną grubość między 30 i 100 nanometrów;
i jeszcze typu:
- szkło/Al/cienka warstwa zgodna z niniejszym wynalazkiem, przy czym odblaskowa warstwa glinu albo posiada małą grubość (mniejszą lub równą 30 nanometrów), albo posiada większą grubość, kiedy pożądana jest funkcja zwierciadła, tak jak ta opisana we wspomnianym wcześniej międzynarodowym zgłoszeniu patentowym WO 9732822, a cienka warstwa zgodna z niniejszym wynalazkiem spełnia rolę zarówno czynnika zabezpieczającego przed utlenianiem, jak i funkcję nadawania odporności na zarysowanie.
Wynalazek czyni również możliwym wyprodukowanie zespołów okiennych, których zasadniczą funkcją jest zapewnienie odporności na zarysowanie, to jest zespołów okiennych stosowanych jako płyty podłogowe i szklane meble, w których szklane podłoże jest tylko powleczone cienką warstwą opartą na Si3N4 według niniejszego wynalazku, opcjonalnie w połączeniu z warstwą przeciwopalescencyjną.
Korzystnie, szkło jest tym sposobem zabezpieczone przed jakimkolwiek zużyciem. Cienka warstwa podłoża według niniejszego wynalazku może być również połączona z warstwami o niskiej emisyjności z wykorzystaniem stosów typu:
- szkło/SiOC/F:SnO2 lub ITO/cienka warstwa zgodna z niniejszym wynalazkiem.
PL 191 071 B1
W tych stosach położona niżej warstwa SiOC może być oczywiście zastąpiona przez inny tlenek metalu, taki jak opisane w zgłoszeniu patentowym EP-0 677 493.
Zgodnie z niniejszym wynalazkiem, możliwe jest wyprodukowanie dowolnego typu funkcyjnego zespołu okiennego zaopatrzonego w stos cienkich warstw, który ma wysoką trwałość i nadaje się do utwardzania i/lub wyginania, kiedy podłoże jest podłożem szklanym.
Wynalazek umożliwia ponadto wyprodukowanie zespołów okiennych, dla których pożądana jest funkcja odporności na zabrudzenie przez zastosowanie stosów typu:
- szkło/cienka warstwa zgodna z niniejszym wynalazkiem/TiO2.
W tych stosach cienka warstwa zgodna z niniejszym wynalazkiem ma zasadniczo działać jako zapora dla metali alkalicznych migrujących ze szkła do warstwy opartej na tlenku tytanu TiO2, przez co wzmocniony zostaje efekt fotokatalityczny tego ostatniego. Dodatkowo, jeżeli grubość warstwy zgodnej z niniejszym wynalazkiem jest odpowiednia, żeby powodować oddziaływania inerferencyjne, działa ona również jako warstwa przeciwopalescencyjna.
Tlenek tytanu TiO2 może być głównie w postaci krystalizowanych cząstek typu anatazu, jak opisano w zgłoszeniu patentowym WO 97/10188.
Jednakże może on być również w postaci co najmniej częściowo skrystalizowanej błony, takiej jak opisana w zgłoszeniu patentowym WO 97/10186.
Na koniec, wynalazek pozwala na wyprodukowanie ekranów emisyjnych typu płaskiego ekranu, takich jak ekrany plazmowe. Cienka warstwa może wtedy pełnić różne funkcje, zależnie od natury składu chemicznego podłoża, na którym jest osadzona, i/lub od umiejscowienia (przednia lub tylna powierzchnia) na tym samym podłożu w ekranie, a przez to i od natury warstw funkcyjnych naniesionych na niej, takich jak elektrody i luminofory (fotofory), składniki zasadnicze dla działania ekranu.
Zatem, w przypadku w którym szklane podłoże jest typu „zablokowane alkalia”, to jest w znacznym stopniu wolne od dyfundujących pierwiastków w rodzaju alkalicznych, cienka warstwa zgodna z niniejszym wynalazkiem bardzo skutecznie wypełnia zasadniczą rolę warstwy zaporowej dla migracji pierwiastków dyfundujących z górnej powłoki w kierunku podłoża, w szczególności z opartej na srebrze elektrody.
Podobnie, w przypadku w którym skład szklanego podłoża zawiera metale alkaliczne wypełnia ona również rolę warstwy barierowej dla migracji tych metali.
Wynalazek znajduje również zastosowanie w obróbce powierzchni pojemników, typu szklane butelki, lub kolb, przy czym twarda warstwa zgodna z niniejszym wynalazkiem wzmacnia wspomniane pojemniki, na przykład w przypadku manipulowania nimi, kiedy to zniszczenie jest najbardziej prawdopodobne, niezależnie od obserwowanej niejednorodności względnej grubości omawianej warstwy. Osadzanie twardej warstwy zgodnej z niniejszym wynalazkiem może być zatem przeprowadzane na zewnętrznej ścianie pojemników, z mechanicznym jej wzmacnianiem, w szczególności zabezpieczeniem przed uderzeniem, ale również na ścianie wewnętrznej pojemników tak, aby na przykład zapobiec ucieczce składników z podłoża.
Przedmiot wynalazku jest bliżej objaśniony w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia przezroczyste krzemowo-sodowo-wapniowe podłoże szklane pokryte cienką warstwą opartą na azotku krzemu, a fig. 2 - zespół okienny ze stosem cienkich warstw, zawierającym cienką warstwę opartą na azotku krzemu. Ze względu na jasność rysunek ten nie zachowuje proporcji w odniesieniu do względnych grubości różnych materiałów.
We wszystkich następujących dalej przykładach osadzanie wszystkich cienkich warstw jest przeprowadzane w komorze do pławienia.
P r z y k ł a d I.
Figura 1 pokazuje zgodnie z niniejszym wynalazkiem przezroczyste krzemowo-sodowowapniowe szklane podłoże 1 o grubości 3 milimetry, na przykład to sprzedawane pod znakiem towarowym PLANILUX przez firmę Saint-Gobain Vitrage, pokryte cienką warstwą 2 opartą na azotku krzemu.
Cienka warstwa 2, oparta na azotku krzemu jest otrzymywana za pomocą techniki pirolizy w fazie gazowej z użyciem silanu SiH4, który jest prekursorem zawierającym krzem, i etyloaminy C2H5NH2, która jest prekursorem zawierającym azot.
Szybkości przepływu prekursorów są dobrane tak, że stosunek objętościowy ilości etyloaminy do ilości silanu jest równy w przybliżeniu 10. Parametr ten jest korzystny z tego powodu, że optymalizuje osadzanie każdego ze składników warstwy. Jest tak, ponieważ zaobserwowano, że nie wolno aby ten stosunek był:
PL 191 071 B1
- za wysoki; w przeciwnym razie może wystąpić ryzyko zarodkowania w fazie gazowej i przez to ryzyko utworzenia proszku; lub
- za niski; w przeciwnym razie może wystąpić niedostateczne wbudowanie się azotu w warstwę.
Zakres stosunków od 5 do 30 okazuje się być całkiem zadowalający, kiedy pożądane jest osadzenie warstwy o grubości od 50 do 300 nanometrów z użyciem silanu i etyloaminy.
Osadzanie było prowadzone na podłożu 1 ogrzanym do temperatury między 600 i 650°C pod ciśnieniem atmosferycznym.
W tych warunkach szybkość wzrostu warstwy 2 zgodnie z wynalazkiem osiągnęła 60 nanometrów na minutę.
Otrzymana warstwa 2, jak pokazano na fig. 1, ma grubość w przybliżeniu 350 nanometrów i współczynnik załamania światła około 1,85.
Mikroanaliza pokazuje, że warstwa 2 zawiera, w procentach atomowych, 32,7% krzemu, 30,6% azotu, 21,1% węgla i 15,6% tlenu.
Sposób według niniejszego wynalazku czyni możliwym modyfikowanie ilości różnych wbudowywanych składników, w szczególności takiego jak węgiel, przez zmianę różnych parametrów, takich jak temperatura, w której przeprowadzane jest osadzanie, użycie jako prekursora azotu aminy innej niż etyloamina lub mieszaniny amin, lub amoniaku dodanego do etyloaminy.
Różnymi aminami, które mają odpowiednią reaktywność są następujące: metyloamina CH3NH2, dwumetyloamina (CH3)2NH, butyloamina C4H9NH2 i propyloamina C3H7NH2. Zadowalające temperatury osadzania warstwy 2 zgodnie z wynalazkiem leżą w zakresie od 550 do 700°C.
Charakterystyki spektrofotometryczne takiej warstwy są dane w tabeli poniżej, w której Tl, Rl i Al oznaczają wartości, odpowiednio, transmisji światła, odbicia światła i absorpcji światła, w procentach:
Tl Rl Al warstwa 2 84 13 3 wartości te zmierzono z użyciem oświetlacza D65 przy niemal prostopadłym świetle padającym.
Obserwuje się, że warstwa zgodna z niniejszym wynalazkiem ma bardzo niską absorpcję światła i że jest wolna od jakichkolwiek zmętnień. (Należy przypomnieć, że zmętnienie jest stosunkiem transmisji światła rozproszonego do transmisji światła przy długości fali 550 nanometrów).
Test był przeprowadzany na podłożu 1 według niniejszego wynalazku pokrytym pojedynczą warstwą 2, co umożliwiło oznaczenie mechanicznej wytrzymałości tej warstwy. Ten test jest przeprowadzany z użyciem tarcz ściernych wykonanych z proszku ściernego wbitego w elastomer. Maszyna jest wyprodukowana przez firmę Taber Instrument Corporation. Jest to standardowy Tester Ścierania model 174, a tarcze ścierne są typu CSIOF i są obciążone masą 500 g. Pokryte podłoże 1 jest lokalnie poddane 50 obrotom i następnie liczba zarysowań jest liczona z użyciem mikroskopu optycznego w czterech kwadratach o boku równym 1 cal, to jest 2,54 cm. Po policzeniu zarysowań obliczana jest średnia liczba R zarysowań w kwadracie. Ostatecznie, liczba Tabera Ts jest obliczana ze wzoru:
Ts = - 0,18R + 10.
Dla warstwy 2 zgodnie z niniejszym wynalazkiem, mającej geometryczną grubość 300 nanometrów liczba ta wynosi 9,3. Wartość ta oznacza bardzo małe uszkodzenia i dlatego jest wskaźnikiem bardzo dobrej odporności na zarysowanie warstwy podłoża według niniejszego wynalazku.
Na podstawie przykładu porównawczego można zauważyć, że warstwa domieszkowanego fluorem tlenku cyny F:SnO2 o geometrycznej grubości 340 nanometrów, znana jako „najtwardsza” warstwa osadzana techniką pirolizy w fazie gazowej, daje w wyniku testu liczbę Tabera równą 9,1.
Stąd jest jasno widoczne, że warstwa podłoża według niniejszego wynalazku oparta na azotku krzemu jest warstwą, która nieodłącznie ma bardzo dobrą mechaniczną odporność na ścieranie i, z punktu widzenia optyki, jest bardzo zadowalająca ponieważ jest bardzo przezroczysta i ma bardzo niską absorbancję przy długościach fali z zakresu widzialnego.
P r z y k ł a d II.
Figura 2 pokazuje przeciwsłoneczny zespół okienny posiadający stos cienkich warstw, w który włączona jest warstwa 2 zgodnie z niniejszym wynalazkiem.
Przezroczyste krzemowo-sodowo-wapniowe szklane podłoże 1 o grubości 6 milimetrów jest pokryte trzema kolejnymi warstwami:
- pierwsza warstwa 3 z TiN o grubości 23 nanometry, otrzymana za pomocą pirolizy w fazie gazowej z użyciem czterochlorku tytanu TiCU i metyloaminy CH3NH2, jak opisano w zgłoszeniu patentowym EP-0 638 527;
PL 191 071 B1
- druga warstwa 2 zgodnie z wynalazkiem o grubości w przybliżeniu 10 nanometrów i o współczynniku załamania światła równym 1,85, osadzona w takich samych warunkach jak w przykładzie I; i
- trzecia warstwa 4 z tlenowęglika krzemu SiOC o grubości 65 nanometrów i o współczynniku załamania światła równym 1,65, również otrzymana za pomocą pirolizy w fazie gazowej z użyciem silanu i etylenu, jak opisano w zgłoszeniu patentowym EP-0 518 755, warstwa zasadniczo w postaci zawierającej krzem utlenia się przy opuszczaniu komory pławienia, a dokładniej w odprężarce tunelowej.
Stos jest zatem typu:
- szkło/TiN/SiaNL/SiOC.
P r z y k ł a d III.
Ten przykład porównawczy został wytworzony z użyciem stosu składającego się z:
- szkło/TiN/SiOC, w którym dwie warstwy, TiN i SiOC, mają takie same charakterystyki jak zdefiniowane powyżej i są otrzymane w takich samych warunkach osadzania.
Obserwuje się, że zgodna z wynalazkiem warstwa 2 nawet przy małej grubości, tworzy bardzo mocną powierzchnię rozdziału faz między pierwszą warstwą 3 z TiN i nałożoną górną warstwą 4 z SiOC.
Dodatkowo, warstwa 2 zgodna z niniejszym wynalazkiem, po nałożeniu górnej warstwy 4 z SiOC, zapewnia skuteczną ochronę TiN przed ryzykiem utlenienia powierzchni na linii produkcyjnej. Tam, gdzie jest to właściwe izoluje ona TiN, kiedy już pocięte podłoże przechodzi kolejne etapy obróbki cieplnej w rodzaju zginania/utwardzania lub odprężania.
Podobnie, po zmierzeniu wartości spektrofotometrycznych, w szczególności transmisji światła Tl, jak również czynnika słonecznego Fs, dla każdego z dwóch stosów z przykładów II i III, obserwuje się, że selektywność odpowiadająca różnicy Tl - Fs jest dużo lepsza w przypadku stosu o trzech warstwach z przykładu II, z warstwą 2 zgodną z niniejszym wynalazkiem, wciśniętą między dwie warstwy TiN i SiOC, ponieważ wartość selektywności wynosi 10%. W przypadku stosu o dwóch warstwach z przykładu III wartość ta jest mniejsza niż 7%.
Na koniec, należy zauważyć, że jeżeli w dwóch powyższych konfiguracjach warstwa oparta na azotku krzemu jest jednorodna na całej jej grubości, jest również w sposób oczywisty możliwe zapewnienie pewnej niejednorodności składu w kierunku jej grubości, w szczególności tak, aby zmieniać współczynnik załamania światła i uwzględnić optymalną optyczną i/lub chemiczną zgodność z warstwą nad nią i/lub pod nią, tak jak na przykład warstwa wzbogacona w SiaN4 od strony TiN i wzbogacona w SiON od strony SiOC w przeciwsłonecznym zespole okiennym wykorzystującym takie same warstwy jak w przykładzie II. Ta „gradientowa” warstwa może być otrzymana za pomocą takiej samej techniki osadzania z pirolizą w fazie gazowej, ale z użyciem dyszy zdolnej do wytwarzania chemicznych gradientów, takiej jak opisana w zgłoszeniu patentowym FR-2 736 632.
Podsumowując, zgodnie z wynalazkiem uzyskano warstwę opartą na azotku krzemu, która ma szczególną zdolność wytrzymywania mechanicznego ścierania i jest wysoce zadowalająca z punktu widzenia optyki, ponieważ ma bardzo niską absorbancję, co nie ma miejsca w przypadku znanych, opartych na SiaN4, warstw.
Bardzo korzystnie, warstwa zgodnie z wynalazkiem może być osadzana przez pirolizę w fazie gazowej przy wysokich szybkościach osadzania, z użyciem zawierającego azot prekursora, który może być wykorzystywany na skalę przemysłową bez wywoływania obciążenia wygórowanymi kosztami.
Wykorzystywany prekursor zawierający azot ma ponadto odpowiednią reaktywność, ponieważ pozwala osiągnąć temperatury osadzania, w których możliwe jest bez większych trudności wytworzenie po kolei trójwarstwowego stosu na wstędze szkła float, na przykład, aby wytworzyć przeciwsłoneczny zespół okienny z warstwą funkcyjną z TiN i ostatnią warstwą z SiOC, przy czym warstwa zgodna z niniejszym wynalazkiem korzystnie, jest włączona w konwencjonalny dwuwarstwowy stos, w celu wytworzenia mocniejszej powierzchni rozdziału faz i uchronienia warstwy funkcyjnej przed utlenianiem po osadzeniu górnej warstwy SiOC, bez przerywania produkcji na linii produkcyjnej, lub także podczas obróbki cieplnej podłoża poza linią produkcyjną.
Zastrzeżenia patentowe
Claims (24)
1. Podłoże przezroczyste typu podłoża szklanego, pokryte co najmniej jedną cienką warstwą opartą na azotku lub tlenoazotku krzemu, znamienne tym, że cienka warstwa (2) osadzona w tempe12
PL 191 071 B1 raturze pomiędzy 550°C i 760°C, korzystnie pomiędzy 660°C i 760°C ma geometryczną grubość między 5 nanometrów i 5 mikrometrów, w szczególności między 20 i 1000 nanometrów i zawiera pierwiastki Si, O, N, C w następujących ilościach w procentach atomowych:
- Si: od 30 do 60%, w szczególności od 40 do 50%,
- N: od 10 do 56%, w szczególności od 20 do 56%,
- O: od 1 do 40%, w szczególności od 5 do 30%,
- C: od 1 do 40%, w szczególności od 5 do 30%.
2. Podłoże według zastrz. 1, znamienne tym, że cienka warstwa zawiera co najmniej jedną domieszkę, w szczególności w postaci chlorowca, korzystnie fluoru F i/lub w postaci fosforu P, lub boru B, korzystnie w ilości w procentach atomowych między 0,1 i 5%.
3. Podłoże według zastrz. 1 albo 2, znamienne tym, że cienka warstwa jest jednorodna lub ma gradient składu w kierunku jej grubości.
4. Podłoże według zas^z. 1 albo 2, znam ienne tym, że οϊβηΐο warsswa ma współczynnik absorpcji światła AL mniejszy niż 2% przy geometrycznej grubości 100 nanometrów.
5. Podłoże według zas^z. 1 albo 2, znam lenne tym, że ocenka jwarrswa ma wspóóczynnik załamania światła większy niż 1,6, w szczególności między 1,8 i 2,0, korzystnie 1,85.
6. Podłoże według zas^z. 1 albo 2, znamjenne tym, że cćenka warsswa ssanowi ssosu cienkich warstw, z których co najmniej jedna warstwa jest warstwą funkcyjną posiadającą właściwości termiczne, w szczególności filtrujące, przeciwsłoneczne lub niską emisyjność, i/lub właściwości fotokatalityczne, takie jak warstwa posiadająca funkcję zwierciadła, składająca się z domieszkowanego tlenku metalu, z azotku/tlenoazotku metalu lub metalu w rodzaju glinu lub krzemu, lub stanowi część stosu warstw przeciwodblaskowych.
7. Podłoże według zast:rz. 6, znamienne tym, że denka warstwa znajduje się pod warstwą funkcyjną, w szczególności jako warstwa przeszkadzająca dyfuzji jonów, zwłaszcza metali alkalicznych i tlenu z podłoża, typu podłoża szklanego, lub jako warstwa zaporowa dla migracji jonów z warstwy funkcyjnej do podłoża, typu podłoża szklanego, mającego posłużyć do produkcji ekranu plazmowego, lub jako warstwa zarodkowa, lub mająca rolę optyczną.
8. Podłoże według zas^z. 6, znamienne tym, że cćenka jwarsswa jess na funkcyjnej w szczególności jako warstwa zabezpieczająca warstwę funkcyjną przed wysokotemperaturowym utlenianiem lub przed korozją chemiczną, warstwa zabezpieczająca mechanicznie w rodzaju warstwy odpornej na zarysowanie, warstwa spełniająca rolę optyczną, lub warstwa polepszająca przyczepność górnej warstwy.
9. Podłoże według zastrz. 7 albo 8, znamienne tym, że warstwa funkcyna jest wykonana z domieszkowanego fluorem tlenku cyny F:SnO2, domieszkowanego cyną tlenku indu ITO, domieszkowanego indem tlenku cynku In:ZnO, domieszkowanego fluorem tlenku cynku F:ZnO, domieszkowanego glinem tlenku cynku Al:ZnO lub domieszkowanego cyną tlenku cynku Sn:ZnO, mieszanego tlenku Cd2SnO4, azotku tytanu TiN lub tlenoazotku tytanu, lub azotku cyrkonu ZrN.
10. Podłoże według zas^z. 1 albo 2, znam lenne tym, że cienka (2) jesł jedyną warstwą pokrywającą podłoże lub jest związana z warstwą przeciwopalescencyjną jako warstwa funkcyjna odporna na zarysowania.
11. Podłoże według zassrz. 10, znamienne tym, że denka warsswa (2) ma geometryczną grubość co najmniej 250 nanometrów.
12. Podłoże według zassrz. 1 albo 2, znamienne t^r^, że denka warsswa ssanowi ssosu w rodzaju szkło/TiN i/lub ZrN/cienka warstwa (2)/SiOC i/lub SiO, i stanowi mocną powierzchnię rozdziału między TiN i/lub ZrN i SiOC i/lub SiO,, oraz warstwę zabezpieczającą przed utlenianiem po osadzeniu nałożonej górnej warstwy z SiOC i/lub SiO, na linii produkcyjnej i/lub poza nią.
13. Podłoże według zastrz. 12, znamienne tym, że warstwa TiN ma geometryczną grubość między 10 i 50 nanometrów, cienka warstwa (2) ma geometryczną grubość między 5 i 20 nanometrów, nałożona górna warstwa SiOC i/lub SiO, ma geometryczną grubość między 30 i 100 nanometrów oraz stos ma selektywność co najmniej 7%.
14. Sposób wytwarzania podłoża przezroczyssego typu podłoża szklanego, pokrytego co najmniej jedną cienką warstwą opartą na azotku lub tlenoazotku krzemu za pomocą techniki pirolizy w fazie gazowej z użyciem co najmniej dwóch prekursorów, włączając co najmniej jeden prekursor krzemu i co najmniej jeden prekursor azotu, znamienny tym, że stosuje się co najmniej jeden prekursor azotu w postaci aminy oraz cienką warstwę osadza się w temperaturze pomiędzy 550°C i 760°C, korzystnie pomiędzy 660°C i 760°C.
PL 191 071 B1
15. Sposób według zastrz. 14, znamienny tym, że jako prekursor krzemu stosuje się silan, taki jak wodorek krzemu i/lub alkilokrzem, lub silazan.
16. Sposób według zastrz. 14, znamienny tym, że jako aminę stosuje się aminę pierwszorzędową, drugorzędową lub trzeciorzędową, w szczególności taką z rodnikami alkilowymi posiadającymi od 1 do 6 atomów węgla każdy.
17. Sposób według zastrz. 16, znamiennytym. że j ako aminę stosujesię etyloaminęC2H5NH2, metyloaminę CH3NH2, dwumetyloaminę (CH3)2NH, butyloaminę C4H9NH2 lub propyloaminę C3H7NH2.
18. Sposób według zas^z. 14 albo 15, znamienny tym, że stosunek jiości prekursora względnie prekursorów azotu do ilości prekursora względnie prekursorów krzemu, wyrażonych jako liczby moli, zawiera się między 5 i 30, a korzystnie 10.
19. Sposób wedłu g zas^z. 14albo 15. znamiennytym. że prekursordomieszki niezależny od prekursorów krzemu i prekursorów azotu, i jest nim, w szczególności, fluorowany gaz w rodzaju CF4, kiedy domieszką jest fluor F, i gaz organiczny stanowiący nośnik fosforanu taki jak PO(OCH3)3, lub gaz w rodzaju trójetylofosforynu, trójmetylofosforynu, trójmetyloboranu, PCh lub PF5, PBr3 lub PCl3, kiedy domieszką jest fosfor P lub bor B.
20. Sposób według zastrz. 14, znamienny tym, że osadza się cienką warstwę w zasadniczo obojętnej lub zawierającej wodór, a nie zawierającej tlenu atmosferze, w sposób ciągły na wstędze szkła float w komorze do pławienia i/lub w skrzyni do kontrolowania obojętnej lub redukującej atmosfery.
21. Zassosowanie podłożaokreślonego w zas^z. 1 do wytwarzania zespotówokiennych zaopatrzonych w cienkie warstwy do zabezpieczenia przeciwsłonecznego typu filtrującego lub o niskiej emisyjności, i/lub odpornych na zarysowania, i/lub mających funkcję zwierciadła lub przeciwodblaskową, i/lub mających funkcję odporności na zabrudzenie, na „przednich i tylnych” powierzchniach ekranów emisyjnych typu płaskiego ekranu, takich jak ekrany plazmowe.
22. Zastosowanie według zastrz. 21, znamienne tym, że podłoże stosuje się do wytwarzania zespołów okiennych zaopatrzonych w utwardzalne/wyginalne i/lub wysoce trwałe cienkie warstwy.
23. Zastosowanie według zastrz. 22, znamienne tym, że podłoże stosuje się do monolitycznych, laminowanych lub wieloszybowych zespołów okiennych, w których podłoże względnie podłoża są przezroczyste lub jednolicie zabarwione.
24. Zastosowanie podłoża określonego w zastrz. 1 do obróbki wewnętrznej i/lub zewnętrznej powierzchni pojemników, typu szklane butelki, lub kolb.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9701468A FR2759362B1 (fr) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | Substrat transparent muni d'au moins une couche mince a base de nitrure ou d'oxynitrure de silicium et son procede d'obtention |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL324615A1 PL324615A1 (en) | 1998-08-17 |
| PL191071B1 true PL191071B1 (pl) | 2006-03-31 |
Family
ID=9503493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL324615A PL191071B1 (pl) | 1997-02-10 | 1998-02-03 | Podłoże przezroczyste typu podłoża szklanego, pokryte co najmniej jedną cienką warstwą opartą na azotku lub tlenoazotku krzemu, sposób jego wytwarzania oraz zastosowanie tego podłoża |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6114043A (pl) |
| EP (1) | EP0857700B1 (pl) |
| JP (1) | JP4777490B2 (pl) |
| KR (1) | KR100498219B1 (pl) |
| CN (1) | CN1195694C (pl) |
| AT (1) | ATE238244T1 (pl) |
| BR (1) | BR9800576A (pl) |
| DE (1) | DE69813648T2 (pl) |
| ES (1) | ES2196507T3 (pl) |
| FR (1) | FR2759362B1 (pl) |
| PL (1) | PL191071B1 (pl) |
| PT (1) | PT857700E (pl) |
Families Citing this family (136)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2780054B1 (fr) * | 1998-06-19 | 2000-07-21 | Saint Gobain Vitrage | Procede de depot d'une couche a base d'oxyde metallique sur un substrat verrier, substrat verrier ainsi revetu |
| US6251802B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-06-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming carbon-containing layers |
| JP3595744B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2004-12-02 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源及び画像形成装置 |
| JP3657869B2 (ja) * | 1999-10-29 | 2005-06-08 | 株式会社巴川製紙所 | 低反射部材 |
| US6784485B1 (en) * | 2000-02-11 | 2004-08-31 | International Business Machines Corporation | Diffusion barrier layer and semiconductor device containing same |
| AU2001243417A1 (en) * | 2000-03-06 | 2001-09-17 | Guardian Industries, Inc. | Low-emissivity glass coatings having a layer of nitrided nichrome and methods ofmaking same |
| US6445503B1 (en) | 2000-07-10 | 2002-09-03 | Guardian Industries Corp. | High durable, low-E, heat treatable layer coating system |
| US6576349B2 (en) | 2000-07-10 | 2003-06-10 | Guardian Industries Corp. | Heat treatable low-E coated articles and methods of making same |
| EP1787965B1 (en) * | 2000-07-10 | 2015-04-22 | Guardian Industries Corp. | Heat treatable low-e coated articles |
| US7879448B2 (en) * | 2000-07-11 | 2011-02-01 | Guardian Industires Corp. | Coated article with low-E coating including IR reflecting layer(s) and corresponding method |
| JP4048112B2 (ja) * | 2000-08-18 | 2008-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| US6410968B1 (en) * | 2000-08-31 | 2002-06-25 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device with barrier layer |
| US6627317B2 (en) | 2001-05-17 | 2003-09-30 | Guardian Industries Corp. | Heat treatable coated articles with anti-migration barrier layer between dielectric and solar control layers, and methods of making same |
| KR20030000992A (ko) * | 2001-06-28 | 2003-01-06 | 주식회사 엘리아테크 | 애노드/유기 결합층을 가지는 유기 전계발광 표시소자 |
| US20030049464A1 (en) * | 2001-09-04 | 2003-03-13 | Afg Industries, Inc. | Double silver low-emissivity and solar control coatings |
| US6605358B1 (en) | 2001-09-13 | 2003-08-12 | Guardian Industries Corp. | Low-E matchable coated articles, and methods |
| US6602608B2 (en) | 2001-11-09 | 2003-08-05 | Guardian Industries, Corp. | Coated article with improved barrier layer structure and method of making the same |
| US7612015B2 (en) * | 2001-12-21 | 2009-11-03 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Member having photocatalytic function and method for manufacture thereof |
| US6830817B2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-12-14 | Guardian Industries Corp. | Low-e coating with high visible transmission |
| US6906305B2 (en) * | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Brion Technologies, Inc. | System and method for aerial image sensing |
| JP2003221257A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-05 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明薄膜の成形方法およびそれを備える透明基体 |
| DE10234588A1 (de) * | 2002-07-30 | 2004-02-19 | Robert Bosch Gmbh | Bauteil eines Verbrennungsmotors mit einem tribologisch beanspruchten Bauelement |
| US6707610B1 (en) | 2002-09-20 | 2004-03-16 | Huper Optik International Pte Ltd | Reducing the susceptibility of titanium nitride optical layers to crack |
| US6881487B2 (en) | 2002-11-15 | 2005-04-19 | Guardian Industries Corp. | Heat treatable coated articles with zirconium or zirconium nitride layer and methods of making same |
| US6689475B1 (en) | 2002-11-20 | 2004-02-10 | Guardian Industries Corp. | Heat treatable coated articles with boride layer of titanium and/or zirconium and methods of making same |
| US7005190B2 (en) | 2002-12-20 | 2006-02-28 | Guardian Industries Corp. | Heat treatable coated article with reduced color shift at high viewing angles |
| US6994910B2 (en) * | 2003-01-09 | 2006-02-07 | Guardian Industries Corp. | Heat treatable coated article with niobium nitride IR reflecting layer |
| US7122222B2 (en) * | 2003-01-23 | 2006-10-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing silicon containing films and processes thereof |
| US6759297B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-07-06 | Union Semiconductor Technology Corporatin | Low temperature deposition of dielectric materials in magnetoresistive random access memory devices |
| US7507442B2 (en) * | 2003-11-04 | 2009-03-24 | Guardian Industries Corp. | Heat treatable coated article with diamond-like carbon (DLC) and/or zirconium in coating |
| US7566481B2 (en) * | 2003-12-15 | 2009-07-28 | Guardian Industries Corp. | Method of making scratch resistant coated glass article including layer(s) resistant to fluoride-based etchant(s) |
| EP1713736B1 (en) | 2003-12-22 | 2016-04-27 | Cardinal CG Company | Graded photocatalytic coatings and methods of making such coatings |
| ATE377579T1 (de) | 2004-07-12 | 2007-11-15 | Cardinal Cg Co | Wartungsarme beschichtungen |
| US7482060B2 (en) * | 2004-07-14 | 2009-01-27 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Silicon oxycarbide coatings having durable hydrophilic properties |
| JP4470023B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2010-06-02 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | シリコン窒化物膜の製造方法 |
| JP4821610B2 (ja) | 2004-09-21 | 2011-11-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 透明ガスバリア性フィルム |
| US7923114B2 (en) | 2004-12-03 | 2011-04-12 | Cardinal Cg Company | Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films |
| US8092660B2 (en) | 2004-12-03 | 2012-01-10 | Cardinal Cg Company | Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films |
| CN101072735B (zh) * | 2004-12-06 | 2011-08-10 | 日本板硝子株式会社 | 具有光催化剂功能和红外线反射功能的玻璃构件以及使用该玻璃构件的多层玻璃 |
| JP5684965B2 (ja) * | 2005-06-20 | 2015-03-18 | 大王製紙株式会社 | 塗工紙の製造方法 |
| US7495743B2 (en) * | 2005-09-30 | 2009-02-24 | International Business Machines Corporation | Immersion optical lithography system having protective optical coating |
| JP4939176B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2012-05-23 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| WO2007124291A2 (en) | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Cardinal Cg Company | Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances |
| US7825038B2 (en) * | 2006-05-30 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen |
| US7902080B2 (en) * | 2006-05-30 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition-plasma cure cycle process to enhance film quality of silicon dioxide |
| US8232176B2 (en) * | 2006-06-22 | 2012-07-31 | Applied Materials, Inc. | Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| EP2069252B1 (en) | 2007-09-14 | 2016-11-23 | Cardinal CG Company | Low-maintenance coating technology |
| US7943531B2 (en) * | 2007-10-22 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming a silicon oxide layer over a substrate |
| US7803722B2 (en) * | 2007-10-22 | 2010-09-28 | Applied Materials, Inc | Methods for forming a dielectric layer within trenches |
| US7867923B2 (en) * | 2007-10-22 | 2011-01-11 | Applied Materials, Inc. | High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors |
| SG10201402245VA (en) * | 2007-11-02 | 2014-08-28 | Agc Flat Glass Na Inc | Transparent conductive oxide coating for thin film photovoltaic applications and methods of making the same |
| US8357435B2 (en) * | 2008-05-09 | 2013-01-22 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric equipment and processes |
| DE102008030825A1 (de) | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Schott Ag | Vorrichtung zur Reflektion von Wärmestrahlung, ein Verfahren zu ihrer Herstellung sowie deren Verwendung |
| FR2933394B1 (fr) * | 2008-07-03 | 2011-04-01 | Saint Gobain | Procede de depot de couche mince et produit obtenu |
| DE102008033941A1 (de) * | 2008-07-18 | 2010-01-28 | Innovent E.V. | Verfahren zum Beschichten |
| US20100081293A1 (en) * | 2008-10-01 | 2010-04-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming silicon nitride based film or silicon carbon based film |
| DE102008060923B4 (de) | 2008-12-06 | 2012-09-27 | Innovent E.V. | Verwendung einer Schicht |
| JP5182883B2 (ja) * | 2008-12-17 | 2013-04-17 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光触媒体およびその製造方法 |
| US8980382B2 (en) * | 2009-12-02 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films |
| US7935643B2 (en) * | 2009-08-06 | 2011-05-03 | Applied Materials, Inc. | Stress management for tensile films |
| US8741788B2 (en) * | 2009-08-06 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes |
| US7989365B2 (en) * | 2009-08-18 | 2011-08-02 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source seasoning |
| US20110086235A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Stewart Engineers, Inc. | Methods of nucleation control in film deposition |
| US20110136347A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-06-09 | Applied Materials, Inc. | Point-of-use silylamine generation |
| US8449942B2 (en) * | 2009-11-12 | 2013-05-28 | Applied Materials, Inc. | Methods of curing non-carbon flowable CVD films |
| WO2011090626A2 (en) | 2009-12-30 | 2011-07-28 | Applied Materials, Inc. | Dielectric film growth with radicals produced using flexible nitrogen/hydrogen ratio |
| US8329262B2 (en) * | 2010-01-05 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Dielectric film formation using inert gas excitation |
| US8647992B2 (en) | 2010-01-06 | 2014-02-11 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric using oxide liner |
| CN102714156A (zh) | 2010-01-07 | 2012-10-03 | 应用材料公司 | 自由基成分cvd的原位臭氧固化 |
| US10000965B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductive coating technology |
| US10000411B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-06-19 | Cardinal Cg Company | Insulating glass unit transparent conductivity and low emissivity coating technology |
| US10060180B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-08-28 | Cardinal Cg Company | Flash-treated indium tin oxide coatings, production methods, and insulating glass unit transparent conductive coating technology |
| CA2786872A1 (en) | 2010-01-16 | 2011-07-21 | Cardinal Cg Company | High quality emission control coatings, emission control glazings, and production methods |
| US11155493B2 (en) | 2010-01-16 | 2021-10-26 | Cardinal Cg Company | Alloy oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods |
| US9862640B2 (en) | 2010-01-16 | 2018-01-09 | Cardinal Cg Company | Tin oxide overcoat indium tin oxide coatings, coated glazings, and production methods |
| FR2956659B1 (fr) * | 2010-02-22 | 2014-10-10 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree |
| US8524337B2 (en) | 2010-02-26 | 2013-09-03 | Guardian Industries Corp. | Heat treated coated article having glass substrate(s) and indium-tin-oxide (ITO) inclusive coating |
| JP2013521650A (ja) * | 2010-03-05 | 2013-06-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ラジカル成分ｃｖｄによる共形層 |
| US8236708B2 (en) | 2010-03-09 | 2012-08-07 | Applied Materials, Inc. | Reduced pattern loading using bis(diethylamino)silane (C8H22N2Si) as silicon precursor |
| US7994019B1 (en) | 2010-04-01 | 2011-08-09 | Applied Materials, Inc. | Silicon-ozone CVD with reduced pattern loading using incubation period deposition |
| US8476142B2 (en) | 2010-04-12 | 2013-07-02 | Applied Materials, Inc. | Preferential dielectric gapfill |
| US8524004B2 (en) | 2010-06-16 | 2013-09-03 | Applied Materials, Inc. | Loadlock batch ozone cure |
| FR2963343B1 (fr) * | 2010-07-28 | 2012-07-27 | Saint Gobain | Vitrage pourvu d'un revetement contre la condensation |
| US8318584B2 (en) | 2010-07-30 | 2012-11-27 | Applied Materials, Inc. | Oxide-rich liner layer for flowable CVD gapfill |
| US9285168B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Module for ozone cure and post-cure moisture treatment |
| US8664127B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-03-04 | Applied Materials, Inc. | Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner |
| WO2012077163A1 (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | 日新電機株式会社 | シリコン酸窒化膜及びその形成方法並びに半導体デバイス |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US8450191B2 (en) | 2011-01-24 | 2013-05-28 | Applied Materials, Inc. | Polysilicon films by HDP-CVD |
| US8716154B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-05-06 | Applied Materials, Inc. | Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers |
| US8445078B2 (en) | 2011-04-20 | 2013-05-21 | Applied Materials, Inc. | Low temperature silicon oxide conversion |
| FR2975989B1 (fr) * | 2011-05-30 | 2014-04-25 | Saint Gobain | Couche barriere aux alcalins |
| US8466073B2 (en) | 2011-06-03 | 2013-06-18 | Applied Materials, Inc. | Capping layer for reduced outgassing |
| EA201490183A1 (ru) * | 2011-06-30 | 2014-06-30 | Агк Гласс Юроп | Закаливаемые и незакаливаемые прозрачные нанокомпозитные слои |
| US9404178B2 (en) | 2011-07-15 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment and deposition for reduced outgassing |
| US8617989B2 (en) | 2011-09-26 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Liner property improvement |
| US8551891B2 (en) | 2011-10-04 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma burn-in |
| FR2982608B1 (fr) * | 2011-11-16 | 2013-11-22 | Saint Gobain | Couche barriere aux metaux alcalins a base de sioc |
| JP5903848B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2016-04-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 反射防止膜付きガラス基材 |
| CN102527363A (zh) * | 2011-12-27 | 2012-07-04 | 长沙学院 | 一种N-F共掺杂TiO2/竹炭复合光催化材料的生产方法 |
| US20130334089A1 (en) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Michael P. Remington, Jr. | Glass Container Insulative Coating |
| US8889566B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-11-18 | Applied Materials, Inc. | Low cost flowable dielectric films |
| JP2014088287A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Mitsubishi Materials Corp | 反射防止膜および拡散抑制膜からなる複合膜、およびこの複合膜を備えるガラス基材の製造方法 |
| DE102012223195A1 (de) | 2012-12-14 | 2014-06-18 | Evonik Industries Ag | Hochreine pulverförmige Halbmetallcarbid- und Halbmetallnitridverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung und dafür geeigneter Reaktor |
| US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
| US9703010B2 (en) | 2013-02-08 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Articles with anti-reflective high-hardness coatings and related methods |
| DE102013109308A1 (de) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | Karlsruher Institut für Technologie | Strukturierte Beschichtung aus Siliciumoxicarbid, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
| US9703011B2 (en) | 2013-05-07 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Scratch-resistant articles with a gradient layer |
| US9684097B2 (en) | 2013-05-07 | 2017-06-20 | Corning Incorporated | Scratch-resistant articles with retained optical properties |
| US9359261B2 (en) | 2013-05-07 | 2016-06-07 | Corning Incorporated | Low-color scratch-resistant articles with a multilayer optical film |
| US9366784B2 (en) | 2013-05-07 | 2016-06-14 | Corning Incorporated | Low-color scratch-resistant articles with a multilayer optical film |
| US9110230B2 (en) | 2013-05-07 | 2015-08-18 | Corning Incorporated | Scratch-resistant articles with retained optical properties |
| US10160688B2 (en) | 2013-09-13 | 2018-12-25 | Corning Incorporated | Fracture-resistant layered-substrates and articles including the same |
| WO2015047914A1 (en) | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Antonio Sanchez | Amine substituted trisilylamine and tridisilylamine compounds |
| US9335444B2 (en) | 2014-05-12 | 2016-05-10 | Corning Incorporated | Durable and scratch-resistant anti-reflective articles |
| US11267973B2 (en) | 2014-05-12 | 2022-03-08 | Corning Incorporated | Durable anti-reflective articles |
| US9412581B2 (en) | 2014-07-16 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Low-K dielectric gapfill by flowable deposition |
| US9790593B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-10-17 | Corning Incorporated | Scratch-resistant materials and articles including the same |
| KR101959712B1 (ko) | 2014-09-15 | 2019-03-19 | 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 | 적외선 흡수층을 포함하는 광학 필름 |
| CN113025992B (zh) * | 2014-10-24 | 2024-02-02 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 组合物和使用所述组合物沉积含硅膜的方法 |
| KR20170078812A (ko) | 2014-11-21 | 2017-07-07 | 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 | 적외선 조절 광학 필름 |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9777025B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-10-03 | L'Air Liquide, Société pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
| WO2017005621A1 (en) * | 2015-07-07 | 2017-01-12 | Agc Glass Europe | Glass substrate with increased weathering and chemcial resistance |
| GB201515985D0 (en) * | 2015-09-09 | 2015-10-21 | Pilkington Group Ltd | Deposition process |
| EP3300520B1 (en) | 2015-09-14 | 2020-11-25 | Corning Incorporated | High light transmission and scratch-resistant anti-reflective articles |
| EP3541762B1 (en) | 2016-11-17 | 2022-03-02 | Cardinal CG Company | Static-dissipative coating technology |
| FR3068031B1 (fr) * | 2017-06-26 | 2019-08-02 | Saint-Gobain Glass France | Vitrage a proprietes antisolaires comprenant une couche d'oxynitrure de titane |
| WO2019113539A1 (en) * | 2017-12-08 | 2019-06-13 | Apogee Enterprises, Inc. | Adhesion promoters, glass surfaces including the same, and methods for making the same |
| CN114085037B (zh) | 2018-08-17 | 2023-11-10 | 康宁股份有限公司 | 具有薄的耐久性减反射结构的无机氧化物制品 |
| US11028012B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-06-08 | Cardinal Cg Company | Low solar heat gain coatings, laminated glass assemblies, and methods of producing same |
| US11286199B2 (en) * | 2019-07-01 | 2022-03-29 | Agc Automotive Americas Co., A Division Of Agc Flat Glass North America Inc. | Substantially transparent substrates including high and low emissivity coating layers |
| US20220009824A1 (en) | 2020-07-09 | 2022-01-13 | Corning Incorporated | Anti-glare substrate for a display article including a textured region with primary surface features and secondary surface features imparting a surface roughness that increases surface scattering |
| EP4455798B1 (fr) * | 2023-04-28 | 2026-02-18 | The Swatch Group Research and Development Ltd | Pièce d'habillage en matériau céramique comprenant un revêtement de protection et procédé de réalisation d'une telle pièce d'habillage |
| WO2025096714A1 (en) * | 2023-11-01 | 2025-05-08 | Corning Incorporated | Coated articles with a planarization layer/hydroxyl-modified layer and a surface-modifying layer and methods of making the same |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1518564A (en) * | 1975-11-25 | 1978-07-19 | Motorola Inc | Method for the low pressure pyrolytic deposition of silicon nitride |
| DE2557079C2 (de) | 1975-12-18 | 1984-05-24 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zum Herstellen einer Maskierungsschicht |
| JPH01213600A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Konica Corp | 保護層を有する蛍光体パネル |
| WO1989010903A1 (en) * | 1988-05-05 | 1989-11-16 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Or | Glass article |
| FR2631346B1 (fr) * | 1988-05-11 | 1994-05-20 | Air Liquide | Revetement protecteur multicouche pour substrat, procede de protection de substrat par depot par plasma d'un tel revetement, revetements obtenus et leurs applications |
| US5639671A (en) * | 1989-09-18 | 1997-06-17 | Biostar, Inc. | Methods for optimizing of an optical assay device |
| US5176893A (en) * | 1989-10-02 | 1993-01-05 | Phillips Petroleum Company | Silicon nitride products and method for their production |
| EP0423884A1 (en) * | 1989-10-16 | 1991-04-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for deposition of silicon nitride layers on glass substrates |
| DE69016171T2 (de) * | 1989-10-26 | 1995-05-24 | Shinetsu Chemical Co | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium. |
| US4992299A (en) * | 1990-02-01 | 1991-02-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Deposition of silicon nitride films from azidosilane sources |
| JP3189277B2 (ja) * | 1990-06-04 | 2001-07-16 | 日本板硝子株式会社 | 熱線遮へいガラス |
| JP3028576B2 (ja) * | 1990-09-21 | 2000-04-04 | 日本板硝子株式会社 | 熱線遮蔽ガラス |
| JP3139031B2 (ja) * | 1991-02-21 | 2001-02-26 | 日本板硝子株式会社 | 熱線遮蔽ガラス |
| FR2677639B1 (fr) * | 1991-06-14 | 1994-02-25 | Saint Gobain Vitrage Internal | Technique de formation par pyrolyse en voie gazeuse d'un revetement essentiellement a base d'oxygene et de silicium. |
| JPH0818849B2 (ja) * | 1991-08-29 | 1996-02-28 | 日本板硝子株式会社 | 熱線遮蔽ガラス |
| DE4135701C2 (de) * | 1991-10-30 | 1995-09-28 | Leybold Ag | Scheibe mit hohem Transmissionsverhalten im sichtbaren Spektralbereich und mit hohem Reflexionsverhalten für Wärmestrahlung |
| US5543229A (en) * | 1991-10-30 | 1996-08-06 | Asahi Glass Company Ltd. | Method of making a heat treated coated glass |
| JP3200637B2 (ja) * | 1992-02-05 | 2001-08-20 | 日本板硝子株式会社 | 熱線遮蔽ガラス |
| US5234769A (en) * | 1992-04-16 | 1993-08-10 | Deposition Sciences, Inc. | Wear resistant transparent dielectric coatings |
| TW250618B (pl) * | 1993-01-27 | 1995-07-01 | Mitsui Toatsu Chemicals | |
| FR2708924B1 (fr) * | 1993-08-12 | 1995-10-20 | Saint Gobain Vitrage Int | Procédé de dépôt d'une couche de nitrure métallique sur un substrat transparent. |
| FR2711983B1 (fr) * | 1993-11-02 | 1996-01-19 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent muni d'une couche de nitrure métallique. |
| US5665424A (en) * | 1994-03-11 | 1997-09-09 | Sherman; Dan | Method for making glass articles having a permanent protective coating |
| FR2727107B1 (fr) * | 1994-11-21 | 1996-12-27 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage muni d'au moins une couche mince et son procede d'obtention |
| FR2728559B1 (fr) * | 1994-12-23 | 1997-01-31 | Saint Gobain Vitrage | Substrats en verre revetus d'un empilement de couches minces a proprietes de reflexion dans l'infrarouge et/ou dans le domaine du rayonnement solaire |
| GB9500330D0 (en) * | 1995-01-09 | 1995-03-01 | Pilkington Plc | Coatings on glass |
| FR2730990B1 (fr) * | 1995-02-23 | 1997-04-04 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent a revetement anti-reflets |
| FR2736632B1 (fr) * | 1995-07-12 | 1997-10-24 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage muni d'une couche conductrice et/ou bas-emissive |
| FR2752235B3 (fr) * | 1996-08-07 | 1998-08-28 | Saint Gobain Vitrage | Substrat verrier muni d'une couche reflechissante |
| FR2780054B1 (fr) * | 1998-06-19 | 2000-07-21 | Saint Gobain Vitrage | Procede de depot d'une couche a base d'oxyde metallique sur un substrat verrier, substrat verrier ainsi revetu |
-
1997
- 1997-02-10 FR FR9701468A patent/FR2759362B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-01-29 AT AT98400180T patent/ATE238244T1/de active
- 1998-01-29 DE DE69813648T patent/DE69813648T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-29 ES ES98400180T patent/ES2196507T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-29 PT PT98400180T patent/PT857700E/pt unknown
- 1998-01-29 EP EP98400180A patent/EP0857700B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-03 PL PL324615A patent/PL191071B1/pl unknown
- 1998-02-09 BR BR9800576A patent/BR9800576A/pt not_active IP Right Cessation
- 1998-02-10 US US09/021,307 patent/US6114043A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-10 CN CNB981070590A patent/CN1195694C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-10 KR KR10-1998-0003880A patent/KR100498219B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-10 JP JP02865298A patent/JP4777490B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-04 US US09/564,751 patent/US6503557B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL324615A1 (en) | 1998-08-17 |
| FR2759362B1 (fr) | 1999-03-12 |
| KR19980071238A (ko) | 1998-10-26 |
| CN1195694C (zh) | 2005-04-06 |
| DE69813648D1 (de) | 2003-05-28 |
| JPH10309777A (ja) | 1998-11-24 |
| BR9800576A (pt) | 1999-05-25 |
| EP0857700B1 (fr) | 2003-04-23 |
| FR2759362A1 (fr) | 1998-08-14 |
| DE69813648T2 (de) | 2004-02-12 |
| PT857700E (pt) | 2003-09-30 |
| ES2196507T3 (es) | 2003-12-16 |
| JP4777490B2 (ja) | 2011-09-21 |
| US6114043A (en) | 2000-09-05 |
| ATE238244T1 (de) | 2003-05-15 |
| EP0857700A1 (fr) | 1998-08-12 |
| CN1201023A (zh) | 1998-12-09 |
| KR100498219B1 (ko) | 2005-09-30 |
| US6503557B1 (en) | 2003-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL191071B1 (pl) | Podłoże przezroczyste typu podłoża szklanego, pokryte co najmniej jedną cienką warstwą opartą na azotku lub tlenoazotku krzemu, sposób jego wytwarzania oraz zastosowanie tego podłoża | |
| US5776603A (en) | Glazing pane equipped with at least one thin film and method of manufacturing the same | |
| EP1116699B1 (en) | Light-colored glass of high transmittance and method for production thereof, glass plate with electrically conductive film and method for production thereof, and glass article | |
| EP1460044B1 (en) | Sheet glass and photoelectric converter-use sheet glass | |
| EP0925260B1 (en) | Coated glass | |
| EP0583871B1 (en) | Method for preparing reflecting coatings on glass and mirrors prepared thereof | |
| US5514454A (en) | Transparent substrate provided with a metal nitride layer | |
| JP4409644B2 (ja) | 赤外線に反射特性を有する薄層を施した透明な材料 | |
| EP0627391B1 (en) | Neutral, low emissivity coated glass articles and method for making | |
| US6602541B1 (en) | Method of preparing vaporized antimony precursors | |
| KR19990028992A (ko) | 반사방지 코팅을 갖는 창유리 | |
| EP0579706B1 (en) | Window coating with low haze | |
| US6838178B1 (en) | Glass article with anti-reflective coating | |
| EP0353461B1 (en) | Chemical vapor deposition of bismuth oxide | |
| JP2000109342A (ja) | ガラス基材上に金属酸化物を主成分とする層を堆積させる方法及びそれによってコ―ティングされたガラス基材 | |
| EP1484293A1 (en) | Method for forming transparent thin film, transparent thin film formed by the method and transparent substrate with transparent thin film | |
| EP0662459A1 (en) | Coatings on glass | |
| EP1002773A1 (en) | Heat-reflecting glass and double-glazing unit using the same | |
| JP2000233946A (ja) | 熱線反射ガラス及びこれを用いた複層ガラス | |
| EP1004550A1 (en) | Heat-reflecting glass and double-glazing unit using the same | |
| JP2025525183A (ja) | 低放射率及び日射防止グレージング | |
| JP4452774B2 (ja) | 少なくとも１つの反射層を施された透明基材を得る方法 | |
| JP2005330172A (ja) | ガラス板およびその製造方法、低反射性透明ガラス板、低反射性透明導電基板およびその製造方法、ならびに、低反射性透明導電基板を用いた光電変換素子 | |
| CA2264168A1 (en) | Coated glass |